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FST16045L FST16045L GeneSiC Semiconductor fst16045l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A TO249AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16060 FST16060 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 60V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16060 FST16060 GeneSiC Semiconductor fst16060-2451136.pdf Discrete Semiconductor Modules 60V 160A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16080 FST16080 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 80V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16080 FST16080 GeneSiC Semiconductor fst16080-2451686.pdf Discrete Semiconductor Modules 80V 160A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16080 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST63100M FST63100M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6310M FST6310M GeneSiC Semiconductor fst6310m_thru_fst6335m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 10V 30A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6315M FST6315M GeneSiC Semiconductor fst6310m_thru_fst6335m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 15V 30A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6320M FST6320M GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 30A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6330M FST6330M GeneSiC Semiconductor fst6310m_thru_fst6335m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 30A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6335M FST6335M GeneSiC Semiconductor fst6310m_thru_fst6335m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 30A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6340M FST6340M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6345M FST6345M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6360M FST6360M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6380M FST6380M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST73100M FST73100M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
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FST7320M FST7320M GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
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FST7330M FST7330M GeneSiC Semiconductor fst7320m_thru_fst7340m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST7340M FST7340M GeneSiC Semiconductor fst7320m_thru_fst7340m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST7345M FST7345M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST7360M FST7360M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST7380M FST7380M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST83100M FST83100M GeneSiC Semiconductor FST8345M~83100M.pdf Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST83100M FST83100M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST83100SM GeneSiC Semiconductor FST8345SM~FST83100SM.pdf Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3SM
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8320M FST8320M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
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FST8320M FST8320M GeneSiC Semiconductor FST8320M~FST8340M.pdf Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
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FST8320SM FST8320SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm-473494.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8320SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM~FST8340SM.pdf Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
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FST8330M FST8330M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
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FST8330M FST8330M GeneSiC Semiconductor FST8320M~FST8340M.pdf Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8330SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM~FST8340SM.pdf Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM
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FST8335M FST8335M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
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FST8335M FST8335M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m.pdf Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M
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FST8335SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM
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FST8340M FST8340M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m.pdf Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
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FST8340M FST8340M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
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FST8340SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM
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FST8345M FST8345M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
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FST8345M FST8345M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8345SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8360M FST8360M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8360M FST8360M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8360SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8380M FST8380M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8380M FST8380M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8380SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D-3478308.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+7.57 EUR
30+6.62 EUR
120+6.51 EUR
270+6.42 EUR
510+6.32 EUR
1020+6.3 EUR
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189232.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.65 EUR
25+9.83 EUR
50+9.1 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.94 EUR
18+7.79 EUR
25+7.17 EUR
100+6.41 EUR
250+5.76 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 950
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.89 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16045L fst16045l.pdf
FST16045L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A TO249AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16060 fst160100.pdf
FST16060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16060 fst16060-2451136.pdf
FST16060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 60V 160A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16080 fst160100.pdf
FST16080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 80V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16080 fst16080-2451686.pdf
FST16080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 80V 160A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16080 fst160100.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST63100M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST63100M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A D61-3M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6310M fst6310m_thru_fst6335m.pdf
FST6310M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 30A D61-3M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6315M fst6310m_thru_fst6335m.pdf
FST6315M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 30A D61-3M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST6320M
FST6320M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 30A D61-3M
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FST6330M fst6310m_thru_fst6335m.pdf
FST6330M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 30A D61-3M
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FST6335M fst6310m_thru_fst6335m.pdf
FST6335M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 30A D61-3M
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FST6340M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST6340M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M
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FST6345M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST6345M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M
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FST6360M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST6360M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D61-3M
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FST6380M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST6380M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M
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FST73100M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST73100M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
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FST7320M
FST7320M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
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FST7330M fst7320m_thru_fst7340m.pdf
FST7330M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
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FST7340M fst7320m_thru_fst7340m.pdf
FST7340M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
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FST7345M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7345M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
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FST7360M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7360M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
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FST7380M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7380M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
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FST83100M FST8345M~83100M.pdf
FST83100M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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FST83100M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST83100M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
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FST83100SM FST8345SM~FST83100SM.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3SM
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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FST8320M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8320M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
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FST8320M FST8320M~FST8340M.pdf
FST8320M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
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FST8320SM fst8320sm_thru_fst8340sm-473494.pdf
FST8320SM
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
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FST8320SM FST8320SM~FST8340SM.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
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FST8330M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8330M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
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FST8330M FST8320M~FST8340M.pdf
FST8330M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M
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FST8330SM FST8320SM~FST8340SM.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM
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FST8335M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8335M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
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FST8335M fst8320m_thru_fst8340m.pdf
FST8335M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M
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FST8335SM fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM
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FST8340M fst8320m_thru_fst8340m.pdf
FST8340M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
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FST8340M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8340M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
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FST8340SM fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM
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FST8345M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8345M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
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FST8345M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8345M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
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FST8345SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
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FST8360M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8360M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
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FST8360M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8360M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
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FST8360SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
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FST8380M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8380M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8380M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8380M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
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FST8380SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D-3478308.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.29 EUR
10+7.57 EUR
30+6.62 EUR
120+6.51 EUR
270+6.42 EUR
510+6.32 EUR
1020+6.3 EUR
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G2R1000MT17D 3189232.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+10.65 EUR
25+9.83 EUR
50+9.1 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
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G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+8.94 EUR
18+7.79 EUR
25+7.17 EUR
100+6.41 EUR
250+5.76 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
950+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 950
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.89 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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