Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (5787) > Seite 14 nach 97
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRT20060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRT20080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT20080R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT300100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT300100R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT30020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 300A 3TOWER |
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MBRT30020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 300A 3TOWER |
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MBRT30030 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 30V 300A 3TOWER |
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MBRT30030R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 30V 300A 3TOWER |
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MBRT30060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER |
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MBRT30060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER |
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MBRT30080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER |
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MBRT30080R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER |
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MBRT40020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 400A 3TOWER |
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MBRT40020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 400A 3TOWER |
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MBRT40030 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 30V 400A 3TOWER |
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MBRT40030R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 30V 400A 3TOWER |
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MBRT40040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 400A 3TOWER |
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MBRT40040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 400A 3TOWER |
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MBRT40060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 400A 3TOWER |
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MBRT40060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 400A 3TOWER |
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MBRT500100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 500A 3TOWER |
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MBRT500100R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 500A 3TOWER |
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MBRT50020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 500A 3TOWER |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT50020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 500A 3TOWER |
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MBRT50030 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 30V 500A 3TOWER |
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MBRT50030R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT50035 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 35V 500A 3TOWER |
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MBRT50035R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 35V 500A 3TOWER |
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MBRT50040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 500A 3TOWER |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT50040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 500A 3TOWER |
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MBRT50045 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 500A 3TOWER |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT50045R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 500A 3TOWER |
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MBRT50060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 500A 3TOWER |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT50060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 500A 3TOWER |
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MBRT50080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 500A 3TOWER |
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MBRT50080R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 500A 3TOWER |
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MBRT600100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT600100R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT60020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT60020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT60030 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT60030R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT60035 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT60035R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT60040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT60040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT60045 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT60045R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT60060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT60060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT60080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT60080R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MSRT150100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MSRT150120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MSRT150140(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MSRT150160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MSRT15060(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MSRT15080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MBRT20060 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 168.43 EUR |
| MBRT20060R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 168.43 EUR |
| 10+ | 147.73 EUR |
| 25+ | 140.22 EUR |
| 50+ | 134.8 EUR |
| MBRT20080 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20080R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT300100 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
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Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
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Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
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Description: DIODE MODULE 20V 300A 3TOWER
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Stück im Wert von UAH
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Stück im Wert von UAH
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Stück im Wert von UAH
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Stück im Wert von UAH
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Stück im Wert von UAH
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Stück im Wert von UAH
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Stück im Wert von UAH
| MBRT50020 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 500A 3TOWER
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Stück im Wert von UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 500A 3TOWER
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Stück im Wert von UAH
| MBRT50030R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
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Supplier Device Package: Three Tower
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Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 35V 500A 3TOWER
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT50035R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 35V 500A 3TOWER
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT50040 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 40V 500A 3TOWER
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Stück im Wert von UAH
| MBRT50040R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 40V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| MBRT50045 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 45V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT50045R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 45V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT50060 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 60V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT50060R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 60V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT50080 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 80V 500A 3TOWER
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Stück im Wert von UAH
| MBRT50080R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 80V 500A 3TOWER
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Stück im Wert von UAH
| MBRT600100 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A
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Description: DIODE MOD SCHOT 100V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
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Stück im Wert von UAH
| MBRT600100R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A
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Description: DIODE MOD SCHOT 100V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A
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Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| MBRT60020 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
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| MBRT60020R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
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Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60030 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60030R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60035 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60035R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60040 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60040R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60045 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60045R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60060R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60080 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT60080R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSRT150100(A) |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
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| MSRT150120(A) |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
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| MSRT150140(A) |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER
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| MSRT150160(A) |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER
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| MSRT15060(A) |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
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| MSRT15080(A) |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
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