Die Produkte genesic semiconductor

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S85VR S85VR s85v.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV 85A DO5
Base Part Number: S85V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A
Current - Average Rectified (Io): 85A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
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auf Bestellung 400 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
S85Y s85v_thru_s85yr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 85A DO5
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A
Current - Average Rectified (Io): 85A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
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S85YR S85YR s85v.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Base Part Number: S85Y
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A
Current - Average Rectified (Io): 85A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V
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auf Bestellung 1 Stücke
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GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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GA10JT12-263 GA10JT12-263 GA10JT12-263.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
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GA10JT12-247 GA10JT12-247 GA10JT12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Supplier Device Package: TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 170W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 10A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
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auf Bestellung 221 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA20JT12-247 GA20JT12-247 GA20JT12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20A
Supplier Device Package: TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 282W
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auf Bestellung 45 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA20JT12-263 GA20JT12-263 GA20JT12-263.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
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auf Bestellung 85 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 99.63 EUR
10+ 91.89 EUR
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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GA16JT17-247 GA16JT17-247 GA16JT17-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
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GA50JT12-247 GA50JT12-247 GA50JT12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A
Power Dissipation (Max): 583W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7209 pF @ 800 V
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auf Bestellung 3 Stücke
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2N7636-GA 2N7636-GA.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 4A
Power - Max: 125W
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Supplier Device Package: TO-276
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2N7640-GA 2N7640-GA.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
FET Feature: Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (155°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1534pF @ 35V
Power - Max: 330W
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Supplier Device Package: TO-276
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2N7639-GA 2N7639-GA.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
FET Feature: Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) (155°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1534pF @ 35V
Power - Max: 172W
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Supplier Device Package: TO-257
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GA15IDDJT22-FR4 GA15IDDJT22-FR4.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BOARD GATE DRIVER
Primary Attributes: Isolated
Main Purpose: Power Management, Gate Driver
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auf Bestellung 28 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BOARD GATE DRIVER
Primary Attributes: Isolated
Main Purpose: Power Management, Gate Driver
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auf Bestellung 13 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220 GA01PNS150-220.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1000V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: Axial
Packaging: Tube
Current - Max: 1 A
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auf Bestellung 4 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 1360.58 EUR
GA01PNS80-220 GA01PNS80-220 GA01PNS80-220.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SILICON CARBIDE 8KV
Voltage - Peak Reverse (Max): 8000V
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 1000V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: Axial
Packaging: Tube
Part Status: Active
Current - Max: 2 A
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GA040TH65-227SP GA040TH65-227SP GA040TH65.pdf GeneSiC Semiconductor Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 780mA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 69A
Current - On State (It (AV)) (Max): 40A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30mA
Voltage - Off State: 6500V
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
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GA060TH65-227SP GA060TH65-227SP GA060TH65.pdf GeneSiC Semiconductor Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Current - On State (It (AV)) (Max): 60A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100mA
Voltage - Off State: 6500V
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Structure: Single
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104A
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GA080TH65-227SP GA080TH65-227SP GA080TH65.pdf GeneSiC Semiconductor Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139A
Current - On State (It (AV)) (Max): 80A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100mA
Voltage - Off State: 6500V
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Structure: Single
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GBPC3504W GBPC3504W gbpc35005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Packaging: Bulk
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
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auf Bestellung 882 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+ 12.32 EUR
10+ 9.89 EUR
25+ 9.06 EUR
100+ 7.94 EUR
250+ 7.28 EUR
500+ 6.95 EUR
GBPC2502W GBPC2502W gbpc25005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W
Base Part Number: GBPC2502
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 200V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Diode Type: Single Phase
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 615 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GBPC2506W GBPC2506W gbpc2506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Technology: Standard
Part Status: Active
Diode Type: Single Phase
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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GBPC2504W GBPC2504W gbpc25005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
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auf Bestellung 320 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GBPC3508W GBPC3508W gbpc3506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 5846 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+ 12.32 EUR
10+ 9.89 EUR
25+ 9.06 EUR
100+ 7.94 EUR
250+ 7.28 EUR
500+ 6.95 EUR
GBPC2508W GBPC2508W gbpc2506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.2 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
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GBPC2510W GBPC2510W gbpc2506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
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KBP201G KBP201G kbp201g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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KBP202G KBP202G kbp201g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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KBP203G KBP203G GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 200V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBP
Supplier Device Package: KBP
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KBP204G KBP204G kbp201g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: KBP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBP
Packaging: Bulk
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KBP210G KBP210G kbp206g.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Packaging: Bulk
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBP
