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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSRTA500100A MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500100(A) MSRTA500100(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500120(A) MSRTA500120(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500140(A) MSRTA500140(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
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MSRTA500160(A) MSRTA500160(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA50060(A) MSRTA50060(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
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MSRTA50080(A) MSRTA50080(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA6001 MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600100(A) MSRTA600100(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
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MSRTA600100A MSRTA600100A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600120(A) MSRTA600120(A) GeneSiC Semiconductor msrta600120a_thru_msrta600160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600140(A) MSRTA600140(A) GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA6001R MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA60060(A) MSRTA60060(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA60080(A) MSRTA60080(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CT MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct-3480606.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MUR10005CTR MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
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MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR10010CT MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10010ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR10010CTR MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10010ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10020ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+144.16 EUR
10+124.78 EUR
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MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
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 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor mur10020ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CT MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
auf Bestellung 6 Stücke:
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MUR20005CT MUR20005CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct-3480153.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ctr-3480551.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CT MUR20010CT GeneSiC Semiconductor mur20010ct-3481743.pdf Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CT MUR20010CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CTR MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CTR MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor mur20010ctr-3481513.pdf Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT MUR20020CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Diode Switching 200V 200A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT MUR20020CT GeneSiC Semiconductor mur20020ct.pdf Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CTR MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor mur20020ctr-3482794.pdf Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20040CT MUR20040CT GeneSiC Semiconductor mur20040ct-3482093.pdf Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20040CT MUR20040CT GeneSiC Semiconductor mur20060ctr.pdf Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20040CTR MUR20040CTR GeneSiC Semiconductor mur20040ctr-3481210.pdf Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20060CT GeneSiC Semiconductor mur20040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20060CT MUR20060CT GeneSiC Semiconductor mur20060ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
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MUR20060CTR MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor mur20060ctr-3482287.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
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MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor mur20040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR2505 MUR2505 GeneSiC Semiconductor mur2505.pdf Rectifiers 50V 25A Super Fast Recovery
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MUR2505R MUR2505R GeneSiC Semiconductor mur2505r-2453515.pdf Rectifiers 50V 25A REV Leads Super Fast Recovery
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MUR2510 MUR2510 GeneSiC Semiconductor mur2510r.pdf Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
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MUR2510 MUR2510 GeneSiC Semiconductor mur2510.pdf Rectifiers 100V 25A Super Fast Recovery
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MUR2510 MUR2510 GeneSiC Semiconductor mur2510r.pdf Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
auf Bestellung 375 Stücke:
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100+20.11 EUR
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MUR2510R MUR2510R GeneSiC Semiconductor mur2505.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MSRTA500100A
MSRTA500100A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MSRTA500100(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA500100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
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MSRTA500120(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
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MSRTA500140(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
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MSRTA500160(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
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MSRTA50060(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA50060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
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MSRTA50080(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA50080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
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MSRTA6001 threetower.pdf
MSRTA6001
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
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MSRTA600100(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA600100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
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MSRTA600100A MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf
MSRTA600100A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MSRTA600120(A) msrta600120a_thru_msrta600160a.pdf
MSRTA600120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
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MSRTA600140(A)
MSRTA600140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
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MSRTA6001R threetower.pdf
MSRTA6001R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
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MSRTA60060(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA60060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
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MSRTA60080(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA60080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
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MUR10005CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MUR10005CT mur10005ct-3480606.pdf
MUR10005CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MUR10005CTR mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10005CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
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MUR10005CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MUR10010CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR10010CT mur10010ct.pdf
MUR10010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR10010CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR10010CTR mur10010ctr.pdf
MUR10010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR10020CT mur10020ct.pdf
MUR10020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+124.78 EUR
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MUR10020CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT mur10005ct.pdf
MUR10020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR mur10020ctr.pdf
MUR10020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT mur10040ct.pdf
MUR10040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR mur10040ctr.pdf
MUR10040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CT mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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MUR10060CT mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
auf Bestellung 6 Stücke:
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MUR20005CT mur20005ct-3480153.pdf
MUR20005CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CT mur20005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR mur20005ctr-3480551.pdf
MUR20005CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR mur20005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MUR20010CT mur20010ct-3481743.pdf
MUR20010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
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MUR20010CT mur20005ct.pdf
MUR20010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR20010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR20010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR20020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 200A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR20020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR20020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR20040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR20040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR20040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR20060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+252.65 EUR
10+252.63 EUR
25+206.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR20060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR2505
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 25A Super Fast Recovery
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+23.7 EUR
10+20.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR2505R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2510 mur2510r.pdf
MUR2510
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2510 mur2510.pdf
MUR2510
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 25A Super Fast Recovery
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+23.7 EUR
10+20.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2510 mur2510r.pdf
MUR2510
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+27.12 EUR
25+23.53 EUR
50+21.56 EUR
100+20.11 EUR
250+18.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2510R mur2505.pdf
MUR2510R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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