Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4227) > Seite 19 nach 71
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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GA040TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
 Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA040TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
SCR Modules 6500V 40A SiC Thyristor |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA04JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Supplier Device Package: TO-247AB Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA04JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA05JT01-46 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 100V 9A TO46 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 210°C FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V Current Drain (Id) - Max: 5.8 A Supplier Device Package: TO-46 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Power - Max: 20 W Resistance - RDS(On): 240 mOhms |
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Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA05JT01-46 | GeneSiC Semiconductor |
JFET SiC High Temperature JT |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA05JT03-46 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET SiC High Temperature JT |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA05JT03-46 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 300V 9A |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA05JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 5A TO247AB Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV Resistance - RDS(On): 180 MOhms Power - Max: 106 W Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Supplier Device Package: TO-247-3 Current Drain (Id) - Max: 15 A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 800V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 1260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA05JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 15A Standard |
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GA05JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 15A Standard |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA05JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Supplier Device Package: TO-263-7 Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 1250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| GA05JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 5A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| GA05JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 5A |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| GA05JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 5A |
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| GA060TH65 | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-2 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Structure: Single Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Number of SCRs, Diodes: 1 SCR Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A Voltage - Off State: 6.5 kV |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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GA060TH65 | GeneSiC Semiconductor |
SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA060TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227 |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA060TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA06JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA06JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB Packaging: Tube Resistance - RDS(On): 200 mOhms Power - Max: 24 W Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Supplier Device Package: TO-247-3 Current Drain (Id) - Max: 6 A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 |
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Mindestbestellmenge: 1260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| GA080TH65 | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227 Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Structure: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-2 Packaging: Bulk Voltage - Off State: 6.5 kV Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A Number of SCRs, Diodes: 1 SCR |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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GA080TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA080TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227 Voltage - Off State: 6.5 kV Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A Number of SCRs, Diodes: 1 SCR Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Structure: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| GA08JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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GA08JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB Resistance - RDS(On): 230 mOhms Power - Max: 48 W Current Drain (Id) - Max: 8 A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV Supplier Device Package: TO-247-3 Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C) FET Type: N-Channel Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
GA100JT12-227 |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-227 Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
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GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor |
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GA100JT17-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-227 Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
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GA100SBJT12-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BOARD EVAL DBL PULSE |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA100SBJT12-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board |
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| GA100SCPL12-227E | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV |
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GA100SICP12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV Voltage: 1.2 kV Current: 100 A Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
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GA10JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 25A Standard |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
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| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
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| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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GA10SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV Voltage: 1.2 kV Current: 10 A Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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GA10SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA10SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| GA15IDDJT22-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BOARD GATE DRIVER Packaging: Bulk Function: Gate Driver Type: Power Management Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: Isolated |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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GA15IDDJT22-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board |
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GA16JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV Resistance - RDS(On): 50 mOhms Power - Max: 282 W Current Drain (Id) - Max: 45 A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV Supplier Device Package: TO-247-3 Power Dissipation (Max): 282W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C) FET Type: N-Channel Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 45A Standard |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV Resistance - RDS(On): 50 mOhms Power - Max: 282 W Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Supplier Device Package: TO-247-3 Current Drain (Id) - Max: 45 A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 510 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Power Dissipation (Max): 282W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
JFETs 1200V 45A Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Supplier Device Package: TO-247AB Power Dissipation (Max): 282W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube Voltage: 1.2 kV Current: 20 A Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA35XCP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: IGBT 1200V SOT247 Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Gate Charge: 50 nC Test Condition: 800V, 35A, 22Ohm, 15V Switching Energy: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) IGBT Type: PT Supplier Device Package: TO-247AB Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 35A Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA35XCP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| GA50JT06-258 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 600V 100A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV Resistance - RDS(On): 20 mOhms Power - Max: 583 W Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Supplier Device Package: TO-247-3 Current Drain (Id) - Max: 100 A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 100A Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| GA50JT12-247ISO | GeneSiC Semiconductor | JFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GA040TH65-227SP |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA040TH65-227SP |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V 40A SiC Thyristor