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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KBPC15005W KBPC15005W kbpc15005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 50V 15A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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KBPC1501W KBPC1501W kbpc15005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 100V 15A KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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KBPC1504W KBPC1504W kbpc15005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 400V 15A KBPC-W
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
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KBPC1506W KBPC1506W kbpc1506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 600V 15A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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KBPC1508W KBPC1508W kbpc1506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 800V 15A KBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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KBPC1510T KBPC1510T kbpc1506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A KBPC-T
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Supplier Device Package: KBPC-T
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
Packaging: Bulk
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KBPC1510W KBPC1510W kbpc1506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A KBPC-W
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
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GBPC1501W GBPC1501W gbpc15005tw_thru_gbpc1504tw.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 100V 15A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 15A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Diode Type: Single Phase
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GBPC1502W GBPC1502W gbpc15005tw_thru_gbpc1504tw.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 200V 15A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 15A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Diode Type: Single Phase
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GBPC1504W GBPC1504W gbpc15005tw_thru_gbpc1504tw.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 400V 15A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 15A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400V
Diode Type: Single Phase
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GBPC1508W GBPC1508W gbpc1506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 800V 15A GBPC-W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800V
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
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GBPC1510T GBPC1510T gbpc1506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBPC
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
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GBPC1510W GBPC1510W gbpc1506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
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KBPC2501W KBPC2501W kbpc25005w.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 100V 25A KBPC-W
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
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KBPC2502W KBPC2502W kbpc25005w.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 200V 25A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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KBPC2504W KBPC2504W kbpc25005w.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 400V 25A KBPC-W
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
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KBPC2508W KBPC2508W kbpc2506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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KBPC2510T KBPC2510T kbpc2506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A KBPC-T
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-T
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
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KBPC2510W KBPC2510W kbpc2506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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KBPC35005W KBPC35005W kbpc35005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 50V 35A KBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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KBPC3501W KBPC3501W kbpc35005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 100V 35A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
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KBPC3502W KBPC3502W kbpc35005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 200V 35A KBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
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KBPC3504W KBPC3504W kbpc35005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A KBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Packaging: Bulk
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KBPC3506W KBPC3506W kbpc3506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A KBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
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KBPC3508W KBPC3508W kbpc3506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A KBPC-W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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GBPC15005W GBPC15005W gbpc15005tw_thru_gbpc1504tw.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 50V 15A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 15A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Diode Type: Single Phase
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GBPC3506W GBPC3506W gbpc3506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
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GBPC25005W GBPC25005W gbpc25005tw_thru_gbpc2504tw.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE BRIDGE 50V 25A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 25A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Diode Type: Single Phase
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GBPC3502W GBPC3502W gbpc35005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
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GBPC2510T GBPC2510T gbpc2506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC
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GBPC2501W GBPC2501W gbpc25005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
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KBPC50005W KBPC50005W kbpc50005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 50V 50A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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KBPC5002W KBPC5002W kbpc50005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A KBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Packaging: Bulk
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KBPC5004W KBPC5004W kbpc50005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A KBPC-W
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
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KBPC5006W KBPC5006W kbpc5006t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 600V 50A KBPC-W
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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KBPC5008W KBPC5008W kbpc5006t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 800V 50A KBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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KBPC5010W KBPC5010W kbpc5006t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
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GBPC5002W GBPC5002W gbpc50005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A GBPC-W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
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GBPC5004W GBPC5004W gbpc50005t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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GBPC5006W GBPC5006W gbpc5006t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 600V 50A GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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GBPC5008W GBPC5008W gbpc5006t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 800V 50A GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
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M3P75A-40 M3P75A-40 m3p75a-40_thru_m3p75a-60.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400V
Diode Type: Three Phase
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GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BOARD EVAL DBL PULSE
Supplied Contents: Board(s)
Function: *
Type: Power Management
Part Status: Obsolete
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GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 20A TO-247-3
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
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GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GC50MPS12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 50A TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 212A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
