Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4038) > Seite 13 nach 68
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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FST16045 | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE MOD SCHOT 45V 160A TO249ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-249AB Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC) Supplier Device Package: TO-249AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 160 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FST16045 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB |
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FST16045 | GeneSiC Semiconductor |
FST16045 RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,SCHOTTKY,45V,TO-249AB Діоди та діодні збірки |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FST16045L | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A TO249AB |
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FST16045L | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 160A Standard |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FST16060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 160A TO249AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-249AB Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC) Supplier Device Package: TO-249AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 160 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FST16060 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 60V 160A Schottky Recovery |
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FST16080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 80V 160A TO249AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 160 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-249AB Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: TO-249AB Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FST16080 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 80V 160A Schottky Recovery |
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FST16080 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB |
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FST63100M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A D61-3M |
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FST6310M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 30A D61-3M |
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FST6315M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 30A D61-3M |
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FST6320M | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 30A D61-3M |
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FST6330M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 30A D61-3M |
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FST6335M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 30A D61-3M |
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FST6340M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M |
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FST6345M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M |
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FST6360M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D61-3M |
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FST6380M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M |
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FST73100M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M |
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FST7320M | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M |
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FST7330M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M |
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FST7340M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M |
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FST7345M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M |
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FST7360M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M |
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FST7380M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M |
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FST83100M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: D61-3M Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: D61-3M Packaging: Bulk |
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FST83100M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery |
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| FST83100SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D61-3SM Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: D61-3SM Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Obsolete |
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FST8320M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery |
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FST8320M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M |
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FST8320SM | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery |
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| FST8320SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM |
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FST8330M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery |
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FST8330M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M |
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| FST8330SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM |
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FST8335M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery |
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FST8335M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M |
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FST8335SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FST8340M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M |
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FST8340M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FST8340SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM |
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FST8345M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M |
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FST8345M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery |
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| FST8345SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM |
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FST8360M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FST8360M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M |
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FST8360SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM |
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FST8380M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FST8380M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FST8380SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM |
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET |
auf Bestellung 1992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G2R1000MT17D | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G2R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R1000MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7 Mounting: SMD Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Technology: G2R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.7kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...20V Kind of package: tube Case: TO263-7 On-state resistance: 1Ω |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FST16045 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 45V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 45V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST16045 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST16045 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
FST16045 RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,SCHOTTKY,45V,TO-249AB Діоди та діодні збірки
FST16045 RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,SCHOTTKY,45V,TO-249AB Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST16045L |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A TO249AB
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A TO249AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST16045L |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 160A Standard
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 160A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST16060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST16060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 60V 160A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 60V 160A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST16080 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 80V 160A TO249AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 160 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-249AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-249AB
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOT 80V 160A TO249AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 160 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-249AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-249AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST16080 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 80V 160A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 80V 160A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST16080 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST63100M |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A D61-3M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST6310M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 30A D61-3M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST6315M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 30A D61-3M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST6320M |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 30A D61-3M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST6330M |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 30A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST6335M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 30A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST6340M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST6345M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST6360M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST6380M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST73100M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST7320M |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST7330M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST7340M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST7345M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST7360M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST7380M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST83100M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D61-3M
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D61-3M
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D61-3M
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D61-3M
Packaging: Bulk
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| FST83100M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
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Stück im Wert von UAH
| FST83100SM |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D61-3SM
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D61-3SM
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D61-3SM
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D61-3SM
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
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| FST8320M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
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Stück im Wert von UAH
| FST8320M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| FST8320SM |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
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Stück im Wert von UAH
| FST8320SM |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| FST8330M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
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Stück im Wert von UAH
| FST8330M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST8330SM |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| FST8335M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
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Stück im Wert von UAH
| FST8335M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| FST8335SM |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST8340M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
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Stück im Wert von UAH
| FST8340M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST8340SM |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM
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Stück im Wert von UAH
| FST8345M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| FST8345M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST8345SM |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST8360M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST8360M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST8360SM |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST8380M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST8380M |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FST8380SM |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R1000MT17D |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.87 EUR |
| 10+ | 9.01 EUR |
| 30+ | 7.88 EUR |
| 120+ | 7.75 EUR |
| 270+ | 7.64 EUR |
| 510+ | 7.52 EUR |
| 1020+ | 7.5 EUR |
| G2R1000MT17D |
|
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
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Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R1000MT17D |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R1000MT17D |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| G2R1000MT17D |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 12.67 EUR |
| 25+ | 11.96 EUR |
| 50+ | 11.25 EUR |
| G2R1000MT17D |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G2R1000MT17D |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| G2R1000MT17J |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 1Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 1Ω
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 9.46 EUR |