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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GBU4M GBU4M GeneSiC Semiconductor gbu4m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 4A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2810 Stücke:
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2+2.59 EUR
10+1.82 EUR
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GBU6A GBU6A GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 50V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6B GBU6B GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6B GBU6B GeneSiC Semiconductor gbu6a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
auf Bestellung 361 Stücke:
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GBU6B GBU6B GeneSiC Semiconductor gbu6b.pdf Bridge Rectifiers 100V 6A Bridge Rectifier
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GBU6D GBU6D GeneSiC Semiconductor gbu6d.pdf Bridge Rectifiers 200V 6A Bridge Rectifier
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2+2.76 EUR
10+1.92 EUR
25+1.67 EUR
100+1.34 EUR
250+1.17 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GBU6D GBU6D GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6G GBU6G GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Bridge Rectifiers 400V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1945 Stücke:
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2+2.76 EUR
10+1.92 EUR
25+1.67 EUR
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250+1.17 EUR
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GBU6J GBU6J GeneSiC Semiconductor gbu6k.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6J GBU6J GeneSiC Semiconductor gbu6j.pdf Bridge Rectifiers 600V 6A Bridge Rectifier
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GBU6K GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6k.pdf Bridge Rectifiers 800V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1244 Stücke:
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2+2.76 EUR
10+1.92 EUR
25+1.67 EUR
100+1.34 EUR
250+1.17 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
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GBU6M GBU6M GeneSiC Semiconductor gbu6m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 6A Bridge Rectifier
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GBU8B GBU8B GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case GBU
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 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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GBU8B GBU8B GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 351 Stücke:
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2+3.27 EUR
10+2.2 EUR
25+1.77 EUR
100+1.51 EUR
250+1.4 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8d.pdf Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 3158 Stücke:
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2+2.83 EUR
10+2 EUR
25+1.73 EUR
100+1.4 EUR
250+1.21 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8G GBU8G GeneSiC Semiconductor gbu8g.pdf Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 765 Stücke:
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2+3.19 EUR
10+2.12 EUR
25+1.73 EUR
100+1.46 EUR
250+1.37 EUR
500+1.17 EUR
5000+1.15 EUR
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GBU8J GBU8J GeneSiC Semiconductor gbu8j.pdf Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
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25+1.7 EUR
100+1.38 EUR
250+1.26 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8J GBU8J GeneSiC Semiconductor gbu8m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8K GBU8K GeneSiC Semiconductor gbu8k.pdf Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 108 Stücke:
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250+1.36 EUR
500+1.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8M GBU8M GeneSiC Semiconductor gbu8m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12_220-2449250.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1568 Stücke:
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1+4.27 EUR
10+3.75 EUR
25+3.53 EUR
100+3.25 EUR
250+3.08 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.81 EUR
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220-1535211.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-220-2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252-1856058.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor sic-schottky-mps-selector-guide.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.97 EUR
10+47.29 EUR
25+45.55 EUR
100+43.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor sic-schottky-mps-selector-guide.pdf Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.04 EUR
10+42.8 EUR
25+41.25 EUR
100+38.96 EUR
250+37.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.66 EUR
50+4.43 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12_220-2449830.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 60A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252-1856202.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
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GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12_220-2449540.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
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GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-252.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252-1856247.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
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GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12_220-2449839.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2 SiC Schottky MPS
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25+12.07 EUR
100+11.21 EUR
250+10.69 EUR
500+10.56 EUR
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GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 75A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
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GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC15MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 49 Stücke:
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GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12_247-2449953.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720499.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
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GBU4M gbu4m.pdf
GBU4M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 4A Bridge Rectifier
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2+2.59 EUR
10+1.82 EUR
25+1.59 EUR
100+1.29 EUR
250+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.96 EUR
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GBU6A gbu6g.pdf
GBU6A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 50V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
auf Bestellung 361 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+3.06 EUR
10+2.14 EUR
25+1.86 EUR
100+1.5 EUR
250+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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GBU6B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 6A Bridge Rectifier