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GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 30A TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
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auf Bestellung 58 Stücke
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GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 40A TO-247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 90A (DC)
Base Part Number: GC2X20
Supplier Device Package: TO-247-3
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
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auf Bestellung 286 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 10A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
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2+ 17.39 EUR
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 15A TO-247-2
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 75A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 20A TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 94A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
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auf Bestellung 328 Stücke
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GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GC15MPS12-220.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 15A TO-220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 82A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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2+ 17.08 EUR
GB20SLT12-247D GB20SLT12-247D GB20SLT12-247D.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: TO-247
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 1200V
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auf Bestellung 243 Stücke
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GB10SLT12-247D GB10SLT12-247D GB10SLT12-247D.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 1200V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: TO-247
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auf Bestellung 210 Stücke
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MUR2X030A02 MUR2X030A02 mur2x030a02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 30A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Packaging: Bulk
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MUR2X030A06 MUR2X030A06 mur2x030a06.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MBR2X030A045 MBR2X030A045 mbr2x030a045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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auf Bestellung 28 Stücke
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1+ 127.24 EUR
10+ 109.42 EUR
25+ 103.05 EUR
MBR2X030A100 MBR2X030A100 mbr2x030a100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
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MBR2X080A100 MBR2X080A100 mbr2x080a100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 4 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 151.01 EUR
MUR2X060A04 MUR2X060A04 mur2x060a04.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 60A SOT227
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
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auf Bestellung 38 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 132.13 EUR
MBR2X060A045 MBR2X060A045 mbr2x060a045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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MBR2X080A045 MBR2X080A045 mbr2x080a045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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auf Bestellung 5 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 151.01 EUR
MUR2X060A02 MUR2X060A02 mur2x060a02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 21 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 132.13 EUR
10+ 113.86 EUR
MUR2X060A06 MUR2X060A06 mur2x060a06.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 7 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 132.13 EUR
S85VR s85v.pdf
S85VR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV 85A DO5
Base Part Number: S85V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A
Current - Average Rectified (Io): 85A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
auf Bestellung 400 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
S85Y s85v_thru_s85yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 85A DO5
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A
Current - Average Rectified (Io): 85A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
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S85YR s85v.pdf
S85YR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Base Part Number: S85Y
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A
Current - Average Rectified (Io): 85A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V
auf Bestellung 1 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA10JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
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GA10JT12-263 GA10JT12-263.pdf
GA10JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
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GA10JT12-247 GA10JT12-247.pdf
GA10JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Supplier Device Package: TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 170W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 10A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
auf Bestellung 221 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA20JT12-247 GA20JT12-247.pdf
GA20JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20A
Supplier Device Package: TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 282W
auf Bestellung 45 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA20JT12-263 GA20JT12-263.pdf
GA20JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
auf Bestellung 85 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 99.63 EUR
10+ 91.89 EUR
GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA16JT17-247 GA16JT17-247.pdf
GA16JT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GA50JT12-247 GA50JT12-247.pdf
GA50JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A
Power Dissipation (Max): 583W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7209 pF @ 800 V
auf Bestellung 3 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7636-GA 2N7636-GA.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 4A
Power - Max: 125W
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Supplier Device Package: TO-276
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2N7640-GA 2N7640-GA.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
FET Feature: Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (155°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1534pF @ 35V
Power - Max: 330W
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Supplier Device Package: TO-276
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2N7639-GA 2N7639-GA.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
FET Feature: Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) (155°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1534pF @ 35V
Power - Max: 172W
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Supplier Device Package: TO-257
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GA15IDDJT22-FR4 GA15IDDJT22-FR4.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Primary Attributes: Isolated
Main Purpose: Power Management, Gate Driver
auf Bestellung 28 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Primary Attributes: Isolated
Main Purpose: Power Management, Gate Driver
auf Bestellung 13 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220.pdf
GA01PNS150-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1000V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: Axial
Packaging: Tube
Current - Max: 1 A
auf Bestellung 4 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 1360.58 EUR
GA01PNS80-220 GA01PNS80-220.pdf
GA01PNS80-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SILICON CARBIDE 8KV
Voltage - Peak Reverse (Max): 8000V
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 1000V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: Axial
Packaging: Tube
Part Status: Active
Current - Max: 2 A
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GA040TH65-227SP GA040TH65.pdf
GA040TH65-227SP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 780mA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 69A
Current - On State (It (AV)) (Max): 40A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30mA
Voltage - Off State: 6500V
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
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GA060TH65-227SP GA060TH65.pdf
GA060TH65-227SP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Current - On State (It (AV)) (Max): 60A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100mA
