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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 VISHAY sihd2n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
25+2.86 EUR
75+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY sihf22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.38 EUR
17+4.35 EUR
19+3.88 EUR
25+3.3 EUR
50+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
92+0.78 EUR
105+0.69 EUR
116+0.62 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.9 EUR
300+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
114+0.63 EUR
126+0.57 EUR
143+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.46 EUR
20+3.76 EUR
22+3.36 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY SIHG47N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.68 EUR
10+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY SIHG73N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.66 EUR
7+11.87 EUR
10+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY SIHP065N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N60E-GE3 VISHAY sihp100n60e.pdf SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.06 EUR
17+4.38 EUR
18+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
49+1.47 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
37+1.94 EUR
44+1.64 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.39 EUR
15+4.86 EUR
25+4.29 EUR
100+3.85 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.95 EUR
22+3.4 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
21+3.52 EUR
25+2.96 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DNP3-T1GE4 SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: SC70
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
178+0.4 EUR
198+0.36 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32509DT-T1-GE3 SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
283+0.25 EUR
315+0.23 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32510DT-T1-GE3 SIP32510DT-T1-GE3 VISHAY sip32510.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
126+0.57 EUR
134+0.54 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
83+0.87 EUR
102+0.7 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
86+0.83 EUR
93+0.77 EUR
117+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
111+0.65 EUR
163+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
155+0.46 EUR
174+0.41 EUR
261+0.27 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
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216+0.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2985 Stücke:
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45+1.6 EUR
52+1.39 EUR
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65+1.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2417 Stücke:
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37+1.94 EUR
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
100+1.04 EUR
250+0.92 EUR
500+0.86 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -156A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2438 Stücke:
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21+3.55 EUR
25+2.97 EUR
28+2.65 EUR
33+2.23 EUR
100+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2943 Stücke:
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39+1.86 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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92+0.79 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
114+0.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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95+0.76 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
166+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS413DN-T1-GE3 VISHAY sis413dn.pdf SIS413DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3167 Stücke:
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73+0.99 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1779 Stücke:
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36+2.03 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY sis892adn.pdf SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2842 Stücke:
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50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
1000+0.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5173 Stücke:
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69+1.05 EUR
148+0.49 EUR
156+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2497 Stücke:
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55+1.32 EUR
61+1.17 EUR
68+1.06 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8495 Stücke:
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63+1.14 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS61DN-T1-GE3 SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -89.6A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 231nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 42.1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
77+0.93 EUR
111+0.65 EUR
250+0.57 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
60+1.2 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
140+0.51 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL02-GS08 VISHAY sl02.pdf SL02-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 1527 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
307+0.23 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
30000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 307
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL03-GS08 SL03-GS08 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB23880EF2D8143&compId=sl02_sl03.pdf?ci_sign=02f3fe37c37a0a075905c920a578739cd24b1bcd Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 20V; 1.1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
242+0.3 EUR
350+0.2 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL04-E3-08 VISHAY sl04.pdf SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
151+0.48 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL12-E3/61T VISHAY sl12.pdf SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
175+0.41 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
313+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL23-E3/52T SL23-E3/52T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.32V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
229+0.31 EUR
271+0.26 EUR
290+0.25 EUR
500+0.23 EUR
750+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL43-E3/57T SL43-E3/57T VISHAY sl42.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY SL44-E3-57T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY SL44-E3-57T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM15T33A-E3/57T VISHAY sm15t.pdf SM15T33A-E3/57T Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
149+0.48 EUR
286+0.25 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM15T33CA-E3/57T VISHAY sm15t.pdf SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
283+0.25 EUR
298+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T100A-E3/52 SM6T100A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 100V; 4.4A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 4.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.76 EUR
100+0.72 EUR
750+0.11 EUR
5250+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T12A-E3/52 SM6T12A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 12V; 36A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
372+0.19 EUR
750+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T15A-E3/52 SM6T15A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
222+0.32 EUR
247+0.29 EUR
293+0.24 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T15CA-E3/52 SM6T15CA-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
750+0.1 EUR
1500+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T33A-E3/52 SM6T33A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
257+0.28 EUR
