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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247-1535241.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H.pdf Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+413.44 EUR
10+390.73 EUR
25+382.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H-2449750.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+400.75 EUR
10+378.73 EUR
30+370.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.9 EUR
25+1.76 EUR
100+1.69 EUR
250+1.59 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.01 EUR
10+7.13 EUR
30+6.81 EUR
120+6.34 EUR
270+6.05 EUR
510+5.86 EUR
1020+5.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.94 EUR
10+7.06 EUR
25+6.75 EUR
100+6.3 EUR
250+6.02 EUR
500+5.81 EUR
1000+5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.94 EUR
10+7.06 EUR
25+6.75 EUR
100+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.88 EUR
10+5.19 EUR
25+4.93 EUR
100+4.57 EUR
250+4.36 EUR
500+4.19 EUR
1000+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.9 EUR
10+5.19 EUR
25+4.91 EUR
100+4.52 EUR
250+4.24 EUR
500+4.1 EUR
1000+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.42 EUR
10+4.77 EUR
25+4.52 EUR
100+4.19 EUR
250+3.98 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.42 EUR
10+4.76 EUR
25+4.52 EUR
100+4.19 EUR
250+3.98 EUR
500+3.83 EUR
1000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GENESIC SEMICONDUCTOR 3967288.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.13 EUR
10+6.02 EUR
30+5.51 EUR
120+5.28 EUR
270+5.14 EUR
510+5.03 EUR
1020+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.88 EUR
10+7 EUR
25+6.67 EUR
100+6.21 EUR
250+5.93 EUR
500+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1200+15.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.36 EUR
10+11.04 EUR
30+10.56 EUR
120+9.87 EUR
270+9.45 EUR
510+9.13 EUR
1020+8.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1200+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.29 EUR
10+7.81 EUR
30+7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.7 EUR
10+15.06 EUR
25+14.46 EUR
100+13.59 EUR
250+13.04 EUR
500+12.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD15MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.51 EUR
10+14.33 EUR
30+13.53 EUR
120+13.11 EUR
270+12.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.87 EUR
10+8.85 EUR
25+8.46 EUR
100+7.92 EUR
250+7.58 EUR
500+7.33 EUR
1000+7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
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50+4.62 EUR
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.66 EUR
10+8.66 EUR
25+8.27 EUR
100+7.74 EUR
250+7.41 EUR
500+7.18 EUR
1000+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.15 EUR
13+5.76 EUR
25+5.52 EUR
50+5.31 EUR
100+5.12 EUR
250+5 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.25 EUR
11+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.82 EUR
10+9.31 EUR
30+8.73 EUR
120+8.36 EUR
270+8.1 EUR
510+7.83 EUR
2520+7.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+17.16 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor GD25MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.24 EUR
10+24.6 EUR
30+23.62 EUR
120+22.21 EUR
270+21.33 EUR
510+21.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.58 EUR
10+71.2 EUR
25+68.8 EUR
100+65.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N-2308012.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.41 EUR
10+71.95 EUR
30+69.56 EUR
100+66.05 EUR
250+65.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247-1535241.pdf
GC50MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247.pdf
GC50MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H.pdf
GC50MPS33H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+413.44 EUR
10+390.73 EUR
25+382.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H-2449750.pdf
GC50MPS33H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+400.75 EUR
10+378.73 EUR
30+370.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E GD02MPS12E.pdf
GD02MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.2 EUR
10+1.9 EUR
25+1.76 EUR
100+1.69 EUR
250+1.59 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.01 EUR
10+7.13 EUR
30+6.81 EUR
120+6.34 EUR
270+6.05 EUR
510+5.86 EUR
1020+5.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.94 EUR
10+7.06 EUR
25+6.75 EUR
100+6.3 EUR
250+6.02 EUR
500+5.81 EUR
1000+5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.94 EUR
10+7.06 EUR
25+6.75 EUR
100+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+5.88 EUR
10+5.19 EUR
25+4.93 EUR
100+4.57 EUR
250+4.36 EUR
500+4.19 EUR
1000+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.9 EUR
10+5.19 EUR
25+4.91 EUR
100+4.52 EUR
250+4.24 EUR
500+4.1 EUR
1000+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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Anzahl Preis
1+5.42 EUR
10+4.77 EUR
25+4.52 EUR
100+4.19 EUR
250+3.98 EUR
500+3.84 EUR
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GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5800 Stücke:
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Anzahl Preis
4+5.42 EUR
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GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
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GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
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GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
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GD10MPS12H
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 258 Stücke:
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GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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1+7.13 EUR
10+6.02 EUR
30+5.51 EUR
120+5.28 EUR
270+5.14 EUR
510+5.03 EUR
1020+4.86 EUR
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GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
auf Bestellung 540 Stücke:
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Anzahl Preis
3+7.88 EUR
10+7 EUR
25+6.67 EUR
100+6.21 EUR
250+5.93 EUR
500+5.71 EUR
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GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+9.38 EUR
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GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
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Anzahl Preis
1200+15.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
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GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl Preis
30+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 593 Stücke:
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Anzahl Preis
1+12.36 EUR
10+11.04 EUR
30+10.56 EUR
120+9.87 EUR
270+9.45 EUR
510+9.13 EUR
1020+8.94 EUR
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GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
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Anzahl Preis
1200+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
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GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
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GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.29 EUR
10+7.81 EUR
30+7.52 EUR
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GD15MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 790 Stücke:
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Anzahl Preis
2+16.7 EUR
10+15.06 EUR
25+14.46 EUR
100+13.59 EUR
250+13.04 EUR
500+12.65 EUR
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GD15MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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GD15MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.51 EUR
10+14.33 EUR
30+13.53 EUR
120+13.11 EUR
270+12.57 EUR
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GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
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GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.87 EUR
10+8.85 EUR
25+8.46 EUR
100+7.92 EUR
250+7.58 EUR
500+7.33 EUR
1000+7.1 EUR
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GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.62 EUR
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GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.66 EUR
10+8.66 EUR
25+8.27 EUR
100+7.74 EUR
250+7.41 EUR
500+7.18 EUR
1000+6.95 EUR
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GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.15 EUR
13+5.76 EUR
25+5.52 EUR
50+5.31 EUR
100+5.12 EUR
250+5 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.25 EUR
11+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.82 EUR
10+9.31 EUR
30+8.73 EUR
120+8.36 EUR
270+8.1 EUR
510+7.83 EUR
2520+7.71 EUR
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GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
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GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
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GD25MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+17.16 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25MPS17H GD25MPS17H.pdf
GD25MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+27.24 EUR
10+24.6 EUR
30+23.62 EUR
120+22.21 EUR
270+21.33 EUR
510+21.26 EUR
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GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GD2X100MPS06N gd2x100mps06n.pdf
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
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GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N.pdf
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+77.58 EUR
10+71.2 EUR
25+68.8 EUR
100+65.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N-2308012.pdf
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+78.41 EUR
10+71.95 EUR
30+69.56 EUR
100+66.05 EUR
250+65.89 EUR
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