Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4214) > Seite 59 nach 71
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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| MUR2560 | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 25A DO4Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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MUR2560R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| MUR2560R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4 Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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MUR2X030A02 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 60A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X030A02 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 30A SOT-227 Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X030A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227 Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X030A04 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 400V 60A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X030A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 30A SOT-227 Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 78 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X030A06 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 60A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X030A10 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 60A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X030A12 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X030A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 78 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X060A02 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR2X060A04 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X060A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X060A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X060A06 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR2X060A10 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X060A10 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X060A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 52 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X060A12 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A02 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR2X100A02 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR2X100A04 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A06 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A10 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A10 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A12 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A02 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227 Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Diode Configuration: 2 Independent |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A02 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A04 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227 Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A06 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A10 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227 Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A10 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A12 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR30005CT | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| MUR30005CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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MUR30005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| MUR30005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| MUR30010CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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MUR30010CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| MUR30010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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MUR30010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR30020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| MUR30020CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| MUR30020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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MUR30020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR30040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| MUR30040CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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MUR30040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| MUR30040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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MUR30060CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| MUR30060CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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MUR30060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MUR2560 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 25A DO4
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Description: DIODE GEN PURP 600V 25A DO4
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2560R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 600V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2560R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A02 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A02 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A04 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A04 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 60A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 400V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A06 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A06 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 60A Fwd Super Fast Recovery
Rectifiers 600V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A10 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 60A Fwd Super Fast Recovery
Rectifiers 1000V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A12 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A12 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A02 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 85.13 EUR |
| MUR2X060A04 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A04 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A06 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A06 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 91.77 EUR |
| 10+ | 79.09 EUR |
| 25+ | 74.54 EUR |
| 52+ | 71.27 EUR |
| 104+ | 70.82 EUR |
| MUR2X060A10 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A10 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A12 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A12 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A02 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 96.89 EUR |
| 25+ | 95.35 EUR |
| MUR2X100A02 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A04 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 104.89 EUR |
| 10+ | 90.87 EUR |
| MUR2X100A04 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A06 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A06 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A10 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A10 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A12 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A12 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A02 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A02 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A04 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A04 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A06 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A06 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A10 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A10 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A12 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A12 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30005CT |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30005CT |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30005CTR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30005CTR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30010CT |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30010CT |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30010CTR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30010CTR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30020CT |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30020CT |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30020CTR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30020CTR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30040CT |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30040CT |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30040CTR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30040CTR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30060CT |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30060CT |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR30060CTR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH