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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MBR120100CTR MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ctr-3477496.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
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MBR120150CT MBR120150CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward
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MBR120150CT MBR120150CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR120150CTR MBR120150CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ctr-1856746.pdf Diode Modules 150V 120A Reverse
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MBR120150CTR MBR120150CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR120200CT MBR120200CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR120200CT MBR120200CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward
auf Bestellung 22 Stücke:
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MBR120200CTR MBR120200CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR120200CTR MBR120200CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse
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MBR12020CT MBR12020CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct-3479252.pdf Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12020CT MBR12020CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12020CTR MBR12020CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ctr.pdf Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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MBR12030CT MBR12030CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MBR12030CT MBR12030CT GeneSiC Semiconductor mbr12030ct-3477499.pdf Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CTR MBR12030CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CTR MBR12030CTR GeneSiC Semiconductor mbr12030ctr-3480013.pdf Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR12035CT MBR12035CT GeneSiC Semiconductor mbr12035ct-3477925.pdf Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
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MBR12035CT MBR12035CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12035 CTR MBR12035 CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12035CTR MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor mbr12035ctr-3477929.pdf Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor mbr12035ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MBR12040CT MBR12040CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12040CT MBR12040CT GeneSiC Semiconductor mbr12040ct-3481306.pdf Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
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MBR12040CTR MBR12040CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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MBR12040CTR MBR12040CTR GeneSiC Semiconductor mbr12040ctr-3477666.pdf Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
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MBR12045CT MBR12045CT GeneSiC Semiconductor mbr12045ct.pdf Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12045CTR MBR12045CTR GeneSiC Semiconductor mbr12045ctr.pdf Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
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MBR12060CT MBR12060CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12060CT MBR12060CT GeneSiC Semiconductor mbr12060ct.pdf Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12060CTR MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor mbr12060ctr.pdf Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12060CTR MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12080CT MBR12080CT GeneSiC Semiconductor mbr12080ct-3479664.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12080CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12080CTR MBR12080CTR GeneSiC Semiconductor mbr12080ctr-3477932.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12080CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200100CT MBR200100CT GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200100CTR MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor mbr200100ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200100CTS MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor 52mbr200100cts.pdf Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
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 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200100CTS MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor mbr200100cts-1856734.pdf Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200150CT MBR200150CT GeneSiC Semiconductor mbr200150ct.pdf Diode Modules 150V 200A Forward
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200150CTR MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor mbr200150ctr.pdf Diode Modules 150V 200A Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200200CT MBR200200CT GeneSiC Semiconductor mbr200200ct.pdf Diode Modules 200V 200A Forward
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200200CTR MBR200200CTR GeneSiC Semiconductor mbr200200ctr.pdf Diode Modules 200V 200A Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20020CT MBR20020CT GeneSiC Semiconductor mbr20020ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20020CTR MBR20020CTR GeneSiC Semiconductor mbr20020ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20030CT MBR20030CT GeneSiC Semiconductor mbr20030ct.pdf Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20030CTR MBR20030CTR GeneSiC Semiconductor mbr20030ctr.pdf Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20035CT MBR20035CT GeneSiC Semiconductor mbr20035ct.pdf Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20035CTR MBR20035CTR GeneSiC Semiconductor mbr20035ctr.pdf Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20040CT MBR20040CT GeneSiC Semiconductor mbr20040ct.pdf Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20040CTR MBR20040CTR GeneSiC Semiconductor mbr20040ctr.pdf Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20045CT MBR20045CT GeneSiC Semiconductor mbr20045ct.pdf Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+182.9 EUR
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MBR20045CT MBR20045CT GeneSiC Semiconductor mbr20080ct.pdf Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+245.37 EUR
2+233.16 EUR
3+220.83 EUR
5+209.81 EUR
10+201.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20045CTR MBR20045CTR GeneSiC Semiconductor mbr20045ctr.pdf Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR20060CT MBR20060CT GeneSiC Semiconductor mbr20060ct.pdf Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+182.9 EUR
