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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720499.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220-1535232.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-220-2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-247-1856250.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 90A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 90A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227-1856182.pdf Discrete Semiconductor Modules 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 209A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247-1535202.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-247-3
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X10MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X15MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 75A TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12_247-2449287.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28 EUR
10+25.55 EUR
30+24.63 EUR
120+23.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 90A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247-1856112.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X50MPS06-227-1856236.pdf Discrete Semiconductor Modules 650V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X50MPS06-227.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 104A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X50MPS06-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.32kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12_247-2449963.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.66 EUR
10+12.26 EUR
30+11.73 EUR
120+10.97 EUR
270+10.5 EUR
510+10.16 EUR
1020+10.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X5MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc2x5mps12-247.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc2x5mps12-247.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc2x5mps12-247.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X8MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 60A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12_247-2449307.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247-1856221.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247-1535241.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H.pdf Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+491.99 EUR
10+464.97 EUR
25+454.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H-2449750.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+476.89 EUR
10+450.69 EUR
30+441.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+2.26 EUR
25+2.09 EUR
100+2.01 EUR
250+1.89 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.53 EUR
10+8.48 EUR
30+8.1 EUR
120+7.54 EUR
270+7.2 EUR
510+6.97 EUR
1020+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 1197 Stücke:
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GD05MPS17J GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 137 Stücke:
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3+9.45 EUR
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GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
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GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1280 Stücke:
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3+7 EUR
10+6.18 EUR
25+5.87 EUR
100+5.44 EUR
250+5.19 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
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50+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
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10+6.18 EUR
25+5.84 EUR
100+5.38 EUR
250+5.05 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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10+5.68 EUR
25+5.38 EUR
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250+4.74 EUR
500+4.57 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.27 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.45 EUR
10+5.66 EUR
25+5.38 EUR
100+4.99 EUR
250+4.74 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.34 EUR
36+6.47 EUR
100+5.27 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.38 EUR
10+8.33 EUR
25+7.94 EUR
100+7.39 EUR
250+7.06 EUR
500+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 gc20mps12-220.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 gc20mps12-220.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 2720499.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220-1535232.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-220-2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-247 gc20mps12-247.pdf
GC20MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247-1856250.pdf
GC20MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247.pdf
GC20MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 90A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 90A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-247 gc20mps12-247.pdf
GC20MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227-1856182.pdf
GC2X100MPS06-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227.pdf
GC2X100MPS06-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 209A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247-1535202.pdf
GC2X10MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-247-3
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf
GC2X10MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf
GC2X10MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247.pdf
GC2X15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247.pdf
GC2X15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 75A TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12_247-2449287.pdf
GC2X15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+28 EUR
10+25.55 EUR
30+24.63 EUR
120+23.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247.pdf
GC2X20MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 90A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247-1856112.pdf
GC2X20MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227-1856236.pdf
GC2X50MPS06-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 650V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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GC2X50MPS06-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 104A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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GC2X50MPS06-227
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.32kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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GC2X5MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.66 EUR
10+12.26 EUR
30+11.73 EUR
120+10.97 EUR
270+10.5 EUR
510+10.16 EUR
1020+10.12 EUR
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GC2X5MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GC2X5MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
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GC2X5MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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GC2X5MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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GC2X5MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
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GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
GC2X8MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 60A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
GC2X8MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12_247-2449307.pdf
GC2X8MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 15 Stücke:
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GC50MPS06-247 GC50MPS06-247.pdf
GC50MPS06-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+26.83 EUR
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GC50MPS06-247 GC50MPS06-247-1856221.pdf
GC50MPS06-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247.pdf
GC50MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247-1535241.pdf
GC50MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H.pdf
GC50MPS33H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+491.99 EUR
10+464.97 EUR
25+454.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC50MPS33H GC50MPS33H-2449750.pdf
GC50MPS33H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+476.89 EUR
10+450.69 EUR
30+441.25 EUR
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GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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GD02MPS12E
GD02MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.62 EUR
10+2.26 EUR
25+2.09 EUR
100+2.01 EUR
250+1.89 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.53 EUR
10+8.48 EUR
30+8.1 EUR
120+7.54 EUR
270+7.2 EUR
510+6.97 EUR
1020+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.45 EUR
10+8.4 EUR
25+8.03 EUR
100+7.5 EUR
250+7.16 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.45 EUR
10+8.4 EUR
25+8.03 EUR
100+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7 EUR
10+6.18 EUR
25+5.87 EUR
100+5.44 EUR
250+5.19 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.02 EUR
10+6.18 EUR
25+5.84 EUR
100+5.38 EUR
250+5.05 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.45 EUR
10+5.68 EUR
25+5.38 EUR
100+4.99 EUR
250+4.74 EUR
500+4.57 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.27 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.45 EUR
10+5.66 EUR
25+5.38 EUR
100+4.99 EUR
250+4.74 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.34 EUR
36+6.47 EUR
100+5.27 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.38 EUR
10+8.33 EUR
25+7.94 EUR
100+7.39 EUR
250+7.06 EUR
500+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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