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SUD09P10-195-BE3 VISHAY SUD09P10.pdf SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors
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SUD09P10-195-GE3 VISHAY sud09p10.pdf SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD15N15-95-E3 SUD15N15-95-E3 VISHAY sud15n15.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.60 EUR
35+2.09 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC864671BBAC143&compId=SUD19N20-90.pdf?ci_sign=99d5b79c6c8857521eb19982280957a359adc5c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD19P06-60-E3 VISHAY sud19p06-60.pdf SUD19P06-60-E3 SMD P channel transistors
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SUD19P06-60-GE3 VISHAY sud19p06-60.pdf SUD19P06-60-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.35 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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SUD19P06-60L-E3 VISHAY sud19p06.pdf SUD19P06-60L-E3 SMD P channel transistors
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SUD20N10-66L-GE3 VISHAY sud20n10-66l.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 41.7W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAD0AF0E1F0BE27&compId=SUD23N06-DTE.pdf?ci_sign=4995d84dd34b76179f05e74256461566615bb5e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
66+1.09 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD25N15-52-E3 VISHAY sud25n15.pdf SUD25N15-52-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-BE3 VISHAY sud35n10-26p.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-E3 VISHAY sud35n10-26p.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-GE3 VISHAY sud35n10-26p.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40151EL-GE3 VISHAY sud40151el.pdf SUD40151EL-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N08-16-E3 VISHAY 71323.pdf SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N10-25-E3 SUD40N10-25-E3 VISHAY sud40n10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N03-06AP-E3 VISHAY 73540.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 VISHAY sud50n04.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.67 EUR
58+1.25 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
7500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC859DC421E2143&compId=SUD50N06-09L-E3.pdf?ci_sign=00c8cf2593af4e98e4d607cdc8d10afbc9422b7c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 50A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
43+1.66 EUR
10000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P04-08-GE3 VISHAY sud50p04-08.pdf SUD50P04-08-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.80 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P04-09L-E3 VISHAY sud50p04.pdf SUD50P04-09L-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
26+2.79 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 VISHAY sud50p06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
29+2.55 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3 VISHAY sud50p08.pdf SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
250+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 VISHAY sud50p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY sud50p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD70090E-GE3 VISHAY sud70090e.pdf SUD70090E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD80460E-GE3 VISHAY sud80460e.pdf SUD80460E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-GE3 VISHAY sud90330e.pdf SUD90330E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUG80050E-GE3 VISHAY sug80050e.pdf SUG80050E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUG90090E-GE3 VISHAY sug90090e.pdf SUG90090E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC8907D61232143&compId=sum10250e.pdf?ci_sign=8716de75d40a1b99c0ebe327e13ea0f3880386e6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.62 EUR
27+2.75 EUR
28+2.60 EUR
50+2.56 EUR
100+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 VISHAY sum110n1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.73 EUR
22+3.32 EUR
23+3.13 EUR
800+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P04-04L-E3 VISHAY sum110p0.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4A40B8CA94469&compId=SUM110P04-05-E3.pdf?ci_sign=c73bb0c5e5d86e28cf454a53056df20333807a2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -33A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.99 EUR
17+4.29 EUR
18+4.05 EUR
800+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99327081558E0C7&compId=sum110p06-07l.pdf?ci_sign=5ea24de485d75dd7524211fc0d0996aece877698 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.22 EUR
19+3.80 EUR
26+2.79 EUR
28+2.65 EUR
500+2.60 EUR
800+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 VISHAY 73045.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1839 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.30 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
1600+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99315C9706860C7&compId=sum110p08-11l.pdf?ci_sign=b00849d55b9d0a4f8db1ee0b4ab972c332664d7c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.36 EUR
17+4.38 EUR
18+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40010EL-GE3 VISHAY sum40010el.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40012EL-GE3 VISHAY sum40012el.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40014M-GE3 VISHAY sum40014m.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3 VISHAY sum45n25.pdf SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
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SUM50010E-GE3 VISHAY sum50010e.pdf SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM50020E-GE3 VISHAY sum50020e.pdf SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM50020EL-GE3 VISHAY sum50020el.pdf SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
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SUM55P06-19L-E3 VISHAY sum55p06.pdf SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
9600+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3 VISHAY sum60020e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60061EL-GE3 VISHAY sum60061el.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 218nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 VISHAY 72070.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
34+2.16 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992FAB4382820C7&compId=SUM65N20-30.pdf?ci_sign=9d2b2265817dc4d6f5f9a79e0b86a3972be746f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70030E-GE3 VISHAY sum70030e.pdf SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70030M-GE3 VISHAY sum70030m.pdf SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC883E5151B4143&compId=sum70040e.pdf?ci_sign=c848107692e3b9603eb0d66d31119a040f359295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.73 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
50+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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SUM70040M-GE3 VISHAY sum70040m.pdf SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70042E-GE3 VISHAY sum70042e.pdf SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70060E-GE3 VISHAY sum70060e.pdf SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70090E-GE3 VISHAY sum70090e.pdf SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70101EL-GE3 VISHAY sum70101el.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM80090E-GE3 VISHAY sum80090e.pdf SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19-E3 VISHAY 71703.pdf SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
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SUD09P10-195-BE3 SUD09P10.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors
