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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3865DDV-T1-GE3 VISHAY Si3865DDV.pdf SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.95 EUR
189+0.38 EUR
200+0.36 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
250+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.05 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
198+0.36 EUR
211+0.34 EUR
224+0.32 EUR
237+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7D086F095E143&compId=si4288dy.pdf?ci_sign=adf70b9d8a22a7df69ae8b70a57a44967264fb37 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
73+0.99 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
25+2.86 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
90+0.8 EUR
133+0.54 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
132+0.54 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
108+0.67 EUR
117+0.62 EUR
121+0.59 EUR
136+0.53 EUR
250+0.52 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
166+0.43 EUR
177+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2697 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
98+0.73 EUR
129+0.56 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
71+1.01 EUR
100+0.77 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
91+0.79 EUR
98+0.73 EUR
110+0.65 EUR
121+0.59 EUR
200+0.53 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
181+0.4 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
97+0.74 EUR
132+0.54 EUR
151+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
173+0.41 EUR
234+0.31 EUR
271+0.26 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
113+0.64 EUR
178+0.4 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.66 EUR
38+1.89 EUR
100+1.46 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
73+0.97 EUR
100+0.72 EUR
250+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
65+1.12 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
91+0.79 EUR
133+0.54 EUR
157+0.46 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 22/20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
59+1.22 EUR
67+1.07 EUR
100+1.02 EUR
125+1 EUR
250+0.96 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
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SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Polarisation: unipolar
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SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
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SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
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SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 0.134Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3571 Stücke:
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145+0.5 EUR
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SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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63+1.15 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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38+1.92 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.27 EUR
30+2.4 EUR
45+1.6 EUR
48+1.52 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 0.94W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
62+1.16 EUR
68+1.06 EUR
100+0.9 EUR
250+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 183nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 33W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
101+0.71 EUR
129+0.55 EUR
145+0.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
103+0.7 EUR
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
100+0.72 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2947 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
33+2.22 EUR
36+2 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
59+1.23 EUR
62+1.16 EUR
250+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
229+0.31 EUR
242+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.91 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
92+0.78 EUR
98+0.73 EUR
110+0.65 EUR
250+0.6 EUR
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1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.91 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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Si9433BDY-T1-E3 VISHAY si9433bd.pdf SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
21+3.4 EUR
56+1.27 EUR
500+0.76 EUR
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SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY SI9926CDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
52+1.39 EUR
59+1.22 EUR
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Mindestbestellmenge: 41
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SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 1510 Stücke:
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62+1.16 EUR
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197+0.36 EUR
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SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 12W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
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SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
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SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4178DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6
SI4178DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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211+0.34 EUR
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SI4288DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7D086F095E143&compId=si4288dy.pdf?ci_sign=adf70b9d8a22a7df69ae8b70a57a44967264fb37
SI4288DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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66+1.09 EUR
73+0.99 EUR
100+0.96 EUR
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SI4401BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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25+2.86 EUR
100+1.23 EUR
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SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2497 Stücke:
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Anzahl Preis
65+1.1 EUR
90+0.8 EUR
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500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
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SI4401FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463
SI4401FDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2029 Stücke:
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Anzahl Preis
66+1.09 EUR
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
132+0.54 EUR
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SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2097 Stücke:
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Anzahl Preis
88+0.82 EUR
108+0.67 EUR
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136+0.53 EUR
250+0.52 EUR
500+0.51 EUR
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SI4403DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380
SI4403DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1706 Stücke:
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Anzahl Preis
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166+0.43 EUR
177+0.4 EUR
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SI4425DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db
SI4425DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2697 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
98+0.73 EUR
129+0.56 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
71+1.01 EUR
100+0.77 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
91+0.79 EUR
98+0.73 EUR
110+0.65 EUR
121+0.59 EUR
200+0.53 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
181+0.4 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
97+0.74 EUR
132+0.54 EUR
151+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7
SI4435FDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
173+0.41 EUR
234+0.31 EUR
271+0.26 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
113+0.64 EUR
178+0.4 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 87
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SI4459ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae
SI4459ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.66 EUR
38+1.89 EUR
100+1.46 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
73+0.97 EUR
100+0.72 EUR
250+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca
SI4483ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
65+1.12 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
91+0.79 EUR
133+0.54 EUR
157+0.46 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 22/20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
59+1.22 EUR
67+1.07 EUR
100+1.02 EUR
125+1 EUR
250+0.96 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
82+0.87 EUR
108+0.67 EUR
122+0.59 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4686DY-T1-E3 si4686dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
78+0.92 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4800BDY-T1-E3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a
SI4800BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
128+0.56 EUR
151+0.47 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.85 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
124+0.58 EUR
132+0.54 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e
SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
57+1.26 EUR
61+1.18 EUR
72+1 EUR
100+0.93 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3 si4848dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3 71146.pdf
SI4850EY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
46+1.59 EUR
49+1.47 EUR
64+1.13 EUR
100+1.02 EUR
250+0.9 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
64+1.12 EUR
71+1.01 EUR
91+0.79 EUR
102+0.71 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4936CDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb
SI4936CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2831 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
102+0.7 EUR
141+0.51 EUR
164+0.44 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940
SI4948BEY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
51+1.42 EUR
72+1 EUR
100+0.87 EUR
250+0.73 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 0.134Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
50+1.46 EUR
55+1.32 EUR
100+1.13 EUR
250+1.04 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1843 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
59+1.23 EUR
62+1.16 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1.01 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3571 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
79+0.92 EUR
137+0.52 EUR
145+0.5 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7153DN-T1-GE3 si7153dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.15 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
30+2.4 EUR
45+1.6 EUR
48+1.52 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
SI7465DP-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 0.94W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
62+1.16 EUR
68+1.06 EUR
100+0.9 EUR
250+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 183nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 33W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
101+0.71 EUR
129+0.55 EUR
145+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
103+0.7 EUR
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
100+0.72 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2947 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
33+2.22 EUR
36+2 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
59+1.23 EUR
62+1.16 EUR
250+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
229+0.31 EUR
242+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.91 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
92+0.78 EUR
98+0.73 EUR
110+0.65 EUR
250+0.6 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.91 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si9433BDY-T1-E3 si9433bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
21+3.4 EUR
56+1.27 EUR
500+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
52+1.39 EUR
59+1.22 EUR
81+0.89 EUR
100+0.78 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9933CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
102+0.71 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
208+0.34 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
SIA483DJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 12W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2778 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
135+0.53 EUR
268+0.27 EUR
283+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
SIA517DJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2719 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
105+0.69 EUR
122+0.59 EUR
150+0.48 EUR
176+0.41 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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