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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
Si4456DY-T1-E3 VISHAY 73852.pdf SI4456DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-GE3 VISHAY 73852.pdf SI4456DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459BDY-T1-GE3 VISHAY si4459bdy.pdf SI4459BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDY-E3 SI4463BDY-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C6C824BA92469&compId=SI4463BDY-E3.pdf?ci_sign=c6ee82a5682510507e44bcf82f176a83c0e7d66f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
18+3.98 EUR
47+1.52 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 VISHAY si4463bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDY-T1-GE3 VISHAY si4463bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
73+0.98 EUR
109+0.66 EUR
116+0.62 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3 VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3 VISHAY si4465ad.pdf SI4465ADY-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3 VISHAY si4465ad.pdf SI4465ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY si4477dy.pdf SI4477DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
63+1.14 EUR
65+1.12 EUR
66+1.09 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4485DY-T1-GE3 VISHAY si4485dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -25A; 5W
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-E3 VISHAY si4488dy-090512.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Case: SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 VISHAY si4488dy-090512.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Case: SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-E3 SI4490DY-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C727DBC5F0469&compId=SI4490DY-E3.pdf?ci_sign=f612db75eeba4637e85f7093b3dabe03e0193e5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-T1-E3 VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3 VISHAY si4491edy.pdf SI4491EDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90D3F2226A2143&compId=SI4497DY.pdf?ci_sign=f077607bae8cfa6b6f9f15eb29c9649780b3a094 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -29A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.69 EUR
36+1.99 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501BDY-T1-GE3 VISHAY si4501bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-8V; 12/-8A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-8V
Drain current: 12/-8A
On-state resistance: 37/20mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.1/4.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42/25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9/12nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
94+0.76 EUR
213+0.34 EUR
226+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4554DY-T1-GE3 VISHAY si4554dy.pdf SI4554DY-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4559ADY-T1-E3 VISHAY si4559ady.pdf SI4559ADY-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22/20nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2016 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
54+1.34 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4564DY-T1-GE3 VISHAY si4564dy.pdf SI4564DY-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4590DY-T1-GE3 SI4590DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC352DC43086143&compId=SI4590DY-T1-GE3.pdf?ci_sign=77320b65ae6ee96826652ef772bd445419eac631 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100/-100V; 2.3/2.7W
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 4.5/-2.7A
On-state resistance: 57/183mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.3/2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4/11.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2089 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.53 EUR
71+1.01 EUR
185+0.39 EUR
195+0.37 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4626ADY-T1-E3 VISHAY si4626ad.pdf SI4626ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4630DY-T1-E3 VISHAY 73685.pdf SI4630DY-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4630DY-T1-GE3 VISHAY 73685.pdf SI4630DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4634DY-T1-E3 VISHAY si4634dy.pdf SI4634DY-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4634DY-T1-GE3 VISHAY si4634dy.pdf SI4634DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4670DY-T1-GE3 VISHAY si4670dy.pdf SI4670DY-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4686DY-T1-E3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
136+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4686DY-T1-GE3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4800BDY-T1-GE3 VISHAY si4800bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4804CDY-T1-GE3 VISHAY si4804cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992BCCC437B40C7&compId=SI4816BDY.pdf?ci_sign=8bc200295f4cfee228b5eaa8cc6e5d29270ab90a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Power dissipation: 0.64/0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992BCCC437B40C7&compId=SI4816BDY.pdf?ci_sign=8bc200295f4cfee228b5eaa8cc6e5d29270ab90a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Power dissipation: 0.64/0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4825DDY-T1-GE3 VISHAY si4825ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -14.9A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7FA5A9380469&compId=SI4835DDY-T1-E3.pdf?ci_sign=6582884098186cc6279293267068a76a5b99aeb9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.76 EUR
62+1.17 EUR
107+0.67 EUR
113+0.63 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
101+0.71 EUR
125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4838BDY-T1-GE3 VISHAY si4838bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 34A; Idm: 70A; 5.7W
Polarisation: unipolar
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 12V
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 84nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 70A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4838DY-T1-E3 VISHAY si4838dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 12V
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
63+1.15 EUR
97+0.74 EUR
102+0.7 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.9A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4842BDY-T1-E3 VISHAY si4842bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 6.25W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 5.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3 VISHAY si4848ady.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 5.5A; Idm: 20A; 5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
On-state resistance: 0.133Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3 VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY si4850bdy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.3A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 4.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-E3 SI4850EY-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C85083ED3A469&compId=SI4850EY-E3.pdf?ci_sign=c7427b873f0c2aaa0d235feef8f4560d3754ed86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
80+0.9 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
40+1.81 EUR
109+0.66 EUR
116+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4862DY-T1-E3 VISHAY si4862dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 25A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4864DY-T1-E3 VISHAY 71449.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4456DY-T1-E3 73852.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4456DY-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-GE3 73852.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4456DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae
SI4459ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459BDY-T1-GE3 si4459bdy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4459BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDY-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C6C824BA92469&compId=SI4463BDY-E3.pdf?ci_sign=c6ee82a5682510507e44bcf82f176a83c0e7d66f
