Die Produkte genesic semiconductor

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S16DR s16b_thru_s16jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 200V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S25BR s25b_thru_s25jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 100V 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S6JR s6b_thru_s6jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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S25DR s25b_thru_s25jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 200V 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S25GR s25b_thru_s25jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 400V 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S6J s6b_thru_s6jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DO4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
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GKR26/04 GKR26.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 400V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
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S12MR s12k_thru_s12qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S25B s25b_thru_s25jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
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1N3891R 1n3889.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Base Part Number: 1N3891R
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
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FR12DR02 fr12b02_thru_fr12jr02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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FR12DR05 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
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1N1202AR 1n1199a_thru_1n1206ar.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
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S12D S12D s12b_thru_s12jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
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S12DR s12b_thru_s12jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N3890 1n3889.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 12A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
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FR12B02 fr12b02_thru_fr12jr02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
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FR12B05 fr12b05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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FR6AR02 fr6a02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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FR6AR05 fr6a05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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S12KR s12m.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: S12K
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S16G s16b_thru_s16jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
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1N3208R 1n3208_thru_1n3211r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 50V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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FR16DR02 fr16b02_thru_fr16jr02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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FR16DR05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S6DR s6b_thru_s6jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S6GR s6b_thru_s6jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S6K s6k_thru_s6qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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S6KR s6q.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: S6K
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FR16D02 fr16b02_thru_fr16jr02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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FR16D05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N1186R 1N1186R 1n1183.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Base Part Number: 1N1186R
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
Current - Average Rectified (Io): 35A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N3210 1N3210 1n3208_thru_1n3211r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N3210R 1N3210R 1n3208_thru_1n3211r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N3212 1n3212_thru_1n3214r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 15A DO5
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 15A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
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S12J s12b_thru_s12jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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S6QR S6QR s6k_thru_s6qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S16K s16k_thru_s16qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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S16KR s16k.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DO220AA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: S16K
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1N1188AR 1n1183a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Base Part Number: 1N1188AR
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S40GR s40b.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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FR16J02 fr16b02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 16A DO4
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 250ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
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FR16J05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 16A DO4
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
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FR16K05 FR16K05 fr16k05_thru_fr16mr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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1N1187 1n1183_thru_1n1187r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 300V 35A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
Current - Average Rectified (Io): 35A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard
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FR12J02 fr12b02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 250ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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FR12J05 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
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S40DR s40b.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N3880 1n3879.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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FR6B02 fr6a02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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FR6B05 fr6a05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 16A DO4
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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FR12BR02 fr12b02_thru_fr12jr02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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FR12BR05 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S12M s12m.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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FR6A02 fr6a02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 539 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FR6A05 fr6a05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 50V 16A DO4
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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GKN26/08 GKN26/08 gkn2604_thru_gkn2616.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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GKR26/08 gkr2604_thru_gkr2616.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S25K s25k_thru_s25qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S25KR s25k_thru_s25qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 800V 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S25MR s25k_thru_s25qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N1186 1n1183_thru_1n1187r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
Current - Average Rectified (Io): 35A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
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1N3880R 1n3879.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: 1N3880R
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FR6BR02 fr6a02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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FR6BR05 fr6a05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N3671A 1n3671a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S12K s12k_thru_s12qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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1N2129AR 1n2128a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 60A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
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1N3890R 1n3889_thru_1n3893r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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FR6DR02 fr6a02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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FR6DR05 fr6a05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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FR16JR02 fr16b02_thru_fr16jr02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 250ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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FR16JR05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N1184A 1N1184A 1n1183a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO5
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Base Part Number: 1N1184
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auf Bestellung 2 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N1184AR 1N1184AR 1n1183a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
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S40B S40B s40b_thru_s40jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
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auf Bestellung 100 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
S40BR S40BR s40b.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N3209R 1n3208_thru_1n3211r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 100V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N3882 1n3879_thru_1n3883r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 300V 6A DO4
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
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1N3882R 1n3879.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: 1N3882R
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FR12JR02 FR12JR02 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 250ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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FR12JR05 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
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1N1183R 1n1183.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
Current - Average Rectified (Io): 35A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N3891 1N3891 1n3889.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Base Part Number: 1N3891
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
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auf Bestellung 470 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FR12D02 fr12b02_thru_fr12jr02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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FR12D05 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
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S40D s40b_thru_s40jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 40A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
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1N3209 1n3208_thru_1n3211r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N3211 1n3208_thru_1n3211r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 300V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N3211R 1n3208_thru_1n3211r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N3212R 1n3212_thru_1n3214r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5
Current - Average Rectified (Io): 15A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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FR6G02 fr6a02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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FR6G05 fr6a05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 16A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR16G02 fr16b02_thru_fr16jr02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 16A DO4
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR16G05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 16A DO4
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR16GR02 fr16b02_thru_fr16jr02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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FR16GR05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S6B s6b_thru_s6jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S6BR s6b_thru_s6jr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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S6M s6k_thru_s6qr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
