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MSRTA300120(A)D MSRTA300120(A)D GeneSiC Semiconductor msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
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MSRTA300120(A)D MSRTA300120(A)D GeneSiC Semiconductor msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf Rectifiers 1200V 300A Forward
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MSRTA300140(A)D MSRTA300140(A)D GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
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MSRTA300140(A)D MSRTA300140(A)D GeneSiC Semiconductor msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf Rectifiers 1400V 300A Forward
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MSRTA300160(A)D MSRTA300160(A)D GeneSiC Semiconductor msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching 1600V 300A Forward
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MSRTA300160(A)D MSRTA300160(A)D GeneSiC Semiconductor msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
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MSRTA300160D MSRTA300160D GeneSiC Semiconductor msrta300160d-2451954.pdf Discrete Semiconductor Modules 1600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA30060(A) MSRTA30060(A) GeneSiC Semiconductor msrta30020a_thru_msrta30060a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
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MSRTA30060(A)D MSRTA30060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
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MSRTA30060(A)D MSRTA30060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf Diode Modules 600V 300A Forward
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MSRTA30060D MSRTA30060D GeneSiC Semiconductor msrta30060d-3482793.pdf Diode Modules 600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA30080(A) MSRTA30080(A) GeneSiC Semiconductor www.genesicsemi.com Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
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MSRTA30080A MSRTA30080A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 800V 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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MSRTA30080(A)D MSRTA30080(A)D GeneSiC Semiconductor www.genesicsemi.com Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
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MSRTA30080(A)D MSRTA30080(A)D GeneSiC Semiconductor www.genesicsemi.com Diode Modules 800V 300A Forward
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MSRTA30080D MSRTA30080D GeneSiC Semiconductor msrta30080d-3482083.pdf Diode Modules 800V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA400100A MSRTA400100A GeneSiC Semiconductor MSRTA40060%28A%29%7EMSRTA400100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MSRTA400100(A) MSRTA400100(A) GeneSiC Semiconductor msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
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MSRTA400120A MSRTA400120A GeneSiC Semiconductor MSRTA400120%28A%29%7EMSRTA400160%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1200V 400A 3TOWER
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
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MSRTA400120(A) MSRTA400120(A) GeneSiC Semiconductor MSRTA400120(A)~MSRTA400160(A).pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
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MSRTA400140(A) MSRTA400140(A) GeneSiC Semiconductor msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
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MSRTA400160(A) MSRTA400160(A) GeneSiC Semiconductor msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
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MSRTA40060(A) MSRTA40060(A) GeneSiC Semiconductor msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
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MSRTA40080(A) MSRTA40080(A) GeneSiC Semiconductor Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
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MSRTA500100A MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MSRTA500100(A) MSRTA500100(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
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MSRTA500120(A) MSRTA500120(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
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MSRTA500140(A) MSRTA500140(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
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MSRTA500160(A) MSRTA500160(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
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MSRTA50060(A) MSRTA50060(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
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MSRTA50080(A) MSRTA50080(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
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MSRTA6001 MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
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MSRTA600100(A) MSRTA600100(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
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MSRTA600100A MSRTA600100A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MSRTA600120(A) MSRTA600120(A) GeneSiC Semiconductor msrta600120a_thru_msrta600160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
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MSRTA600140(A) MSRTA600140(A) GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
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MSRTA6001R MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
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MSRTA60060(A) MSRTA60060(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA60080(A) MSRTA60080(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
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MUR10005CT MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct-3480606.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
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MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CTR MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
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MUR10010CT MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10010ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CTR MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10010ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10020ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
auf Bestellung 20 Stücke:
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1+144.16 EUR
10+124.78 EUR
25+117.24 EUR
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MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
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 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor mur10020ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MUR10060CT MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
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MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MSRTA300120(A)D msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf
MSRTA300120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
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MSRTA300120(A)D msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf
MSRTA300120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 300A Forward
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MSRTA300140(A)D threetower.pdf
MSRTA300140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA300140(A)D msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf
MSRTA300140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1400V 300A Forward
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MSRTA300160(A)D msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf
MSRTA300160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching 1600V 300A Forward
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MSRTA300160(A)D msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf
MSRTA300160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA300160D msrta300160d-2451954.pdf
MSRTA300160D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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MSRTA30060(A) msrta30020a_thru_msrta30060a.pdf
MSRTA30060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA30060(A)D msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf
MSRTA30060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
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MSRTA30060(A)D msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf
MSRTA30060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Forward
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MSRTA30060D msrta30060d-3482793.pdf
MSRTA30060D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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MSRTA30080(A) www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
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MSRTA30080A
MSRTA30080A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
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MSRTA30080(A)D www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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MSRTA30080(A)D www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 300A Forward
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MSRTA30080D msrta30080d-3482083.pdf
MSRTA30080D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA400100A MSRTA40060%28A%29%7EMSRTA400100%28A%29.pdf
MSRTA400100A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MSRTA400100(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf
MSRTA400100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
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MSRTA400120A MSRTA400120%28A%29%7EMSRTA400160%28A%29.pdf
MSRTA400120A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 400A 3TOWER
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
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MSRTA400120(A) MSRTA400120(A)~MSRTA400160(A).pdf
MSRTA400120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA400140(A) msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf
MSRTA400140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA400160(A) msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf
MSRTA400160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA40060(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf
MSRTA40060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA40080(A)
MSRTA40080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
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MSRTA500100A
MSRTA500100A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MSRTA500100(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA500100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA500120(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
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MSRTA500140(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA500160(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA50060(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA50060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA50080(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA50080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA6001 threetower.pdf
MSRTA6001
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA600100(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA600100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MSRTA600100A MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf
MSRTA600100A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MSRTA600120(A) msrta600120a_thru_msrta600160a.pdf
MSRTA600120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600140(A)
MSRTA600140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA6001R threetower.pdf
MSRTA6001R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA60060(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA60060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA60080(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA60080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CT mur10005ct-3480606.pdf
MUR10005CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CTR mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10005CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CT mur10010ct.pdf
MUR10010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CTR mur10010ctr.pdf
MUR10010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT mur10020ct.pdf
MUR10020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+144.16 EUR
10+124.78 EUR
25+117.24 EUR
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MUR10020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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MUR10020CTR mur10020ctr.pdf
MUR10020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR10020CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR10040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
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MUR10040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MUR10060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
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MUR10060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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