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MSRT10060(A)D MSRT10060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
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MSRT150120(A)D MSRT150120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
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MSRT15060(A)D MSRT15060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
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MSRT15080(A)D MSRT15080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
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MSRT200140(A)D MSRT200140(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
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MSRT20080(A)D MSRT20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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MSRTA200120(A)D MSRTA200120(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200140(A)D MSRTA200140(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200160(A)D MSRTA200160(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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MSRTA20060(A)D MSRTA20060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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MSRTA20080(A)D MSRTA20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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MSRTA30060(A)D MSRTA30060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
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MSRTA30080(A)D MSRTA30080(A)D GeneSiC Semiconductor www.genesicsemi.com Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
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MUR2X030A04 MUR2X030A04 GeneSiC Semiconductor mur2x030a04.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MUR2X060A10 MUR2X060A10 GeneSiC Semiconductor mur2x060a10.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
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MUR2X060A12 MUR2X060A12 GeneSiC Semiconductor mur2x060a12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
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MUR2X100A06 MUR2X100A06 GeneSiC Semiconductor mur2x100a06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
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MUR2X100A10 MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor mur2x100a10.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
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MUR2X100A12 MUR2X100A12 GeneSiC Semiconductor mur2x100a12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
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MUR2X120A02 MUR2X120A02 GeneSiC Semiconductor mur2x120a02.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MUR2X120A04 MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor mur2x120a04.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3 TOWER
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MBRT40035L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3 TOWER
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MBRT40040L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3 TOWER
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MBRT600200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER
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MBRT60035L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 300A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 300A 3 TOWER
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Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
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MSRT10060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
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MSRT10080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200160(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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MSRTA20060(A)D msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf
MSRTA20060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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MSRTA20080(A)D msrta200100(a)d.pdf
MSRTA20080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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MSRTA30060(A)D msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf
MSRTA30060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
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MSRTA30080(A)D www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
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MUR2X030A04 mur2x030a04.pdf
MUR2X030A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MUR2X060A10 mur2x060a10.pdf
MUR2X060A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
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MUR2X060A12 mur2x060a12.pdf
MUR2X060A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
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MUR2X100A06 mur2x100a06.pdf
MUR2X100A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
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MUR2X100A10 mur2x100a10.pdf
MUR2X100A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
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MUR2X100A12 mur2x100a12.pdf
MUR2X100A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
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MUR2X120A02 mur2x120a02.pdf
MUR2X120A02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MUR2X120A04 mur2x120a04.pdf
MUR2X120A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
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