Die Produkte genesic semiconductor

Wählen Sie Seite:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50  Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Tech.inf. Hersteller Beschreibung Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Preis
ohne MwSt
M3P75A-100 M3P75A-100 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1000V
Diode Type: Three Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P75A-120 M3P75A-120 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Diode Type: Three Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P75A-140 M3P75A-140 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1400V
Diode Type: Three Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P75A-160 M3P75A-160 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1600V
Diode Type: Three Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P75A-60 M3P75A-60 threephase.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Diode Type: Three Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P75A-80 M3P75A-80 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800V
Diode Type: Three Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-100 threephase.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 1000V 100A 3PH
Supplier Device Package: Module
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1000V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-120 threephase.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 1200V 100A 3PH
Supplier Device Package: Module
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-140 threephase.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 1400V 100A 3PH
Supplier Device Package: Module
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1400V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-160 m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 1600V 100A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1600V
Diode Type: Three Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-60 threephase.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
Supplier Device Package: Module
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-80 m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800V
Diode Type: Three Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR40045CTS MBR40045CTS mbr40045cts.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 400A SOT227
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 36V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Mounting Type: Screw Mount
Package / Case: SOT-227-4
Supplier Device Package: SOT-227
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 51 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MBRH12040 MBRH12040 mbrh12020r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 40V 120A D-67
Package / Case: D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRH12040R MBRH12040R mbrh12020r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 40V 120A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67 HALF-PAK
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 45 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 187.49 EUR
10+ 160.44 EUR
25+ 156.88 EUR
MBRH20045 MBRH20045 mbrh120100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 4 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MBRH20045R MBRH20045R mbrh120100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 40 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MBR200100CTS MBR200100CTS MBR200100CTS.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 200A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 80 V
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Screw Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A
Package / Case: SOT-227-4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Packaging: Tube
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT200100 MBRT200100 mbrt200100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 16 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 288.68 EUR
10+ 253.21 EUR
MBR400100CT MBR400100CT mbr400100ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 7 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 288.68 EUR
MBR400100CTR MBR400100CTR mbr400100ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 1 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 288.68 EUR
MBR40035CTR MBR40035CTR mbr40020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 1 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 288.68 EUR
MBR40035CT MBR40035CT mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR20030CT MBR20030CT mbr20020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR20030CTR MBR20030CTR mbr20020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12035 CTR MBR12035 CTR mbr12020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 36 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 207.79 EUR
MBR12040CT MBR12040CT mbr12020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12040CTR MBR12040CTR mbr12020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12060CT MBR12060CT mbr120100ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12045CTR MBR12045CTR mbr120100ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 18 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 207.79 EUR
MBR12060CTR MBR12060CTR mbr120100ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12020CT MBR12020CT mbr12020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12020CTR MBR12020CTR mbr12020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12030CT MBR12030CT mbr12020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12030CTR MBR12030CTR mbr12020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12035CT MBR12035CT mbr12020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12045CT MBR12045CT mbr120100ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FST16035 FST16035 fst16020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 160A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 33 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MBR30035CT MBR30035CT mbr30020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 mA @ 20 V
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR30035CTR MBR30035CTR mbr30020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 21 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 284.02 EUR
MBRT20035R MBRT20035R mbrt20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT20040R MBRT20040R mbrt20020_thru_mbrt20040r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT20035 MBRT20035 mbrt20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT20040 MBRT20040 mbrt20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 7 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MBRT400100R MBRT400100R mbrt400100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT30035 MBRT30035 mbrt30020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 300A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 150 A
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 5 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 319.28 EUR
MBRT30035R MBRT30035R mbrt30020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 300A 3TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 16 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 319.28 EUR
MBRT30040 MBRT30040 mbrt30020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 300A 3TOWER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT30045R MBRT30045R mbrt300100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: MBRT30045
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT30040R MBRT30040R mbrt30020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 300A 3TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 15 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 319.28 EUR
MBRT30045 MBRT30045 mbrt300100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR40040CTR MBR40040CTR mbr40020ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 17 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 288.68 EUR