Voltage - Off State: 6500V
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Structure: Single
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104A
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GA080TH65-227SP GA080TH65.pdf
GA080TH65-227SP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139A
Current - On State (It (AV)) (Max): 80A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100mA
Voltage - Off State: 6500V
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Structure: Single
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GBPC3504W gbpc35005t.pdf
GBPC3504W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Packaging: Bulk
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
auf Bestellung 882 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 2482 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
3+ 12.32 EUR
10+ 9.89 EUR
25+ 9.06 EUR
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250+ 7.28 EUR
500+ 6.95 EUR
GBPC2502W gbpc25005t.pdf
GBPC2502W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W
Base Part Number: GBPC2502
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 200V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Diode Type: Single Phase
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 615 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 321 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC2506W gbpc2506t.pdf
GBPC2506W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600V
Technology: Standard
Part Status: Active
Diode Type: Single Phase
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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auf Bestellung 315 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC2504W gbpc25005t.pdf
GBPC2504W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
auf Bestellung 320 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 2591 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC3508W gbpc3506t.pdf
GBPC3508W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
auf Bestellung 5846 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 1853 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
3+ 12.32 EUR
10+ 9.89 EUR
25+ 9.06 EUR
100+ 7.94 EUR
250+ 7.28 EUR
500+ 6.95 EUR
GBPC2508W gbpc2506t.pdf
GBPC2508W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.2 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 196 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC2510W gbpc2506t.pdf
GBPC2510W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
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auf Bestellung 804 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBP201G kbp201g.pdf
KBP201G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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auf Bestellung 19180 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBP202G kbp201g.pdf
KBP202G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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auf Bestellung 23768 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBP203G
KBP203G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 200V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBP
Supplier Device Package: KBP
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KBP204G kbp201g.pdf
KBP204G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: KBP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBP
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 30654 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBP210G kbp206g.pdf
KBP210G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Packaging: Bulk
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBP
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auf Bestellung 73951 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC15005W kbpc15005t.pdf
KBPC15005W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 15A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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KBPC1501W kbpc15005t.pdf
KBPC1501W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 15A KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
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KBPC1504W kbpc15005t.pdf
KBPC1504W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 15A KBPC-W
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
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KBPC1506W kbpc1506t.pdf
KBPC1506W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 15A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 54 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC1508W kbpc1506t.pdf
KBPC1508W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 15A KBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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auf Bestellung 610 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC1510T kbpc1506t.pdf
KBPC1510T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A KBPC-T
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Supplier Device Package: KBPC-T
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
Packaging: Bulk
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KBPC1510W kbpc1506t.pdf
KBPC1510W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A KBPC-W
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
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auf Bestellung 1486 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC1501W gbpc15005tw_thru_gbpc1504tw.pdf
GBPC1501W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 100V 15A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 15A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Diode Type: Single Phase
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auf Bestellung 896 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC1502W gbpc15005tw_thru_gbpc1504tw.pdf
GBPC1502W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 200V 15A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 15A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Diode Type: Single Phase
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auf Bestellung 191 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC1504W gbpc15005tw_thru_gbpc1504tw.pdf
GBPC1504W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 400V 15A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 15A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400V
Diode Type: Single Phase
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auf Bestellung 213 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC1508W gbpc1506t.pdf
GBPC1508W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 15A GBPC-W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800V
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
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auf Bestellung 598 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC1510T gbpc1506t.pdf
GBPC1510T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBPC
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
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GBPC1510W gbpc1506t.pdf
GBPC1510W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
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auf Bestellung 6773 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC2501W kbpc25005w.pdf
KBPC2501W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 25A KBPC-W
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPC2502W kbpc25005w.pdf
KBPC2502W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 25A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 11522 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC2504W kbpc25005w.pdf
KBPC2504W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 25A KBPC-W
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
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auf Bestellung 114 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC2508W kbpc2506t.pdf
KBPC2508W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 3216 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC2510T kbpc2506t.pdf
KBPC2510T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A KBPC-T
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-T
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
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KBPC2510W kbpc2506t.pdf
KBPC2510W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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auf Bestellung 1214 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC35005W kbpc35005t.pdf
KBPC35005W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 35A KBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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KBPC3501W kbpc35005t.pdf
KBPC3501W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 35A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
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KBPC3502W kbpc35005t.pdf
