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MURTA30040 MURTA30040 GeneSiC Semiconductor murta30040-2452624.pdf Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30040R MURTA30040R GeneSiC Semiconductor murta30040r-2452987.pdf Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30040R MURTA30040R GeneSiC Semiconductor murta30020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURTA30060 MURTA30060 GeneSiC Semiconductor murta30060-3482664.pdf Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30060 MURTA30060 GeneSiC Semiconductor murta300120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA30060R MURTA30060R GeneSiC Semiconductor murta300120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA30060R MURTA30060R GeneSiC Semiconductor murta30060r-3482811.pdf Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA400120 MURTA400120 GeneSiC Semiconductor murta400120.pdf Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA400120R MURTA400120R GeneSiC Semiconductor murta400120r.pdf Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA40020 MURTA40020 GeneSiC Semiconductor murta40020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURTA40020 MURTA40020 GeneSiC Semiconductor murta40020-2452482.pdf Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA40020R MURTA40020R GeneSiC Semiconductor murta40020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURTA40020R MURTA40020R GeneSiC Semiconductor murta40020r-2452309.pdf Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA40040 MURTA40040 GeneSiC Semiconductor murta40040-2452406.pdf Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA40040 MURTA40040 GeneSiC Semiconductor murta40020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURTA40040R MURTA40040R GeneSiC Semiconductor murta40040r-2452777.pdf Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA40040R MURTA40040R GeneSiC Semiconductor murta40020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURTA40060 MURTA40060 GeneSiC Semiconductor murta400120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA40060 MURTA40060 GeneSiC Semiconductor murta40060-2452818.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA40060R MURTA40060R GeneSiC Semiconductor murta400120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA40060R MURTA40060R GeneSiC Semiconductor murta40060r-2452349.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA500120 MURTA500120 GeneSiC Semiconductor murta500120.pdf Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA500120 MURTA500120 GeneSiC Semiconductor murta500120-2452673.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
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MURTA500120R MURTA500120R GeneSiC Semiconductor murta500120.pdf Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA500120R MURTA500120R GeneSiC Semiconductor murta500120r-2452820.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
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MURTA50020 MURTA50020 GeneSiC Semiconductor murta50020-2452676.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35
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MURTA50020 MURTA50020 GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50020R MURTA50020R GeneSiC Semiconductor murta50020r-2452898.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35
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MURTA50020R MURTA50020R GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50040 MURTA50040 GeneSiC Semiconductor murta50040-2452947.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71
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MURTA50040 MURTA50040 GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50040R MURTA50040R GeneSiC Semiconductor murta50040r-2452679.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71
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MURTA50040R MURTA50040R GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50060 MURTA50060 GeneSiC Semiconductor murta50060-2452351.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141
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MURTA50060 MURTA50060 GeneSiC Semiconductor murta500120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50060R MURTA50060R GeneSiC Semiconductor murta50060r-2452682.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50060R MURTA50060R GeneSiC Semiconductor murta500120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA600120 MURTA600120 GeneSiC Semiconductor murta60060.pdf Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA600120 MURTA600120 GeneSiC Semiconductor murta600120-2452627.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
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MURTA600120R MURTA600120R GeneSiC Semiconductor murta600120r-2453296.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA600120R MURTA600120R GeneSiC Semiconductor murta60060.pdf Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60020 MURTA60020 GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60020 MURTA60020 GeneSiC Semiconductor murta60020-2452736.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
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MURTA60020R MURTA60020R GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60020R MURTA60020R GeneSiC Semiconductor murta60020r-2453077.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
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MURTA60040 MURTA60040 GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60040 MURTA60040 GeneSiC Semiconductor murta60040-2452532.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
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MURTA60040R MURTA60040R GeneSiC Semiconductor murta60040r-2453298.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
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MURTA60040R MURTA60040R GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60060 MURTA60060 GeneSiC Semiconductor murta60060-2452738.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
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MURTA60060 MURTA60060 GeneSiC Semiconductor murta60060.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60060R MURTA60060R GeneSiC Semiconductor murta60060.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60060R MURTA60060R GeneSiC Semiconductor murta60060r-2452739.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
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NV6117 NV6117 GeneSiC Semiconductor nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf Power IC 8-Pin QFN EP
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NV6117-RA NV6117-RA GeneSiC Semiconductor nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf Power IC 8-Pin QFN EP
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.64 EUR
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NV6117-RA NV6117-RA GeneSiC Semiconductor nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.64 EUR
