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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Power dissipation: 0.3W
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
205+0.35 EUR
242+0.3 EUR
277+0.26 EUR
315+0.23 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3 VISHAY si1317dl.pdf SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1836 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 VISHAY si1442dh.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
272+0.26 EUR
307+0.23 EUR
439+0.16 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY si1443edh.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; ESD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -4A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
173+0.41 EUR
211+0.34 EUR
246+0.29 EUR
283+0.25 EUR
336+0.21 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
281+0.25 EUR
327+0.22 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
313+0.23 EUR
334+0.21 EUR
353+0.2 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
250+0.29 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
174+0.41 EUR
200+0.36 EUR
275+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
172+0.42 EUR
218+0.33 EUR
242+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY si2302dds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
211+0.34 EUR
237+0.3 EUR
296+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
142+0.5 EUR
188+0.38 EUR
214+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
343+0.21 EUR
388+0.18 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2956 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
286+0.25 EUR
311+0.23 EUR
345+0.21 EUR
374+0.19 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2002 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
189+0.38 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 192mΩ
Power dissipation: 1.06W
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
100+0.72 EUR
250+0.31 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 144mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8999 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
258+0.28 EUR
311+0.23 EUR
407+0.18 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
140+0.51 EUR
183+0.39 EUR
208+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
266+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
108+0.66 EUR
124+0.58 EUR
138+0.52 EUR
154+0.46 EUR
250+0.4 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY si2318cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
210+0.34 EUR
244+0.29 EUR
348+0.21 EUR
397+0.18 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3 VISHAY si2318ds.pdf SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4062 Stücke:
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SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3 VISHAY si2323ds.pdf SI2323DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI2329DS-T1-GE3 VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1259 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2336DS-T1-GE3 VISHAY si2336ds.pdf SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1961 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3144 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.8nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±5V
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
166+0.43 EUR
211+0.34 EUR
235+0.3 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -5.9A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
126+0.57 EUR
159+0.45 EUR
175+0.41 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
261+0.27 EUR
374+0.19 EUR
435+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
234+0.31 EUR
321+0.22 EUR
365+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
305+0.23 EUR
439+0.16 EUR
511+0.14 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
165+0.43 EUR
222+0.32 EUR
252+0.28 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
176+0.41 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY si2377eds.pdf SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.69 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 10.4nC
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
120+0.6 EUR
135+0.53 EUR
211+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
208+0.34 EUR
227+0.32 EUR
234+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
140+0.51 EUR
183+0.39 EUR
210+0.34 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3 VISHAY 72749.pdf description SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.4 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY si3457cdv.pdf SI3457CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.88 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1439 Stücke:
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62+1.16 EUR
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SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2940 Stücke:
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76+0.94 EUR
100+0.72 EUR
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1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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71+1.02 EUR
196+0.37 EUR
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30000+0.33 EUR
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SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
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50+1.44 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Power dissipation: 0.3W
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
205+0.35 EUR
242+0.3 EUR
277+0.26 EUR
315+0.23 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3 si1317dl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1836 Stücke:
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Anzahl Preis
109+0.66 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 109
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SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
SI1442DH-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
272+0.26 EUR
307+0.23 EUR
439+0.16 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
SI1443EDH-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; ESD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -4A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
173+0.41 EUR
211+0.34 EUR
246+0.29 EUR
283+0.25 EUR
336+0.21 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
281+0.25 EUR
327+0.22 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
313+0.23 EUR
334+0.21 EUR
353+0.2 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
250+0.29 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
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SI2301CDS-T1-GE3 si2301cds.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
174+0.41 EUR
200+0.36 EUR
275+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
172+0.42 EUR
218+0.33 EUR
242+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
211+0.34 EUR
237+0.3 EUR
296+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
142+0.5 EUR
188+0.38 EUR
214+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
343+0.21 EUR
388+0.18 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2956 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
286+0.25 EUR
311+0.23 EUR
345+0.21 EUR
374+0.19 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2306BDS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac
SI2306BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2002 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
189+0.38 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 192mΩ
Power dissipation: 1.06W
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
100+0.72 EUR
250+0.31 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 144mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8999 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
258+0.28 EUR
311+0.23 EUR
407+0.18 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e
SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
140+0.51 EUR
183+0.39 EUR
208+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
266+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
250+0.32 EUR
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SI2315BDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI2318CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI2319CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI2319DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI2319DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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117+0.61 EUR
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SI2319DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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104+0.69 EUR
133+0.54 EUR
146+0.49 EUR
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SI2323CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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152+0.47 EUR
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1000+0.32 EUR
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SI2323DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7
SI2323DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI2323DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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59+1.22 EUR
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SI2324DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49
SI2324DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
223+0.32 EUR
235+0.3 EUR
500+0.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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72+1 EUR
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257+0.28 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
126+0.57 EUR
151+0.47 EUR
163+0.44 EUR
250+0.39 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
101+0.71 EUR
150+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
148+0.49 EUR
166+0.43 EUR
258+0.28 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-GE3 si2337ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.51 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
102+0.71 EUR
283+0.25 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.8nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±5V
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
166+0.43 EUR
211+0.34 EUR
235+0.3 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -5.9A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
126+0.57 EUR
159+0.45 EUR
175+0.41 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
261+0.27 EUR
374+0.19 EUR
435+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
SI2356DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
234+0.31 EUR
321+0.22 EUR
365+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
305+0.23 EUR
439+0.16 EUR
511+0.14 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
165+0.43 EUR
222+0.32 EUR
252+0.28 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
176+0.41 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.69 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 10.4nC
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
120+0.6 EUR
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211+0.34 EUR
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1000+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2631 Stücke:
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234+0.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI3421DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2807 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3457CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2940 Stücke:
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155+0.46 EUR
250+0.39 EUR
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SI3483CDV-T1-GE3 si3483cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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71+1.02 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
30000+0.33 EUR
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SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
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