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IRL640PBF

IRL640PBF

irl640.pdf
Produktcode: 31167
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/66
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRL640PBF IRL640PBF Hersteller : Vishay irl640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL640PBF IRL640PBF Hersteller : VISHAY IRL640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRL640PBF IRL640PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irl640.pdf MOSFETs TO220 200V 17A N-CH MOSFET
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IRL640PBF IRL640PBF Hersteller : Vishay Siliconix irl640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
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5000+1.49 EUR
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IRL640PBF IRL640PBF Hersteller : Vishay irl640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL640PBF IRL640PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019267845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRL640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRL640PBF IRL640PBF Hersteller : Vishay irl640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Kolophonium, 20g
Produktcode: 26961
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Kolophonium, 20g
Hersteller: Remplast
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Категорія: Kolophonium
Опис: Kolophonium Kiefer, Benutzt als Flussmittel Entfernen der Oxidfilme, Schmutz von der Metalloberfläche und sie vor einer Oxidation während des Lötprozesses zu schützen.
Вага/Об’єм/К-сть: 20g.
Твердий
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IRL540NPBF
Produktcode: 25626
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irl540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fc2a62567
IRL540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.044
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
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JHGF: THT
verfügbar: 129 St.
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LP2950ACZ-5.0/NOPB
Produktcode: 24794
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description LP2950.pdf
LP2950ACZ-5.0/NOPB
Hersteller: ON
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-92
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 0.1
Udrop, V: 0.38
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: -40...125
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Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L)
Produktcode: 8246
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kls1-2_54-0-datasheet.pdf
Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte für HU-xx (CI31…), Messing verzinnt
Stecker/Buchse: Kontakte/Kappen
Anzahl Kontakte: -
2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
verfügbar: 36231 St.
35 St. - stock Köln
36196 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+0.02 EUR
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IRF640
Produktcode: 7926
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description IRF640.pdf
IRF640
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
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