MBR40040CT MBR40040CT mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MUR20010CT MUR20010CT mur20005ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MUR20010CTR MUR20010CTR mur20005ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Supplier Device Package: Twin Tower
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT400100 MBRT400100 mbrt400100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 200 A
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 14 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MBRT40045R MBRT40045R mbrt400100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MURT40040R MURT40040R murt40040.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 180ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 1 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MURT40040 MURT40040 murt40040.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR60040CTR MBR60040CTR mbr60020ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 12 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 352.17 EUR
MBR60040CT MBR60040CT mbr60020ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227 GB100XCP12-227.pdf GeneSiC Semiconductor Description: IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.55 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GA10SICP12-247 GA10SICP12-247 GA10SICP12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Package / Case: TO-247-3
Voltage: 1200V
Current: 10A
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263 GA20SICP12-263.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Voltage: 1.2 kV
Current: 20 A
Part Status: Active
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 40 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 143.55 EUR
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227 GA50SICP12-227.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Part Status: Obsolete
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GA100SICP12-227 GA100SICP12-227 GA100SICP12-227.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Part Status: Obsolete
Current: 100 A
Voltage: 1.2 kV
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GA100SCPL12-227E GeneSiC Semiconductor Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GBPC5001W GBPC5001W gbpc50005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 100V 50A GBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GBPC50005W GBPC50005W gbpc50005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 50V 50A GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
W01M W01M W005M~W10M.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
W04M W005M~W10M.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
W06M W06M-10M.pdf техническая информация GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
W10M W06M-10M.pdf техническая информация GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Obsolete
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB101G db101g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Technology: Standard
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Supplier Device Package: DB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Diode Type: Single Phase
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB102G db101g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DB
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB103G DB103G db101g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DB
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 7370 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+ 3.46 EUR
13+ 2.05 EUR
25+ 1.65 EUR
100+ 1.2 EUR
250+ 0.97 EUR
500+ 0.83 EUR
1000+ 0.71 EUR
2500+ 0.57 EUR
DB104G db101g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DB
Part Status: Active
Supplier Device Package: DB
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB105G db105g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Packaging: Bulk
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DB
Technology: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB106G db105g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DB
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
W005M w005m_thru_w04m.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 50V 1.5A WOM
Supplier Device Package: WOM
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB151G db151g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DB
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Base Part Number: DB151
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Supplier Device Package: DB
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB152G db151g_thru_db154g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 100V 1.5A DB
Supplier Device Package: DB
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB153G db151g_thru_db154g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 200V 1.5A DB
Supplier Device Package: DB
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB154G db151g_thru_db154g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 400V 1.5A DB
Supplier Device Package: DB
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB155G db155g_thru_db157g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 600V 1.5A DB
Supplier Device Package: DB
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB156G db155g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB157G db155g.pdf техническая информация GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2W005M 2W005M-2W10M.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2W01M 2W005M-2W10M.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2W04M 2W005M-2W10M.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2W06M 2W005M-2W10M.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2W10M 2W005M-2W10M.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A WOM
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM2005G kbpm2005g_thru_kbpm204g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 50V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM201G kbpm2005g_thru_kbpm204g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 100V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM202G kbpm2005g_thru_kbpm204g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 200V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM204G kbpm2005g_thru_kbpm204g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 400V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM206G kbpm206g_thru_kbpm210g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 600V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM208G kbpm206g_thru_kbpm210g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 800V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800V
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM210G KBPM206G~KBPM210G.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Single Phase
Technology: Standard
Voltage - Peak Reverse (Max): 1kV
Current - Average Rectified (Io): 2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBP201 KBP201~204.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P75A-100 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1000V
Diode Type: Three Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P75A-120 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Diode Type: Three Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P75A-140 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-140
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1400V
Diode Type: Three Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P75A-160 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-160
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1600V
Diode Type: Three Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P75A-60 threephase.pdf
M3P75A-60