SI4463BDY-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
18+3.98 EUR
47+1.52 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDY-T1-E3 si4463bd.pdf
SI4463BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463BDY-T1-GE3 si4463bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
73+0.98 EUR
109+0.66 EUR
116+0.62 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3 si4464dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3 si4465ad.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4465ADY-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3 si4465ad.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4465ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3 si4477dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4477DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4483ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca
SI4483ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
63+1.14 EUR
65+1.12 EUR
66+1.09 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4485DY-T1-GE3 si4485dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -25A; 5W
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Case: SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3 si4488dy-090512.pdf
SI4488DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Case: SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C727DBC5F0469&compId=SI4490DY-E3.pdf?ci_sign=f612db75eeba4637e85f7093b3dabe03e0193e5b
SI4490DY-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-T1-E3 si4490dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-T1-GE3 si4490dy.pdf
SI4490DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4491EDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90D3F2226A2143&compId=SI4497DY.pdf?ci_sign=f077607bae8cfa6b6f9f15eb29c9649780b3a094
SI4497DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -29A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.69 EUR
36+1.99 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501BDY-T1-GE3 si4501bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-8V; 12/-8A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-8V
Drain current: 12/-8A
On-state resistance: 37/20mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.1/4.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42/25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9/12nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
94+0.76 EUR
213+0.34 EUR
226+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4554DY-T1-GE3 si4554dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4554DY-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4559ADY-T1-E3 si4559ady.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4559ADY-T1-E3 Multi channel transistors
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SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22/20nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2016 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
54+1.34 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4564DY-T1-GE3 si4564dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4564DY-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4590DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC352DC43086143&compId=SI4590DY-T1-GE3.pdf?ci_sign=77320b65ae6ee96826652ef772bd445419eac631
SI4590DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100/-100V; 2.3/2.7W
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 4.5/-2.7A
On-state resistance: 57/183mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.3/2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4/11.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2089 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
71+1.01 EUR
185+0.39 EUR
195+0.37 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4626ADY-T1-E3 si4626ad.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4626ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4630DY-T1-E3 73685.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4630DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4630DY-T1-GE3 73685.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4630DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4634DY-T1-E3 si4634dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4634DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4634DY-T1-GE3 si4634dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4634DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4670DY-T1-GE3 si4670dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4670DY-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4686DY-T1-E3 si4686dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
136+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4686DY-T1-GE3 si4686dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4686DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4800BDY-T1-E3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a
SI4800BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4800BDY-T1-GE3 si4800bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4804CDY-T1-GE3 si4804cdy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992BCCC437B40C7&compId=SI4816BDY.pdf?ci_sign=8bc200295f4cfee228b5eaa8cc6e5d29270ab90a
SI4816BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Power dissipation: 0.64/0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992BCCC437B40C7&compId=SI4816BDY.pdf?ci_sign=8bc200295f4cfee228b5eaa8cc6e5d29270ab90a
SI4816BDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Power dissipation: 0.64/0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4825DDY-T1-GE3 si4825ddy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -14.9A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7FA5A9380469&compId=SI4835DDY-T1-E3.pdf?ci_sign=6582884098186cc6279293267068a76a5b99aeb9
SI4835DDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
62+1.17 EUR
107+0.67 EUR
113+0.63 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
101+0.71 EUR
125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4838BDY-T1-GE3 si4838bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 34A; Idm: 70A; 5.7W
Polarisation: unipolar
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 12V
Power dissipation: 5.7W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 84nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 70A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4838DY-T1-E3 si4838dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 12V
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e
SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
63+1.15 EUR
97+0.74 EUR
102+0.7 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e
SI4840BDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.9A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4842BDY-T1-E3 si4842bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 6.25W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 5.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3 si4848ady.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 5.5A; Idm: 20A; 5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
On-state resistance: 0.133Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3 si4848dy.pdf
SI4848DY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3 si4848dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.3A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 4.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C85083ED3A469&compId=SI4850EY-E3.pdf?ci_sign=c7427b873f0c2aaa0d235feef8f4560d3754ed86
SI4850EY-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
80+0.9 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3 71146.pdf
SI4850EY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
40+1.81 EUR
109+0.66 EUR
116+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 71146.pdf
SI4850EY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4862DY-T1-E3 si4862dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 25A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4864DY-T1-E3 71449.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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