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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MURH7020 MURH7020 GeneSiC Semiconductor murh7005.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7020R MURH7020R GeneSiC Semiconductor murh7020r-3482621.pdf Diode Modules 200V 70A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Super Fast Recovery (Reverse Configuration)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7020R MURH7020R GeneSiC Semiconductor murh7005.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7040 GeneSiC Semiconductor murh7040.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7040 MURH7040 GeneSiC Semiconductor murh7040-3481535.pdf Diode Modules 400V 70A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Super Fast Recovery (Standard Configuration)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7040R MURH7040R GeneSiC Semiconductor murh7040r-3482094.pdf Diode Modules 400V 70A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Super Fast Recovery (Reverse Configuration)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7040R GeneSiC Semiconductor murh7040.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7060 MURH7060 GeneSiC Semiconductor murh7060-3482827.pdf Diode Modules 600V 70A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Super Fast Recovery (Standard Configuration)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7060 GeneSiC Semiconductor murh7040.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7060R MURH7060R GeneSiC Semiconductor murh7060r-3482691.pdf Diode Modules 600V 70A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Super Fast Recovery (Reverse Configuration)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7060R GeneSiC Semiconductor murh7040.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10005 MURT10005 GeneSiC Semiconductor murt10005-1857115.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10005 MURT10005 GeneSiC Semiconductor murt10005.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10005R MURT10005R GeneSiC Semiconductor murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10005R MURT10005R GeneSiC Semiconductor murt10005.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010 MURT10010 GeneSiC Semiconductor murt10005.pdf Description: DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010 MURT10010 GeneSiC Semiconductor murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010R MURT10010R GeneSiC Semiconductor murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010R MURT10010R GeneSiC Semiconductor murt10005.pdf Description: DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020 MURT10020 GeneSiC Semiconductor murt10005.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020 MURT10020 GeneSiC Semiconductor murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020R MURT10020R GeneSiC Semiconductor murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020R MURT10020R GeneSiC Semiconductor murt10005.pdf Description: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040 MURT10040 GeneSiC Semiconductor murt10040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040 MURT10040 GeneSiC Semiconductor murt10040-2451894.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040R MURT10040R GeneSiC Semiconductor murt10040r-2452616.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040R MURT10040R GeneSiC Semiconductor murt10040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060 MURT10060 GeneSiC Semiconductor murt10040.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060 MURT10060 GeneSiC Semiconductor murt10060-2452462.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060R MURT10060R GeneSiC Semiconductor murt10060r-2452184.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060R MURT10060R GeneSiC Semiconductor murt10040.pdf Description: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005 GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005 MURT20005 GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005R MURT20005R GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005R MURT20005R GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010 MURT20010 GeneSiC Semiconductor murt20010-2452108.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010 MURT20010 GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010R MURT20010R GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010R MURT20010R GeneSiC Semiconductor murt20010r-2452619.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020 MURT20020 GeneSiC Semiconductor murt20020-2452465.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020 MURT20020 GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020R MURT20020R GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020R MURT20020R GeneSiC Semiconductor murt20020r-2452111.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040 MURT20040 GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040 MURT20040 GeneSiC Semiconductor murt20040-2452771.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040 GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Rectifier Diode Switching 400V 200A 90ns 3-Pin Three Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040R MURT20040R GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040R MURT20040R GeneSiC Semiconductor murt20040r-2451963.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060 MURT20060 GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURT20060 MURT20060 GeneSiC Semiconductor murt20060-2452940.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
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MURT20060 MURT20060 GeneSiC Semiconductor 28murt20040_thru_murt20060r.pdf Rectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Three Tower
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MURT20060R MURT20060R GeneSiC Semiconductor murt20060r-2452468.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
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MURT20060R MURT20060R GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005 MURT30005 GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
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MURT30005 MURT30005 GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
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MURT30005R MURT30005R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005R MURT30005R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010 MURT30010 GeneSiC Semiconductor murt30005.pdf Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
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MURT30010 MURT30010 GeneSiC Semiconductor murt30010-2452942.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
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MURT30010R MURT30010R GeneSiC Semiconductor murt30010r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
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MURH7020 murh7005.pdf
MURH7020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURH7020R murh7020r-3482621.pdf
MURH7020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 70A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Super Fast Recovery (Reverse Configuration)
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MURH7020R murh7005.pdf
MURH7020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURH7040 murh7040.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURH7040 murh7040-3481535.pdf
MURH7040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 70A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Super Fast Recovery (Standard Configuration)
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MURH7040R murh7040r-3482094.pdf
MURH7040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 70A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Super Fast Recovery (Reverse Configuration)
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MURH7040R murh7040.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURH7060 murh7060-3482827.pdf
MURH7060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 70A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Super Fast Recovery (Standard Configuration)
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MURH7060 murh7040.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURH7060R murh7060r-3482691.pdf
MURH7060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 70A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Super Fast Recovery (Reverse Configuration)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7060R murh7040.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURT10005 murt10005-1857115.pdf
MURT10005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A 50P/35R
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MURT10005 murt10005.pdf
MURT10005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURT10005R murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf
MURT10005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A 50P/35R
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MURT10005R murt10005.pdf
MURT10005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010 murt10005.pdf
MURT10010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010 murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf
MURT10010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010R murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf
MURT10010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10010R murt10005.pdf
MURT10010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020 murt10005.pdf
MURT10020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020 murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf
MURT10020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020R murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf
MURT10020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10020R murt10005.pdf
MURT10020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040 murt10040.pdf
MURT10040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040 murt10040-2451894.pdf
MURT10040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040R murt10040r-2452616.pdf
MURT10040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040R murt10040.pdf
MURT10040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060 murt10040.pdf
MURT10060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 600V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060 murt10060-2452462.pdf
MURT10060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060R murt10060r-2452184.pdf
MURT10060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060R murt10040.pdf
MURT10060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005 murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005 murt20005_thru_murt20020r.pdf
MURT20005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005R murt20005_thru_murt20020r.pdf
MURT20005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005R murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf
MURT20005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010 murt20010-2452108.pdf
MURT20010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010 murt20005.pdf
MURT20010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010R murt20005.pdf
MURT20010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MURT20010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MURT20020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
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MURT20020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MURT20020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MURT20020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
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MURT20040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MURT20040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 400V 200A 90ns 3-Pin Three Tower
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MURT20040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MURT20040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MURT20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURT20060 murt20060-2452940.pdf
MURT20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
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MURT20060 28murt20040_thru_murt20060r.pdf
MURT20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Three Tower
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MURT20060R murt20060r-2452468.pdf
MURT20060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060R murt20040.pdf
MURT20060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005 murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005 murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf
MURT30005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
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MURT30005R murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005R murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf
MURT30005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010 murt30005.pdf
MURT30010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
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MURT30010 murt30010-2452942.pdf
MURT30010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010R murt30010r.pdf
MURT30010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
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