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IRF9520PBF

IRF9520PBF Vishay / Siliconix

91074-datasheet.pdf
Produktcode: 123233
Hersteller: Vishay / Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
/: THT
auf Bestellung 68 Stück:
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IRF9520PBF IRF9520PBF
Produktcode: 32841
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91074.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF9520PBF IRF9520PBF
Produktcode: 154193
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Hersteller : IR 91074-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
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IRF9520PBF IRF9520PBF Hersteller : Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 884 Stücke:
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Anzahl Preis
127+1.17 EUR
129+1.11 EUR
142+0.97 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 127
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IRF9520PBF IRF9520PBF Hersteller : Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3464 Stücke:
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Anzahl Preis
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129+1.11 EUR
142+0.97 EUR
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Mindestbestellmenge: 127
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IRF9520PBF IRF9520PBF Hersteller : Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9520PBF IRF9520PBF Hersteller : Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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129+1.11 EUR
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IRF9520PBF IRF9520PBF Hersteller : VISHAY IRF9520PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
63+1.15 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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IRF9520PBF IRF9520PBF Hersteller : VISHAY IRF9520PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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63+1.15 EUR
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IRF9520PBF IRF9520PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91074.pdf MOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 3491 Stücke:
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2+2.06 EUR
10+1.53 EUR
100+1.29 EUR
5000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF9520PBF IRF9520PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91074.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 3366 Stücke:
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Anzahl Preis
9+2.15 EUR
50+1.34 EUR
100+1.31 EUR
500+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IRF9520PBF IRF9520PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9520PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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IRF9520PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon 91074.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 6,8 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 25; Qg, нКл = 18; Rds = 600 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 60 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-220AB
auf Bestellung 29 Stücke:
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Anzahl Preis
8+0.79 EUR
10+0.68 EUR
100+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRF9520PBF IRF9520PBF Hersteller : Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OPA134PA
Produktcode: 34921
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fopa134
OPA134PA
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: ±18V
BW, MHz: 8
Temperaturbereich: -40…+85°C
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.00 EUR
10+6.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NPBF
Produktcode: 40284
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irf9z24npbf-datasheet.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
verfügbar: 240 Stück
16 Stück - stock Köln
224 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.36 EUR
10+0.32 EUR
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IRF9520NL
Produktcode: 50677
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irf9520ns.pdf
IRF9520NL
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 100
Id,A: 6.8
Rds(on),Om: 480
Ciss, pF/Qg, nC: /27
/: THT
auf Bestellung 6 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.70 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Макетная плата 8cm x12cm односторонняя, зеленая
Produktcode: 144392
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Макетная плата 8cm x12cm односторонняя, зеленая
+1
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 80x120мм
Опис: Макетна плата одностороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 1247 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння
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erwartet 500 Stück:
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