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Diode Type: Three Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P75A-80 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-80
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800V
Diode Type: Three Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-100 threephase.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1000V 100A 3PH
Supplier Device Package: Module
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1000V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-120 threephase.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1200V 100A 3PH
Supplier Device Package: Module
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-140 threephase.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1400V 100A 3PH
Supplier Device Package: Module
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1400V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-160 m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1600V 100A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1600V
Diode Type: Three Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-60 threephase.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
Supplier Device Package: Module
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
M3P100A-80 m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
Supplier Device Package: 5-SMD
Package / Case: 5-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Current - DC Forward (If) (Max): 100A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800V
Diode Type: Three Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR40045CTS mbr40045cts.pdf
MBR40045CTS
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 400A SOT227
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 36V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Mounting Type: Screw Mount
Package / Case: SOT-227-4
Supplier Device Package: SOT-227
auf Bestellung 51 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MBRH12040 mbrh12020r.pdf
MBRH12040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 120A D-67
Package / Case: D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRH12040R mbrh12020r.pdf
MBRH12040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 120A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67 HALF-PAK
Packaging: Bulk
auf Bestellung 45 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 187.49 EUR
10+ 160.44 EUR
25+ 156.88 EUR
MBRH20045 mbrh120100r.pdf
MBRH20045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MBRH20045R mbrh120100r.pdf
MBRH20045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 40 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MBR200100CTS MBR200100CTS.pdf
MBR200100CTS
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 200A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 80 V
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Screw Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A
Package / Case: SOT-227-4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Packaging: Tube
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT200100 mbrt200100.pdf
MBRT200100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
auf Bestellung 16 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 288.68 EUR
10+ 253.21 EUR
MBR400100CT mbr400100ct.pdf
MBR400100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 320 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 288.68 EUR
MBR400100CTR mbr400100ct.pdf
MBR400100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
auf Bestellung 1 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 288.68 EUR
MBR40035CTR mbr40020ct.pdf
MBR40035CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
auf Bestellung 1 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 288.68 EUR
MBR40035CT mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf
MBR40035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR20030CT mbr20020ct.pdf
MBR20030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 594 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MBR20030CTR mbr20020ct.pdf
MBR20030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12035 CTR mbr12020ct.pdf
MBR12035 CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
auf Bestellung 36 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 207.79 EUR
MBR12040CT mbr12020ct.pdf
MBR12040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12040CTR mbr12020ct.pdf
MBR12040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12060CT mbr120100ct.pdf
MBR12060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12045CTR mbr120100ct.pdf
MBR12045CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
auf Bestellung 18 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 207.79 EUR
MBR12060CTR mbr120100ct.pdf
MBR12060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12020CT mbr12020ct.pdf
MBR12020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12020CTR mbr12020ct.pdf
MBR12020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12030CT mbr12020ct.pdf
MBR12030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12030CTR mbr12020ct.pdf
MBR12030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12035CT mbr12020ct.pdf
MBR12035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR12045CT mbr120100ct.pdf
MBR12045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 100 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
FST16035 fst16020.pdf
FST16035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 160A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
auf Bestellung 33 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MBR30035CT mbr30020ct.pdf
MBR30035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 mA @ 20 V
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR30035CTR mbr30020ct.pdf
MBR30035CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
auf Bestellung 21 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 284.02 EUR
MBRT20035R mbrt20020.pdf
MBRT20035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT20040R mbrt20020_thru_mbrt20040r.pdf
MBRT20040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT20035 mbrt20020.pdf
MBRT20035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT20040 mbrt20020.pdf
MBRT20040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
auf Bestellung 7 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MBRT400100R mbrt400100.pdf
MBRT400100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT30035 mbrt30020.pdf
MBRT30035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 300A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 150 A
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
auf Bestellung 5 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 319.28 EUR
MBRT30035R mbrt30020.pdf
MBRT30035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 300A 3TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
auf Bestellung 16 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 319.28 EUR
MBRT30040 mbrt30020.pdf
MBRT30040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 300A 3TOWER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT30045R mbrt300100.pdf
MBRT30045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: MBRT30045
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT30040R mbrt30020.pdf
MBRT30040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 300A 3TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
auf Bestellung 15 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 319.28 EUR
MBRT30045 mbrt300100.pdf
MBRT30045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR40040CTR mbr40020ct.pdf
MBR40040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
auf Bestellung 17 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 288.68 EUR
MBR40040CT mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf
MBR40040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MUR20010CT mur20005ct.pdf
