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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MBR3545 MBR3545 GeneSiC Semiconductor 34976362909671172mbr3545_thru_mbr35100r.pdf Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
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MBR3545 MBR3545 GeneSiC Semiconductor mbr3560.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 45V - 35A Schottky Rectifier
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MBR3545R MBR3545R GeneSiC Semiconductor mbr3560.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 45V - 35A Schottky Rectifier
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MBR3560 GeneSiC Semiconductor mbr3560.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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MBR3560 MBR3560 GeneSiC Semiconductor mbr3560.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 60V - 35A Schottky Rectifier
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MBR3560R MBR3560R GeneSiC Semiconductor mbr3560.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 60V - 35A Schottky Rectifier
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.11 EUR
10+23.95 EUR
25+22.48 EUR
100+20.42 EUR
250+19.91 EUR
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MBR3560R MBR3560R GeneSiC Semiconductor mbr3560.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 60V 35A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.29 EUR
10+26.67 EUR
25+25.02 EUR
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MBR3580 MBR3580 GeneSiC Semiconductor 34976362909671172mbr3545_thru_mbr35100r.pdf Rectifier Diode Schottky 80V 35A 2-Pin DO-4
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MBR3580 MBR3580 GeneSiC Semiconductor mbr3560.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 80V - 35A Schottky Rectifier
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MBR3580 GeneSiC Semiconductor mbr3560.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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MBR3580R GeneSiC Semiconductor mbr3560.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 80V 35A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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MBR3580R MBR3580R GeneSiC Semiconductor mbr3560.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 80V - 35A Schottky Rectifier
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MBR400100CT MBR400100CT GeneSiC Semiconductor mbr400100ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70
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MBR400100CT MBR400100CT GeneSiC Semiconductor 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
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MBR400100CTR MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor mbr400100ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70
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MBR400100CTR MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor mbr400100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
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MBR400150CT MBR400150CT GeneSiC Semiconductor mbr400150ct.pdf Diode Modules 150V 400A Forward
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MBR400150CTR MBR400150CTR GeneSiC Semiconductor mbr400150ctr.pdf Diode Modules 150V 400A Reverse
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MBR400200CT MBR400200CT GeneSiC Semiconductor mbr400200ct.pdf Diode Modules 200V 400A Forward
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MBR400200CTR MBR400200CTR GeneSiC Semiconductor mbr400200ctr.pdf Diode Modules 200V 400A Reverse
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MBR40020CT MBR40020CT GeneSiC Semiconductor mbr40020ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 20P/14
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MBR40020CTL GeneSiC Semiconductor mbr40020ct(r)l-541872.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 400A Forward
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MBR40020CTR MBR40020CTR GeneSiC Semiconductor mbr40020ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 20P/14
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MBR40020CTRL MBR40020CTRL GeneSiC Semiconductor mbr40020ct(r)l-541872.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 400A Reverse
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MBR40030CT MBR40030CT GeneSiC Semiconductor mbr40030ct-2451790.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 30P/21
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MBR40030CTL MBR40030CTL GeneSiC Semiconductor mbr40030ct(r)l-541876.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V 400A Forward
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MBR40030CTR MBR40030CTR GeneSiC Semiconductor mbr40030ctr-2451493.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 30P/21
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MBR40030CTRL MBR40030CTRL GeneSiC Semiconductor mbr40030ct(r)l-541876.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V 400A Reverse
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MBR40035CT MBR40035CT GeneSiC Semiconductor mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf Description: DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
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MBR40035CT MBR40035CT GeneSiC Semiconductor mbr40035ct.pdf Diode Modules 35V 400A Schottky Recovery
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MBR40035CTL MBR40035CTL GeneSiC Semiconductor mbr40035ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
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MBR40035CTL MBR40035CTL GeneSiC Semiconductor mbr40035ct(r)l-541880.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V 400A Forward
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MBR40035CTR MBR40035CTR GeneSiC Semiconductor mbr40035ctr.pdf Diode Modules 35V 400A Schottky Recovery
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MBR40035CTRL MBR40035CTRL GeneSiC Semiconductor mbr40035ct(r)l-541880.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V 400A Reverse
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MBR40040CT MBR40040CT GeneSiC Semiconductor mbr40040ct.pdf Diode Modules 40V 400A Schottky Recovery
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MBR40040CTL MBR40040CTL GeneSiC Semiconductor mbr40040ct(r)l-541932.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V 400A Forward
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MBR40040CTR MBR40040CTR GeneSiC Semiconductor mbr40040ctr.pdf Diode Modules 40V 400A Schottky Recovery
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MBR40040CTRL MBR40040CTRL GeneSiC Semiconductor mbr40040ct(r)l-541932.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V 400A Reverse
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MBR40045CT MBR40045CT GeneSiC Semiconductor mbr40045ct-3479337.pdf Diode Modules 45V 400A Schottky Recovery
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MBR40045CTL MBR40045CTL GeneSiC Semiconductor mbr40045ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A 2 TOWER
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MBR40045CTL MBR40045CTL GeneSiC Semiconductor mbr40045ct(r)l-541823.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 45V 400A Forward
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MBR40045CTR MBR40045CTR GeneSiC Semiconductor mbr40045ctr.pdf Diode Modules 45V 400A Schottky Recovery
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+155.83 EUR
10+136.68 EUR
25+129.73 EUR
120+129.62 EUR
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MBR40045CTRL MBR40045CTRL GeneSiC Semiconductor mbr40045ct(r)l-541823.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 45V 400A Reverse
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MBR40045CTS MBR40045CTS GeneSiC Semiconductor mbr40045cts.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 400A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 36 V
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MBR40060CT MBR40060CT GeneSiC Semiconductor mbr40060ct.pdf Diode Modules 60V 400A Schottky Recovery
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MBR40060CT MBR40060CT GeneSiC Semiconductor 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+212.22 EUR
2+197.31 EUR
3+184.02 EUR
5+172.03 EUR
10+161.09 EUR
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MBR40060CTR MBR40060CTR GeneSiC Semiconductor mbr40060ctr.pdf Diode Modules 60V 400A Schottky Recovery
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MBR40080CT MBR40080CT GeneSiC Semiconductor mbr40080ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 80P56R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+155.83 EUR
10+136.68 EUR
25+129.73 EUR
40+129.62 EUR
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MBR40080CTR MBR40080CTR GeneSiC Semiconductor mbr40080ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 80P56R
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MBR500100CT MBR500100CT GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBR500100CT MBR500100CT GeneSiC Semiconductor mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A100P/70R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR500100CTR MBR500100CTR GeneSiC Semiconductor mbr500100ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBR500100CTR MBR500100CTR GeneSiC Semiconductor mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A100P/70R
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MBR500150CT MBR500150CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
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MBR500150CT MBR500150CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Forward
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MBR500150CTR MBR500150CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Reverse
