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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MURT10040R MURT10040R GeneSiC Semiconductor murt10040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040R MURT10040R GeneSiC Semiconductor murt10040r-2452616.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060 MURT10060 GeneSiC Semiconductor murt10060-2452462.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060 MURT10060 GeneSiC Semiconductor murt10040.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060R MURT10060R GeneSiC Semiconductor murt10040.pdf Description: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060R MURT10060R GeneSiC Semiconductor murt10060r-2452184.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005 MURT20005 GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005 GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005R MURT20005R GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005R MURT20005R GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010 MURT20010 GeneSiC Semiconductor murt20010-2452108.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010 MURT20010 GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010R MURT20010R GeneSiC Semiconductor murt20010r-2452619.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010R MURT20010R GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020 MURT20020 GeneSiC Semiconductor murt20020-2452465.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020 MURT20020 GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020R MURT20020R GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020R MURT20020R GeneSiC Semiconductor murt20020r-2452111.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040 MURT20040 GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040 GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Rectifier Diode Switching 400V 200A 90ns 3-Pin Three Tower
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040 MURT20040 GeneSiC Semiconductor murt20040-2452771.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040R MURT20040R GeneSiC Semiconductor murt20040r-2451963.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040R MURT20040R GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060 MURT20060 GeneSiC Semiconductor 28murt20040_thru_murt20060r.pdf Rectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Three Tower
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 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060 MURT20060 GeneSiC Semiconductor murt20060-2452940.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060 MURT20060 GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060R MURT20060R GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060R MURT20060R GeneSiC Semiconductor murt20060r-2452468.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005 MURT30005 GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005 MURT30005 GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005R MURT30005R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005R MURT30005R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010 MURT30010 GeneSiC Semiconductor murt30005.pdf Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010 MURT30010 GeneSiC Semiconductor murt30010-2452942.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010R MURT30010R GeneSiC Semiconductor murt30010r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010R MURT30010R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30020 MURT30020 GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30020 MURT30020 GeneSiC Semiconductor murt30020-3482446.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30020R MURT30020R GeneSiC Semiconductor murt30020r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30020R MURT30020R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30040 MURT30040 GeneSiC Semiconductor murt30040.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30040 MURT30040 GeneSiC Semiconductor murt30040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30040R MURT30040R GeneSiC Semiconductor murt30040r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30040R MURT30040R GeneSiC Semiconductor murt30040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30060 MURT30060 GeneSiC Semiconductor murt30060-3482605.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30060 MURT30060 GeneSiC Semiconductor murt30040_thru_murt30060r.pdf Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30060R MURT30060R GeneSiC Semiconductor murt30040_thru_murt30060r.pdf Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30060R MURT30060R GeneSiC Semiconductor murt30060r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40005 MURT40005 GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r-1132944.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40005 MURT40005 GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40005R MURT40005R GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r-1132944.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40005R MURT40005R GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40010 MURT40010 GeneSiC Semiconductor murt40010-3482099.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40010 MURT40010 GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40010R MURT40010R GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40010R MURT40010R GeneSiC Semiconductor murt40010r-3481635.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40020 MURT40020 GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40020 MURT40020 GeneSiC Semiconductor murt40020-2452471.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40020R MURT40020R GeneSiC Semiconductor murt40020r-2452474.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40020R MURT40020R GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
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MURT10040R murt10040.pdf
MURT10040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10040R murt10040r-2452616.pdf
MURT10040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060 murt10060-2452462.pdf
MURT10060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060 murt10040.pdf
MURT10060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 600V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060R murt10040.pdf
MURT10060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT10060R murt10060r-2452184.pdf
MURT10060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005 murt20005_thru_murt20020r.pdf
MURT20005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005 murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005R murt20005_thru_murt20020r.pdf
MURT20005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20005R murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf
MURT20005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010 murt20010-2452108.pdf
MURT20010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010 murt20005.pdf
MURT20010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010R murt20010r-2452619.pdf
MURT20010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20010R murt20005.pdf
MURT20010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020 murt20020-2452465.pdf
MURT20020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020 murt20005.pdf
MURT20020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020R murt20005.pdf
MURT20020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20020R murt20020r-2452111.pdf
MURT20020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040 murt20040.pdf
MURT20040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040 murt20040.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 400V 200A 90ns 3-Pin Three Tower
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040 murt20040-2452771.pdf
MURT20040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040R murt20040r-2451963.pdf
MURT20040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20040R murt20040.pdf
MURT20040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060 28murt20040_thru_murt20060r.pdf
MURT20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Three Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060 murt20060-2452940.pdf
MURT20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060 murt20040.pdf
MURT20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060R murt20040.pdf
MURT20060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT20060R murt20060r-2452468.pdf
MURT20060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005 murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005 murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf
MURT30005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005R murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30005R murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf
MURT30005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010 murt30005.pdf
MURT30010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010 murt30010-2452942.pdf
MURT30010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010R murt30010r.pdf
MURT30010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30010R murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30020 murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30020 murt30020-3482446.pdf
MURT30020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30020R murt30020r.pdf
MURT30020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30020R murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30040 murt30040.pdf
MURT30040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30040 murt30040.pdf
MURT30040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30040R murt30040r.pdf
MURT30040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30040R murt30040.pdf
MURT30040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30060 murt30060-3482605.pdf
MURT30060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30060 murt30040_thru_murt30060r.pdf
MURT30060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30060R murt30040_thru_murt30060r.pdf
MURT30060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30060R murt30060r.pdf
MURT30060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40005 murt40005_thru_murt40020r-1132944.pdf
MURT40005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40005 murt40005_thru_murt40020r.pdf
MURT40005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
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MURT40005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
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MURT40005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MURT40010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MURT40010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MURT40010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MURT40010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MURT40020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MURT40020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MURT40020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
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