Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (5613) > Seite 28 nach 94

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MBRTA60045 MBRTA60045 GeneSiC Semiconductor mbrta60045_thru_mbrta600100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3TOWER
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MBRTA60045L MBRTA60045L GeneSiC Semiconductor mbrta60045(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3TOWER
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MBRTA60045R MBRTA60045R GeneSiC Semiconductor mbrta60045_thru_mbrta600100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3TOWER
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MBRTA60045RL MBRTA60045RL GeneSiC Semiconductor mbrta60045(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3TOWER
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MBRTA60060 MBRTA60060 GeneSiC Semiconductor mbrta60045_thru_mbrta600100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 300A 3TOWER
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MBRTA60060R MBRTA60060R GeneSiC Semiconductor mbrta60045_thru_mbrta600100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 300A 3TOWER
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MBRTA60080 MBRTA60080 GeneSiC Semiconductor mbrta60045_thru_mbrta600100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 300A 3TOWER
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MBRTA60080R MBRTA60080R GeneSiC Semiconductor mbrta60045_thru_mbrta600100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 300A 3TOWER
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MBRTA800100 MBRTA800100 GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 400A 3TOWER
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MBRTA800100R MBRTA800100R GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 400A 3TOWER
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MBRTA800150 MBRTA800150 GeneSiC Semiconductor mbrta800150_thru_mbrta800200r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 400A 3TOWER
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MBRTA800150R MBRTA800150R GeneSiC Semiconductor mbrta800150_thru_mbrta800200r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 400A 3TOWER
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MBRTA80020 MBRTA80020 GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER
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MBRTA800200 MBRTA800200 GeneSiC Semiconductor mbrta800150_thru_mbrta800200r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 400A 3TOWER
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MBRTA800200R MBRTA800200R GeneSiC Semiconductor mbrta800150_thru_mbrta800200r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 400A 3TOWER
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MBRTA80020L MBRTA80020L GeneSiC Semiconductor mbrta80020(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER
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MBRTA80020R MBRTA80020R GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER
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MBRTA80020RL MBRTA80020RL GeneSiC Semiconductor mbrta80020(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER
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MBRTA80030 MBRTA80030 GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 400A 3TOWER
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MBRTA80030L MBRTA80030L GeneSiC Semiconductor mbrta80030(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 400A 3TOWER
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MBRTA80030R MBRTA80030R GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 400A 3TOWER
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MBRTA80030RL MBRTA80030RL GeneSiC Semiconductor mbrta80030(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 400A 3TOWER
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MBRTA80035 MBRTA80035 GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80035L MBRTA80035L GeneSiC Semiconductor mbrta80035(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80035R MBRTA80035R GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80035RL MBRTA80035RL GeneSiC Semiconductor mbrta80035(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80040 MBRTA80040 GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040L MBRTA80040L GeneSiC Semiconductor mbrta80040(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040R MBRTA80040R GeneSiC Semiconductor mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040RL MBRTA80040RL GeneSiC Semiconductor mbrta80040(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80045 MBRTA80045 GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045L MBRTA80045L GeneSiC Semiconductor mbrta80045(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045R MBRTA80045R GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045RL MBRTA80045RL GeneSiC Semiconductor mbrta80045(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80060 MBRTA80060 GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 400A 3TOWER
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MBRTA80060R MBRTA80060R GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 400A 3TOWER
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MBRTA80080 MBRTA80080 GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRTA80080R MBRTA80080R GeneSiC Semiconductor mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER
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MURF30005 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 50V 150A TO244
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MURF30005R GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 50V 150A TO244
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MURF30010 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 150A TO244
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MURF30010R GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 150A TO244
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MURF30020 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 200V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURF30020R GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 200V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURF30040 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 400V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURF30040R GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 400V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURF30060 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 600V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURF30060R GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 600V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURF40005 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 50V 200A TO244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40005R GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 50V 200A TO244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40010 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 100V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40010R GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 100V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40020 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 200V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40020R GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 200V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40040 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 400V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40040R GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 400V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40060 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 600V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40060R GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 600V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7005 GeneSiC Semiconductor murh7005.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7005R GeneSiC Semiconductor murh7005.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRTA60045 mbrta60045_thru_mbrta600100r.pdf
MBRTA60045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3TOWER
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MBRTA60045L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3TOWER
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MBRTA60045R mbrta60045_thru_mbrta600100r.pdf
MBRTA60045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3TOWER
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MBRTA60045RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3TOWER
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MBRTA60060 mbrta60045_thru_mbrta600100r.pdf
MBRTA60060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 300A 3TOWER
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MBRTA60060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 300A 3TOWER
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MBRTA60080 mbrta60045_thru_mbrta600100r.pdf
MBRTA60080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 300A 3TOWER
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MBRTA60080R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 300A 3TOWER
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MBRTA800100 mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf
MBRTA800100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 400A 3TOWER
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MBRTA800100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 400A 3TOWER
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MBRTA800150 mbrta800150_thru_mbrta800200r.pdf
MBRTA800150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 400A 3TOWER
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MBRTA800150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 400A 3TOWER
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MBRTA80020 mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf
MBRTA80020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER
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MBRTA800200 mbrta800150_thru_mbrta800200r.pdf
MBRTA800200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 400A 3TOWER
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MBRTA800200R mbrta800150_thru_mbrta800200r.pdf
MBRTA800200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 400A 3TOWER
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MBRTA80020L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER
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MBRTA80020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER
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MBRTA80020RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER
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MBRTA80030 mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf
MBRTA80030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 400A 3TOWER
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MBRTA80030L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 400A 3TOWER
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MBRTA80030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 400A 3TOWER
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MBRTA80030RL mbrta80030(r)l.pdf
MBRTA80030RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 400A 3TOWER
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MBRTA80035 mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf
MBRTA80035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80035L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80035RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
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MBRTA80040 mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf
MBRTA80040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040R mbrta80020_thru_mbrta80040r.pdf
MBRTA80040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80040RL mbrta80040(r)l.pdf
MBRTA80040RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 400A 3TOWER
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MBRTA80045 mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf
MBRTA80045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045R mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf
MBRTA80045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80045RL mbrta80045(r)l.pdf
MBRTA80045RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 400A 3TOWER
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MBRTA80060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 400A 3TOWER
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MBRTA80060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 400A 3TOWER
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MBRTA80080 mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf
MBRTA80080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRTA80080R mbrta80045_thru_mbrta800100r.pdf
MBRTA80080R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF30005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 150A TO244
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MURF30005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 150A TO244
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF30010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 150A TO244
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF30010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 150A TO244
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF30020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF30020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF30040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF30040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF30060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF30060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 200A TO244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40005R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 200A TO244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40010R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURF40060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A TO-244
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: TO-244
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURH7005 murh7005.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURH7005R murh7005.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 70A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 70A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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