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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MBRT120150 MBRT120150 GeneSiC Semiconductor mbrt120150.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT120150R MBRT120150R GeneSiC Semiconductor mbrt120150.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT120150R MBRT120150R GeneSiC Semiconductor mbrt120150_thru_mbrt120200r-541807.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Reverse
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12020 MBRT12020 GeneSiC Semiconductor mbrt12020-3480640.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 20P/14
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT120200 MBRT120200 GeneSiC Semiconductor mbrt120200-3482706.pdf Diode Modules 200V 120A Forward
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT120200 MBRT120200 GeneSiC Semiconductor mbrt120150.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT120200R MBRT120200R GeneSiC Semiconductor mbrt120200r-3480819.pdf Diode Modules 200V 120A Reverse
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT120200R MBRT120200R GeneSiC Semiconductor mbrt120150.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12020R MBRT12020R GeneSiC Semiconductor mbrt12020r-3480650.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 20P/14
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12030 MBRT12030 GeneSiC Semiconductor mbrt12030-3479415.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 30P/21
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12030R MBRT12030R GeneSiC Semiconductor mbrt12030r-3480828.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 30P/21
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12035 MBRT12035 GeneSiC Semiconductor mbrt12035-3480836.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12035R MBRT12035R GeneSiC Semiconductor mbrt12035r-3481005.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12040 MBRT12040 GeneSiC Semiconductor mbrt12040-3479801.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12040R MBRT12040R GeneSiC Semiconductor mbrt12040r-3482256.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12045 MBRT12045 GeneSiC Semiconductor mbrt12045-3482378.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P32R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12045R MBRT12045R GeneSiC Semiconductor mbrt12045r-3482707.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P/32
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12060 MBRT12060 GeneSiC Semiconductor mbrt12060.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12060R MBRT12060R GeneSiC Semiconductor mbrt12060r.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12080 MBRT12080 GeneSiC Semiconductor mbrt12080-3481714.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT12080R MBRT12080R GeneSiC Semiconductor mbrt12080r-3480059.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200100 MBRT200100 GeneSiC Semiconductor mbrt200100-2451640.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200100 MBRT200100 GeneSiC Semiconductor mbrt200100.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+155.44 EUR
10+136.34 EUR
25+129.41 EUR
50+124.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200100R MBRT200100R GeneSiC Semiconductor mbrt200100r-2452725.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200100R MBRT200100R GeneSiC Semiconductor mbrt200100.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200150 MBRT200150 GeneSiC Semiconductor mbrt200150.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200150 MBRT200150 GeneSiC Semiconductor mbrt200150-2451869.pdf Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Forward
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200150R MBRT200150R GeneSiC Semiconductor mbrt200150.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200150R MBRT200150R GeneSiC Semiconductor mbrt200150r-2451644.pdf Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Reverse
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20020 MBRT20020 GeneSiC Semiconductor mbrt20020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20020 MBRT20020 GeneSiC Semiconductor mbrt20020-2451728.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200200 MBRT200200 GeneSiC Semiconductor mbrt200150.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200200 MBRT200200 GeneSiC Semiconductor mbrt200200-2451872.pdf Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Forward
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200200R MBRT200200R GeneSiC Semiconductor mbrt200200r-2451503.pdf Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Reverse
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200200R MBRT200200R GeneSiC Semiconductor mbrt200150.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20020R MBRT20020R GeneSiC Semiconductor mbrt20020r-2452223.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20020R MBRT20020R GeneSiC Semiconductor mbrt20020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20030 MBRT20030 GeneSiC Semiconductor mbrt20020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20030 MBRT20030 GeneSiC Semiconductor mbrt20030-3481569.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20030R MBRT20030R GeneSiC Semiconductor mbrt20020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20030R MBRT20030R GeneSiC Semiconductor mbrt20030r-3480374.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20035 MBRT20035 GeneSiC Semiconductor mbrt20035-3481175.pdf Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20035 MBRT20035 GeneSiC Semiconductor mbrt20020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20035R MBRT20035R GeneSiC Semiconductor mbrt20020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20035R MBRT20035R GeneSiC Semiconductor mbrt20035r-3479429.pdf Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20040 MBRT20040 GeneSiC Semiconductor mbrt20020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+168.43 EUR
10+147.73 EUR
25+140.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20040 MBRT20040 GeneSiC Semiconductor mbrt20040-1857028.pdf Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20040R MBRT20040R GeneSiC Semiconductor mbrt20040r-1857016.pdf Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20040R MBRT20040R GeneSiC Semiconductor mbrt20020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20045 MBRT20045 GeneSiC Semiconductor mbrt20045-3480070.pdf Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+163.08 EUR
10+143.04 EUR
25+135.77 EUR
40+135.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20045 MBRT20045 GeneSiC Semiconductor mbrt200100.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20045R MBRT20045R GeneSiC Semiconductor mbrt200100.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT20045R MBRT20045R GeneSiC Semiconductor mbrt20045r-1856991.pdf Discrete Semiconductor Modules 45V 200A Schottky Recovery
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MBRT20060 MBRT20060 GeneSiC Semiconductor mbrt20060-2452083.pdf Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
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MBRT20060 MBRT20060 GeneSiC Semiconductor mbrt200100.pdf Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
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MBRT20060 MBRT20060 GeneSiC Semiconductor mbrt200100.pdf Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
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MBRT20060 MBRT20060 GeneSiC Semiconductor mbrt200100.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT20060R MBRT20060R GeneSiC Semiconductor mbrt200100.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT20060R MBRT20060R GeneSiC Semiconductor mbrt20060r-2452087.pdf Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