SCR Modules 6500V 40A SiC Thyristor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA04JT17-247 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Supplier Device Package: TO-247AB
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Supplier Device Package: TO-247AB
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA04JT17-247 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA05JT01-46 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 100V 9A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 210°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V
Current Drain (Id) - Max: 5.8 A
Supplier Device Package: TO-46
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power - Max: 20 W
Resistance - RDS(On): 240 mOhms
Description: TRANS SJT 100V 9A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 210°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V
Current Drain (Id) - Max: 5.8 A
Supplier Device Package: TO-46
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power - Max: 20 W
Resistance - RDS(On): 240 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA05JT01-46 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET SiC High Temperature JT
JFET SiC High Temperature JT
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA05JT03-46 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC High Temperature JT
MOSFET SiC High Temperature JT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA05JT03-46 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 300V 9A
Description: TRANS SJT 300V 9A
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA05JT12-247 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
Resistance - RDS(On): 180 MOhms
Power - Max: 106 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 15 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
Resistance - RDS(On): 180 MOhms
Power - Max: 106 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 15 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1260 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA05JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 15A Standard
JFET 1200V 15A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA05JT12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 15A Standard
JFET 1200V 15A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA05JT12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA05JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA05JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA05JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA060TH65 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA060TH65 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr
SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA060TH65-227SP |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA060TH65-227SP |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA06JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA06JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Packaging: Tube
Resistance - RDS(On): 200 mOhms
Power - Max: 24 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 6 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Packaging: Tube
Resistance - RDS(On): 200 mOhms
Power - Max: 24 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 6 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1260 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA080TH65 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-2
Packaging: Bulk
Voltage - Off State: 6.5 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-2
Packaging: Bulk
Voltage - Off State: 6.5 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA080TH65-227SP |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA080TH65-227SP |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Voltage - Off State: 6.5 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Voltage - Off State: 6.5 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA08JT17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA08JT17-247 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
Power - Max: 48 W
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
Power - Max: 48 W
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100JT12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GA100JT12-227
GA100JT12-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100JT12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100JT12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100JT17-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100SBJT12-FR4 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA100SBJT12-FR4 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100SCPL12-227E |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100SICP12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Voltage: 1.2 kV
Current: 100 A
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Voltage: 1.2 kV
Current: 100 A
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10JT12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Standard
MOSFET 1200V 25A Standard
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA10JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10SICP12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Voltage: 1.2 kV
Current: 10 A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Voltage: 1.2 kV
Current: 10 A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA10SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA15IDDJT22-FR4 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA15IDDJT22-FR4 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA16JT17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Power - Max: 282 W
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Power - Max: 282 W
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 45A Standard
JFET 1200V 45A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Power - Max: 282 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Power - Max: 282 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 510 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20JT12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 64.66 EUR |
| 10+ | 59.64 EUR |
| GA20JT12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFETs 1200V 45A Standard
JFETs 1200V 45A Standard
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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| GA20SICP12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-247AB
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-247AB
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
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| GA20SICP12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
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| GA20SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Voltage: 1.2 kV
Current: 20 A
Part Status: Active
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Voltage: 1.2 kV
Current: 20 A
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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| GA20SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
auf Bestellung 81 Stücke:
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| GA35XCP12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: IGBT 1200V SOT247
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Gate Charge: 50 nC
Test Condition: 800V, 35A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: IGBT 1200V SOT247
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Gate Charge: 50 nC
Test Condition: 800V, 35A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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| GA35XCP12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
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| GA50JT06-258 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 600V 100A
Description: TRANS SJT 600V 100A
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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| GA50JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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| GA50JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Power - Max: 583 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Power - Max: 583 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| GA50JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 100A Standard
JFET 1200V 100A Standard
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| GA50JT12-247ISO |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET
JFET
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