Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4018) > Seite 14 nach 67
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R1000MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R1000MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 3103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
auf Bestellung 2581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 1020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 2205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R1000MT33J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 3.3kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...20V Kind of package: tube Case: TO263-7 On-state resistance: 1Ω Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 74W Gate charge: 21nC Polarisation: unipolar Technology: G2R™; SiC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R1000MT33J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G2R1000MT33J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT33J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R120MT33J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 3.3kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO263-7 On-state resistance: 0.12Ω Polarisation: unipolar Technology: G2R™; SiC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R120MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R120MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R120MT33J | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 192-196 Tag (e) |
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G2R120MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G2R120MT33J-TR | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R120MT33J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V Power Dissipation (Max): 366W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R120MT33J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V Power Dissipation (Max): 366W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R50MT33K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R50MT33K | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G2R50MT33K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R50MT33K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 120 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G375MT12U-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G3F05MT12GB2 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F05MT12GB2-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F09MT12FB2 | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F09MT12FB2-T | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F09MT12G3T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F09MT12G3T-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F09MT12GB4 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F09MT12GB4-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F135MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F135MT12U-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G3F17MT12FB2 | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F17MT12FB2-T | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F18MT12FB4 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F18MT12FB4-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F18MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F18MT12K | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F20MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F20MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F25MT06J-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F25MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F25MT06LK | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G3F25MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F25MT06U-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G3F25MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F25MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F25MT12U-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G3F33MT06J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| G2R1000MT17J |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 950+ | 6.26 EUR |
| G2R1000MT17J |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 7.65 EUR |
| G2R1000MT17J |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 996+ | 6.26 EUR |
| G2R1000MT17J-TR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R1000MT17J-TR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R1000MT17J-TR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.57 EUR |
| 10+ | 10.36 EUR |
| 25+ | 9.91 EUR |
| 100+ | 9.6 EUR |
| G2R1000MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 25.5 EUR |
| 100+ | 23.66 EUR |
| 250+ | 22.06 EUR |
| 500+ | 20.91 EUR |
| G2R1000MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 36.4 EUR |
| 10+ | 32.9 EUR |
| 25+ | 31.58 EUR |
| 100+ | 29.74 EUR |
| 250+ | 28.55 EUR |
| 500+ | 28.49 EUR |
| G2R1000MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 23.42 EUR |
| G2R1000MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 27.05 EUR |
| 100+ | 25.25 EUR |
| 250+ | 23.74 EUR |
| 500+ | 22.6 EUR |
| G2R1000MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 400+ | 24.62 EUR |
| G2R1000MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 27.73 EUR |
| 10+ | 25.09 EUR |
| 25+ | 23.12 EUR |
| G2R1000MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 33.05 EUR |
| 10+ | 29.49 EUR |
| 25+ | 27.18 EUR |
| 100+ | 25.5 EUR |
| 250+ | 24.16 EUR |
| 500+ | 21.94 EUR |
| G2R1000MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 36.38 EUR |
| 10+ | 32.9 EUR |
| 25+ | 31.59 EUR |
| 100+ | 29.73 EUR |
| 250+ | 28.56 EUR |
| 500+ | 27.7 EUR |
| G2R1000MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 27.73 EUR |
| 10+ | 25.64 EUR |
| 25+ | 24.01 EUR |
| G2R1000MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R1000MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 1Ω
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 1Ω
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R1000MT33J-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 48.99 EUR |
| 10+ | 35.58 EUR |
| 25+ | 34.34 EUR |
| 100+ | 33.78 EUR |
| 500+ | 32.46 EUR |
| 800+ | 28.69 EUR |
| G2R1000MT33J-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 31.56 EUR |
| G2R1000MT33J-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 31.56 EUR |
| G2R120MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 0.12Ω
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 0.12Ω
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R120MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R120MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R120MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 210.43 EUR |
| 10+ | 195.2 EUR |
| G2R120MT33J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 214.15 EUR |
| G2R120MT33J-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R120MT33J-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R120MT33J-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R50MT33K |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 524.16 EUR |
| 10+ | 458.72 EUR |
| G2R50MT33K |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 575.9 EUR |
| 10+ | 540.69 EUR |
| 30+ | 537.82 EUR |
| G2R50MT33K |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 524.16 EUR |
| 10+ | 468.92 EUR |
| G2R50MT33K |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G375MT12U-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3F05MT12GB2 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 501.56 EUR |
| G3F05MT12GB2-T |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 529.13 EUR |
| G3F09MT12FB2 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 277.26 EUR |
| G3F09MT12FB2-T |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 292.5 EUR |
| G3F09MT12G3T |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 502.13 EUR |
| G3F09MT12G3T-T |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 529.74 EUR |
| G3F09MT12GB4 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
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| G3F09MT12GB4-T |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
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| G3F135MT12J-TR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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| G3F135MT12U-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
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| G3F17MT12FB2 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
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| G3F17MT12FB2-T |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
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| G3F18MT12FB4 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
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| G3F18MT12J-TR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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|---|---|
| 1+ | 45.08 EUR |
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| G3F18MT12K |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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| G3F20MT12J-TR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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|---|---|
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| G3F20MT12K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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| G3F25MT06J-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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|---|---|
| 1+ | 28.11 EUR |
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| G3F25MT06K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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|---|---|
| 1+ | 29.99 EUR |
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| G3F25MT06LK |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
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| G3F25MT06L-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
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|---|---|
| 1+ | 36.38 EUR |
| 10+ | 27.04 EUR |
| 25+ | 24.15 EUR |
| 250+ | 24.06 EUR |
| 500+ | 24.04 EUR |
| 1200+ | 23.23 EUR |
| G3F25MT06U-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
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| G3F25MT12J-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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|---|---|
| 1+ | 30.92 EUR |
| 10+ | 26.7 EUR |
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| 100+ | 24.03 EUR |
| 250+ | 23.31 EUR |
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| G3F25MT12K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 247 Stücke:
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|---|---|
| 1+ | 40.86 EUR |
| 10+ | 39.94 EUR |
| 30+ | 25.32 EUR |
| 120+ | 24.25 EUR |
| G3F25MT12U-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
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Stück im Wert von UAH
| G3F33MT06J-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 778 Stücke:
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|---|---|
| 1+ | 17.61 EUR |
| 10+ | 16.02 EUR |
| 25+ | 15.4 EUR |
| 100+ | 14.55 EUR |
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