Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (3962) > Seite 19 nach 67
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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GB02SLT12-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 16A Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rect. |
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Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| GB03SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB03SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| GB03SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| GB04SLT17-247 | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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GB05MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V |
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Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB05MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB05MPS17-263 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB05MPS17-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB05MPS33-263 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| GB05SHT06-CAL | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225Deg C AI Top and Au Bottom |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| GB05SHT06-CAU | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225 DegC Au Top and Au Bottom |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| GB05SHT12-CAL | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC AI Top and Au Bottom |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| GB05SHT12-CAU | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC Au Top and Au Bottom |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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GB05SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB05SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier |
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Mindestbestellmenge: 1250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB05SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB05SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier |
auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GB08SLT17-247 | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor |
IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak |
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 50A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 669pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1700 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB10MPS17-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Max. forward impulse current: 87A Max. off-state voltage: 1.7kV |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A SiC Power Schottky Diode |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| GB10SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| GB10SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 10A SiC Schottky Rectifier |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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GB10SLT12-247D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 12A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
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Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB10SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB10SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB10SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect. |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| GB16SLT17-247 | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 16A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| GB20SHT06-CAL | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 20A 225DegC AI Top and Au Bottom |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| GB20SHT06-CAU | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC650V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| GB20SHT12-CAL | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC AI Top and Au Bottom |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| GB20SHT12-CAU | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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GB20SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 50A SiC Schottky Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB20SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| GB20SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 67A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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GB20SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 968pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB20SLT12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube Mounting: THT Max. forward impulse current: 160A Max. forward voltage: 1.5V Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB20SLT12-247D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB25MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 52A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB25MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1736 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GB2X50MPS12-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw Mechanical mounting: screw Max. forward impulse current: 0.4kA Max. forward voltage: 1.5V Type of semiconductor module: diode Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Load current: 50A x2 Max. load current: 100A Kind of package: tube Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Reverse recovery time: 10ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GB02SLT12-214 |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB02SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB02SLT12-220 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 52+ | 3.47 EUR |
| GB02SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB02SLT12-252 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rect.
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rect.
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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| GB03SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 11.01 EUR |
| 100+ | 10.28 EUR |
| 250+ | 9.53 EUR |
| 500+ | 8.57 EUR |
| 1000+ | 8.01 EUR |
| GB03SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| GB03SLT12-247 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| GB04SLT17-247 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB05MPS17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| GB05MPS17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB05MPS17-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB05MPS17-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB05MPS33-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB05SHT06-CAL |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225Deg C AI Top and Au Bottom
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225Deg C AI Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB05SHT06-CAU |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225 DegC Au Top and Au Bottom
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225 DegC Au Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB05SHT12-CAL |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC AI Top and Au Bottom
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC AI Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB05SHT12-CAU |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC Au Top and Au Bottom
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC Au Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB05SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB05SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB05SLT12-252 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Description: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB05SLT12-252 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB08SLT17-247 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB100XCP12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak
IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10MPS17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
Silicon Carbide power schottky diode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 600+ | 17.22 EUR |
| GB10MPS17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 50A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 669pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 50A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 669pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10MPS17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
Silicon Carbide power schottky diode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 600+ | 17.22 EUR |
| GB10MPS17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 87A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 87A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10MPS17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
Silicon Carbide power schottky diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10MPS17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A SiC Power Schottky Diode
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB10SLT12-214 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10SLT12-220 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10SLT12-247 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
SiC Schottky Diodes 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10SLT12-247D |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 12A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 12A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10SLT12-252 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10SLT12-252 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB10SLT12-252 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect.
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB16SLT17-247 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 16A
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 16A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SHT06-CAL |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 20A 225DegC AI Top and Au Bottom
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 20A 225DegC AI Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SHT06-CAU |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC650V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom
Schottky Diodes & Rectifiers SiC650V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SHT12-CAL |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC AI Top and Au Bottom
SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC AI Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SHT12-CAU |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom
SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SLT12-220 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A SiC Schottky Rectifier
SiC Schottky Diodes 1200V 50A SiC Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SLT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB20SLT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 67A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 67A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SLT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 968pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 968pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SLT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SLT12-247D |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| GB25MPS17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 52A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 52A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB25MPS17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB2X100MPS12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 256.18 EUR |
| 10+ | 238.82 EUR |
| GB2X100MPS12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
Silicon Carbide Power
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 434.77 EUR |
| GB2X100MPS12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
Silicon Carbide Power
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB2X100MPS12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
Silicon Carbide Power
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB2X100MPS12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 257.94 EUR |
| GB2X50MPS12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB2X50MPS12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 144.01 EUR |
| 10+ | 125 EUR |
| GB2X50MPS12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH