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MURT30010 MURT30010 GeneSiC Semiconductor murt30005.pdf Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
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MURT30010 MURT30010 GeneSiC Semiconductor murt30010-2452942.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
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MURT30010R MURT30010R GeneSiC Semiconductor murt30010r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
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MURT30010R MURT30010R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
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MURT30020 MURT30020 GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
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MURT30020 MURT30020 GeneSiC Semiconductor murt30020-3482446.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
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MURT30020R MURT30020R GeneSiC Semiconductor murt30020r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
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MURT30020R MURT30020R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
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MURT30040 MURT30040 GeneSiC Semiconductor murt30040.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
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MURT30040 MURT30040 GeneSiC Semiconductor murt30040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURT30040R MURT30040R GeneSiC Semiconductor murt30040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURT30040R MURT30040R GeneSiC Semiconductor murt30040r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
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MURT30060 MURT30060 GeneSiC Semiconductor murt30040_thru_murt30060r.pdf Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
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MURT30060 MURT30060 GeneSiC Semiconductor murt30060-3482605.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
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MURT30060R MURT30060R GeneSiC Semiconductor murt30040_thru_murt30060r.pdf Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
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MURT30060R MURT30060R GeneSiC Semiconductor murt30060r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
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MURT40005 MURT40005 GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r-1132944.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
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MURT40005 MURT40005 GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
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MURT40005R MURT40005R GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
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MURT40005R MURT40005R GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r-1132944.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
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MURT40010 MURT40010 GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
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MURT40010 MURT40010 GeneSiC Semiconductor murt40010-3482099.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
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MURT40010R MURT40010R GeneSiC Semiconductor murt40010r-3481635.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
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MURT40010R MURT40010R GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
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MURT40020 MURT40020 GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
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MURT40020 MURT40020 GeneSiC Semiconductor murt40020-2452471.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
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MURT40020R MURT40020R GeneSiC Semiconductor murt40020r-2452474.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
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MURT40020R MURT40020R GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
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MURT40040 MURT40040 GeneSiC Semiconductor murt40040-1857161.pdf Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
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MURT40040 MURT40040 GeneSiC Semiconductor murt40040.pdf Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
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MURT40040R MURT40040R GeneSiC Semiconductor murt40040r-1857352.pdf Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
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MURT40040R MURT40040R GeneSiC Semiconductor murt40040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+226.74 EUR
10+201.51 EUR
25+192.27 EUR
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MURT40060 MURT40060 GeneSiC Semiconductor murt40040.pdf Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
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MURT40060 MURT40060 GeneSiC Semiconductor murt40040_thru_murt40060r-475664.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MURT40060R MURT40060R GeneSiC Semiconductor murt40040_thru_murt40060r-475664.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
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MURT40060R MURT40060R GeneSiC Semiconductor murt40040.pdf Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
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MURTA200120 MURTA200120 GeneSiC Semiconductor murta200120-3482663.pdf Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA200120R MURTA200120R GeneSiC Semiconductor murta200120r-3482713.pdf Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20020 MURTA20020 GeneSiC Semiconductor murta20020-3482622.pdf Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20020R MURTA20020R GeneSiC Semiconductor murta20020r-3482452.pdf Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20040 MURTA20040 GeneSiC Semiconductor murta20040-3482650.pdf Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20040R MURTA20040R GeneSiC Semiconductor murta20040r-3481754.pdf Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20060 MURTA20060 GeneSiC Semiconductor murta20060.pdf Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20060R MURTA20060R GeneSiC Semiconductor murta20060r.pdf Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA300120 MURTA300120 GeneSiC Semiconductor murta300120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
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MURTA300120 MURTA300120 GeneSiC Semiconductor murta300120-2452734.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA300120R MURTA300120R GeneSiC Semiconductor murta300120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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MURTA300120R MURTA300120R GeneSiC Semiconductor murta300120r-2452527.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30020 MURTA30020 GeneSiC Semiconductor murta30020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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MURTA30020 MURTA30020 GeneSiC Semiconductor murta30020-2452946.pdf Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30020R MURTA30020R GeneSiC Semiconductor murta30020r-2452670.pdf Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30020R MURTA30020R GeneSiC Semiconductor murta30020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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MURTA30040 MURTA30040 GeneSiC Semiconductor murta30040-2452624.pdf Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30040 MURTA30040 GeneSiC Semiconductor murta30020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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MURTA30040R MURTA30040R GeneSiC Semiconductor murta30020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
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MURTA30040R MURTA30040R GeneSiC Semiconductor murta30040r-2452987.pdf Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30060 MURTA30060 GeneSiC Semiconductor murta300120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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MURTA30060 MURTA30060 GeneSiC Semiconductor murta30060-3482664.pdf Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30060R MURTA30060R GeneSiC Semiconductor murta300120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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MURTA30060R MURTA30060R GeneSiC Semiconductor murta30060r-3482811.pdf Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
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MURT30010 murt30005.pdf
MURT30010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
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MURT30010 murt30010-2452942.pdf
MURT30010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
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MURT30010R murt30010r.pdf
MURT30010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
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MURT30010R murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
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MURT30020 murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
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MURT30020 murt30020-3482446.pdf
MURT30020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
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MURT30020R murt30020r.pdf
MURT30020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
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MURT30020R murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30040 murt30040.pdf
MURT30040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT30040 murt30040.pdf
MURT30040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURT30040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURT30040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
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MURT30060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
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MURT30060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
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MURT30060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
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MURT30060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
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MURT40005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
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MURT40005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
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MURT40005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
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MURT40005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
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MURT40010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
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MURT40010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
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MURT40010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
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MURT40010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
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MURT40020 murt40005_thru_murt40020r.pdf
MURT40020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
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MURT40020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
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MURT40020R murt40020r-2452474.pdf
MURT40020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
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MURT40020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
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MURT40040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
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MURT40040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
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MURT40040R murt40040r-1857352.pdf
MURT40040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
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MURT40040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+226.74 EUR
10+201.51 EUR
25+192.27 EUR
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MURT40060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
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MURT40060 murt40040_thru_murt40060r-475664.pdf
MURT40060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MURT40060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
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MURT40060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
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MURTA200120 murta200120-3482663.pdf
MURTA200120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA200120R murta200120r-3482713.pdf
MURTA200120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20020 murta20020-3482622.pdf
MURTA20020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20020R murta20020r-3482452.pdf
MURTA20020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20040 murta20040-3482650.pdf
MURTA20040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20040R murta20040r-3481754.pdf
MURTA20040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA20060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
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MURTA300120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
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MURTA300120 murta300120-2452734.pdf
MURTA300120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA300120R murta300120.pdf
MURTA300120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA300120R murta300120r-2452527.pdf
MURTA300120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30020 murta30020.pdf
MURTA30020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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MURTA30020 murta30020-2452946.pdf
MURTA30020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
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MURTA30020R murta30020r-2452670.pdf
MURTA30020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30020R murta30020.pdf
MURTA30020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30040 murta30040-2452624.pdf
MURTA30040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30040 murta30020.pdf
MURTA30040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30040R murta30020.pdf
MURTA30040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30040R murta30040r-2452987.pdf
MURTA30040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30060 murta300120.pdf
MURTA30060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30060 murta30060-3482664.pdf
MURTA30060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30060R murta300120.pdf
MURTA30060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30060R murta30060r-3482811.pdf
MURTA30060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
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