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SUD09P10-195-GE3 sud09p10.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD15N15-95-E3 sud15n15.pdf
SUD15N15-95-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.60 EUR
35+2.09 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD19N20-90-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC864671BBAC143&compId=SUD19N20-90.pdf?ci_sign=99d5b79c6c8857521eb19982280957a359adc5c0
SUD19N20-90-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD19P06-60-E3 sud19p06-60.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD19P06-60-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD19P06-60-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.35 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD19P06-60L-E3 sud19p06.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD19P06-60L-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD20N10-66L-GE3 sud20n10-66l.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 41.7W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD23N06-31-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAD0AF0E1F0BE27&compId=SUD23N06-DTE.pdf?ci_sign=4995d84dd34b76179f05e74256461566615bb5e8
SUD23N06-31-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
66+1.09 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD25N15-52-E3 sud25n15.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD25N15-52-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-BE3 sud35n10-26p.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-E3 sud35n10-26p.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-GE3 sud35n10-26p.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40151EL-GE3 sud40151el.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD40151EL-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N08-16-E3 71323.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N10-25-E3 sud40n10.pdf
SUD40N10-25-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N03-06AP-E3 73540.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3 sud50n04.pdf
SUD50N04-8M8P-4GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.67 EUR
58+1.25 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
7500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC859DC421E2143&compId=SUD50N06-09L-E3.pdf?ci_sign=00c8cf2593af4e98e4d607cdc8d10afbc9422b7c
SUD50N06-09L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 50A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
43+1.66 EUR
10000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P04-08-GE3 sud50p04-08.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD50P04-08-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P04-09L-E3 sud50p04.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD50P04-09L-E3 SMD P channel transistors
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SUD50P06-15-GE3 sud50p06-15.pdf
SUD50P06-15-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
26+2.79 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P06-15L-E3 sud50p06.pdf
SUD50P06-15L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
29+2.55 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
250+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SUD50P10-43L-GE3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD70090E-GE3 sud70090e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD70090E-GE3 SMD N channel transistors
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SUD80460E-GE3 sud80460e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD80460E-GE3 SMD N channel transistors
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SUD90330E-GE3 sud90330e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD90330E-GE3 SMD N channel transistors
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SUG80050E-GE3 sug80050e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUG80050E-GE3 THT N channel transistors
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SUG90090E-GE3 sug90090e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUG90090E-GE3 THT N channel transistors
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SUM10250E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC8907D61232143&compId=sum10250e.pdf?ci_sign=8716de75d40a1b99c0ebe327e13ea0f3880386e6
SUM10250E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.62 EUR
27+2.75 EUR
28+2.60 EUR
50+2.56 EUR
100+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N10-09-E3 sum110n1.pdf
SUM110N10-09-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.73 EUR
22+3.32 EUR
23+3.13 EUR
800+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P04-04L-E3 sum110p0.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P04-05-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4A40B8CA94469&compId=SUM110P04-05-E3.pdf?ci_sign=c73bb0c5e5d86e28cf454a53056df20333807a2b
SUM110P04-05-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -33A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.99 EUR
17+4.29 EUR
18+4.05 EUR
800+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99327081558E0C7&compId=sum110p06-07l.pdf?ci_sign=5ea24de485d75dd7524211fc0d0996aece877698
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.22 EUR
19+3.80 EUR
26+2.79 EUR
28+2.65 EUR
500+2.60 EUR
800+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
SUM110P06-08L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1839 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.30 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
1600+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P08-11L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99315C9706860C7&compId=sum110p08-11l.pdf?ci_sign=b00849d55b9d0a4f8db1ee0b4ab972c332664d7c
SUM110P08-11L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.36 EUR
17+4.38 EUR
18+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40010EL-GE3 sum40010el.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40012EL-GE3 sum40012el.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40014M-GE3 sum40014m.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3 sum45n25.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50010E-GE3 sum50010e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020E-GE3 sum50020e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020EL-GE3 sum50020el.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM55P06-19L-E3 sum55p06.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.87 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
9600+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 218nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60N10-17-E3 72070.pdf
SUM60N10-17-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
34+2.16 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM65N20-30-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992FAB4382820C7&compId=SUM65N20-30.pdf?ci_sign=9d2b2265817dc4d6f5f9a79e0b86a3972be746f7
SUM65N20-30-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70030E-GE3 sum70030e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70030M-GE3 sum70030m.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70040E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC883E5151B4143&compId=sum70040e.pdf?ci_sign=c848107692e3b9603eb0d66d31119a040f359295
SUM70040E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.73 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
50+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70040M-GE3 sum70040m.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70042E-GE3 sum70042e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70060E-GE3 sum70060e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70090E-GE3 sum70090e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM80090E-GE3 sum80090e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19-E3 71703.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
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