2000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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NV6125 NV6125 GeneSiC Semiconductor nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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NV6125 NV6125 GeneSiC Semiconductor nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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NV6127 NV6127 GeneSiC Semiconductor nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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NV6127 NV6127 GeneSiC Semiconductor nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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MURTA30040 murta30040-2452624.pdf
MURTA30040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30040R murta30040r-2452987.pdf
MURTA30040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURTA30060 murta30060-3482664.pdf
MURTA30060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30060 murta300120.pdf
MURTA30060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA30060R murta300120.pdf
MURTA30060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA30060R murta30060r-3482811.pdf
MURTA30060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA400120 murta400120.pdf
MURTA400120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA400120R murta400120r.pdf
MURTA400120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA40020 murta40020.pdf
MURTA40020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURTA40020 murta40020-2452482.pdf
MURTA40020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA40020R murta40020.pdf
MURTA40020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURTA40020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA40040 murta40040-2452406.pdf
MURTA40040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA40040 murta40020.pdf
MURTA40040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURTA40040R murta40040r-2452777.pdf
MURTA40040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA40040R murta40020.pdf
MURTA40040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURTA40060 murta400120.pdf
MURTA40060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA40060 murta40060-2452818.pdf
MURTA40060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+289.29 EUR
10+261.73 EUR
24+261.71 EUR
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MURTA40060R murta400120.pdf
MURTA40060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA40060R murta40060r-2452349.pdf
MURTA40060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery
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MURTA500120 murta500120.pdf
MURTA500120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA500120 murta500120-2452673.pdf
MURTA500120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
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MURTA500120R murta500120.pdf
MURTA500120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA500120R murta500120r-2452820.pdf
MURTA500120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50020 murta50020-2452676.pdf
MURTA50020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50020 murta50020.pdf
MURTA50020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50020R murta50020r-2452898.pdf
MURTA50020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50020R murta50020.pdf
MURTA50020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50040 murta50040-2452947.pdf
MURTA50040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50040 murta50020.pdf
MURTA50040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50040R murta50040r-2452679.pdf
MURTA50040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50040R murta50020.pdf
MURTA50040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50060 murta50060-2452351.pdf
MURTA50060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50060 murta500120.pdf
MURTA50060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50060R murta50060r-2452682.pdf
MURTA50060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50060R murta500120.pdf
MURTA50060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA600120 murta60060.pdf
MURTA600120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA600120 murta600120-2452627.pdf
MURTA600120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
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MURTA600120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
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MURTA600120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA60020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
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MURTA60020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60020R murta60020r-2453077.pdf
MURTA60020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
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MURTA60040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60040 murta60040-2452532.pdf
MURTA60040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
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MURTA60040R murta60040r-2453298.pdf
MURTA60040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
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MURTA60040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60060 murta60060-2452738.pdf
MURTA60060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
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MURTA60060 murta60060.pdf
MURTA60060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60060R murta60060r-2452739.pdf
MURTA60060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
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NV6117 nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf
NV6117
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
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NV6117-RA nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf
NV6117-RA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+4.64 EUR
2000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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NV6117-RA nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf
NV6117-RA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+4.64 EUR
2000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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NV6125 nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6125
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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NV6125 nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6125
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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NV6127 nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6127
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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NV6127 nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6127
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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