298+0.24 EUR
341+0.21 EUR
388+0.18 EUR
472+0.15 EUR
544+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T36A-E3/52 SM6T36A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
500+0.14 EUR
750+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD2N80AE-GE3 sihd2n80ae.pdf
SIHD2N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
25+2.86 EUR
75+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.38 EUR
17+4.35 EUR
19+3.88 EUR
25+3.3 EUR
50+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF644S-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
92+0.78 EUR
105+0.69 EUR
116+0.62 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
SIHFR1N60A-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.9 EUR
300+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
SIHFR220TRL-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
114+0.63 EUR
126+0.57 EUR
143+0.5 EUR
500+0.45 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
20+3.76 EUR
22+3.36 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E.pdf
SIHG47N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.68 EUR
10+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E.pdf
SIHG73N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.66 EUR
7+11.87 EUR
10+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E.pdf
SIHP065N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N60E-GE3 sihp100n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.06 EUR
17+4.38 EUR
18+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
49+1.47 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
37+1.94 EUR
44+1.64 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.39 EUR
15+4.86 EUR
25+4.29 EUR
100+3.85 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.95 EUR
22+3.4 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
21+3.52 EUR
25+2.96 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
SIP32431DNP3-T1GE4
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: SC70
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
178+0.4 EUR
198+0.36 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
SIP32509DT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
283+0.25 EUR
315+0.23 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32510DT-T1-GE3 sip32510.pdf
SIP32510DT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
126+0.57 EUR
134+0.54 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
83+0.87 EUR
102+0.7 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
86+0.83 EUR
93+0.77 EUR
117+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
111+0.65 EUR
163+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
SIRA18ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
155+0.46 EUR
174+0.41 EUR
261+0.27 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
SIRA28BDP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
175+0.41 EUR
216+0.33 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
52+1.39 EUR
57+1.27 EUR
65+1.12 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
SIRA90DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
100+1.04 EUR
250+0.92 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -156A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.55 EUR
25+2.97 EUR
28+2.65 EUR
33+2.23 EUR
100+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
92+0.79 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2916 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
166+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS413DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.05 EUR
148+0.49 EUR
156+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763
SISS05DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
61+1.17 EUR
68+1.06 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
SISS61DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -89.6A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 231nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 42.1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
77+0.93 EUR
111+0.65 EUR
250+0.57 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
SISS80DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
60+1.2 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
140+0.51 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL02-GS08 sl02.pdf
Hersteller: VISHAY
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 1527 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
307+0.23 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
30000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 307
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL03-GS08 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB23880EF2D8143&compId=sl02_sl03.pdf?ci_sign=02f3fe37c37a0a075905c920a578739cd24b1bcd
SL03-GS08
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 20V; 1.1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
242+0.3 EUR
350+0.2 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL04-E3-08 sl04.pdf
Hersteller: VISHAY
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
151+0.48 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL12-E3/61T sl12.pdf
Hersteller: VISHAY
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
175+0.41 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
313+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL23-E3/52T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e
SL23-E3/52T
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.32V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
229+0.31 EUR
271+0.26 EUR
290+0.25 EUR
500+0.23 EUR
750+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL43-E3/57T sl42.pdf
SL43-E3/57T
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL44-E3/57T SL44-E3-57T.pdf
SL44-E3/57T
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL44-E3/57T SL44-E3-57T.pdf
SL44-E3/57T
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM15T33A-E3/57T sm15t.pdf
Hersteller: VISHAY
SM15T33A-E3/57T Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
149+0.48 EUR
286+0.25 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM15T33CA-E3/57T sm15t.pdf
Hersteller: VISHAY
SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
283+0.25 EUR
298+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T100A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T100A-E3/52
Hersteller: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 100V; 4.4A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 4.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
100+0.72 EUR
750+0.11 EUR
5250+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T12A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T12A-E3/52
Hersteller: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 12V; 36A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
372+0.19 EUR
750+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T15A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T15A-E3/52
Hersteller: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
222+0.32 EUR
247+0.29 EUR
293+0.24 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T15CA-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T15CA-E3/52
Hersteller: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
750+0.1 EUR
1500+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T33A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T33A-E3/52
Hersteller: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
257+0.28 EUR
298+0.24 EUR
341+0.21 EUR
388+0.18 EUR
472+0.15 EUR
544+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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SM6T36A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T36A-E3/52
Hersteller: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
500+0.14 EUR
750+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 264
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