MUR20010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 8100 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MUR20010CTR mur20005ct.pdf
MUR20010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Supplier Device Package: Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT400100 mbrt400100.pdf
MBRT400100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 200 A
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
auf Bestellung 14 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 10 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MBRT40045R mbrt400100.pdf
MBRT40045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MURT40040R murt40040.pdf
MURT40040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 180ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MURT40040 murt40040.pdf
MURT40040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR60040CTR mbr60020ctr.pdf
MBR60040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Packaging: Bulk
auf Bestellung 12 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 352.17 EUR
MBR60040CT mbr60020ctr.pdf
MBR60040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 18 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227.pdf
GB100XCP12-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.55 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GA10SICP12-247 GA10SICP12-247.pdf
GA10SICP12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Package / Case: TO-247-3
Voltage: 1200V
Current: 10A
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263.pdf
GA20SICP12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Voltage: 1.2 kV
Current: 20 A
Part Status: Active
auf Bestellung 40 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 143.55 EUR
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227.pdf
GA50SICP12-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Part Status: Obsolete
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GA100SICP12-227 GA100SICP12-227.pdf
GA100SICP12-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Part Status: Obsolete
Current: 100 A
Voltage: 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GA100SCPL12-227E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GBPC5001W gbpc50005t.pdf
GBPC5001W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 50A GBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 78 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC50005W gbpc50005t.pdf
GBPC50005W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 50A GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 28 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
W01M W005M~W10M.pdf
W01M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 2686 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
W04M W005M~W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
W06M техническая информация W06M-10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 16265 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
W10M техническая информация W06M-10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Obsolete
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 1198 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
DB101G db101g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Technology: Standard
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Supplier Device Package: DB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Diode Type: Single Phase
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB102G db101g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DB
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB103G db101g.pdf
DB103G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DB
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
auf Bestellung 7370 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+ 3.46 EUR
13+ 2.05 EUR
25+ 1.65 EUR
100+ 1.2 EUR
250+ 0.97 EUR
500+ 0.83 EUR
1000+ 0.71 EUR
2500+ 0.57 EUR
DB104G db101g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DB
Part Status: Active
Supplier Device Package: DB
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 72500 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
DB105G db105g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Packaging: Bulk
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DB
Technology: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 149 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
DB106G db105g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DB
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 490 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
W005M w005m_thru_w04m.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 50V 1.5A WOM
Supplier Device Package: WOM
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB151G db151g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DB
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Base Part Number: DB151
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Supplier Device Package: DB
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB152G db151g_thru_db154g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 100V 1.5A DB
Supplier Device Package: DB
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB153G db151g_thru_db154g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 200V 1.5A DB
Supplier Device Package: DB
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB154G db151g_thru_db154g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 400V 1.5A DB
Supplier Device Package: DB
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB155G db155g_thru_db157g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 600V 1.5A DB
Supplier Device Package: DB
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 40000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
DB156G db155g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
DB157G техническая информация db155g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2W005M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2W01M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2W04M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 10377 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2W06M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 8742 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2W10M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A WOM
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 692 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPM2005G kbpm2005g_thru_kbpm204g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 50V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM201G kbpm2005g_thru_kbpm204g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 100V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM202G kbpm2005g_thru_kbpm204g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 200V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM204G kbpm2005g_thru_kbpm204g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 400V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM206G kbpm206g_thru_kbpm210g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 600V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM208G kbpm206g_thru_kbpm210g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 800V 2A KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 2A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800V
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPM210G KBPM206G~KBPM210G.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Single Phase
Technology: Standard
Voltage - Peak Reverse (Max): 1kV
Current - Average Rectified (Io): 2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Supplier Device Package: KBPM
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBP201 KBP201~204.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 900 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
Wählen Sie Seite:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50  Nächste Seite >> ]