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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
GBU15M GBU15M GeneSiC Semiconductor gbu15m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 15A Bridge Rectifier
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GBU20A GBU20A GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 50V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU20B GBU20B GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 100V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU20D GBU20D GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 200V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU20G GBU20G GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 400V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU20J GBU20J GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 600V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU20K GBU20K GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 800V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU20M GBU20M GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 1000V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU25A GBU25A GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 50V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU25B GBU25B GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 100V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU25D GBU25D GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 200V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU25G GBU25G GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 400V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU25J GBU25J GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 600V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU25K GBU25K GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 800V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU25M GBU25M GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 1000V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
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GBU25M GeneSiC Semiconductor 25A, 1000V, GBU (выводы в ряд) Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
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GBU4A GBU4A GeneSiC Semiconductor gbu4a.pdf Bridge Rectifiers 50V 4A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.53 EUR
25+1.34 EUR
100+1.04 EUR
250+0.94 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GBU4B GBU4B GeneSiC Semiconductor gbu4b-3477647.pdf Bridge Rectifiers 100V 4A Bridge Rectifier
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GBU4D GBU4D GeneSiC Semiconductor gbu4d-3477364.pdf Bridge Rectifiers 200V 4A Bridge Rectifier
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GBU4G GBU4G GeneSiC Semiconductor gbu4g.pdf Bridge Rectifiers 400V 4A Bridge Rectifier
auf Bestellung 3199 Stücke:
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2+2.25 EUR
10+1.54 EUR
25+1.34 EUR
100+1.04 EUR
250+0.94 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GBU4J GBU4J GeneSiC Semiconductor 251135481325926gbu4j_thru_gbu4m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case GBU
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GBU4J GBU4J GeneSiC Semiconductor gbu4j.pdf Bridge Rectifiers 600V 4A Bridge Rectifier
auf Bestellung 6410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.53 EUR
25+1.34 EUR
100+1.08 EUR
250+0.97 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GBU4K GBU4K GeneSiC Semiconductor gbu4k.pdf Bridge Rectifiers 800V 4A Bridge Rectifier
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GBU4M GBU4M GeneSiC Semiconductor gbu4m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 4A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2809 Stücke:
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2+2.18 EUR
10+1.53 EUR
25+1.34 EUR
100+1.08 EUR
250+0.97 EUR
500+0.82 EUR
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GBU6A GBU6A GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 50V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6B GBU6B GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6B GBU6B GeneSiC Semiconductor gbu6a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
10+1.8 EUR
25+1.56 EUR
100+1.26 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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GBU6B GBU6B GeneSiC Semiconductor gbu6b.pdf Bridge Rectifiers 100V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2975 Stücke:
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2+2.32 EUR
10+1.61 EUR
25+1.4 EUR
100+1.13 EUR
250+0.98 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU6D GBU6D GeneSiC Semiconductor gbu6d.pdf Bridge Rectifiers 200V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2162 Stücke:
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2+2.32 EUR
10+1.61 EUR
25+1.4 EUR
100+1.13 EUR
250+0.98 EUR
500+0.88 EUR
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GBU6D GBU6D GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6G GBU6G GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Bridge Rectifiers 400V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1945 Stücke:
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2+2.32 EUR
10+1.61 EUR
25+1.4 EUR
100+1.13 EUR
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GBU6J GBU6J GeneSiC Semiconductor gbu6j-2449735.pdf Bridge Rectifiers 600V 6A Bridge Rectifier
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GBU6J GBU6J GeneSiC Semiconductor gbu6k.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU6K GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6k.pdf Bridge Rectifiers 800V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.61 EUR
25+1.4 EUR
100+1.13 EUR
250+0.98 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU6M GBU6M GeneSiC Semiconductor gbu6m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 6A Bridge Rectifier
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GBU8B GBU8B GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8B GBU8B GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8d.pdf Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 3462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.68 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8G GBU8G GeneSiC Semiconductor gbu8g.pdf Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8J GBU8J GeneSiC Semiconductor gbu8j.pdf Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.43 EUR
100+1.16 EUR
250+1.06 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8K GBU8K GeneSiC Semiconductor gbu8k.pdf Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8M GBU8M GeneSiC Semiconductor gbu8m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12_220-2449250.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.59 EUR
10+3.15 EUR
25+2.97 EUR
100+2.73 EUR
250+2.59 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220-1535211.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-220-2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252-1856058.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor sic-schottky-mps-selector-guide.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.67 EUR
10+39.74 EUR
25+38.28 EUR
100+36.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J GC05MPS33J GENESIC SEMICONDUCTOR 3967273.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor sic-schottky-mps-selector-guide.pdf Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.53 EUR
10+35.97 EUR
25+34.66 EUR
100+32.74 EUR
250+31.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
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GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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Bridge Rectifiers 50V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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Bridge Rectifiers 100V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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Bridge Rectifiers 200V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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Bridge Rectifiers 400V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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Bridge Rectifiers 600V 20A GBU Silicon Bridge Rectifer
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Bridge Rectifiers 100V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
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Bridge Rectifiers 200V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
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Bridge Rectifiers 400V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
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Bridge Rectifiers 600V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
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Bridge Rectifiers 200V 4A Bridge Rectifier
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Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case GBU
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Bridge Rectifiers 600V 4A Bridge Rectifier
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GBU4K
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Bridge Rectifiers 800V 4A Bridge Rectifier
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Bridge Rectifiers 1000V 4A Bridge Rectifier
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Rectifier Bridge Diode Single 50V 2.8A 4-Pin Case GBU
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Rectifier Bridge Diode Single 100V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
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Bridge Rectifiers 100V 6A Bridge Rectifier
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Bridge Rectifiers 200V 6A Bridge Rectifier
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GBU6D
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Rectifier Bridge Diode Single 200V 2.8A 4-Pin Case GBU
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Bridge Rectifiers 400V 6A Bridge Rectifier
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Bridge Rectifiers 600V 6A Bridge Rectifier
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GBU6J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 2.8A 4-Pin Case GBU
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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GBU6K
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Bridge Rectifiers 800V 6A Bridge Rectifier
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2+2.32 EUR
10+1.61 EUR
25+1.4 EUR
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Bridge Rectifiers 1000V 6A Bridge Rectifier
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GBU8B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case GBU
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GBU8B
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Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
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GBU8D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 3462 Stücke:
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2+2.38 EUR
10+1.68 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
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GBU8D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case GBU
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GBU8G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1009 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
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GBU8J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1602 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.43 EUR
100+1.16 EUR
250+1.06 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
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GBU8K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 114 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
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GBU8M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
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GC02MPS12-220 gc02mps12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC02MPS12-220 GC02MPS12_220-2449250.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1568 Stücke:
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Anzahl Preis
1+3.59 EUR
10+3.15 EUR
25+2.97 EUR
100+2.73 EUR
250+2.59 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.36 EUR
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GC05MPS12-220 GC05MPS12-220-1535211.pdf
GC05MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-220-2
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GC05MPS12-220 GC05MPS12-220.pdf
GC05MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
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GC05MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
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GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
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GC05MPS33J sic-schottky-mps-selector-guide.pdf
GC05MPS33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+43.67 EUR
10+39.74 EUR
25+38.28 EUR
100+36.56 EUR
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GC05MPS33J
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 250 Stücke:
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GC05MPS33J sic-schottky-mps-selector-guide.pdf
GC05MPS33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
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GC05MPS33J-TR GC05MPS33J.pdf
GC05MPS33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+39.53 EUR
10+35.97 EUR
25+34.66 EUR
100+32.74 EUR
250+31.54 EUR
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GC05MPS33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
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GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
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GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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