Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4066) > Seite 28 nach 68
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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GD30MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 49A Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS06J | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-263-7 Current - Average Rectified (Io): 51A Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube |
auf Bestellung 733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS06J | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS06J | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 7 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD30MPS06J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Max. forward impulse current: 0.168kA Case: TO263-7 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Mounting: SMD Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD30MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472 Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 55A Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GD30MPS12J | GeneSiC Semiconductor | Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY |
auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 59A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 59A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2 Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 92A Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD60MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD60MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 82A Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD60MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 122A Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD60MPS17H | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 524nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Through Hole hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 2 Pin Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD60MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE04MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP |
auf Bestellung 7188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE04MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE04MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 11A Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE04MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE04MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE04MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 4 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE04MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE04MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE06MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Max. forward impulse current: 27A Case: TO220-2 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.25V Mounting: THT Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GE06MPS06A | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE06MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP |
auf Bestellung 3294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE06MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE06MPS06E | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GE06MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 17A Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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GE06MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE06MPS06E | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE06MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 6 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE06MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE08MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE08MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GE08MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 21A Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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GE08MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE08MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE08MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 8 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE08MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE08MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE10MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE10MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M |
auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE10MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GE10MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 26A Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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GE10MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE10MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 10 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE10MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE12MPS06A | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2951 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE12MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M Current - Max: 12 A Supplier Device Package: TO-220-2 Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Diode Type: Schottky - Single Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GE12MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE12MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 12 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD30MPS06H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 10.69 EUR |
| 10+ | 9.56 EUR |
| 25+ | 9.14 EUR |
| 100+ | 8.53 EUR |
| GD30MPS06J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.45 EUR |
| 10+ | 12.04 EUR |
| 25+ | 11.53 EUR |
| 100+ | 10.94 EUR |
| GD30MPS06J |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.91 EUR |
| 10+ | 12.46 EUR |
| 25+ | 11.94 EUR |
| 100+ | 11.14 EUR |
| 250+ | 10.66 EUR |
| 500+ | 10.33 EUR |
| 1000+ | 10.28 EUR |
| GD30MPS06J |
|
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 16.34 EUR |
| 18+ | 13.53 EUR |
| GD30MPS06J |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 6.72 EUR |
| 25+ | 6.52 EUR |
| GD30MPS12H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 55A
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 55A
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 18.2 EUR |
| 10+ | 16.35 EUR |
| 25+ | 15.67 EUR |
| 100+ | 14.71 EUR |
| GD30MPS12H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 17.67 EUR |
| 10+ | 15.33 EUR |
| 30+ | 14.36 EUR |
| 120+ | 13.76 EUR |
| 270+ | 13.57 EUR |
| 510+ | 13.14 EUR |
| GD30MPS12J |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 23.35 EUR |
| 10+ | 21.02 EUR |
| 25+ | 20.15 EUR |
| 100+ | 18.92 EUR |
| 250+ | 18.84 EUR |
| GD30MPS12J-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 14.39 EUR |
| GD30MPS12J-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 19.1 EUR |