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MBRT20080 MBRT20080 GeneSiC Semiconductor mbrt20080-2452226.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R
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MBRT120150 mbrt120150.pdf
MBRT120150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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MBRT120150R mbrt120150.pdf
MBRT120150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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MBRT120150R mbrt120150_thru_mbrt120200r-541807.pdf
MBRT120150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Reverse
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MBRT12020 mbrt12020-3480640.pdf
MBRT12020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 20P/14
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MBRT120200 mbrt120200-3482706.pdf
MBRT120200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 120A Forward
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MBRT120200 mbrt120150.pdf
MBRT120200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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MBRT120200R mbrt120200r-3480819.pdf
MBRT120200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 120A Reverse
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MBRT120200R mbrt120150.pdf
MBRT120200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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MBRT12020R mbrt12020r-3480650.pdf
MBRT12020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 20P/14
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MBRT12030 mbrt12030-3479415.pdf
MBRT12030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 30P/21
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MBRT12030R mbrt12030r-3480828.pdf
MBRT12030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 30P/21
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MBRT12035 mbrt12035-3480836.pdf
MBRT12035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25
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MBRT12035R mbrt12035r-3481005.pdf
MBRT12035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25
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MBRT12040 mbrt12040-3479801.pdf
MBRT12040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28
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MBRT12040R mbrt12040r-3482256.pdf
MBRT12040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28
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MBRT12045 mbrt12045-3482378.pdf
MBRT12045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P32R
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MBRT12045R mbrt12045r-3482707.pdf
MBRT12045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P/32
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MBRT12060 mbrt12060.pdf
MBRT12060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R
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MBRT12060R mbrt12060r.pdf
MBRT12060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R
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MBRT12080 mbrt12080-3481714.pdf
MBRT12080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R
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MBRT12080R mbrt12080r-3480059.pdf
MBRT12080R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R
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MBRT200100 mbrt200100-2451640.pdf
MBRT200100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70
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MBRT200100 mbrt200100.pdf
MBRT200100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+155.44 EUR
10+136.34 EUR
25+129.41 EUR
50+124.4 EUR
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MBRT200100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70
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MBRT200100R mbrt200100.pdf
MBRT200100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200150 mbrt200150.pdf
MBRT200150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200150 mbrt200150-2451869.pdf
MBRT200150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Forward
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200150R mbrt200150.pdf
MBRT200150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200150R mbrt200150r-2451644.pdf
MBRT200150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20020 mbrt20020.pdf
MBRT20020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20020 mbrt20020-2451728.pdf
MBRT20020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200200 mbrt200150.pdf
MBRT200200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200200 mbrt200200-2451872.pdf
MBRT200200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Forward
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200200R mbrt200200r-2451503.pdf
MBRT200200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT200200R mbrt200150.pdf
MBRT200200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20020R mbrt20020r-2452223.pdf
MBRT20020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20020R mbrt20020.pdf
MBRT20020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20030 mbrt20020.pdf
MBRT20030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20030 mbrt20030-3481569.pdf
MBRT20030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20030R mbrt20020.pdf
MBRT20030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20030R mbrt20030r-3480374.pdf
MBRT20030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20035 mbrt20035-3481175.pdf
MBRT20035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20035 mbrt20020.pdf
MBRT20035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20035R mbrt20020.pdf
MBRT20035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20035R mbrt20035r-3479429.pdf
MBRT20035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20040 mbrt20020.pdf
MBRT20040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+168.43 EUR
10+147.73 EUR
25+140.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20040 mbrt20040-1857028.pdf
MBRT20040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
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MBRT20040R mbrt20040r-1857016.pdf
MBRT20040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20040R mbrt20020.pdf
MBRT20040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20045 mbrt20045-3480070.pdf
MBRT20045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+163.08 EUR
10+143.04 EUR
25+135.77 EUR
40+135.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20045 mbrt200100.pdf
MBRT20045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20045R mbrt200100.pdf
MBRT20045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20045R mbrt20045r-1856991.pdf
MBRT20045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 45V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20060 mbrt20060-2452083.pdf
MBRT20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20060 mbrt200100.pdf
MBRT20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+442.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20060 mbrt200100.pdf
MBRT20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20060 mbrt200100.pdf
MBRT20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+168.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20060R mbrt200100.pdf
MBRT20060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+168.43 EUR
10+147.73 EUR
25+140.22 EUR
50+134.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20060R mbrt20060r-2452087.pdf
MBRT20060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT20080 mbrt20080-2452226.pdf
MBRT20080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R
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