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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FST8380M FST8380M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8380M FST8380M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8380SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189232.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D-3478308.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.87 EUR
10+9.01 EUR
30+7.88 EUR
120+7.75 EUR
270+7.64 EUR
510+7.52 EUR
1020+7.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.97 EUR
25+12.23 EUR
50+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.78 EUR
25+10.16 EUR
50+9.57 EUR
100+9.03 EUR
250+8.63 EUR
500+8.27 EUR
1000+7.88 EUR
2500+7.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 3414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.58 EUR
10+10.36 EUR
25+9.67 EUR
100+9.29 EUR
250+8.9 EUR
500+8.6 EUR
1000+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
996+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 996 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.1 EUR
12+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.89 EUR
18+9.7 EUR
25+9.07 EUR
100+8.25 EUR
250+7.59 EUR
500+7.18 EUR
1000+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 11455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.54 EUR
10+11.23 EUR
25+10.75 EUR
100+10.07 EUR
250+9.64 EUR
500+9.33 EUR
1000+9.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J-3478629.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.57 EUR
10+10.36 EUR
25+9.91 EUR
100+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.67 EUR
10+29.16 EUR
25+26.87 EUR
100+25.22 EUR
250+23.88 EUR
500+21.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+26.74 EUR
100+24.97 EUR
250+23.48 EUR
500+22.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.41 EUR
10+25.36 EUR
25+23.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+24.35 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.41 EUR
10+24.8 EUR
25+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+23.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-2449477.pdf MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.4 EUR
10+32.9 EUR
25+31.58 EUR
100+29.74 EUR
250+28.55 EUR
500+28.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+25.22 EUR
100+23.4 EUR
250+21.81 EUR
500+20.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.38 EUR
10+32.9 EUR
25+31.59 EUR
100+29.73 EUR
250+28.56 EUR
500+27.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+31.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+31.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor sic-mosfet-selector-guide.pdf Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+214.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J-2449933.pdf MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
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G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
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G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K-2585786.pdf MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
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G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G375MT12U-TR G375MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F75MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
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G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2 GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
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G3F05MT12GB2-T G3F05MT12GB2-T GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
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G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
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G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
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G3F09MT12G3T G3F09MT12G3T GeneSiC Semiconductor SiCPAK.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
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G3F09MT12G3T-T G3F09MT12G3T-T GeneSiC Semiconductor SiCPAK.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
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G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
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G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
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G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F135MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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10+10.5 EUR
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100+9.42 EUR
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500+8.69 EUR
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G3F135MT12U-TR G3F135MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F135MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
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G3F17MT12FB2 G3F17MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
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FST8380M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8380M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
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FST8380M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8380M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
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FST8380SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
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G2R1000MT17D 3189232.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D-3478308.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.87 EUR
10+9.01 EUR
30+7.88 EUR
120+7.75 EUR
270+7.64 EUR
510+7.52 EUR
1020+7.5 EUR
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G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+12.97 EUR
25+12.23 EUR
50+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.78 EUR
25+10.16 EUR
50+9.57 EUR
100+9.03 EUR
250+8.63 EUR
500+8.27 EUR
1000+7.88 EUR
2500+7.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
950+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 950 Stücke
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 3414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.58 EUR
10+10.36 EUR
25+9.67 EUR
100+9.29 EUR
250+8.9 EUR
500+8.6 EUR
1000+8.32 EUR
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G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
996+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 996 Stücke
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G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+8.1 EUR
12+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.89 EUR
18+9.7 EUR
25+9.07 EUR
100+8.25 EUR
250+7.59 EUR
500+7.18 EUR
1000+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 11455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.54 EUR
10+11.23 EUR
25+10.75 EUR
100+10.07 EUR
250+9.64 EUR
500+9.33 EUR
1000+9.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-3478629.pdf
G2R1000MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.57 EUR
10+10.36 EUR
25+9.91 EUR
100+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+32.67 EUR
10+29.16 EUR
25+26.87 EUR
100+25.22 EUR
250+23.88 EUR
500+21.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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50+26.74 EUR
100+24.97 EUR
250+23.48 EUR
500+22.35 EUR
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
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7+27.41 EUR
10+25.36 EUR
25+23.74 EUR
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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400+24.35 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3100 Stücke:
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50+23.16 EUR
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+36.4 EUR
10+32.9 EUR
25+31.58 EUR
100+29.74 EUR
250+28.55 EUR
500+28.49 EUR
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+25.22 EUR
100+23.4 EUR
250+21.81 EUR
500+20.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+36.38 EUR
10+32.9 EUR
25+31.59 EUR
100+29.73 EUR
250+28.56 EUR
500+27.7 EUR
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G2R1000MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+31.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G2R1000MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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800+31.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+214.15 EUR
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G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+210.43 EUR
10+195.2 EUR
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G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+518.27 EUR
10+453.57 EUR
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G2R50MT33K G2R50MT33K-2585786.pdf
G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+575.9 EUR
10+540.69 EUR
30+537.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+518.27 EUR
10+463.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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G375MT12U-TR G3F75MT12U.pdf
G375MT12U-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+501.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F05MT12GB2-T G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+529.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+277.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12FB2-T
G3F09MT12FB2-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+292.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12G3T SiCPAK.pdf
G3F09MT12G3T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+502.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12G3T-T SiCPAK.pdf
G3F09MT12G3T-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+529.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+501.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+528.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J.pdf
G3F135MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.71 EUR
10+10.5 EUR
25+10.06 EUR
100+9.42 EUR
250+9.01 EUR
500+8.69 EUR
800+8.43 EUR
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G3F135MT12U-TR G3F135MT12U.pdf
G3F135MT12U-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F17MT12FB2
G3F17MT12FB2
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+197.87 EUR
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