Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (5689) > Seite 67 nach 95
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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KBP2005G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 50V 2A KBP Silicon Bridge Rectifer |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BR84 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 400P/280R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BR86 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 600P/420R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BR81 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 100P/70 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GD02MPS12E | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N3893R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 12A REV Leads Fast Recovery |
auf Bestellung 766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BR32 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G3F17MT12FB2 | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F18MT12FB4-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F09MT12FB2-T | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F18MT12FB4 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F09MT12FB2 | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F17MT12FB2-T | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSRTA200100D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MSRTA200140D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MSRTA200120D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MSRTA20080D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MSRTA200160D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| W01M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F25MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F45MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F60MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F45MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F60MT06D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F25MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F60MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F45MT06D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F33MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F33MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GBPC35005W | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE12MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE10MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE04MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 6046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G2R1000MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GBJ6B | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GBJ6G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GBJ6D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GBJ6K | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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S12B | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G3F09MT12GB4 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F09MT12GB4-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F05MT12GB2 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD15MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD05MPS17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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1N3297AR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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1N3289A | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BR1005 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Діодний міст KBU8M | GeneSiC Semiconductor | Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Діод Шотткі GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G2R1000MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7 Mounting: SMD Power dissipation: 54W Drain-source voltage: 1.7kV Kind of channel: enhancement Technology: G2R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Case: TO263-7 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R160MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 123W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 28nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| G3R160MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R160MT17D THT N channel transistors |
auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R20MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 219nC On-state resistance: 20mΩ Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R20MT12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 365W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R20MT17N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 70A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 523W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R350MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.35Ω Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 74W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R40MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A Case: TO247-3 On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MSRT200160(A) |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KBP2005G |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 2A KBP Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 50V 2A KBP Silicon Bridge Rectifer
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR84 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 400P/280R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR86 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 600P/420R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR81 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 100P/70
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 100P/70
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD02MPS12E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.2 EUR |
| 10+ | 1.9 EUR |
| 25+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 250+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.45 EUR |
| 1N3893R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 12A REV Leads Fast Recovery
Rectifiers 400V 12A REV Leads Fast Recovery
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 14.15 EUR |
| 10+ | 11.49 EUR |
| 25+ | 10.58 EUR |
| 100+ | 9.33 EUR |
| 250+ | 8.92 EUR |
| BR32 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3F17MT12FB2 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 166.28 EUR |
| G3F18MT12FB4-T |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 222.41 EUR |
| G3F09MT12FB2-T |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 245.8 EUR |
| G3F18MT12FB4 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 210.81 EUR |
| G3F09MT12FB2 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 232.99 EUR |
| G3F17MT12FB2-T |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 175.4 EUR |
| MSRTA200100D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSRTA200140D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSRTA200120D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSRTA20080D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSRTA200160D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| W01M |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 51.3 EUR |
| 10+ | 47.1 EUR |
| 30+ | 45.53 EUR |
| 100+ | 43.26 EUR |
| 250+ | 42.08 EUR |
| G3F25MT06K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 23.13 EUR |
| 10+ | 21.03 EUR |
| 30+ | 20.24 EUR |
| 120+ | 19.1 EUR |
| 270+ | 18.39 EUR |
| 510+ | 17.88 EUR |
| 1020+ | 17.35 EUR |
| G3F45MT06L-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.16 EUR |
| 10+ | 11.05 EUR |
| 25+ | 10.65 EUR |
| 100+ | 10.03 EUR |
| 250+ | 9.68 EUR |
| 500+ | 9.4 EUR |
| 1200+ | 9.13 EUR |
| G3F60MT06L-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.06 EUR |
| 10+ | 7.32 EUR |
| 25+ | 7.06 EUR |
| 100+ | 6.65 EUR |
| 250+ | 6.41 EUR |
| 500+ | 6.21 EUR |
| 1200+ | 6.04 EUR |
| G3F45MT06K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 14.91 EUR |
| 10+ | 13.55 EUR |
| 30+ | 13.02 EUR |
| 120+ | 12.3 EUR |
| 270+ | 11.84 EUR |
| 510+ | 11.51 EUR |
| 1020+ | 11.19 EUR |
| G3F60MT06D |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.23 EUR |
| 10+ | 10.23 EUR |
| 30+ | 9.82 EUR |
| 120+ | 9.28 EUR |
| 270+ | 8.92 EUR |
| 510+ | 8.68 EUR |
| 1020+ | 8.43 EUR |
| G3F25MT06L-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 22.48 EUR |
| 10+ | 20.43 EUR |
| 25+ | 19.66 EUR |
| 100+ | 18.55 EUR |
| 250+ | 17.86 EUR |
| 500+ | 17.35 EUR |
| 1200+ | 16.86 EUR |
| G3F60MT06K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.51 EUR |
| 10+ | 10.45 EUR |
| 30+ | 10.05 EUR |
| 120+ | 9.49 EUR |
| 270+ | 9.13 EUR |
| 510+ | 8.89 EUR |
| 1020+ | 8.62 EUR |
| G3F45MT06D |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 14.41 EUR |
| 10+ | 13.11 EUR |
| 30+ | 12.6 EUR |
| 120+ | 11.9 EUR |
| 270+ | 11.46 EUR |
| 510+ | 11.12 EUR |
| 1020+ | 10.81 EUR |
| G3F33MT06K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 17.18 EUR |
| 10+ | 15.63 EUR |
| 30+ | 15.03 EUR |
| 120+ | 14.2 EUR |
| 270+ | 13.68 EUR |
| 510+ | 13.27 EUR |
| 1020+ | 12.9 EUR |
| G3F33MT06L-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.12 EUR |
| 10+ | 14.66 EUR |
| 25+ | 14.12 EUR |
| 100+ | 13.32 EUR |
| 250+ | 12.81 EUR |
| 500+ | 12.46 EUR |
| 1200+ | 12.09 EUR |
| GBPC35005W |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE12MPS06E-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.45 EUR |
| 2500+ | 3.1 EUR |
| GE06MPS06E-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.08 EUR |
| 10+ | 2.69 EUR |
| 25+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 250+ | 2.22 EUR |
| 500+ | 2.11 EUR |
| 1000+ | 2.02 EUR |
| GE10MPS06E-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.17 EUR |
| 10+ | 3.68 EUR |
| 25+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 250+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.97 EUR |
| 1000+ | 2.85 EUR |
| GE04MPS06E-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 6046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.5 EUR |
| 10+ | 2.16 EUR |
| 25+ | 2.04 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 250+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.72 EUR |
| 2500+ | 1.46 EUR |
| G2R1000MT17J-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ6B |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ6G |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ6D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ6K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12B |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3F09MT12GB4 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 421.22 EUR |
| G3F09MT12GB4-T |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 444.38 EUR |
| G3F05MT12GB2 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 421.48 EUR |
| GD15MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.51 EUR |
| 10+ | 14.33 EUR |
| 30+ | 13.53 EUR |
| 120+ | 13.11 EUR |
| 270+ | 12.57 EUR |
| GD05MPS17J-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N3297AR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N3289A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR1005 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.19 EUR |
| 10+ | 2.39 EUR |
| 25+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.85 EUR |
| 200+ | 1.56 EUR |
| 600+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| Діодний міст KBU8M |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.13 EUR |
| 10+ | 3.78 EUR |
| Діод Шотткі GD20MPS12A |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 41.28 EUR |
| G2R1000MT17J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 6.84 EUR |
| 12+ | 6.11 EUR |
| G3R160MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.39 EUR |
| 11+ | 6.66 EUR |
| 30+ | 6.42 EUR |
| G3R160MT17D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17D THT N channel transistors
G3R160MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 13.8 EUR |
| 7+ | 10.88 EUR |
| G3R20MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 38.94 EUR |
| 3+ | 37.42 EUR |
| 10+ | 37.24 EUR |
| G3R20MT12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 60.86 EUR |
| G3R20MT17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 139.67 EUR |
| 3+ | 139.65 EUR |
| G3R350MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.65 EUR |
| G3R40MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 18.55 EUR |
| 5+ | 17.53 EUR |
| 30+ | 16.86 EUR |











