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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H-2449750.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+476.89 EUR
10+450.69 EUR
30+441.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H.pdf Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+491.99 EUR
10+464.97 EUR
25+454.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+2.26 EUR
25+2.09 EUR
100+2.01 EUR
250+1.89 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.45 EUR
10+8.4 EUR
25+8.03 EUR
100+7.5 EUR
250+7.16 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.53 EUR
10+8.48 EUR
30+8.1 EUR
120+7.54 EUR
270+7.2 EUR
510+6.97 EUR
1020+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.45 EUR
10+8.4 EUR
25+8.03 EUR
100+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+6.18 EUR
25+5.84 EUR
100+5.38 EUR
250+5.05 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7 EUR
10+6.18 EUR
25+5.87 EUR
100+5.44 EUR
250+5.19 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.45 EUR
10+5.68 EUR
25+5.38 EUR
100+4.99 EUR
250+4.74 EUR
500+4.57 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.45 EUR
10+5.66 EUR
25+5.38 EUR
100+4.99 EUR
250+4.74 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.38 EUR
10+8.33 EUR
25+7.94 EUR
100+7.39 EUR
250+7.06 EUR
500+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.48 EUR
10+7.16 EUR
30+6.56 EUR
120+6.28 EUR
270+6.12 EUR
510+5.99 EUR
1020+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GENESIC SEMICONDUCTOR 3967288.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1200+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.71 EUR
10+13.14 EUR
30+12.57 EUR
120+11.75 EUR
270+11.25 EUR
510+10.86 EUR
1020+10.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+11.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.58 EUR
30+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1200+18.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+11.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 36A
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.87 EUR
10+17.92 EUR
25+17.21 EUR
100+16.17 EUR
250+15.52 EUR
500+15.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD15MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 63A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
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GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
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GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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270+9.64 EUR
510+9.32 EUR
2520+9.17 EUR
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GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 67A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 531 Stücke:
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10+8.82 EUR
11+8.34 EUR
30+8.16 EUR
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GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor GD25MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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1+32.42 EUR
10+29.27 EUR
30+28.11 EUR
120+26.43 EUR
270+25.38 EUR
510+25.3 EUR
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GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
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12+20.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 121 Stücke:
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3+70.64 EUR
10+64.78 EUR
30+62.58 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 121 Stücke:
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3+70.64 EUR
10+63.38 EUR
30+60.26 EUR
100+55.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 241 Stücke:
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1+92.32 EUR
10+84.73 EUR
25+81.87 EUR
100+77.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
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GC50MPS33H GC50MPS33H-2449750.pdf
GC50MPS33H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+476.89 EUR
10+450.69 EUR
30+441.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H.pdf
GC50MPS33H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+491.99 EUR
10+464.97 EUR
25+454.62 EUR
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GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E
GD02MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.62 EUR
10+2.26 EUR
25+2.09 EUR
100+2.01 EUR
250+1.89 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.45 EUR
10+8.4 EUR
25+8.03 EUR
100+7.5 EUR
250+7.16 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.53 EUR
10+8.48 EUR
30+8.1 EUR
120+7.54 EUR
270+7.2 EUR
510+6.97 EUR
1020+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.45 EUR
10+8.4 EUR
25+8.03 EUR
100+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.02 EUR
10+6.18 EUR
25+5.84 EUR
100+5.38 EUR
250+5.05 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7 EUR
10+6.18 EUR
25+5.87 EUR
100+5.44 EUR
250+5.19 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.45 EUR
10+5.68 EUR
25+5.38 EUR
100+4.99 EUR
250+4.74 EUR
500+4.57 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.45 EUR
10+5.66 EUR
25+5.38 EUR
100+4.99 EUR
250+4.74 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.38 EUR
10+8.33 EUR
25+7.94 EUR
100+7.39 EUR
250+7.06 EUR
500+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.48 EUR
10+7.16 EUR
30+6.56 EUR
120+6.28 EUR
270+6.12 EUR
510+5.99 EUR
1020+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H 3967288.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1200+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.71 EUR
10+13.14 EUR
30+12.57 EUR
120+11.75 EUR
270+11.25 EUR
510+10.86 EUR
1020+10.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+11.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+9.58 EUR
30+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1200+18.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+11.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 36A
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.87 EUR
10+17.92 EUR
25+17.21 EUR
100+16.17 EUR
250+15.52 EUR
500+15.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 63A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+13.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+19.65 EUR
10+17.05 EUR
30+16.1 EUR
120+15.6 EUR
270+14.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.5 EUR
10+10.31 EUR
25+9.84 EUR
100+9.21 EUR
250+8.82 EUR
500+8.54 EUR
1000+8.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+7.56 EUR
13+7.06 EUR
25+6.76 EUR
50+6.5 EUR
100+6.28 EUR
250+6.01 EUR
1000+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.75 EUR
10+10.53 EUR
25+10.07 EUR
100+9.42 EUR
250+9.02 EUR
500+8.72 EUR
1000+8.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.88 EUR
10+11.08 EUR
30+10.39 EUR
120+9.95 EUR
270+9.64 EUR
510+9.32 EUR
2520+9.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 67A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+8.82 EUR
11+8.34 EUR
30+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H GD25MPS17H.pdf
GD25MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+32.42 EUR
10+29.27 EUR
30+28.11 EUR
120+26.43 EUR
270+25.38 EUR
510+25.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+20.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N gd2x100mps06n.pdf
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+70.64 EUR
10+64.78 EUR
30+62.58 EUR
100+58.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N gd2x100mps06n.pdf
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+70.64 EUR
10+63.38 EUR
30+60.26 EUR
100+55.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N gd2x100mps06n.pdf
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
145+147 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N.pdf
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+92.32 EUR
10+84.73 EUR
25+81.87 EUR
100+77.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N gd2x100mps06n.pdf
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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