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GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12_247-2449963.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.48 EUR
10+10.3 EUR
30+9.86 EUR
120+9.22 EUR
270+8.82 EUR
510+8.54 EUR
1020+8.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X8MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Technology: SiC
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12_247-2449307.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247-1856221.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247-1535241.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H.pdf Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+413.44 EUR
10+390.73 EUR
25+382.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H-2449750.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+400.75 EUR
10+378.73 EUR
30+370.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.9 EUR
25+1.76 EUR
100+1.69 EUR
250+1.59 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.01 EUR
10+7.13 EUR
30+6.81 EUR
120+6.34 EUR
270+6.05 EUR
510+5.86 EUR
1020+5.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.94 EUR
10+7.06 EUR
25+6.75 EUR
100+6.3 EUR
250+6.02 EUR
500+5.81 EUR
1000+5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.94 EUR
10+7.06 EUR
25+6.75 EUR
100+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.88 EUR
10+5.19 EUR
25+4.93 EUR
100+4.57 EUR
250+4.36 EUR
500+4.19 EUR
1000+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.9 EUR
10+5.19 EUR
25+4.91 EUR
100+4.52 EUR
250+4.24 EUR
500+4.1 EUR
1000+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.42 EUR
10+4.76 EUR
25+4.52 EUR
100+4.19 EUR
250+3.98 EUR
500+3.83 EUR
1000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.42 EUR
10+4.77 EUR
25+4.52 EUR
100+4.19 EUR
250+3.98 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.13 EUR
10+6.02 EUR
30+5.51 EUR
120+5.28 EUR
270+5.14 EUR
510+5.03 EUR
1020+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GENESIC SEMICONDUCTOR 3967288.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.88 EUR
10+7 EUR
25+6.67 EUR
100+6.21 EUR
250+5.93 EUR
500+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1200+15.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.29 EUR
10+7.81 EUR
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GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
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GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
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1200+8.16 EUR
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GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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1+12.36 EUR
10+11.04 EUR
30+10.56 EUR
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510+9.13 EUR
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GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 36A
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.7 EUR
10+15.06 EUR
25+14.46 EUR
100+13.59 EUR
250+13.04 EUR
500+12.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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1+16.51 EUR
10+14.33 EUR
30+13.53 EUR
120+13.11 EUR
270+12.57 EUR
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GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD15MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.15 EUR
13+5.76 EUR
25+5.52 EUR
50+5.31 EUR
100+5.12 EUR
250+5 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
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50+4.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.87 EUR
10+8.85 EUR
25+8.46 EUR
100+7.92 EUR
250+7.58 EUR
500+7.33 EUR
1000+7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.66 EUR
10+8.66 EUR
25+8.27 EUR
100+7.74 EUR
250+7.41 EUR
500+7.18 EUR
1000+6.95 EUR
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
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GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.82 EUR
10+9.31 EUR
30+8.73 EUR
120+8.36 EUR
270+8.1 EUR
510+7.83 EUR
2520+7.71 EUR
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GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.25 EUR
11+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
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GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
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GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
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GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12_247-2449963.pdf
GC2X5MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.48 EUR
10+10.3 EUR
30+9.86 EUR
120+9.22 EUR
270+8.82 EUR
510+8.54 EUR
1020+8.5 EUR
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GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
GC2X8MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Technology: SiC
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
GC2X8MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
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GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12_247-2449307.pdf
GC2X8MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GC50MPS06-247 GC50MPS06-247-1856221.pdf
GC50MPS06-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247.pdf
GC50MPS06-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.55 EUR
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GC50MPS12-247 GC50MPS12-247-1535241.pdf
GC50MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247.pdf
GC50MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H.pdf
GC50MPS33H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+413.44 EUR
10+390.73 EUR
25+382.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H-2449750.pdf
GC50MPS33H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+400.75 EUR
10+378.73 EUR
30+370.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E
GD02MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.2 EUR
10+1.9 EUR
25+1.76 EUR
100+1.69 EUR
250+1.59 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.01 EUR
10+7.13 EUR
30+6.81 EUR
120+6.34 EUR
270+6.05 EUR
510+5.86 EUR
1020+5.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.94 EUR
10+7.06 EUR
25+6.75 EUR
100+6.3 EUR
250+6.02 EUR
500+5.81 EUR
1000+5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.94 EUR
10+7.06 EUR
25+6.75 EUR
100+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+5.88 EUR
10+5.19 EUR
25+4.93 EUR
100+4.57 EUR
250+4.36 EUR
500+4.19 EUR
1000+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.9 EUR
10+5.19 EUR
25+4.91 EUR
100+4.52 EUR
250+4.24 EUR
500+4.1 EUR
1000+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.42 EUR
10+4.76 EUR
25+4.52 EUR
100+4.19 EUR
250+3.98 EUR
500+3.83 EUR
1000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GD10MPS12E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GD10MPS12E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.42 EUR
10+4.77 EUR
25+4.52 EUR
100+4.19 EUR
250+3.98 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.13 EUR
10+6.02 EUR
30+5.51 EUR
120+5.28 EUR
270+5.14 EUR
510+5.03 EUR
1020+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H 3967288.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.88 EUR
10+7 EUR
25+6.67 EUR
100+6.21 EUR
250+5.93 EUR
500+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1200+15.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.29 EUR
10+7.81 EUR
30+7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+9.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1200+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
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GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.36 EUR
10+11.04 EUR
30+10.56 EUR
120+9.87 EUR
270+9.45 EUR
510+9.13 EUR
1020+8.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+9.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 36A
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+16.7 EUR
10+15.06 EUR
25+14.46 EUR
100+13.59 EUR
250+13.04 EUR
500+12.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.51 EUR
10+14.33 EUR
30+13.53 EUR
120+13.11 EUR
270+12.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.15 EUR
13+5.76 EUR
25+5.52 EUR
50+5.31 EUR
100+5.12 EUR
250+5 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.87 EUR
10+8.85 EUR
25+8.46 EUR
100+7.92 EUR
250+7.58 EUR
500+7.33 EUR
1000+7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.66 EUR
10+8.66 EUR
25+8.27 EUR
100+7.74 EUR
250+7.41 EUR
500+7.18 EUR
1000+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.82 EUR
10+9.31 EUR
30+8.73 EUR
120+8.36 EUR
270+8.1 EUR
510+7.83 EUR
2520+7.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.25 EUR
11+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
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GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
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