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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MBRTA80035 MBRTA80035 GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80035L MBRTA80035L GeneSiC Semiconductor mbrta80035(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80035R MBRTA80035R GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80035RL MBRTA80035RL GeneSiC Semiconductor mbrta80035(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80040 MBRTA80040 GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040L MBRTA80040L GeneSiC Semiconductor mbrta80040(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040R MBRTA80040R GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040RL MBRTA80040RL GeneSiC Semiconductor mbrta80040(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80045 MBRTA80045 GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045L MBRTA80045L GeneSiC Semiconductor mbrta80045(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045R MBRTA80045R GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045RL MBRTA80045RL GeneSiC Semiconductor mbrta80045(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80060 MBRTA80060 GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 400A 3TOWER
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MBRTA80060R MBRTA80060R GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 400A 3TOWER
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MBRTA80080 MBRTA80080 GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER
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MBRTA80080R MBRTA80080R GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER
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MDS100-12 GeneSiC Semiconductor Array
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MDS100-16 GeneSiC Semiconductor
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MDS150-16 GeneSiC Semiconductor GeneSiC
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MDS200-16 GeneSiC Semiconductor
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MDS75-08 GeneSiC Semiconductor GeneSiC
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MDS75-12 GeneSiC Semiconductor GeneSiC
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MDS75-16 GeneSiC Semiconductor GeneSiC
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MSRT100100AD MSRT100100AD GeneSiC Semiconductor msrt100100ad.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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MSRT100100(A)D MSRT100100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt10060ad_thru_msrt100100ad-1132692.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1000V 100A Forward
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MSRT100100(A)D MSRT100100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
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MSRT100100D MSRT100100D GeneSiC Semiconductor msrt100100d.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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MSRT100120(A)D MSRT100120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
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MSRT100120AD MSRT100120AD GeneSiC Semiconductor msrt100120ad.pdf Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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MSRT100120(A)D MSRT100120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120ad_thru_msrt100160ad-1133132.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 100A Forward
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MSRT100120D MSRT100120D GeneSiC Semiconductor msrt100160d.pdf Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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MSRT100140(A)D MSRT100140(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120ad_thru_msrt100160ad-1133132.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1400V 100A Forward
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MSRT100140(A)D MSRT100140(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
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MSRT100140AD MSRT100140AD GeneSiC Semiconductor msrt100140ad.pdf Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
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MSRT100140D MSRT100140D GeneSiC Semiconductor msrt100160d.pdf Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
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MSRT100160(A)D MSRT100160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
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MSRT100160(A)D MSRT100160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120ad_thru_msrt100160ad-1133132.pdf Discrete Semiconductor Modules 1600V 100A Forward
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MSRT100160AD MSRT100160AD GeneSiC Semiconductor msrt100160ad.pdf Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT100160D MSRT100160D GeneSiC Semiconductor msrt100160d.pdf Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
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MSRT10060AD MSRT10060AD GeneSiC Semiconductor msrt10060ad.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT10060(A)D MSRT10060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt10060ad_thru_msrt100100ad-1132692.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 100A Forward
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MSRT10060(A)D MSRT10060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
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MSRT10060D MSRT10060D GeneSiC Semiconductor msrt10060d-2451945.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 100A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRT10060D MSRT10060D GeneSiC Semiconductor msrt100100d.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT10080(A)D MSRT10080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
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MSRT10080AD MSRT10080AD GeneSiC Semiconductor msrt10080ad.pdf Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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MSRT10080(A)D MSRT10080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt10060ad_thru_msrt100100ad-1132692.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 800V 100A Forward
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT10080D MSRT10080D GeneSiC Semiconductor msrt100100d.pdf Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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MSRT150100(A) MSRT150100(A) GeneSiC Semiconductor msrt15060a_thru_msrt150100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT150100A MSRT150100A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT150100(A)D MSRT150100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt15060ad_thru_msrt150100ad-1132828.pdf Discrete Semiconductor Modules 1000V 150A Forward
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MSRT150100(A)D MSRT150100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
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MSRT150100AD MSRT150100AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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MSRT150100D GeneSiC Semiconductor msrt150100d.pdf Description: 1000V 150A THREE TOWER SILICON R
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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MSRT150100D MSRT150100D GeneSiC Semiconductor msrt150100d-2452099.pdf Discrete Semiconductor Modules 1000V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRT150120(A)D GeneSiC Semiconductor 266908775065775msrt150120ad_thru_msrt150160ad.pdf Silicon Standard Recovery Diode
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MSRT150120(A) MSRT150120(A) GeneSiC Semiconductor msrt150120a_thru_msrt150160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT150120A MSRT150120A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT150120AD MSRT150120AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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MSRT150120(A)D MSRT150120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
