Die Produkte genesic semiconductor

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1N3294A 1n3289a_thru_1n3294ar.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 13mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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1N3294AR 1n3289a_thru_1n3294ar.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 800V 100A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 13mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N3295A 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 11mA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
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1N3295AR 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 11mA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
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1N3296A 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9mA @ 1200V
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1N3296AR 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
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1N3297A 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
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1N3297AR 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205AA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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1N4588 1n4588_thru_1n4593r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9.5mA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
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1N4588R 1n4588_thru_1n4593r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 200V 150A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9.5mA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N4590 1n4588.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9mA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
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1N4590R 1n4588.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9mA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N4592 1n4588.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6.5mA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
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1N4592R 1n4588.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6.5mA @ 600V
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
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1N4593 1n4588.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5.5mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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1N4593R 1n4588.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5.5mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
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1N4594 1n4594.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5mA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Packaging: Bulk
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1N4594R 1n4594.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5mA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N4595 1n4594.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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1N4595R 1N4595R 1n4594.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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auf Bestellung 70 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N4596 1n4594.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO205
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5mA @ 1400V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Base Part Number: 1N4596
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N4596R 1n4594.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205AA
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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GKR130/04 gkr13004_thru_gkr13018.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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GKR130/08 gkr13004_thru_gkr13018.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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GKR130/12 gkr13004_thru_gkr13018.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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GKR130/14 gkr13004_thru_gkr13018.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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GKR130/16 gkr13004.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S150J s150j.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S150JR s150j.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S150K s150j.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S150KR s150j.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S150M s150j.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
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S150MR s150j.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
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S150Q s150j.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Packaging: Bulk
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S150QR S150QR s150j.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
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GKN240/04 gkn24004.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
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GKN240/08 gkn24004.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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GKN240/12 gkn24004.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
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GKN240/14 gkn24004.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
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GKN240/16 gkn24004.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
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Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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Current - Average Rectified (Io): 320A
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Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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GKR240/04 gkr24004_thru_gkr24018.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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Current - Average Rectified (Io): 320A
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Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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GKR240/08 gkr24004_thru_gkr24018.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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GKR240/12 gkr24004_thru_gkr24018.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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Current - Average Rectified (Io): 320A
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Diode Type: Standard
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GKR240/14 gkr24004_thru_gkr24018.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
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GKR240/16 gkr24004_thru_gkr24018.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Diode Type: Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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GB08SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S300B s300b_thru_s300jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
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S300BR s300b_thru_s300jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 100V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S300D s300b_thru_s300jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 300A DO205AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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S300DR s300b_thru_s300jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 200V 300A DO205AB
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
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S300E s300b_thru_s300jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 300V 300A DO205AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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S300ER s300b_thru_s300jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 300V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S300G s300b_thru_s300jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
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S300GR s300b_thru_s300jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 400V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S300J s300b_thru_s300jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 300A DO205AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S300JR s300b_thru_s300jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 600V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S300Z s300y_thru_s300zr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V (2kV)
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S300ZR s300y_thru_s300zr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 2KV DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V (2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S320J s320j_thru_s320qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 320A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S320JR s320j_thru_s320qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 600V 320A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S320K s320j_thru_s320qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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S320KR s320j_thru_s320qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 800V 320A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S320M s320j_thru_s320qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1KV 320A DO205
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
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S320MR s320j_thru_s320qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S320Q s320j_thru_s320qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
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Diode Type: Standard
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S320QR s320j_thru_s320qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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S380Y S380Y s380y.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 380A DO205
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 380 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Current - Average Rectified (Io): 380A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Packaging: Bulk
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S380YR s380y_thru_s380zr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.6KV DO205AB
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 380A
Current - Average Rectified (Io): 380A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S380Z s380y_thru_s380zr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 2KV 380A DO205
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 380A
Current - Average Rectified (Io): 380A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V (2kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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S380ZR s380y_thru_s380zr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 2KV DO205AB
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 380A
Current - Average Rectified (Io): 380A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V (2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
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S400K s400k_thru_s400yr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 400A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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S400KR s400k_thru_s400yr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 800V 400A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S400Q s400k_thru_s400yr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 400A DO205
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
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S400QR s400k_thru_s400yr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S400Y s400k_thru_s400yr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 400A DO205
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
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S400YR s400k_thru_s400yr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.6KV DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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2N7635-GA 2N7635-GA 2N7635-GA.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO-257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
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2N7638-GA 2N7638-GA 2N7638-GA.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
FET Feature: Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 35V
Power - Max: 200W
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Supplier Device Package: TO-276
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2N7637-GA 2N7637-GA 2N7637-GA.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 7A TO-257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
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GB16SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 16A Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N8033-GA 1N8033-GA 1N8033-GA.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-276
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 274pF @ 1V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 650V
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 5A
Current - Average Rectified (Io): 4.3A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650V
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
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auf Bestellung 4 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
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GA05JT12-263 GA05JT12-263 GA05JT12-263.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 15A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Part Status: Active
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA05JT12-247 GA05JT12-247 GA05JT12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 5A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 106W
Supplier Device Package: TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Mounting Type: Through Hole
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auf Bestellung 15 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650V
Current - Average Rectified (Io): 1A (DC)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 1A
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 6.5V
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Base Part Number: GB01SLT06
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auf Bestellung 6794 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GC20MPS12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 20A TO-247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 90A (DC)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
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auf Bestellung 38 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 5000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
S6D s6b_thru_s6jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S12JR s12b_thru_s12jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S16BR s16b_thru_s16jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 100V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Base Part Number: GB02SLT06
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S6G s6b_thru_s6jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