KBPC3502W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 35A KBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
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KBPC3504W kbpc35005t.pdf
KBPC3504W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A KBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 198 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC3506W kbpc3506t.pdf
KBPC3506W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A KBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
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auf Bestellung 1000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC3508W kbpc3506t.pdf
KBPC3508W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A KBPC-W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 1838 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC15005W gbpc15005tw_thru_gbpc1504tw.pdf
GBPC15005W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 50V 15A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 15A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Diode Type: Single Phase
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auf Bestellung 705 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC3506W gbpc3506t.pdf
GBPC3506W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
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auf Bestellung 10100 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC25005W gbpc25005tw_thru_gbpc2504tw.pdf
GBPC25005W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 50V 25A GBPC-W
Supplier Device Package: GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Current - DC Forward (If) (Max): 25A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Diode Type: Single Phase
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auf Bestellung 47022 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC3502W gbpc35005t.pdf
GBPC3502W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
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auf Bestellung 98 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC2510T gbpc2506t.pdf
GBPC2510T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC
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GBPC2501W gbpc25005t.pdf
GBPC2501W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
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KBPC50005W kbpc50005t.pdf
KBPC50005W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 50A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
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KBPC5002W kbpc50005t.pdf
KBPC5002W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A KBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Packaging: Bulk
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KBPC5004W kbpc50005t.pdf
KBPC5004W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A KBPC-W
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
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KBPC5006W kbpc5006t.pdf
KBPC5006W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 50A KBPC-W
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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auf Bestellung 916 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC5008W kbpc5006t.pdf
KBPC5008W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 50A KBPC-W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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KBPC5010W kbpc5006t.pdf
KBPC5010W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
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auf Bestellung 2895 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC5002W gbpc50005t.pdf
GBPC5002W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A GBPC-W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
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GBPC5004W gbpc50005t.pdf
GBPC5004W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 350 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC5006W gbpc5006t.pdf
GBPC5006W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 50A GBPC-W
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 696 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBPC5008W gbpc5006t.pdf
GBPC5008W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 50A GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 300 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
M3P75A-40 m3p75a-40_thru_m3p75a-60.pdf
M3P75A-40
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH
Current - DC Forward (If) (Max): 75A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400V
Diode Type: Three Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4.pdf
GA100SBJT12-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
Supplied Contents: Board(s)
Function: *
Type: Power Management
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 2 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf
GC2X10MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 20A TO-247-3
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 140 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 26 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247.pdf
GC50MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 50A TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 212A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247.pdf
GC2X15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 30A TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
auf Bestellung 58 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 46 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247.pdf
GC2X20MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 40A TO-247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 90A (DC)
Base Part Number: GC2X20
Supplier Device Package: TO-247-3
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
auf Bestellung 286 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247.pdf
GC2X5MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 10A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
auf Bestellung 340 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 60 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2+ 17.39 EUR
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
GC15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 15A TO-247-2
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 75A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
auf Bestellung 253 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 20A TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 94A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
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GC15MPS12-220 GC15MPS12-220.pdf
GC15MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 15A TO-220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 82A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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GB20SLT12-247D GB20SLT12-247D.pdf
GB20SLT12-247D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: TO-247
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 1200V
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GB10SLT12-247D GB10SLT12-247D.pdf
GB10SLT12-247D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 1200V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: TO-247
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MUR2X030A02 mur2x030a02.pdf
MUR2X030A02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 30A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Packaging: Bulk
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MUR2X030A06 mur2x030a06.pdf
MUR2X030A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MBR2X030A045 mbr2x030a045.pdf
MBR2X030A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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MBR2X030A100 mbr2x030a100.pdf
MBR2X030A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
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MBR2X080A100 mbr2x080a100.pdf
MBR2X080A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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MUR2X060A04 mur2x060a04.pdf
MUR2X060A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 60A SOT227
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
auf Bestellung 38 Stücke
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MBR2X060A045 mbr2x060a045.pdf
MBR2X060A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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MBR2X080A045 mbr2x080a045.pdf
MBR2X080A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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MUR2X060A02 mur2x060a02.pdf
MUR2X060A02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
auf Bestellung 21 Stücke
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10+ 113.86 EUR
MUR2X060A06 mur2x060a06.pdf
MUR2X060A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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