Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4030) > Seite 27 nach 68
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MPVoltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X75MPS17N | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 524nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD30MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 7912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
auf Bestellung 1744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 49A Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 3285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS06H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD30MPS06J | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-263-7 Current - Average Rectified (Io): 51A Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube |
auf Bestellung 733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS06J | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS06J | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 7 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD30MPS06J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Max. forward impulse current: 0.168kA Case: TO263-7 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Mounting: SMD Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD30MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GD30MPS12J | GeneSiC Semiconductor | Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY |
auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 59A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD30MPS12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 59A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 92A Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD60MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD60MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 82A Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD60MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD60MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 122A Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE04MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE04MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP |
auf Bestellung 7188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE04MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 11A Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GD2X30MPS06D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 18.74 EUR |
| 10+ | 16.84 EUR |
| 25+ | 16.14 EUR |
| 100+ | 15.14 EUR |
| 250+ | 14.51 EUR |
| 500+ | 14.04 EUR |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 17.64 EUR |
| 10+ | 15.18 EUR |
| 30+ | 13.4 EUR |
| 120+ | 13.28 EUR |
| 270+ | 12.98 EUR |
| GD2X30MPS06D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 12.67 EUR |
| GD2X30MPS06N |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 44.49 EUR |
| GD2X30MPS06N |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 44.39 EUR |
| GD2X30MPS06N |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X30MPS06N |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 48.2 EUR |
| 10+ | 41.2 EUR |
| 30+ | 41.17 EUR |
| 100+ | 37.84 EUR |
| GD2X30MPS06N |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 32.89 EUR |
| GD2X30MPS06N |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 47.42 EUR |
| 25+ | 41.58 EUR |
| GD2X30MPS12D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 36.87 EUR |
| 10+ | 34.91 EUR |
| 30+ | 27.06 EUR |
| 120+ | 26.39 EUR |
| GD2X30MPS12D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 23.74 EUR |
| GD2X30MPS12D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 23.74 EUR |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 34.77 EUR |
| 10+ | 31.73 EUR |
| 25+ | 30.61 EUR |
| 100+ | 28.95 EUR |
| 250+ | 27.93 EUR |
| 500+ | 27.17 EUR |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 25.95 EUR |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 61.01 EUR |
| 10+ | 54.16 EUR |
| 100+ | 50.16 EUR |
| 250+ | 50.08 EUR |
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 59.83 EUR |
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 64.66 EUR |
| 10+ | 58.74 EUR |
| 30+ | 56.29 EUR |
| GD2X50MPS12N |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 69.33 EUR |
| 10+ | 63.68 EUR |
| 25+ | 61.56 EUR |
| 100+ | 58.51 EUR |
| 250+ | 56.56 EUR |
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 62.77 EUR |
| 10+ | 57.51 EUR |
| 30+ | 56.07 EUR |
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 48.09 EUR |
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 48.04 EUR |
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 195.11 EUR |
| 10+ | 177.36 EUR |
| 30+ | 175.8 EUR |
| 100+ | 174.41 EUR |
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 189.23 EUR |
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 185.77 EUR |
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 359.13 EUR |
| GD30MPS06A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 7912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.14 EUR |
| 10+ | 9.01 EUR |
| 25+ | 8.59 EUR |
| 100+ | 8.02 EUR |
| 250+ | 7.64 EUR |
| 500+ | 7.38 EUR |
| 1000+ | 7.12 EUR |
| GD30MPS06A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 10.25 EUR |
| 10+ | 9.1 EUR |
| 25+ | 8.7 EUR |
| 100+ | 8.09 EUR |
| 250+ | 7.74 EUR |
| 500+ | 7.47 EUR |
| 1000+ | 7.21 EUR |
| GD30MPS06H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 10.69 EUR |
| 10+ | 9.56 EUR |
| 25+ | 9.14 EUR |
| 100+ | 8.53 EUR |
| GD30MPS06H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.64 EUR |
| 10+ | 9.01 EUR |
| 30+ | 8.43 EUR |
| 120+ | 8.1 EUR |
| 270+ | 7.85 EUR |
| 510+ | 7.58 EUR |
| 2520+ | 7.44 EUR |
| GD30MPS06H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GD30MPS06J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.45 EUR |
| 10+ | 12.04 EUR |
| 25+ | 11.53 EUR |
| 100+ | 10.94 EUR |
| GD30MPS06J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.91 EUR |
| 10+ | 12.46 EUR |
| 25+ | 11.94 EUR |
| 100+ | 11.14 EUR |
| 250+ | 10.66 EUR |
| 500+ | 10.33 EUR |
| 1000+ | 10.28 EUR |
| GD30MPS06J |
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Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 16.34 EUR |
| 18+ | 13.53 EUR |
| GD30MPS06J |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GD30MPS12H |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 17.67 EUR |
| 10+ | 15.33 EUR |
| 30+ | 14.36 EUR |
| 120+ | 13.76 EUR |
| 270+ | 13.57 EUR |
| 510+ | 13.14 EUR |
| GD30MPS12J |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 23.35 EUR |
| 10+ | 21.02 EUR |
| 25+ | 20.15 EUR |
| 100+ | 18.92 EUR |
| 250+ | 18.84 EUR |
| GD30MPS12J-TR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 19.1 EUR |
| 10+ | 17.18 EUR |
| 25+ | 16.65 EUR |
| GD30MPS12J-TR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 14.39 EUR |
| GD50MPS12H |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.58 EUR |
| 10+ | 24.63 EUR |
| 30+ | 23.42 EUR |
| 120+ | 22.51 EUR |
| 270+ | 21.88 EUR |
| GD50MPS12H |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 22.53 EUR |
| 120+ | 21.16 EUR |
| 270+ | 19.98 EUR |
| 510+ | 19.25 EUR |
| GD50MPS12H |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD50MPS12H |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 30.5 EUR |
| 10+ | 27.76 EUR |
| 25+ | 26.74 EUR |
| 100+ | 25.28 EUR |
| 250+ | 24.36 EUR |
| GD50MPS12H |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 22.53 EUR |
| 120+ | 20.69 EUR |
| 270+ | 19.24 EUR |
| 510+ | 18.23 EUR |
| GD60MPS06H |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.37 EUR |
| 10+ | 20.15 EUR |
| 30+ | 19.31 EUR |
| 120+ | 18.11 EUR |
| 270+ | 17.36 EUR |
| GD60MPS06H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 20.72 EUR |
| 10+ | 18.62 EUR |
| 25+ | 17.86 EUR |
| 100+ | 16.78 EUR |
| 250+ | 16.08 EUR |
| 500+ | 15.58 EUR |
| GD60MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 83 EUR |
| 10+ | 76.76 EUR |
| 30+ | 74.41 EUR |
| GD60MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 82.25 EUR |
| 10+ | 76.08 EUR |
| 25+ | 73.76 EUR |
| 100+ | 70.36 EUR |
| 250+ | 68.21 EUR |
| GE04MPS06A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.47 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 25+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 250+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.39 EUR |
| 1000+ | 2.28 EUR |
| GE04MPS06A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
auf Bestellung 7188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.36 EUR |
| 10+ | 3.78 EUR |
| 25+ | 3.58 EUR |
| 100+ | 3.3 EUR |
| 250+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.99 EUR |
| 1000+ | 2.87 EUR |
| 2500+ | 2.84 EUR |
| GE04MPS06E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.45 EUR |
| 10+ | 3 EUR |
| 25+ | 2.83 EUR |
| 100+ | 2.61 EUR |
| 250+ | 2.46 EUR |
| 500+ | 2.36 EUR |
| 1000+ | 2.26 EUR |



















