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MBR2X100A080 MBR2X100A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x100a080.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
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MBR2X100A100 MBR2X100A100 GeneSiC Semiconductor mbr2x100a100.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
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MBR2X100A120 MBR2X100A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x100a120.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
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MBR2X100A150 MBR2X100A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x100a150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227
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MBR2X100A200 MBR2X100A200 GeneSiC Semiconductor mbr2x100a200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
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MBR2X120A060 MBR2X120A060 GeneSiC Semiconductor mbr2x120a060.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
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MBR2X120A080 MBR2X120A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x120a080.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
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MBR2X120A100 MBR2X120A100 GeneSiC Semiconductor mbr2x120a100.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
MBR2X120A120 MBR2X120A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x120a120.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
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MBR2X120A150 MBR2X120A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x120a150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227
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MBR2X120A180 MBR2X120A180 GeneSiC Semiconductor mbr2x120a180.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
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MBR2X120A200 MBR2X120A200 GeneSiC Semiconductor mbr2x120a200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
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MBR2X160A080 MBR2X160A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x160a080.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
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MBR2X160A100 MBR2X160A100 GeneSiC Semiconductor mbr2x160a100.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227
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MBR2X160A120 MBR2X160A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x160a120.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227
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MBR2X160A150 MBR2X160A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x160a150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 160A SOT227
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MBR2X160A180 MBR2X160A180 GeneSiC Semiconductor mbr2x160a180.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227
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MBR2X160A200 MBR2X160A200 GeneSiC Semiconductor mbr2x160a200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227
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MBR300150CT GeneSiC Semiconductor mbr300150ct_thru_mbr300200ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
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MBR300150CTR GeneSiC Semiconductor mbr300150ct_thru_mbr300200ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
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MBR300200CT GeneSiC Semiconductor mbr300150ct_thru_mbr300200ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
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MBR300200CTR GeneSiC Semiconductor mbr300150ct_thru_mbr300200ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
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MBR30020CTL MBR30020CTL GeneSiC Semiconductor mbr30020ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
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MBR30020CTRL MBR30020CTRL GeneSiC Semiconductor mbr30020ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
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MBR30030CTL MBR30030CTL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 2 TOWER
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MBR30030CTRL MBR30030CTRL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 2 TOWER
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MBR30035CTL MBR30035CTL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER
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MBR30035CTRL MBR30035CTRL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER
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MBR30040CTL GeneSiC Semiconductor mbr30040ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 150A 2 TOWER
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MBR30040CTRL GeneSiC Semiconductor mbr30040ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 150A 2 TOWER
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MBR30045CTL MBR30045CTL GeneSiC Semiconductor MBR30045CT(R)L.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
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MBR30045CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30045CT(R)L.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
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MBR400150CT MBR400150CT GeneSiC Semiconductor mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
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MBR400150CTR MBR400150CTR GeneSiC Semiconductor mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
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MBR400200CT MBR400200CT GeneSiC Semiconductor mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
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MBR400200CTR MBR400200CTR GeneSiC Semiconductor mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
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MBR40020CTL MBR40020CTL GeneSiC Semiconductor mbr40020ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER
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MBR40020CTRL MBR40020CTRL GeneSiC Semiconductor mbr40020ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER
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MBR40030CTL MBR40030CTL GeneSiC Semiconductor mbr40030ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER
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MBR40030CTRL MBR40030CTRL GeneSiC Semiconductor mbr40030ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER
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MBR40035CTL MBR40035CTL GeneSiC Semiconductor mbr40035ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
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MBR40035CTRL MBR40035CTRL GeneSiC Semiconductor mbr40035ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
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MBR40040CTL MBR40040CTL GeneSiC Semiconductor mbr40040ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A 2 TOWER
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MBR40040CTRL MBR40040CTRL GeneSiC Semiconductor mbr40040ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A 2 TOWER
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MBR40045CTL MBR40045CTL GeneSiC Semiconductor mbr40045ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A 2 TOWER
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MBR40045CTRL MBR40045CTRL GeneSiC Semiconductor mbr40045ct(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A 2 TOWER
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MBR500150CT MBR500150CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER
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MBR500150CTR MBR500150CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ct_thru_mbr500200ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER
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MBR500200CT MBR500200CT GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
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MBR500200CTR MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor mbr500150ctr.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
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MBR600150CT MBR600150CT GeneSiC Semiconductor mbr600150ct.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
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MBR600150CTR MBR600150CTR GeneSiC Semiconductor mbr600150ct.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
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MBR600200CT MBR600200CT GeneSiC Semiconductor mbr600150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
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MBR600200CTR MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor mbr600150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
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MBR60020CTL MBR60020CTL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER
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MBR60020CTRL MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER
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MBR60030CTL MBR60030CTL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
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MBR60030CTRL MBR60030CTRL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
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MBR60035CTL MBR60035CTL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
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MBR60035CTRL MBR60035CTRL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
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MBR2X100A080 mbr2x100a080.pdf
MBR2X100A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
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MBR2X100A100 mbr2x100a100.pdf
MBR2X100A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
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MBR2X100A120 mbr2x100a120.pdf
MBR2X100A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
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MBR2X100A150 mbr2x100a150.pdf
MBR2X100A150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
MBR2X100A200 mbr2x100a200.pdf
MBR2X100A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
MBR2X120A060 mbr2x120a060.pdf
MBR2X120A060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
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MBR2X120A080 mbr2x120a080.pdf
MBR2X120A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
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MBR2X120A100 mbr2x120a100.pdf
MBR2X120A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
MBR2X120A120 mbr2x120a120.pdf
MBR2X120A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
Produkt ist nicht verfügbar
MBR2X120A150 mbr2x120a150.pdf
MBR2X120A150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
MBR2X120A180 mbr2x120a180.pdf
MBR2X120A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
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MBR2X120A200 mbr2x120a200.pdf
MBR2X120A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
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MBR2X160A080 mbr2x160a080.pdf
MBR2X160A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
MBR2X160A100 mbr2x160a100.pdf
MBR2X160A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
MBR2X160A120 mbr2x160a120.pdf
MBR2X160A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
MBR2X160A150 mbr2x160a150.pdf
MBR2X160A150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 160A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
MBR2X160A180 mbr2x160a180.pdf
MBR2X160A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
MBR2X160A200 mbr2x160a200.pdf
MBR2X160A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
MBR300150CT mbr300150ct_thru_mbr300200ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBR300150CTR mbr300150ct_thru_mbr300200ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBR300200CT mbr300150ct_thru_mbr300200ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBR300200CTR mbr300150ct_thru_mbr300200ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
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MBR30020CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
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MBR30020CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 2 TOWER
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MBR30035CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER
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MBR30035CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 150A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 150A 2 TOWER
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MBR30045CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
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MBR400150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
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MBR400150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
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MBR400200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
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MBR400200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
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MBR40020CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER
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MBR40020CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER
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MBR40030CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER
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MBR40030CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER
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MBR40035CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
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MBR40035CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
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MBR40040CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A 2 TOWER
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MBR40040CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A 2 TOWER
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MBR40045CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A 2 TOWER
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MBR40045CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A 2 TOWER
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MBR500150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER
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MBR500150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER
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MBR500200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
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MBR500200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
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MBR600150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
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MBR600150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
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MBR600200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
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MBR600200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
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MBR60020CTL
MBR60020CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER
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MBR60020CTRL
MBR60020CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER
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MBR60030CTL
MBR60030CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
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MBR60030CTRL
MBR60030CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
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MBR60035CTL
MBR60035CTL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
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MBR60035CTRL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
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