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MBRT500200 MBRT500200 GeneSiC Semiconductor mbrt500150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
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MBRT500200R MBRT500200R GeneSiC Semiconductor mbrt500150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
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MBRT60035RL MBRT60035RL GeneSiC Semiconductor mbrt60035(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER
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MBRT60040RL MBRT60040RL GeneSiC Semiconductor mbrt60040(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 300A 3 TOWER
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MBRT60045L MBRT60045L GeneSiC Semiconductor mbrt60045(r)l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER
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MSRT100100(A)D MSRT100100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
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MSRT100120(A)D MSRT100120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
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MSRT100140(A)D MSRT100140(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
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MSRT100160(A)D MSRT100160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
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MSRT10060(A)D MSRT10060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
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MSRT10080(A)D MSRT10080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt100100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
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MSRT150100(A)D MSRT150100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
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MSRT150120(A)D MSRT150120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
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MSRT150140(A)D MSRT150140(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
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MSRT150160(A)D MSRT150160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER
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MSRT15060(A)D MSRT15060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
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MSRT15080(A)D MSRT15080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
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MSRT200100(A)D MSRT200100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
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MSRT200120(A)D MSRT200120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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MSRT200140(A)D MSRT200140(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
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MSRT200160(A)D MSRT200160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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MSRT20060(A)D MSRT20060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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MSRT20080(A)D MSRT20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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MSRTA200100(A)D MSRTA200100(A)D GeneSiC Semiconductor msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200120(A)D MSRTA200120(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200140(A)D MSRTA200140(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200160(A)D MSRTA200160(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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MSRTA20060(A)D MSRTA20060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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MSRTA20080(A)D MSRTA20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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MSRTA30060(A)D MSRTA30060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
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MSRTA30080(A)D MSRTA30080(A)D GeneSiC Semiconductor www.genesicsemi.com Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
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MUR2X030A04 MUR2X030A04 GeneSiC Semiconductor mur2x030a04.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MUR2X060A10 MUR2X060A10 GeneSiC Semiconductor mur2x060a10.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
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MUR2X060A12 MUR2X060A12 GeneSiC Semiconductor mur2x060a12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
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MUR2X100A06 MUR2X100A06 GeneSiC Semiconductor mur2x100a06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
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MUR2X100A10 MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor mur2x100a10.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
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MUR2X100A12 MUR2X100A12 GeneSiC Semiconductor mur2x100a12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
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MUR2X120A02 MUR2X120A02 GeneSiC Semiconductor mur2x120a02.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MUR2X120A04 MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor mur2x120a04.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
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MUR2X120A06 MUR2X120A06 GeneSiC Semiconductor mur2x120a06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MUR2X120A10 MUR2X120A10 GeneSiC Semiconductor mur2x120a10.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
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MUR2X120A12 MUR2X120A12 GeneSiC Semiconductor mur2x120a12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
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MURTA20060 MURTA20060 GeneSiC Semiconductor murta200120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA20060R MURTA20060R GeneSiC Semiconductor murta200120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA300120 MURTA300120 GeneSiC Semiconductor murta300120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA300120R MURTA300120R GeneSiC Semiconductor murta300120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA30020 MURTA30020 GeneSiC Semiconductor murta30020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURTA30020R MURTA30020R GeneSiC Semiconductor murta30020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURTA30040 MURTA30040 GeneSiC Semiconductor murta30020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURTA30040R MURTA30040R GeneSiC Semiconductor murta30020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MURTA30060 MURTA30060 GeneSiC Semiconductor murta300120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA30060R MURTA30060R GeneSiC Semiconductor murta300120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MURTA400120 MURTA400120 GeneSiC Semiconductor murta400120.pdf Description: DIODE MOD GP 1200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA400120R MURTA400120R GeneSiC Semiconductor murta400120.pdf Description: DIODE MOD GP 1200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA40020 MURTA40020 GeneSiC Semiconductor murta40020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURTA40020R MURTA40020R GeneSiC Semiconductor murta40020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MURTA40040 MURTA40040 GeneSiC Semiconductor murta40020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA40040R MURTA40040R GeneSiC Semiconductor murta40020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA40060 MURTA40060 GeneSiC Semiconductor murta400120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA40060R MURTA40060R GeneSiC Semiconductor murta400120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT500200 mbrt500150.pdf
MBRT500200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT500200R mbrt500150.pdf
MBRT500200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT60035RL mbrt60035(r)l.pdf
MBRT60035RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT60040RL mbrt60040(r)l.pdf
MBRT60040RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 300A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRT60045L mbrt60045(r)l.pdf
MBRT60045L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT100100(A)D msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf
MSRT100100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT100120(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT100140(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT100160(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT10060(A)D msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf
MSRT10060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT10080(A)D msrt100100(a)d.pdf
MSRT10080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
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MSRT150100(A)D msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf
MSRT150100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
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MSRT150120(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf
MSRT150120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
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MSRT150140(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf
MSRT150140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
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MSRT150160(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf
MSRT150160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER
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MSRT15060(A)D msrt150100(a)d.pdf
MSRT15060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
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MSRT15080(A)D msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf
MSRT15080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT200100(A)D msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf
MSRT200100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
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MSRT200120(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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MSRT200140(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
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MSRT200160(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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MSRT20060(A)D msrt200100(a)d.pdf
MSRT20060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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MSRT20080(A)D msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf
MSRT20080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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MSRTA200100(A)D msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf
MSRTA200100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200120(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200140(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200160(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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MSRTA20060(A)D msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf
MSRTA20060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA20080(A)D msrta200100(a)d.pdf
MSRTA20080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA30060(A)D msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf
MSRTA30060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA30080(A)D www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
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MUR2X030A04 mur2x030a04.pdf
MUR2X030A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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MUR2X060A10 mur2x060a10.pdf
MUR2X060A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X060A12 mur2x060a12.pdf
MUR2X060A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A06 mur2x100a06.pdf
MUR2X100A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A10 mur2x100a10.pdf
MUR2X100A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X100A12 mur2x100a12.pdf
MUR2X100A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A02 mur2x120a02.pdf
MUR2X120A02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A04 mur2x120a04.pdf
MUR2X120A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A06 mur2x120a06.pdf
MUR2X120A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A10 mur2x120a10.pdf
MUR2X120A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A12 mur2x120a12.pdf
MUR2X120A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA20060 murta200120.pdf
MURTA20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA20060R murta200120.pdf
MURTA20060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA300120 murta300120.pdf
MURTA300120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA300120R murta300120.pdf
MURTA300120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30020 murta30020.pdf
MURTA30020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30020R murta30020.pdf
MURTA30020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30040 murta30020.pdf
MURTA30040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30040R murta30020.pdf
MURTA30040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30060 murta300120.pdf
MURTA30060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA30060R murta300120.pdf
MURTA30060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA400120 murta400120.pdf
MURTA400120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA400120R murta400120.pdf
MURTA400120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA40020 murta40020.pdf
MURTA40020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA40020R murta40020.pdf
MURTA40020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA40040 murta40020.pdf
MURTA40040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA40040R murta40020.pdf
MURTA40040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA40060 murta400120.pdf
MURTA40060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA40060R murta400120.pdf
MURTA40060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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