Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4240) > Seite 59 nach 71
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MUR20040CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
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MUR20040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower |
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| MUR20040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
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MUR20040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery |
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MUR20060CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUR20060CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
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| MUR20060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
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MUR20060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R |
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MUR2505 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 25A Super Fast Recovery |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUR2505 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 50V 25A DO4Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount |
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MUR2505R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
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| MUR2505R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk Technology: Standard, Reverse Polarity |
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MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4 |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 25A Super Fast Recovery |
auf Bestellung 633 Stücke: Lieferzeit 101-105 Tag (e) |
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MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4 |
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MUR2510R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 101-105 Tag (e) |
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MUR2510R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
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MUR2520 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 25A Super Fast Recovery |
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MUR2520R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUR2520R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 |
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MUR2540 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 25A Super Fast Recovery |
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| MUR2540 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A |
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| MUR2540R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk |
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MUR2540R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
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| MUR2560 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 25A DO4Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud |
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MUR2560 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 25A Super Fast Recovery |
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| MUR2560R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount |
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MUR2560R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
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MUR2X030A02 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 30A SOT-227Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
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MUR2X030A02 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 60A Fwd Super Fast Recovery |
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MUR2X030A04 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 400V 60A Fwd Super Fast Recovery |
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MUR2X030A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
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MUR2X030A06 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 60A Fwd Super Fast Recovery |
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MUR2X030A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 30A SOT-227Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
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MUR2X030A10 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 60A Fwd Super Fast Recovery |
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MUR2X030A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V |
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MUR2X030A12 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery |
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MUR2X060A02 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR2X060A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
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MUR2X060A04 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery |
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MUR2X060A06 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR2X060A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUR2X060A10 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227 |
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MUR2X060A10 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUR2X060A12 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUR2X060A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUR2X100A02 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR2X100A02 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR2X100A04 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A06 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A10 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A10 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A12 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X100A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A02 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Diode Configuration: 2 Independent |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A02 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MUR2X120A04 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MUR20040CT |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR20040CT |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower
Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR20040CTR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR20040CTR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR20060CT |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 176.7 EUR |
| 10+ | 155.2 EUR |
| 25+ | 147.38 EUR |
| 40+ | 147.33 EUR |
| MUR20060CT |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR20060CTR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR20060CTR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2505 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 25A Super Fast Recovery
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 23.71 EUR |
| 10+ | 19.76 EUR |
| 25+ | 18.36 EUR |
| 100+ | 16.74 EUR |
| 250+ | 14.47 EUR |
| MUR2505 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Description: DIODE GEN PURP 50V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2505R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2505R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Technology: Standard, Reverse Polarity
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Technology: Standard, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2510 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 22.27 EUR |
| 25+ | 19.32 EUR |
| 50+ | 17.71 EUR |
| 100+ | 16.51 EUR |
| 250+ | 15.3 EUR |
| MUR2510 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 100V 25A Super Fast Recovery
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 101-105 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 23.71 EUR |
| 10+ | 19.76 EUR |
| 25+ | 18.36 EUR |
| 100+ | 16.7 EUR |
| 250+ | 16.68 EUR |
| MUR2510 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2510R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 100V 25A REV Leads Super Fast Recovery
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 101-105 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 23.71 EUR |
| 10+ | 19.76 EUR |
| 25+ | 18.36 EUR |
| 100+ | 16.7 EUR |
| 250+ | 16.68 EUR |
| MUR2510R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2520 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 200V 25A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2520R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 200V 25A REV Leads Super Fast Recovery
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 19.92 EUR |
| 10+ | 16.6 EUR |
| 25+ | 15.44 EUR |
| 100+ | 13.82 EUR |
| 250+ | 13.36 EUR |
| MUR2520R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2540 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 400V 25A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2540 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2540R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2540R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 400V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2560 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 25A DO4
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Description: DIODE GEN PURP 600V 25A DO4
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2560 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 600V 25A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2560R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2560R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 600V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A02 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A02 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 60A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 400V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A06 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 60A Fwd Super Fast Recovery
Rectifiers 600V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A06 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A10 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 60A Fwd Super Fast Recovery
Rectifiers 1000V 60A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A12 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery
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Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A02 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.54 EUR |
| MUR2X060A04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A04 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery
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Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A06 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 77.12 EUR |
| 10+ | 66.46 EUR |
| 25+ | 62.64 EUR |
| 52+ | 59.89 EUR |
| 104+ | 59.51 EUR |
| MUR2X060A06 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A10 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
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Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A10 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery
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Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery
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Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
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Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A02 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 79.02 EUR |
| 10+ | 68.46 EUR |
| 25+ | 61.64 EUR |
| MUR2X100A02 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 88.14 EUR |
| 10+ | 76.36 EUR |
| MUR2X100A04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A06 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A06 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A10 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A10 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A02 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A02 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X120A04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH





