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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ILD621GB VISHAY ild621.pdf ILD621GB Optocouplers - analog output
auf Bestellung 2037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.88 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ2-X009 VISHAY tf-ilq2-x009.pdf ILQ2-X009 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ30 VISHAY ild55.pdf ILQ30 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.29 EUR
41+1.74 EUR
44+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-4 VISHAY ild615.pdf ILQ615-4 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ621 VISHAY ild621.pdf ILQ621 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ621GB VISHAY ild621.pdf ILQ621GB Optocouplers - analog output
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08 IMBD4148-E3-08 VISHAY imbd4148.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
603+0.12 EUR
900+0.08 EUR
1309+0.055 EUR
1678+0.043 EUR
2050+0.035 EUR
2565+0.028 EUR
2858+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 603
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08 IMBD4148-HE3-08 VISHAY Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1140+0.063 EUR
1270+0.056 EUR
1440+0.05 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
116+0.62 EUR
124+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1250+0.5 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
85+0.84 EUR
105+0.68 EUR
115+0.63 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY IRF520PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
109+0.66 EUR
123+0.58 EUR
167+0.43 EUR
178+0.4 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY IRF530PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
113+0.64 EUR
122+0.59 EUR
142+0.51 EUR
148+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY irf530s.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 56A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
71+1.02 EUR
100+0.96 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
750+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
120+0.6 EUR
127+0.56 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620PBF IRF620PBF VISHAY IRF620PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
80+0.9 EUR
92+0.78 EUR
107+0.67 EUR
250+0.6 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
110+0.64 EUR
500+0.56 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY IRF630S.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
88+0.82 EUR
100+0.78 EUR
250+0.74 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634PBF VISHAY irf634.pdf IRF634PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
81+0.89 EUR
101+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
53+1.36 EUR
100+1.2 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
52+1.4 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
100+1.17 EUR
250+1.09 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF VISHAY 91039.pdf IRF644PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
100+0.72 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF VISHAY sihf644s.pdf IRF644SPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.98 EUR
50+1.92 EUR
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY IRF710PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
120+0.6 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBF IRF710STRLPBF VISHAY sihf710s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
76+0.95 EUR
100+0.75 EUR
800+0.65 EUR
1600+0.63 EUR
2400+0.61 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720PBF IRF720PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D44489CD2469&compId=IRF720PBF.pdf?ci_sign=7269d1a73dd53ce971382b41e70adbc14b8622af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
76+0.95 EUR
87+0.83 EUR
100+0.78 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
100+0.72 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
40+1.79 EUR
50+1.57 EUR
250+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
38+1.89 EUR
52+1.4 EUR
100+1.27 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
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On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
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Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
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Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY IRF740PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
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Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
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Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: TO220AB
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Gate charge: 63nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
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Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBF VISHAY 91057.pdf description IRF820APBF THT N channel transistors
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IRF820ASPBF VISHAY sihf820a.pdf IRF820ASPBF SMD N channel transistors
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IRF820PBF VISHAY 91059.pdf IRF820PBF THT N channel transistors
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IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
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Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF830APBF IRF830APBF VISHAY irf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
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Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
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IRF830PBF IRF830PBF VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
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Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
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Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
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Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
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Case: D2PAK; TO263
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Gate charge: 38nC
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Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 371 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
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Case: TO220AB
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Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
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Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
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100+1.04 EUR
150+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
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Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
52+1.4 EUR
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68+1.06 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBF IRF9510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
120+0.6 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
250+0.47 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SPBF IRF9510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY IRF9530S.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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100+0.74 EUR
250+0.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY IRF9540PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY IRF9540S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.69 EUR
44+1.63 EUR
52+1.4 EUR
100+1.32 EUR
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250+1.19 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9610PBF VISHAY 91080.pdf IRF9610PBF THT P channel transistors
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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500+0.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.34 EUR
100+1.22 EUR
250+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 340 Stücke:
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42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
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100+1.32 EUR
250+1.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY IRF9Z24.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 404 Stücke:
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55+1.32 EUR
65+1.1 EUR
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250+0.91 EUR
500+0.82 EUR
750+0.76 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY IRF9Z24S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
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46+1.57 EUR
62+1.16 EUR
67+1.07 EUR
75+0.96 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY irf9z34.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
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38+1.9 EUR
65+1.11 EUR
72+1 EUR
100+0.96 EUR
250+0.9 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY IRF9Z34S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 941 Stücke:
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30+2.42 EUR
52+1.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY IRFB11N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 440 Stücke:
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25+2.97 EUR
34+2.16 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD621GB ild621.pdf
Hersteller: VISHAY
ILD621GB Optocouplers - analog output
auf Bestellung 2037 Stücke:
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Anzahl Preis
39+1.88 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ2-X009 tf-ilq2-x009.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ2-X009 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 3 Stücke:
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3+23.84 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ30 ild55.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ30 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 493 Stücke:
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Anzahl Preis
22+3.29 EUR
41+1.74 EUR
44+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-4 ild615.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 915 Stücke:
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Anzahl Preis
35+2.09 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ621 ild621.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ621 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1041 Stücke:
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Anzahl Preis
20+3.63 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ621GB ild621.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ621GB Optocouplers - analog output
auf Bestellung 272 Stücke:
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Anzahl Preis
24+3 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08 imbd4148.pdf
IMBD4148-E3-08
Hersteller: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
603+0.12 EUR
900+0.08 EUR
1309+0.055 EUR
1678+0.043 EUR
2050+0.035 EUR
2565+0.028 EUR
2858+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 603
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08
IMBD4148-HE3-08
Hersteller: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1140+0.063 EUR
1270+0.056 EUR
1440+0.05 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF.pdf
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
116+0.62 EUR
124+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1250+0.5 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
85+0.84 EUR
105+0.68 EUR
115+0.63 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF description IRF520PBF.pdf
IRF520PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
109+0.66 EUR
123+0.58 EUR
167+0.43 EUR
178+0.4 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF description IRF530PBF.pdf
IRF530PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
113+0.64 EUR
122+0.59 EUR
142+0.51 EUR
148+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBF description irf530s.pdf
IRF530SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 56A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
71+1.02 EUR
100+0.96 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
750+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3
IRF610PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
120+0.6 EUR
127+0.56 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620PBF IRF620PBF.pdf
IRF620PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
80+0.9 EUR
92+0.78 EUR
107+0.67 EUR
250+0.6 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description IRF630PBF.pdf
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
110+0.64 EUR
500+0.56 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description IRF630S.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
88+0.82 EUR
100+0.78 EUR
250+0.74 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634PBF irf634.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF634PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
81+0.89 EUR
101+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
53+1.36 EUR
100+1.2 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
52+1.4 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
100+1.17 EUR
250+1.09 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF644PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
100+0.72 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF644SPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
50+1.92 EUR
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBF IRF710PBF.pdf
IRF710PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBF sihf710s.pdf
IRF710STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF720PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF.pdf
IRF730PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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38+1.89 EUR
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500+1.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
IRF740ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
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34+2.14 EUR
39+1.84 EUR
46+1.56 EUR
55+1.3 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF.pdf
IRF740PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
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Anzahl Preis
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
60+1.2 EUR
61+1.19 EUR
100+1.1 EUR
150+1.07 EUR
200+1.04 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
57+1.26 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
100+1.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
43+1.69 EUR
50+1.56 EUR
250+1.44 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBF description 91057.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF820APBF THT N channel transistors
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ASPBF sihf820a.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF820ASPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
96+0.75 EUR
101+0.71 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBF 91059.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF820PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.94 EUR
94+0.76 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
45+1.6 EUR
47+1.53 EUR
53+1.36 EUR
100+1.29 EUR
250+1.2 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF irf830a.pdf
IRF830APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
59+1.23 EUR
69+1.05 EUR
100+0.98 EUR
250+0.89 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830PBF irf830.pdf
IRF830PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
85+0.84 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
500+0.64 EUR
10000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.76 EUR
50+1.43 EUR
100+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
53+1.37 EUR
100+1.32 EUR
250+1.22 EUR
500+1.14 EUR
750+1.1 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
47+1.54 EUR
53+1.37 EUR
57+1.27 EUR
100+1.19 EUR
250+1.1 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
65+1.1 EUR
100+1.04 EUR
150+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
68+1.06 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6
IRF9510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
120+0.6 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
250+0.47 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627
IRF9510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
59+1.23 EUR
68+1.06 EUR
100+0.99 EUR
250+0.9 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF description IRF9530S.pdf
IRF9530SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 592 Stücke:
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Anzahl Preis
41+1.74 EUR
76+0.94 EUR
88+0.82 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540PBF IRF9540PBF.pdf
IRF9540PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540SPBF IRF9540S.pdf
IRF9540SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9610PBF 91080.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF9610PBF THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61
IRF9620PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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57+1.27 EUR
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72+1 EUR
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5000+0.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7
IRF9630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.34 EUR
100+1.22 EUR
250+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74
IRF9630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
51+1.42 EUR
100+1.32 EUR
250+1.2 EUR
500+1.1 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24.pdf
IRF9Z24PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 404 Stücke:
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Anzahl Preis
55+1.32 EUR
65+1.1 EUR
100+1.03 EUR
250+0.91 EUR
500+0.82 EUR
750+0.76 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24S.pdf
IRF9Z24SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
62+1.16 EUR
67+1.07 EUR
75+0.96 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34PBF irf9z34.pdf
IRF9Z34PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.9 EUR
65+1.11 EUR
72+1 EUR
100+0.96 EUR
250+0.9 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34SPBF IRF9Z34S.pdf
IRF9Z34SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
52+1.4 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF.pdf
IRFB11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
34+2.16 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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