| 10+ | 17.18 EUR |
| 25+ | 16.65 EUR |
| GD50MPS12H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD50MPS12H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 22.02 EUR |
| 120+ | 20.22 EUR |
| 270+ | 18.8 EUR |
| 510+ | 17.81 EUR |
| GD50MPS12H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.58 EUR |
| 10+ | 24.63 EUR |
| 30+ | 23.42 EUR |
| 120+ | 22.51 EUR |
| 270+ | 21.88 EUR |
| GD50MPS12H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 30.5 EUR |
| 10+ | 27.76 EUR |
| 25+ | 26.74 EUR |
| 100+ | 25.28 EUR |
| 250+ | 24.36 EUR |
| GD50MPS12H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 22.02 EUR |
| 120+ | 20.67 EUR |
| 270+ | 19.52 EUR |
| 510+ | 18.81 EUR |
| GD60MPS06H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.37 EUR |
| 10+ | 20.15 EUR |
| 30+ | 19.31 EUR |
| 120+ | 18.11 EUR |
| 270+ | 17.36 EUR |
| GD60MPS06H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 20.72 EUR |
| 10+ | 18.62 EUR |
| 25+ | 17.86 EUR |
| 100+ | 16.78 EUR |
| 250+ | 16.08 EUR |
| 500+ | 15.58 EUR |
| GD60MPS17H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 82.25 EUR |
| 10+ | 76.08 EUR |
| 25+ | 73.76 EUR |
| 100+ | 70.36 EUR |
| 250+ | 68.21 EUR |
| GD60MPS17H |
|
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 112.3 EUR |
| 5+ | 101.5 EUR |
| 10+ | 90.99 EUR |
| 25+ | 89.64 EUR |
| 50+ | 88.33 EUR |
| 100+ | 83.05 EUR |
| GD60MPS17H |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 83 EUR |
| 10+ | 76.76 EUR |
| 30+ | 74.41 EUR |
| GE04MPS06A |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
auf Bestellung 7188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.36 EUR |
| 10+ | 3.78 EUR |
| 25+ | 3.58 EUR |
| 100+ | 3.3 EUR |
| 250+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.99 EUR |
| 1000+ | 2.87 EUR |
| 2500+ | 2.84 EUR |
| GE04MPS06A |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.47 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 25+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 250+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.39 EUR |
| 1000+ | 2.28 EUR |
| GE04MPS06E |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.45 EUR |
| 10+ | 3 EUR |
| 25+ | 2.83 EUR |
| 100+ | 2.61 EUR |
| 250+ | 2.46 EUR |
| 500+ | 2.36 EUR |
| 1000+ | 2.26 EUR |
| GE04MPS06E |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.58 EUR |
| 10+ | 3.12 EUR |
| 25+ | 2.93 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 250+ | 2.56 EUR |
| 500+ | 2.45 EUR |
| 1000+ | 2.34 EUR |
| GE04MPS06E-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE04MPS06Q |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE04MPS06Q |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE04MPS06Q-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.94 EUR |
| GE06MPS06A |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 27A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 27A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 5.31 EUR |
| GE06MPS06A |
|
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GE06MPS06A |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
auf Bestellung 3294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.94 EUR |
| 10+ | 4.31 EUR |
| 25+ | 4.08 EUR |
| 100+ | 3.75 EUR |
| 250+ | 3.56 EUR |
| 500+ | 3.53 EUR |
| GE06MPS06A |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE06MPS06E |
|
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GE06MPS06E |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 17A
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 17A
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE06MPS06E |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.44 EUR |
| 10+ | 3.86 EUR |
| 25+ | 3.64 EUR |
| 50+ | 3.36 EUR |
| 100+ | 3.17 EUR |
| 250+ | 3.06 EUR |
| 500+ | 2.92 EUR |
| GE06MPS06E |
|
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GE06MPS06E-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.5 EUR |
| 10+ | 4.81 EUR |
| 25+ | 4.11 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
| 250+ | 2.93 EUR |
| 500+ | 2.69 EUR |
| 1000+ | 2.49 EUR |
| GE06MPS06E-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.67 EUR |
| 10+ | 3.2 EUR |
| 25+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |
| 250+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| 1000+ | 2.4 EUR |
| GE06MPS06E-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE06MPS06Q |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE06MPS06Q-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.24 EUR |
| GE08MPS06A |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GE08MPS06A |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06E |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 21A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 21A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06E |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.19 EUR |
| 10+ | 4.57 EUR |
| 25+ | 4.33 EUR |
| 100+ | 4 EUR |
| 250+ | 3.8 EUR |
| 500+ | 3.64 EUR |
| 1000+ | 3.5 EUR |
| GE08MPS06E-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06Q |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06Q |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06Q-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.73 EUR |
| GE10MPS06A |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06A |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.91 EUR |
| 10+ | 6.09 EUR |
| 25+ | 5.78 EUR |
| 100+ | 5.37 EUR |
| 250+ | 5.09 EUR |
| 500+ | 4.9 EUR |
| GE10MPS06E |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06E |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 26A
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 26A
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06E-TR |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.96 EUR |
| 10+ | 4.38 EUR |
| 25+ | 4.16 EUR |
| 100+ | 3.86 EUR |
| 250+ | 3.67 EUR |
| 500+ | 3.53 EUR |
| 1000+ | 3.39 EUR |
| GE10MPS06Q |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 10 A
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 10 A
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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| GE10MPS06Q-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
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|---|---|
| 1+ | 3.53 EUR |
| 3000+ | 3.09 EUR |
| GE12MPS06A |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.97 EUR |
| GE12MPS06A |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Current - Max: 12 A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Current - Max: 12 A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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| GE12MPS06E-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.11 EUR |
| 2500+ | 3.69 EUR |
| GE12MPS06Q |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 12 A
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 12 A
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