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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06D.pdf Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.74 EUR
10+16.84 EUR
25+16.14 EUR
100+15.14 EUR
250+14.51 EUR
500+14.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06d.pdf Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06D.pdf SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.64 EUR
10+15.18 EUR
30+13.4 EUR
120+13.28 EUR
270+12.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06d.pdf Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+12.67 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+44.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+44.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N.pdf Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N.pdf SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.2 EUR
10+41.2 EUR
30+41.17 EUR
100+37.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+32.89 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+47.42 EUR
25+41.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.87 EUR
10+34.91 EUR
30+27.06 EUR
120+26.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+23.74 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+23.74 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.77 EUR
10+31.73 EUR
25+30.61 EUR
100+28.95 EUR
250+27.93 EUR
500+27.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.01 EUR
10+54.16 EUR
100+50.16 EUR
250+50.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+59.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.66 EUR
10+58.74 EUR
30+56.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.33 EUR
10+63.68 EUR
25+61.56 EUR
100+58.51 EUR
250+56.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N.pdf SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.77 EUR
10+57.51 EUR
30+56.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+48.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+48.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+195.11 EUR
10+177.36 EUR
30+175.8 EUR
100+174.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+189.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+185.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GENESIC SEMICONDUCTOR 3163683.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+359.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A-3479866.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 7912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.14 EUR
10+9.01 EUR
25+8.59 EUR
100+8.02 EUR
250+7.64 EUR
500+7.38 EUR
1000+7.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.25 EUR
10+9.1 EUR
25+8.7 EUR
100+8.09 EUR
250+7.74 EUR
500+7.47 EUR
1000+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.69 EUR
10+9.56 EUR
25+9.14 EUR
100+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.64 EUR
10+9.01 EUR
30+8.43 EUR
120+8.1 EUR
270+7.85 EUR
510+7.58 EUR
2520+7.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.45 EUR
10+12.04 EUR
25+11.53 EUR
100+10.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J-2450011.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.91 EUR
10+12.46 EUR
25+11.94 EUR
100+11.14 EUR
250+10.66 EUR
500+10.33 EUR
1000+10.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J GENESIC SEMICONDUCTOR 3163696.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.34 EUR
18+13.53 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.67 EUR
10+15.33 EUR
30+14.36 EUR
120+13.76 EUR
270+13.57 EUR
510+13.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.35 EUR
10+21.02 EUR
25+20.15 EUR
100+18.92 EUR
250+18.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.1 EUR
10+17.18 EUR
25+16.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+14.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.58 EUR
10+24.63 EUR
30+23.42 EUR
120+22.51 EUR
270+21.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.53 EUR
120+21.16 EUR
270+19.98 EUR
510+19.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.5 EUR
10+27.76 EUR
25+26.74 EUR
100+25.28 EUR
250+24.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.53 EUR
120+20.69 EUR
270+19.24 EUR
510+18.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H-3075533.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.37 EUR
10+20.15 EUR
30+19.31 EUR
120+18.11 EUR
270+17.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.72 EUR
10+18.62 EUR
25+17.86 EUR
100+16.78 EUR
250+16.08 EUR
500+15.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83 EUR
10+76.76 EUR
30+74.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+82.25 EUR
10+76.08 EUR
25+73.76 EUR
100+70.36 EUR
250+68.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+3.01 EUR
25+2.87 EUR
100+2.64 EUR
250+2.49 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A.pdf Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
auf Bestellung 7188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+3.78 EUR
25+3.58 EUR
100+3.3 EUR
250+3.12 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.87 EUR
2500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06E GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+3 EUR
25+2.83 EUR
100+2.61 EUR
250+2.46 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.74 EUR
10+16.84 EUR
25+16.14 EUR
100+15.14 EUR
250+14.51 EUR
500+14.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06D gd2x30mps06d.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.64 EUR
10+15.18 EUR
30+13.4 EUR
120+13.28 EUR
270+12.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06D gd2x30mps06d.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+12.67 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+44.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+44.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+48.2 EUR
10+41.2 EUR
30+41.17 EUR
100+37.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+32.89 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+47.42 EUR
25+41.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+36.87 EUR
10+34.91 EUR
30+27.06 EUR
120+26.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+23.74 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+23.74 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+34.77 EUR
10+31.73 EUR
25+30.61 EUR
100+28.95 EUR
250+27.93 EUR
500+27.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+25.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12N gd2x30mps12n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+61.01 EUR
10+54.16 EUR
100+50.16 EUR
250+50.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12N gd2x30mps12n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+59.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+64.66 EUR
10+58.74 EUR
30+56.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+69.33 EUR
10+63.68 EUR
25+61.56 EUR
100+58.51 EUR
250+56.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+62.77 EUR
10+57.51 EUR
30+56.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+48.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+48.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+195.11 EUR
10+177.36 EUR
30+175.8 EUR
100+174.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+189.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+185.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N 3163683.pdf
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+359.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06A GD30MPS06A-3479866.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 7912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.14 EUR
10+9.01 EUR
25+8.59 EUR
100+8.02 EUR
250+7.64 EUR
500+7.38 EUR
1000+7.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06A GD30MPS06A.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.25 EUR
10+9.1 EUR
25+8.7 EUR
100+8.09 EUR
250+7.74 EUR
500+7.47 EUR
1000+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.69 EUR
10+9.56 EUR
25+9.14 EUR
100+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.64 EUR
10+9.01 EUR
30+8.43 EUR
120+8.1 EUR
270+7.85 EUR
510+7.58 EUR
2520+7.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.45 EUR
10+12.04 EUR
25+11.53 EUR
100+10.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J-2450011.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.91 EUR
10+12.46 EUR
25+11.94 EUR
100+11.14 EUR
250+10.66 EUR
500+10.33 EUR
1000+10.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J 3163696.pdf
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.34 EUR
18+13.53 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.67 EUR
10+15.33 EUR
30+14.36 EUR
120+13.76 EUR
270+13.57 EUR
510+13.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+23.35 EUR
10+21.02 EUR
25+20.15 EUR
100+18.92 EUR
250+18.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.1 EUR
10+17.18 EUR
25+16.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+14.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+27.58 EUR
10+24.63 EUR
30+23.42 EUR
120+22.51 EUR
270+21.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+22.53 EUR
120+21.16 EUR
270+19.98 EUR
510+19.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+30.5 EUR
10+27.76 EUR
25+26.74 EUR
100+25.28 EUR
250+24.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+22.53 EUR
120+20.69 EUR
270+19.24 EUR
510+18.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS06H GD60MPS06H-3075533.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.37 EUR
10+20.15 EUR
30+19.31 EUR
120+18.11 EUR
270+17.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS06H GD60MPS06H.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+20.72 EUR
10+18.62 EUR
25+17.86 EUR
100+16.78 EUR
250+16.08 EUR
500+15.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+83 EUR
10+76.76 EUR
30+74.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+82.25 EUR
10+76.08 EUR
25+73.76 EUR
100+70.36 EUR
250+68.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.47 EUR
10+3.01 EUR
25+2.87 EUR
100+2.64 EUR
250+2.49 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
auf Bestellung 7188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.36 EUR
10+3.78 EUR
25+3.58 EUR
100+3.3 EUR
250+3.12 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.87 EUR
2500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06E GE04MPS06E.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.45 EUR
10+3 EUR
25+2.83 EUR
100+2.61 EUR
250+2.46 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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