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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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Si5948DU-T1-GE3 VISHAY si5948du.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Case: 1206-8 ChipFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-E3 VISHAY 70639.pdf SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI6415DQ-T1-GE3 VISHAY si6415dq.pdf SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI6423DQ-T1-E3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI6423DQ-T1-GE3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY si6562cd.pdf SI6562CDQ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI6913DQ-T1-E3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
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SI6913DQ-T1-GE3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI6926ADQ-T1-E3 VISHAY 72754.pdf SI6926ADQ-T1-E3 Multi channel transistors
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SI6926ADQ-T1-GE3 VISHAY 72754.pdf SI6926ADQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si6954ADQ-T1-E3 VISHAY 71130.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6954ADQ-T1-GE3 VISHAY 71130.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI6968BEDQ-T1-E3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI6968BEDQ-T1-GE3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7101DN-T1-GE3 VISHAY si7101dn.pdf SI7101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7104DN-T1-E3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7104DN-T1-GE3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7106DN-T1-E3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7106DN-T1-GE3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7108DN-T1-E3 VISHAY si7108dn.pdf description SI7108DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7108DN-T1-GE3 VISHAY si7108dn.pdf SI7108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7110DN-T1-E3 VISHAY si7110dn.pdf SI7110DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7110DN-T1-GE3 VISHAY si7110dn.pdf SI7110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si7111EDN-T1-GE3 VISHAY si7111edn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-E3 VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7112DN-T1-GE3 VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY si7113adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -10.8A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.9 EUR
46+1.57 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3 VISHAY si7114ad.pdf SI7114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-E3 VISHAY si7114dn.pdf SI7114DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-GE3 VISHAY si7114dn.pdf SI7114DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7115DN-T1-E3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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SI7116BDN-T1-GE3 VISHAY SI7116BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-E3 VISHAY si7116dn.pdf SI7116DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-GE3 VISHAY si7116dn.pdf SI7116DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-E3 VISHAY si7117dn.pdf SI7117DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-GE3 VISHAY si7117dn.pdf SI7117DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-E3 VISHAY si7119dn.pdf SI7119DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-GE3 VISHAY si7119dn.pdf SI7119DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7120ADN-T1-GE3 VISHAY Si7120ADN.PDF SI7120ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 17.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
106+0.68 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121DN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf SI7121DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7129DN-T1-GE3 VISHAY si7129dn.pdf SI7129DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7135DP-T1-GE3 VISHAY si7135dp.pdf SI7135DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7137DP-T1-GE3 VISHAY si7137dp.pdf SI7137DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7139DP-T1-GE3 VISHAY si7139dp.pdf SI7139DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7141DP-T1-GE3 VISHAY si7141dp.pdf SI7141DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7143DP-T1-GE3 VISHAY si7143dp.pdf SI7143DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 VISHAY si7145dp.pdf SI7145DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3 VISHAY 73314.pdf SI7148DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-GE3 VISHAY 73314.pdf SI7148DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43.1nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
139+0.52 EUR
146+0.49 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149DP-T1-GE3 VISHAY si7149dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 44.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 4717 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
198+0.36 EUR
210+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7155DP-T1-GE3 VISHAY si7155dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 VISHAY si7157dp.pdf SI7157DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7164DP-T1-GE3 VISHAY si7164dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3 VISHAY si7172adp.pdf SI7172ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5948DU-T1-GE3 si5948du.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Case: 1206-8 ChipFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-E3 70639.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-GE3 si6415dq.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6423DQ-T1-E3 72257.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6423DQ-T1-GE3 72257.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6562CDQ-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3 si6913dq.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3 si6913dq.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3 72754.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6926ADQ-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6926ADQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6954ADQ-T1-GE3 71130.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -10.8A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7113DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.9 EUR
46+1.57 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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SI7116BDN-T1-GE3
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 17.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
106+0.68 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI7121DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7129DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7139DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7141DP-T1-GE3 si7141dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7141DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7143DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7145DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3 73314.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7148DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7148DP-T1-GE3 73314.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7148DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43.1nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
139+0.52 EUR
146+0.49 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149DP-T1-GE3 si7149dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 44.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7153DN-T1-GE3 si7153dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 4717 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
198+0.36 EUR
210+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7157DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7164DP-T1-GE3 si7164dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3 si7172adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7172ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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