Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4237) > Seite 50 nach 71
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MBRT20020 | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT200200 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Forward |
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MBRT200200 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
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MBRT200200R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
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MBRT200200R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Reverse |
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MBRT20020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14 |
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MBRT20020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT20030 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT20030 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21 |
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MBRT20030R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21 |
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MBRT20030R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT20035 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery |
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MBRT20035 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT20035R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT20035R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery |
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MBRT20040 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery |
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MBRT20040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRT20040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT20040R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery |
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MBRT20045 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRT20045 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT20045R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT20045R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 45V 200A Schottky Recovery |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery |
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MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower |
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MBRT20060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRT20060R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery |
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MBRT20080 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R |
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MBRT20080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT20080R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R |
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MBRT20080R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT300100 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70 |
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MBRT300100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT300100R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
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MBRT300100R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70 |
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MBRT300150 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER |
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MBRT300150 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 150V 300A Forward |
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MBRT300150R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER |
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MBRT300150R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 150V 300A Reverse |
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MBRT30020 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A 20P/14 |
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MBRT30020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 300A 3TOWER |
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MBRT300200 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 150V 300A Forward |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT300200 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER |
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MBRT300200R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 150V 300A Reverse |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRT300200R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRT30020L | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 3 TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRT30020L | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 300A Forward |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRT30020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 300A 3TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRT30020R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A 20P/14 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT30020RL | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 3 TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT30020RL | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 300A Reverse |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT30030 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 30V 300A 3TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT30030 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A 30P/21 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT30030L | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 3 TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT30030L | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 300A Forward |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT30030R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 30V 300A 3TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT30030R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A 30P/21 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBRT30030RL | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 300A Reverse |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MBRT20020 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT200200 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Forward
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Forward
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT200200 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT200200R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT200200R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Reverse
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20020R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14
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| MBRT20020R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Stück im Wert von UAH
| MBRT20030 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Stück im Wert von UAH
| MBRT20030 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
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Stück im Wert von UAH
| MBRT20030R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| MBRT20030R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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| MBRT20035 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
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Stück im Wert von UAH
| MBRT20035 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Stück im Wert von UAH
| MBRT20035R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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Stück im Wert von UAH
| MBRT20035R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20040 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20040 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 168.43 EUR |
| 10+ | 147.73 EUR |
| 25+ | 140.22 EUR |
| MBRT20040R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20040R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20045 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 163.08 EUR |
| 10+ | 143.04 EUR |
| 25+ | 135.77 EUR |
| 40+ | 135.66 EUR |
| MBRT20045 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20045R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20045R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 45V 200A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 45V 200A Schottky Recovery
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBRT20060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 168.43 EUR |
| MBRT20060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 448 EUR |
| MBRT20060 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20060R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 168.43 EUR |
| 10+ | 147.73 EUR |
| 25+ | 140.22 EUR |
| 50+ | 134.8 EUR |
| MBRT20060R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20080 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20080 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20080R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT20080R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT300100 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT300100 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT300100R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT300100R |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT300150 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRT300150 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 300A Forward
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| MBRT300150R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 150V 300A Reverse
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A 20P/14
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 300A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 300A Forward
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| MBRT300200 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
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| MBRT300200R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 300A Reverse
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| MBRT300200R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 300A Forward
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 300A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A 20P/14
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 300A Reverse
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 300A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A 30P/21
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| MBRT30030L |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 3 TOWER
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| MBRT30030L |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 300A Forward
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| MBRT30030R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 300A 3TOWER
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| MBRT30030R |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A 30P/21
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| MBRT30030RL |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 300A Reverse
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