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GBU6D gbu6d.pdf
GBU6D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.76 EUR
10+1.92 EUR
25+1.67 EUR
100+1.34 EUR
250+1.17 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GBU6D gbu6g.pdf
GBU6D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 2.8A 4-Pin Case GBU
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Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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GBU6G gbu6g.pdf
GBU6G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1945 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.76 EUR
10+1.92 EUR
25+1.67 EUR
100+1.34 EUR
250+1.17 EUR
500+1.09 EUR
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GBU6J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 2.8A 4-Pin Case GBU
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Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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GBU6J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 6A Bridge Rectifier
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GBU6K gbu6k.pdf
GBU6K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1244 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.76 EUR
10+1.92 EUR
25+1.67 EUR
100+1.34 EUR
250+1.17 EUR
500+1.09 EUR
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GBU6K gbu6j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Bulk
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GBU6M gbu6m.pdf
GBU6M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 6A Bridge Rectifier
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GBU8B gbu8b.pdf
GBU8B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case GBU
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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GBU8B gbu8b.pdf
GBU8B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 351 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+3.27 EUR
10+2.2 EUR
25+1.77 EUR
100+1.51 EUR
250+1.4 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GBU8D gbu8d.pdf
GBU8D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 3158 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.83 EUR
10+2 EUR
25+1.73 EUR
100+1.4 EUR
250+1.21 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GBU8D gbu8b.pdf
GBU8D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case GBU
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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GBU8G gbu8g.pdf
GBU8G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.19 EUR
10+2.12 EUR
25+1.73 EUR
100+1.46 EUR
250+1.37 EUR
500+1.17 EUR
5000+1.15 EUR
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GBU8J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.83 EUR
10+1.98 EUR
25+1.7 EUR
100+1.38 EUR
250+1.26 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU8J gbu8m.pdf
GBU8J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case GBU
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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GBU8K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.83 EUR
10+1.98 EUR
25+1.74 EUR
100+1.4 EUR
250+1.36 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GBU8M gbu8m.pdf
GBU8M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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GC02MPS12-220 GC02MPS12_220-2449250.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.27 EUR
10+3.75 EUR
25+3.53 EUR
100+3.25 EUR
250+3.08 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 gc02mps12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 gc02mps12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220-1535211.pdf
GC05MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-220-2
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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GC05MPS12-220 GC05MPS12-220.pdf
GC05MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
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GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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GC05MPS12-252 GC05MPS12-252-1856058.pdf
GC05MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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GC05MPS33J sic-schottky-mps-selector-guide.pdf
GC05MPS33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+51.97 EUR
10+47.29 EUR
25+45.55 EUR
100+43.51 EUR
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GC05MPS33J sic-schottky-mps-selector-guide.pdf
GC05MPS33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
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GC05MPS33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GC05MPS33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+47.04 EUR
10+42.8 EUR
25+41.25 EUR
100+38.96 EUR
250+37.53 EUR
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GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.66 EUR
50+4.43 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 980 Stücke:
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GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 60A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
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Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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GC08MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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GC08MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
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GC10MPS12-220 GC10MPS12_220-2449540.pdf
GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.39 EUR
10+10.25 EUR
25+9.78 EUR
100+9.15 EUR
250+8.76 EUR
500+8.46 EUR
1000+8.25 EUR
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GC10MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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GC10MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf
GC10MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf
GC10MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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GC15MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC15MPS12-220 gc15mps12-220.pdf
GC15MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC15MPS12-220 gc15mps12-220.pdf
GC15MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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GC15MPS12-220 GC15MPS12_220-2449839.pdf
GC15MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.24 EUR
10+12.63 EUR
25+12.07 EUR
100+11.21 EUR
250+10.69 EUR
500+10.56 EUR
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GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
GC15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 75A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
GC15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC15MPS12-247 GC15MPS12_247-2449953.pdf
GC15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 2720499.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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