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S12G s12b_thru_s12jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S16GR s16b_thru_s16jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 400V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S16B s16b_thru_s16jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S16D s16b_thru_s16jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
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1N3294A 1n3289a_thru_1n3294ar.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 13mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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1N3294AR 1n3289a_thru_1n3294ar.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 800V 100A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 13mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N3295A 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 11mA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
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1N3295AR 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 11mA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
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1N3296A 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9mA @ 1200V
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1N3296AR 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
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1N3297A 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
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1N3297AR 1n3295a_thru_1n3297ar.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205AA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Current - Average Rectified (Io): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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1N4588 1n4588_thru_1n4593r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9.5mA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
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1N4588R 1n4588_thru_1n4593r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 200V 150A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9.5mA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N4590 1n4588.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9mA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
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1N4590R 1n4588.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9mA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N4592 1n4588.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6.5mA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
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1N4592R 1n4588.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6.5mA @ 600V
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
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1N4593 1n4588.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5.5mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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1N4593R 1n4588.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5.5mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
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1N4594 1n4594.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5mA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Packaging: Bulk
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1N4594R 1n4594.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5mA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N4595 1n4594.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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1N4595R 1n4594.pdf
1N4595R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
auf Bestellung 70 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N4596 1n4594.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO205
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5mA @ 1400V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Base Part Number: 1N4596
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1N4596R 1n4594.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205AA
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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GKR130/04 gkr13004_thru_gkr13018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
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GKR130/08 gkr13004_thru_gkr13018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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GKR130/12 gkr13004_thru_gkr13018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GKR130/14 gkr13004_thru_gkr13018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GKR130/16 gkr13004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S150J s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S150JR s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S150K s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S150KR s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
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S150M s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S150MR s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S150Q s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Packaging: Bulk
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S150QR s150j.pdf
S150QR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GKN240/04 gkn24004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
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GKN240/08 gkn24004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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GKN240/12 gkn24004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
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GKN240/14 gkn24004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
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GKN240/16 gkn24004.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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GKR240/04 gkr24004_thru_gkr24018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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GKR240/08 gkr24004_thru_gkr24018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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GKR240/12 gkr24004_thru_gkr24018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
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GKR240/14 gkr24004_thru_gkr24018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
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GKR240/16 gkr24004_thru_gkr24018.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Diode Type: Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60mA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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GB08SLT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
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S300B s300b_thru_s300jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
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auf Bestellung 40 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
S300BR s300b_thru_s300jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 100V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S300D s300b_thru_s300jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 300A DO205AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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S300DR s300b_thru_s300jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 200V 300A DO205AB
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
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S300E s300b_thru_s300jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 300V 300A DO205AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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S300ER s300b_thru_s300jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 300V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S300G s300b_thru_s300jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
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S300GR s300b_thru_s300jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 400V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S300J s300b_thru_s300jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A DO205AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
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S300JR s300b_thru_s300jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 600V 300A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S300Z s300y_thru_s300zr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V (2kV)
Diode Type: Standard
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S300ZR s300y_thru_s300zr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 2KV DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V (2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S320J s320j_thru_s320qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 320A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
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S320JR s320j_thru_s320qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 600V 320A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S320K s320j_thru_s320qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S320KR s320j_thru_s320qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 800V 320A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S320M s320j_thru_s320qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 320A DO205
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S320MR s320j_thru_s320qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S320Q s320j_thru_s320qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S320QR s320j_thru_s320qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 320A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S380Y s380y.pdf
S380Y
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 380A DO205
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 380 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Current - Average Rectified (Io): 380A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1 Stücke
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1+ 181.4 EUR
S380YR s380y_thru_s380zr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.6KV DO205AB
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 380A
Current - Average Rectified (Io): 380A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S380Z s380y_thru_s380zr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 2KV 380A DO205
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 380A
Current - Average Rectified (Io): 380A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V (2kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S380ZR s380y_thru_s380zr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 2KV DO205AB
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 380A
Current - Average Rectified (Io): 380A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V (2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S400K s400k_thru_s400yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 400A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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S400KR s400k_thru_s400yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 800V 400A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S400Q s400k_thru_s400yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 400A DO205
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
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S400QR s400k_thru_s400yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S400Y s400k_thru_s400yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 400A DO205
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
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S400YR s400k_thru_s400yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.6KV DO205AB
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io): 400A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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2N7635-GA 2N7635-GA.pdf
2N7635-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO-257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
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2N7638-GA 2N7638-GA.pdf
2N7638-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
FET Feature: Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 35V
Power - Max: 200W
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Supplier Device Package: TO-276
auf Bestellung 8 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7637-GA 2N7637-GA.pdf
2N7637-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 7A TO-257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
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GB16SLT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 16A
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1N8033-GA 1N8033-GA.pdf
1N8033-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-276
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 274pF @ 1V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 650V
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 5A
Current - Average Rectified (Io): 4.3A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650V
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
auf Bestellung 4 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA05JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
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GA05JT12-263 GA05JT12-263.pdf
GA05JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 15A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Part Status: Active
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
auf Bestellung 934 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA05JT12-247 GA05JT12-247.pdf
GA05JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 5A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 106W
Supplier Device Package: TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 15 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650V
Current - Average Rectified (Io): 1A (DC)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 1A
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 6.5V
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Base Part Number: GB01SLT06
auf Bestellung 6794 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247.pdf
GC20MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 20A TO-247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 90A (DC)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 38 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 8 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf
GB01SLT12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 15711 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
S6D s6b_thru_s6jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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S12JR s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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S16BR s16b_thru_s16jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 100V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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GB02SLT06-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Base Part Number: GB02SLT06
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S6G s6b_thru_s6jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
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S12G s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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S16GR s16b_thru_s16jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 400V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S16B s16b_thru_s16jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
S16D s16b_thru_s16jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
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