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S16DR s16b_thru_s16jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 200V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S25BR s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 100V 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S6JR s6b_thru_s6jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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S25DR s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 200V 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S25GR s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 400V 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S6J s6b_thru_s6jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DO4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
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GKR26/04 GKR26.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 400V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
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S12MR s12k_thru_s12qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S25B s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
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auf Bestellung 90 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N3891R 1n3889.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Base Part Number: 1N3891R
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
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FR12DR02 fr12b02_thru_fr12jr02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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FR12DR05 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
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1N1202AR 1n1199a_thru_1n1206ar.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
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S12D s12b_thru_s12jr.pdf
S12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
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S12DR s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N3890 1n3889.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 12A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 50 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
FR12B02 fr12b02_thru_fr12jr02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
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FR12B05 fr12b05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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FR6AR02 fr6a02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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FR6AR05 fr6a05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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S12KR s12m.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: S12K
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S16G s16b_thru_s16jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
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1N3208R 1n3208_thru_1n3211r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR16DR02 fr16b02_thru_fr16jr02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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FR16DR05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S6DR s6b_thru_s6jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S6GR s6b_thru_s6jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S6K s6k_thru_s6qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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S6KR s6q.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: S6K
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FR16D02 fr16b02_thru_fr16jr02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
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FR16D05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
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1N1186R 1n1183.pdf
1N1186R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Base Part Number: 1N1186R
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
Current - Average Rectified (Io): 35A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N3210 1n3208_thru_1n3211r.pdf
1N3210
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
auf Bestellung 95 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N3210R 1n3208_thru_1n3211r.pdf
1N3210R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N3212 1n3212_thru_1n3214r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 15A DO5
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 15A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
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S12J s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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S6QR s6k_thru_s6qr.pdf
S6QR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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S16K s16k_thru_s16qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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S16KR s16k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DO220AA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: S16K
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1N1188AR 1n1183a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Base Part Number: 1N1188AR
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S40GR s40b.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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FR16J02 fr16b02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A DO4
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 250ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
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FR16J05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A DO4
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
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FR16K05 fr16k05_thru_fr16mr05.pdf
FR16K05
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
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1N1187 1n1183_thru_1n1187r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 300V 35A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
Current - Average Rectified (Io): 35A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard
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FR12J02 fr12b02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 250ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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FR12J05 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
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S40DR s40b.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N3880 1n3879.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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FR6B02 fr6a02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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FR6B05 fr6a05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 16A DO4
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR12BR02 fr12b02_thru_fr12jr02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR12BR05 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
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S12M s12m.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR6A02 fr6a02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
auf Bestellung 539 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FR6A05 fr6a05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 16A DO4
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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GKN26/08 gkn2604_thru_gkn2616.pdf
GKN26/08
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GKR26/08 gkr2604_thru_gkr2616.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S25K s25k_thru_s25qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S25KR s25k_thru_s25qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 800V 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S25MR s25k_thru_s25qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A
Current - Average Rectified (Io): 25A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N1186 1n1183_thru_1n1187r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
Current - Average Rectified (Io): 35A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N3880R 1n3879.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: 1N3880R
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FR6BR02 fr6a02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR6BR05 fr6a05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N3671A 1n3671a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S12K s12k_thru_s12qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N2129AR 1n2128a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 60A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
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1N3890R 1n3889_thru_1n3893r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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FR6DR02 fr6a02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
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FR6DR05 fr6a05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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FR16JR02 fr16b02_thru_fr16jr02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 250ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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FR16JR05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N1184A 1n1183a.pdf
1N1184A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO5
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Base Part Number: 1N1184
auf Bestellung 2 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N1184AR 1n1183a.pdf
1N1184AR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
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S40B s40b_thru_s40jr.pdf
S40B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
auf Bestellung 100 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
S40BR s40b.pdf
S40BR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N3209R 1n3208_thru_1n3211r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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1N3882 1n3879_thru_1n3883r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 300V 6A DO4
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
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1N3882R 1n3879.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 50V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: 1N3882R
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FR12JR02 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf
FR12JR02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 250ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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FR12JR05 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
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1N1183R 1n1183.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A
Current - Average Rectified (Io): 35A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N3891 1n3889.pdf
1N3891
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Base Part Number: 1N3891
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
auf Bestellung 470 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FR12D02 fr12b02_thru_fr12jr02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR12D05 fr12b05_thru_fr12jr05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A
Current - Average Rectified (Io): 12A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
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S40D s40b_thru_s40jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 40A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
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1N3209 1n3208_thru_1n3211r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N3211 1n3208_thru_1n3211r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 300V 15A DO5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N3211R 1n3208_thru_1n3211r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 50V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N3212R 1n3212_thru_1n3214r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5
Current - Average Rectified (Io): 15A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
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FR6G02 fr6a02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR6G05 fr6a05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR16G02 fr16b02_thru_fr16jr02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A DO4
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR16G05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A DO4
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR16GR02 fr16b02_thru_fr16jr02.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 200ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FR16GR05 fr16b05_thru_fr16jr05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Reverse Recovery Time (trr): 500ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A
Current - Average Rectified (Io): 16A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S6B s6b_thru_s6jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 22251 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
S6BR s6b_thru_s6jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
S6M s6k_thru_s6qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 100V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
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