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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FST6340M FST6340M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M
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FST6345M FST6345M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M
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FST6360M FST6360M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D61-3M
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FST6380M FST6380M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M
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FST73100M FST73100M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
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FST7320M FST7320M GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
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FST7330M FST7330M GeneSiC Semiconductor fst7320m_thru_fst7340m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
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FST7340M FST7340M GeneSiC Semiconductor fst7320m_thru_fst7340m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
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FST7345M FST7345M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
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FST7360M FST7360M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
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FST7380M FST7380M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
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FST83100M FST83100M GeneSiC Semiconductor FST8345M~83100M.pdf Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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FST83100M FST83100M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
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FST83100SM GeneSiC Semiconductor FST8345SM~FST83100SM.pdf Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3SM
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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FST8320M FST8320M GeneSiC Semiconductor FST8320M~FST8340M.pdf Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
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FST8320M FST8320M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
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FST8320SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM~FST8340SM.pdf Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
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FST8320SM FST8320SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm-473494.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
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FST8330M FST8330M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
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FST8330M FST8330M GeneSiC Semiconductor FST8320M~FST8340M.pdf Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M
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FST8330SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM~FST8340SM.pdf Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM
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FST8335M FST8335M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
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FST8335M FST8335M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m.pdf Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M
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FST8335SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM
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FST8340M FST8340M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
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FST8340M FST8340M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m.pdf Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
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FST8340SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM
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FST8345M FST8345M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
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FST8345M FST8345M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8345SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8360M FST8360M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
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FST8360M FST8360M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8360SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
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FST8380M FST8380M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8380M FST8380M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8380SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.52 EUR
25+9.71 EUR
50+9 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D-3478308.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+7.57 EUR
30+6.62 EUR
120+6.51 EUR
270+6.42 EUR
510+6.32 EUR
1020+6.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189232.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 11455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.54 EUR
10+9.44 EUR
25+9.03 EUR
100+8.46 EUR
250+8.1 EUR
500+7.84 EUR
1000+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.84 EUR
18+7.7 EUR
25+7.08 EUR
100+6.34 EUR
250+5.69 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 950
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 3414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+8.71 EUR
25+8.13 EUR
100+7.81 EUR
250+7.48 EUR
500+7.23 EUR
1000+6.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.75 EUR
25+8.07 EUR
50+7.48 EUR
100+6.95 EUR
250+6.47 EUR
500+6.03 EUR
1000+5.63 EUR
2500+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
996+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 996
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.89 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J-3478629.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.72 EUR
10+8.71 EUR
25+8.33 EUR
100+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+19.76 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-2449477.pdf MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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FST6340M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M
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FST6345M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST6345M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M
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FST6360M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST6360M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D61-3M
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FST6380M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST6380M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M
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FST73100M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST73100M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
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FST7320M
FST7320M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
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FST7330M fst7320m_thru_fst7340m.pdf
FST7330M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
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FST7340M fst7320m_thru_fst7340m.pdf
FST7340M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
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FST7345M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7345M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
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FST7360M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7360M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
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FST7380M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7380M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
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FST83100M FST8345M~83100M.pdf
FST83100M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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FST83100M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST83100M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
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FST83100SM FST8345SM~FST83100SM.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3SM
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
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FST8320M FST8320M~FST8340M.pdf
FST8320M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
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FST8320M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8320M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
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FST8320SM FST8320SM~FST8340SM.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
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FST8320SM fst8320sm_thru_fst8340sm-473494.pdf
FST8320SM
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
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FST8330M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8330M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
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FST8330M FST8320M~FST8340M.pdf
FST8330M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M
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FST8330SM FST8320SM~FST8340SM.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM
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FST8335M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8335M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
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FST8335M fst8320m_thru_fst8340m.pdf
FST8335M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M
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FST8335SM fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM
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FST8340M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8340M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
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FST8340M fst8320m_thru_fst8340m.pdf
FST8340M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
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FST8340SM fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM
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FST8345M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8345M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
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FST8345M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8345M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
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FST8345SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
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FST8360M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8360M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
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FST8360M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8360M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
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FST8360SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
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FST8380M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8380M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
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FST8380M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8380M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST8380SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
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G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+10.52 EUR
25+9.71 EUR
50+9 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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G2R1000MT17D G2R1000MT17D-3478308.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.29 EUR
10+7.57 EUR
30+6.62 EUR
120+6.51 EUR
270+6.42 EUR
510+6.32 EUR
1020+6.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17D 3189232.pdf
G2R1000MT17D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 11455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.54 EUR
10+9.44 EUR
25+9.03 EUR
100+8.46 EUR
250+8.1 EUR
500+7.84 EUR
1000+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+8.84 EUR
18+7.7 EUR
25+7.08 EUR
100+6.34 EUR
250+5.69 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
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G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
950+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 950
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 3414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.73 EUR
10+8.71 EUR
25+8.13 EUR
100+7.81 EUR
250+7.48 EUR
500+7.23 EUR
1000+6.99 EUR
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G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+8.75 EUR
25+8.07 EUR
50+7.48 EUR
100+6.95 EUR
250+6.47 EUR
500+6.03 EUR
1000+5.63 EUR
2500+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
996+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 996
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.89 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-3478629.pdf
G2R1000MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.72 EUR
10+8.71 EUR
25+8.33 EUR
100+8.07 EUR
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G2R1000MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 400 Stücke:
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400+19.76 EUR
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 2581 Stücke:
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1+30.59 EUR
10+27.65 EUR
25+26.54 EUR
100+24.99 EUR
250+23.99 EUR
500+23.94 EUR
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
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7+22.25 EUR
10+20.13 EUR
25+18.55 EUR
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