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MBRTA80035 mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf
MBRTA80035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80035L mbrta80035(r)l.pdf
MBRTA80035L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRTA80035R mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf
MBRTA80035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80035RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80040 mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf
MBRTA80040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040R mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf
MBRTA80040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040RL mbrta80040(r)l.pdf
MBRTA80040RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80045 mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf
MBRTA80045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045L mbrta80045(r)l.pdf
MBRTA80045L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045R mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf
MBRTA80045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045RL mbrta80045(r)l.pdf
MBRTA80045RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80060 mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf
MBRTA80060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 400A 3TOWER
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MBRTA80060R mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf
MBRTA80060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 400A 3TOWER
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MBRTA80080 mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf
MBRTA80080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER
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MBRTA80080R mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf
MBRTA80080R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER
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MDS100-12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Array
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MDS100-16
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MDS150-16
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC
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MDS200-16
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MDS75-08
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC
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MDS75-12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC
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MDS75-16
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC
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MSRT100100AD msrt100100ad.pdf
MSRT100100AD
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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MSRT100100(A)D msrt10060ad_thru_msrt100100ad-1132692.pdf
MSRT100100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1000V 100A Forward
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MSRT100100(A)D msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf
MSRT100100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
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MSRT100100D msrt100100d.pdf
MSRT100100D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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MSRT100120(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
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MSRT100120AD msrt100120ad.pdf
MSRT100120AD
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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MSRT100120(A)D msrt100120ad_thru_msrt100160ad-1133132.pdf
MSRT100120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 100A Forward
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MSRT100120D msrt100160d.pdf
MSRT100120D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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MSRT100140(A)D msrt100120ad_thru_msrt100160ad-1133132.pdf
MSRT100140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1400V 100A Forward
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MSRT100140(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
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MSRT100140AD msrt100140ad.pdf
MSRT100140AD
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT100140D msrt100160d.pdf
MSRT100140D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
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MSRT100160(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
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MSRT100160(A)D msrt100120ad_thru_msrt100160ad-1133132.pdf
MSRT100160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1600V 100A Forward
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MSRT100160AD msrt100160ad.pdf
MSRT100160AD
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT100160D msrt100160d.pdf
MSRT100160D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
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MSRT10060AD msrt10060ad.pdf
MSRT10060AD
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT10060(A)D msrt10060ad_thru_msrt100100ad-1132692.pdf
MSRT10060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 100A Forward
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MSRT10060(A)D msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf
MSRT10060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
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MSRT10060D msrt10060d-2451945.pdf
MSRT10060D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 100A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT10060D msrt100100d.pdf
MSRT10060D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT10080(A)D msrt100100(a)d.pdf
MSRT10080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT10080AD msrt10080ad.pdf
MSRT10080AD
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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MSRT10080(A)D msrt10060ad_thru_msrt100100ad-1132692.pdf
MSRT10080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 800V 100A Forward
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT10080D msrt100100d.pdf
MSRT10080D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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MSRT150100(A) msrt15060a_thru_msrt150100a.pdf
MSRT150100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT150100A
MSRT150100A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT150100(A)D msrt15060ad_thru_msrt150100ad-1132828.pdf
MSRT150100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 150A Forward
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT150100(A)D msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf
MSRT150100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT150100AD
MSRT150100AD
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT150100D msrt150100d.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1000V 150A THREE TOWER SILICON R
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT150100D msrt150100d-2452099.pdf
MSRT150100D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT150120(A)D 266908775065775msrt150120ad_thru_msrt150160ad.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Standard Recovery Diode
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MSRT150120(A) msrt150120a_thru_msrt150160a.pdf
MSRT150120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
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MSRT150120A
MSRT150120A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
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MSRT150120AD
MSRT150120AD
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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MSRT150120(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf
MSRT150120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
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