Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4237) > Seite 64 nach 71
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MURT30010R | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER |
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MURT30020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER |
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MURT30020 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R |
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MURT30020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER |
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MURT30020R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R |
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MURT30040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
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MURT30040 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R |
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MURT30040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
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MURT30040R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R |
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MURT30060 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R |
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MURT30060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER |
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MURT30060R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R |
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MURT30060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER |
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MURT40005 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R |
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MURT40005 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER |
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MURT40005R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER |
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MURT40005R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R |
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MURT40010 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER |
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MURT40010 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R |
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MURT40010R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R |
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MURT40010R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER |
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MURT40020 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R |
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MURT40020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER |
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MURT40020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER |
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MURT40020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R |
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MURT40040 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery |
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MURT40040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER |
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MURT40040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 180 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MURT40040R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery |
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MURT40060 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MURT40060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER |
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MURT40060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER |
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MURT40060R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R |
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MURTA200120 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery |
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MURTA200120R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery |
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MURTA20020 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURTA20020R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURTA20040 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURTA20040R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery |
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MURTA20060 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURTA20060R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery |
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MURTA300120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
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MURTA300120 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery |
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MURTA300120R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery |
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MURTA300120R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
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MURTA30020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V |
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MURTA30020 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery |
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MURTA30020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery |
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MURTA30020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V |
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MURTA30040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
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MURTA30040 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery |
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MURTA30040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURTA30040R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURTA30060 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURTA30060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURTA30060R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURTA30060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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MURTA400120 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURTA400120R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MURTA40020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MURT30010R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30020 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30020 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30020R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30020R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30040 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30040 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30040R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30040R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30060R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT30060R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT40005 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT40005 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT40005R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURT40005R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
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| MURT40010 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
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| MURT40010R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
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| MURT40020 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
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| MURT40020R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
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| MURT40020R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
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| MURT40040 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
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| MURT40040R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 201.51 EUR |
| 25+ | 192.27 EUR |
| MURT40040R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MURT40060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
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| MURT40060R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
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| MURT40060R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
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| MURTA200120 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
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| MURTA200120R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
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| MURTA20020 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
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| MURTA20020R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
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| MURTA20040 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
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| MURTA20040R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
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| MURTA20060 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
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| MURTA20060R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
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| MURTA300120 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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| MURTA300120 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
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| MURTA300120R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
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| MURTA300120R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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| MURTA30020 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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| MURTA30020 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
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| MURTA30020R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
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| MURTA30020R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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| MURTA30040 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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| MURTA30040 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA30040R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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| MURTA30040R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
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Stück im Wert von UAH
| MURTA30060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA30060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Stück im Wert von UAH
| MURTA30060R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA30060R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA400120 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA400120R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA40020 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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Stück im Wert von UAH