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MBR20060CTR MBR20060CTR GeneSiC Semiconductor mbr20060ctr.pdf Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR20080CT MBR20080CT GeneSiC Semiconductor mbr20080ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20080CTR MBR20080CTR GeneSiC Semiconductor mbr20080ctr.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X030A045 MBR2X030A045 GeneSiC Semiconductor mbr2x030a045.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+82.07 EUR
10+70.59 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X030A045 MBR2X030A045 GeneSiC Semiconductor mbr2x030a045-2451698.pdf Diode Modules 45V 60A Fwd Schottky
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MBR120100CTR mbr120100ctr-3477496.pdf
MBR120100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120150CT mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf
MBR120150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR120150CT mbr120150ct.pdf
MBR120150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120150CTR mbr120150ctr-1856746.pdf
MBR120150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 120A Reverse
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120150CTR mbr120150ct.pdf
MBR120150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120200CT mbr120150ct.pdf
MBR120200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR120200CT mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf
MBR120200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward
auf Bestellung 22 Stücke:
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MBR120200CTR mbr120150ct.pdf
MBR120200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MBR120200CTR mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf
MBR120200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse
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MBR12020CT mbr12020ct-3479252.pdf
MBR12020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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MBR12020CT mbr12020ct.pdf
MBR12020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MBR12020CTR mbr12020ctr.pdf
MBR12020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR12030CT mbr12020ct.pdf
MBR12030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CT mbr12030ct-3477499.pdf
MBR12030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CTR mbr12020ct.pdf
MBR12030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CTR mbr12030ctr-3480013.pdf
MBR12030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR12035CT mbr12035ct-3477925.pdf
MBR12035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12035CT mbr12020ct.pdf
MBR12035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12035 CTR mbr12020ct.pdf
MBR12035 CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12035CTR mbr12035ctr-3477929.pdf
MBR12035CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12035CTR mbr12035ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12040CT mbr12020ct.pdf
MBR12040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12040CT mbr12040ct-3481306.pdf
MBR12040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12040CTR mbr12020ct.pdf
MBR12040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12040CTR mbr12040ctr-3477666.pdf
MBR12040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12045CT mbr12045ct.pdf
MBR12045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12045CTR mbr12045ctr.pdf
MBR12045CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12060CT mbr120100ct.pdf
MBR12060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12060CT mbr12060ct.pdf
MBR12060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12060CTR mbr12060ctr.pdf
MBR12060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12060CTR mbr120100ct.pdf
MBR12060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12080CT mbr12080ct-3479664.pdf
MBR12080CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12080CT mbr120100ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12080CTR mbr12080ctr-3477932.pdf
MBR12080CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12080CTR mbr120100ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200100CT mbr200100ct.pdf
MBR200100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200100CTR mbr200100ctr.pdf
MBR200100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200100CTS 52mbr200100cts.pdf
MBR200100CTS
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200100CTS mbr200100cts-1856734.pdf
MBR200100CTS
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
auf Bestellung 5 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200150CT mbr200150ct.pdf
MBR200150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 200A Forward
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200150CTR mbr200150ctr.pdf
MBR200150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 200A Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200200CT mbr200200ct.pdf
MBR200200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Forward
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR200200CTR mbr200200ctr.pdf
MBR200200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20020CT mbr20020ct.pdf
MBR20020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20020CTR mbr20020ctr.pdf
MBR20020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20030CT mbr20030ct.pdf
MBR20030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20030CTR mbr20030ctr.pdf
MBR20030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MBR20035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
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MBR20040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
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MBR20040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
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MBR20045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 66 Stücke:
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1+182.9 EUR
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MBR20045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+245.37 EUR
2+233.16 EUR
3+220.83 EUR
5+209.81 EUR
10+201.41 EUR
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MBR20045CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
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MBR20060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 9 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+182.9 EUR
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MBR20060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
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MBR20080CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 80P56R
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MBR2X030A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+82.07 EUR
10+70.59 EUR
25+66.47 EUR
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MBR2X030A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 60A Fwd Schottky
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Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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