Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (5554) > Seite 9 nach 93

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GKN130/16 GeneSiC Semiconductor gkn13004.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
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GKN240/04 GeneSiC Semiconductor gkn24004.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
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GKN240/08 GeneSiC Semiconductor gkn24004.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
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GKN240/12 GeneSiC Semiconductor gkn24004.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
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GKN240/14 GeneSiC Semiconductor gkn24004.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
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GKN240/16 GeneSiC Semiconductor gkn24004.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
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GKN26/04 GeneSiC Semiconductor gkn2604_thru_gkn2616.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
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GKN26/08 GKN26/08 GeneSiC Semiconductor GKN26.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V
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GKN26/12 GeneSiC Semiconductor gkn2604_thru_gkn2616.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4
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GKN26/14 GeneSiC Semiconductor gkn2604_thru_gkn2616.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4
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GKN26/16 GeneSiC Semiconductor gkn2604_thru_gkn2616.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4
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GKN71/04 GeneSiC Semiconductor gkn7104_thru_gkn7116.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 95A DO5
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GKN71/08 GeneSiC Semiconductor gkn7104_thru_gkn7116.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 95A DO5
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GKN71/12 GeneSiC Semiconductor gkn7104_thru_gkn7116.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5
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GKN71/14 GeneSiC Semiconductor gkn7104_thru_gkn7116.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 95A DO5
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GKN71/16 GeneSiC Semiconductor gkn7104.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 95A DO5
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GKR130/04 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 165A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 mA @ 400 V
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GKR130/08 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 165A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 mA @ 800 V
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GKR130/12 GeneSiC Semiconductor gkr13004_thru_gkr13018.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205
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GKR130/14 GeneSiC Semiconductor gkr13004_thru_gkr13018.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
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GKR130/16 GeneSiC Semiconductor gkr13004.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
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GKR240/04 GeneSiC Semiconductor gkr24004_thru_gkr24018.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
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GKR240/08 GeneSiC Semiconductor gkr24004_thru_gkr24018.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
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GKR240/12 GeneSiC Semiconductor gkr24004_thru_gkr24018.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
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GKR240/14 GeneSiC Semiconductor gkr24004_thru_gkr24018.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
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GKR240/16 GeneSiC Semiconductor gkr24004_thru_gkr24018.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
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GKR26/04 GeneSiC Semiconductor GKR26.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 400 V
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GKR26/08 GeneSiC Semiconductor GKR26.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V
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GKR26/12 GeneSiC Semiconductor gkr2604_thru_gkr2616.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4
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GKR26/14 GKR26/14 GeneSiC Semiconductor gkr2604_thru_gkr2616.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4
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GKR26/16 GeneSiC Semiconductor gkr2604_thru_gkr2616.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4
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GKR71/04 GeneSiC Semiconductor gkr7104_thru_gkr7116.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 95A DO5
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GKR71/08 GeneSiC Semiconductor gkr7104_thru_gkr7116.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 95A DO5
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GKR71/12 GeneSiC Semiconductor gkr7104_thru_gkr7116.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5
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GKR71/14 GeneSiC Semiconductor gkr7104_thru_gkr7116.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 95A DO5
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GKR71/16 GeneSiC Semiconductor gkr7104.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 95A DO5
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KBJ25005G KBJ25005G GeneSiC Semiconductor kbj25005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A KBJ
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KBJ2501G GeneSiC Semiconductor kbj25005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A KBJ
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KBJ2502G GeneSiC Semiconductor kbj25005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A KBJ
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KBJ2504G GeneSiC Semiconductor kbj25005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A KBJ
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KBJ2506G GeneSiC Semiconductor kbj2506g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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KBJ2508G GeneSiC Semiconductor kbj2506g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ4005G GeneSiC Semiconductor kbj4005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBJ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ404G GeneSiC Semiconductor kbj4005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBJ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ408G GeneSiC Semiconductor kbj406g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ410G GeneSiC Semiconductor kbj406g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL401G GeneSiC Semiconductor kbl402g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL402G GeneSiC Semiconductor kbl402g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL408G GeneSiC Semiconductor kbl406g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL601G GeneSiC Semiconductor kbl601g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL603G GeneSiC Semiconductor kbl601g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL604G GeneSiC Semiconductor kbl601g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL606G GeneSiC Semiconductor kbl606g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL608G GeneSiC Semiconductor kbl606g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 800
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP201 GeneSiC Semiconductor KBP201%7E204.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP2010 GeneSiC Semiconductor kbp206_thru_kbp210.pdf Description: DIODE BRIDGE 1000V 2A KBP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP202 GeneSiC Semiconductor KBP201%7E204.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP203 GeneSiC Semiconductor KBP201%7E204.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP204 GeneSiC Semiconductor KBP201%7E204.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC1501T KBPC1501T GeneSiC Semiconductor kbpc15005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A KBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPC
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN130/16 gkn13004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN240/04 gkn24004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN240/08 gkn24004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN240/12 gkn24004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN240/14 gkn24004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN240/16 gkn24004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN26/04 gkn2604_thru_gkn2616.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN26/08 GKN26.pdf
GKN26/08
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN26/12 gkn2604_thru_gkn2616.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN26/14 gkn2604_thru_gkn2616.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN26/16 gkn2604_thru_gkn2616.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN71/04 gkn7104_thru_gkn7116.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 95A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN71/08 gkn7104_thru_gkn7116.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 95A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN71/12 gkn7104_thru_gkn7116.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN71/14 gkn7104_thru_gkn7116.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 95A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKN71/16 gkn7104.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 95A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR130/04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 165A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 mA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR130/08
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 165A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 mA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR130/12 gkr13004_thru_gkr13018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR130/14 gkr13004_thru_gkr13018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR130/16 gkr13004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR240/04 gkr24004_thru_gkr24018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR240/08 gkr24004_thru_gkr24018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR240/12 gkr24004_thru_gkr24018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR240/14 gkr24004_thru_gkr24018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR240/16 gkr24004_thru_gkr24018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR26/04 GKR26.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR26/08 GKR26.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR26/12 gkr2604_thru_gkr2616.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR26/14 gkr2604_thru_gkr2616.pdf
GKR26/14
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR26/16 gkr2604_thru_gkr2616.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR71/04 gkr7104_thru_gkr7116.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 95A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR71/08 gkr7104_thru_gkr7116.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 95A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR71/12 gkr7104_thru_gkr7116.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR71/14 gkr7104_thru_gkr7116.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 95A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKR71/16 gkr7104.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 95A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ25005G kbj25005g.pdf
KBJ25005G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A KBJ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ2501G kbj25005g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A KBJ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ2502G kbj25005g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A KBJ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ2504G kbj25005g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A KBJ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ2506G kbj2506g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ2508G kbj2506g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ4005G kbj4005g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBJ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ404G kbj4005g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBJ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ408G kbj406g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ410G kbj406g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL401G kbl402g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL402G kbl402g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL408G kbl406g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL601G kbl601g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL603G kbl601g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL604G kbl601g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL606G kbl606g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL608G kbl606g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 800
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP201 KBP201%7E204.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP2010 kbp206_thru_kbp210.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 1000V 2A KBP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP202 KBP201%7E204.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP203 KBP201%7E204.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBP204 KBP201%7E204.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC1501T kbpc15005t.pdf
KBPC1501T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A KBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPC
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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