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MBR500150CTR MBR500150CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
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MBR500200CT MBR500200CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
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MBR500200CT MBR500200CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 200V 500A Forward
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MBR500200CTR MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
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MBR3545 34976362909671172mbr3545_thru_mbr35100r.pdf
MBR3545
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
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MBR3545 mbr3560.pdf
MBR3545
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V - 35A Schottky Rectifier
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MBR3545R mbr3560.pdf
MBR3545R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V - 35A Schottky Rectifier
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MBR3560 mbr3560.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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MBR3560 mbr3560.pdf
MBR3560
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 60V - 35A Schottky Rectifier
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MBR3560R mbr3560.pdf
MBR3560R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 60V - 35A Schottky Rectifier
auf Bestellung 56 Stücke:
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Anzahl Preis
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10+23.95 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MBR3560R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 60V 35A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
auf Bestellung 29 Stücke:
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Anzahl Preis
1+31.29 EUR
10+26.67 EUR
25+25.02 EUR
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MBR3580
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 80V 35A 2-Pin DO-4
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MBR3580
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 80V - 35A Schottky Rectifier
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 80V 35A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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MBR3580R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 80V - 35A Schottky Rectifier
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MBR400100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70
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MBR400100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
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MBR400100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70
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MBR400100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
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MBR400150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 400A Forward
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MBR400150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 400A Reverse
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MBR400200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 400A Forward
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MBR400200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 400A Reverse
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MBR40020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 20P/14
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MBR40020CTL mbr40020ct(r)l-541872.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 400A Forward
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MBR40020CTR mbr40020ctr.pdf
MBR40020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 20P/14
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MBR40020CTRL mbr40020ct(r)l-541872.pdf
MBR40020CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 400A Reverse
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MBR40030CT mbr40030ct-2451790.pdf
MBR40030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 30P/21
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MBR40030CTL mbr40030ct(r)l-541876.pdf
MBR40030CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 400A Forward
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MBR40030CTR mbr40030ctr-2451493.pdf
MBR40030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 30P/21
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MBR40030CTRL mbr40030ct(r)l-541876.pdf
MBR40030CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 400A Reverse
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MBR40035CT mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf
MBR40035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
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MBR40035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 400A Schottky Recovery
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MBR40035CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
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MBR40035CTL mbr40035ct(r)l-541880.pdf
MBR40035CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 400A Forward
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MBR40035CTR mbr40035ctr.pdf
MBR40035CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 400A Schottky Recovery
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MBR40035CTRL mbr40035ct(r)l-541880.pdf
MBR40035CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 400A Reverse
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MBR40040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 400A Schottky Recovery
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MBR40040CTL mbr40040ct(r)l-541932.pdf
MBR40040CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 400A Forward
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MBR40040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 400A Schottky Recovery
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MBR40040CTRL mbr40040ct(r)l-541932.pdf
MBR40040CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 400A Reverse
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MBR40045CT mbr40045ct-3479337.pdf
MBR40045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 400A Schottky Recovery
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MBR40045CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A 2 TOWER
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MBR40045CTL mbr40045ct(r)l-541823.pdf
MBR40045CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 400A Forward
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MBR40045CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 400A Schottky Recovery
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+155.83 EUR
10+136.68 EUR
25+129.73 EUR
120+129.62 EUR
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MBR40045CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 400A Reverse
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MBR40045CTS
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 400A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 36 V
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MBR40060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 400A Schottky Recovery
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MBR40060CT 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf
MBR40060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+212.22 EUR
2+197.31 EUR
3+184.02 EUR
5+172.03 EUR
10+161.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MBR40060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 400A Schottky Recovery
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MBR40080CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 80P56R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+155.83 EUR
10+136.68 EUR
25+129.73 EUR
40+129.62 EUR
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MBR40080CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 80P56R
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MBR500100CT mbr500100ctr.pdf
MBR500100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBR500100CT mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf
MBR500100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A100P/70R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR500100CTR mbr500100ctr.pdf
MBR500100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBR500100CTR mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf
MBR500100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A100P/70R
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MBR500150CT mbr500150ctr.pdf
MBR500150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
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MBR500150CT mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf
MBR500150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Forward
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MBR500150CTR mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf
MBR500150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 500A Reverse
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MBR500150CTR mbr500150ctr.pdf
MBR500150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
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MBR500200CT mbr500150ctr.pdf
MBR500200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
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MBR500200CT mbr500150ct_thru_mbr500200ctr-541883.pdf
MBR500200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 500A Forward
Produkt ist nicht verfügbar
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MBR500200CTR mbr500150ctr.pdf
MBR500200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 250A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
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