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Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
208+0.34 EUR
227+0.32 EUR
234+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
257+0.28 EUR
272+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3 VISHAY si3440dv.pdf SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3 VISHAY 72749.pdf description SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.4 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY SI3457CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 15nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
122+0.59 EUR
162+0.44 EUR
185+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
168+0.43 EUR
177+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.71 EUR
248+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
138+0.52 EUR
180+0.4 EUR
307+0.23 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 138
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.08 EUR
208+0.34 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
30000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
148+0.48 EUR
157+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY si3585cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
120+0.6 EUR
176+0.41 EUR
206+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3865DDV-T1-GE3 VISHAY Si3865DDV.pdf SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.95 EUR
188+0.38 EUR
199+0.36 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
249+0.29 EUR
264+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.05 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
198+0.36 EUR
211+0.34 EUR
224+0.32 EUR
237+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3 VISHAY si4288dy.pdf SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 4399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
25+2.86 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
90+0.8 EUR
133+0.54 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
132+0.54 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
108+0.67 EUR
117+0.62 EUR
121+0.59 EUR
136+0.53 EUR
250+0.52 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
166+0.43 EUR
177+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY si4425ddy.pdf SI4425DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf SI4431BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1843 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
91+0.79 EUR
98+0.73 EUR
110+0.65 EUR
121+0.59 EUR
200+0.53 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
181+0.4 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
97+0.74 EUR
132+0.54 EUR
151+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY si4435fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
173+0.41 EUR
234+0.31 EUR
271+0.26 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -7.2A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 4.2W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
113+0.64 EUR
178+0.4 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY Si4459ADY.PDF SI4459ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
73+0.97 EUR
100+0.72 EUR
250+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY si4483ad.pdf SI4483ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3 VISHAY si4497dy.pdf SI4497DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 VISHAY SI4686DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI4800BDY-T1-E3 VISHAY si4800bd.pdf description SI4800BDY-E3 SMD N channel transistors
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SI4835DDY-T1-E3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4840BDY-T1-E3 VISHAY si4840bdy.pdf SI4840BDY-E3 SMD N channel transistors
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SI4848DY-T1-E3 VISHAY si4848dy.pdf SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY SI4925DDY-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY si4936cdy.pdf SI4936CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf SI7113DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY si7149adp.pdf SI7149ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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38+1.92 EUR
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SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf SI7461DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 0.94W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
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51+1.42 EUR
62+1.16 EUR
68+1.06 EUR
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 183nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 33W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
101+0.71 EUR
129+0.55 EUR
145+0.49 EUR
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SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2748 Stücke:
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65+1.12 EUR
102+0.7 EUR
108+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
100+0.72 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2947 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
33+2.22 EUR
36+2 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2814 Stücke:
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34+2.14 EUR
59+1.23 EUR
61+1.17 EUR
250+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
208+0.34 EUR
227+0.32 EUR
234+0.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
257+0.28 EUR
272+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3 si3440dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3 description 72749.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.4 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 15nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 962 Stücke:
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Anzahl Preis
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162+0.44 EUR
185+0.39 EUR
500+0.29 EUR
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3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Hersteller: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1429 Stücke:
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Anzahl Preis
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168+0.43 EUR
177+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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248+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
138+0.52 EUR
180+0.4 EUR
307+0.23 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 138
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SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Anzahl Preis
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SI3483CDV-T1-GE3 si3483cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
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SI3585CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
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Hersteller: VISHAY
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SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4178DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
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SI4401BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
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SI4401DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4401FDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
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SI4403CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4403DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4425DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4431BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1843 Stücke:
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Anzahl Preis
76+0.94 EUR
91+0.79 EUR
98+0.73 EUR
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SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
181+0.4 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
97+0.74 EUR
132+0.54 EUR
151+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
173+0.41 EUR
234+0.31 EUR
271+0.26 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -7.2A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 4.2W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
113+0.64 EUR
178+0.4 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 87
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SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
Hersteller: VISHAY
SI4459ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
73+0.97 EUR
100+0.72 EUR
250+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 57
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SI4483ADY-T1-GE3 si4483ad.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4483ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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SI4497DY-T1-GE3 si4497dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4497DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.79 EUR
44+1.66 EUR
46+1.56 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
91+0.79 EUR
133+0.54 EUR
157+0.46 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
59+1.22 EUR
67+1.07 EUR
100+1.02 EUR
125+1 EUR
250+0.96 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
82+0.87 EUR
108+0.67 EUR
122+0.59 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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SI4686DY-T1-E3 SI4686DY.pdf
SI4686DY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
101+0.71 EUR
124+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.47 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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SI4800BDY-T1-E3 description si4800bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4800BDY-E3 SMD N channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI4840BDY-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4850EY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI4936CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI4948BEY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI7113DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7149ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7461DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
SI7465DP-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 0.94W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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51+1.42 EUR
62+1.16 EUR
68+1.06 EUR
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SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 183nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 33W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
81+0.89 EUR
101+0.71 EUR
129+0.55 EUR
145+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Anzahl Preis
65+1.12 EUR
102+0.7 EUR
108+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
100+0.72 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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33+2.22 EUR
36+2 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
59+1.23 EUR
61+1.17 EUR
250+1.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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