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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2N7637-GA 2N7637-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7638-GA 2N7638-GA GeneSiC Semiconductor 2N7638-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor 2N7639-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor 2N7640-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 15 W
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA06JT12-247 GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V
Current Drain (Id) - Max: 6 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 24 W
Resistance - RDS(On): 200 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
auf Bestellung 35037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.45 EUR
10+2.13 EUR
25+2.01 EUR
100+1.85 EUR
250+1.74 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 18534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.85 EUR
10+3.41 EUR
25+3.24 EUR
100+3 EUR
250+2.87 EUR
500+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
auf Bestellung 23211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.82 EUR
10+4.3 EUR
25+4.11 EUR
100+3.82 EUR
250+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
auf Bestellung 34920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.52 EUR
6000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.52 EUR
6000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB04SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB08SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB16SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 16A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT12-263 GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT12-247 GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 15 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 106 W
Resistance - RDS(On): 180 MOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA10JT12-263 GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA10JT12-247 GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 10A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 25 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 170 W
Resistance - RDS(On): 100 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA20JT12-247 GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA20JT12-263 GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.66 EUR
10+59.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT12-247 GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA10SICP12-247 GA10SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current: 10 A
Voltage: 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA50SICP12-227.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA100SICP12-227 GA100SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA100SICP12-227.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 100 A
Voltage: 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA100SCPL12-227E GeneSiC Semiconductor Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150K100A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150K20A GeneSiC Semiconductor 150k100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 mA @ 200 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150K40A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150K60A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150K80A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150KR100A GeneSiC Semiconductor 150k100a.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150KR20A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN REV 200V 150A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150KR40A 150KR40A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN REV 400V 150A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150KR60A 150KR60A GeneSiC Semiconductor 150k100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150KR80A GeneSiC Semiconductor 150k100a.pdf Description: DIODE GP REV 800V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 32 mA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1183 GeneSiC Semiconductor 1n1183.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-203AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1183AR GeneSiC Semiconductor 1n1183a.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1183R GeneSiC Semiconductor 1n1183.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1186 GeneSiC Semiconductor 1n1183_thru_1n1187r.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1186R 1N1186R GeneSiC Semiconductor 1n1183.pdf Description: DIODE STANDARD REV 200V 35A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1188AR GeneSiC Semiconductor 1n1183a.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1189R GeneSiC Semiconductor 1n1188.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1202AR GeneSiC Semiconductor 1n1199a.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7637-GA
2N7637-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7638-GA 2N7638-GA.pdf
2N7638-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7639-GA 2N7639-GA.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7640-GA 2N7640-GA.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA03JT12-247
GA03JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 15 W
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA06JT12-247 GA06JT12-247.pdf
GA06JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V
Current Drain (Id) - Max: 6 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 24 W
Resistance - RDS(On): 200 mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
auf Bestellung 35037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.45 EUR
10+2.13 EUR
25+2.01 EUR
100+1.85 EUR
250+1.74 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT06-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 18534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.85 EUR
10+3.41 EUR
25+3.24 EUR
100+3 EUR
250+2.87 EUR
500+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
GB02SLT12-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
auf Bestellung 23211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.82 EUR
10+4.3 EUR
25+4.11 EUR
100+3.82 EUR
250+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA10JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA10JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
auf Bestellung 34920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.52 EUR
6000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT06-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+2.52 EUR
6000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
GB02SLT12-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA10JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247.pdf
GB50SLT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB04SLT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB08SLT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB16SLT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 16A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP.pdf
GAP3SLT33-220FP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT12-263 GA05JT12-263.pdf
GA05JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT12-247
GA05JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 15 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 106 W
Resistance - RDS(On): 180 MOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA10JT12-263 GA10JT12-263.pdf
GA10JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA10JT12-247 GA10JT12-247.pdf
GA10JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 10A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 25 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 170 W
Resistance - RDS(On): 100 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA20JT12-247 GA20JT12-247.pdf
GA20JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
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GA20JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
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GA50JT12-247 GA50JT12-247.pdf
GA50JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
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GA10SICP12-247 GA10SICP12-247.pdf
GA10SICP12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current: 10 A
Voltage: 1.2 kV
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GA20SICP12-263 GA20SICP12-263.pdf
GA20SICP12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
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GA50SICP12-227 GA50SICP12-227.pdf
GA50SICP12-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
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GA100SICP12-227 GA100SICP12-227.pdf
GA100SICP12-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 100 A
Voltage: 1.2 kV
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GA100SCPL12-227E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
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150K100A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
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150K20A 150k100a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 mA @ 200 V
auf Bestellung 7 Stücke:
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150K40A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA
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150K60A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
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150K80A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
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150KR100A 150k100a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA
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150KR20A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 200V 150A DO205AA
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150KR40A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
150KR40A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 400V 150A DO205AA
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150KR60A 150k100a.pdf
150KR60A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
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150KR80A 150k100a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP REV 800V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 32 mA @ 800 V
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1N1183 1n1183.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-203AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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1N1183AR 1n1183a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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1N1183R 1n1183.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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1N1186 1n1183_thru_1n1187r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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1N1186R 1n1183.pdf
1N1186R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 200V 35A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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1N1188AR 1n1183a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1189R 1n1188.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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1N1202AR 1n1199a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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