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GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
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GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
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GA060TH65 GeneSiC Semiconductor GA060TH65.pdf Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
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GA060TH65 GA060TH65 GeneSiC Semiconductor GA060TH65-218936.pdf SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr
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GA060TH65-227SP GA060TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA060TH65-218936.pdf SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
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GA060TH65-227SP GA060TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA060TH65.pdf Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
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GA06JT12-247 GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247-471373.pdf MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA06JT12-247 GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V
Current Drain (Id) - Max: 6 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 24 W
Resistance - RDS(On): 200 mOhms
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GA080TH65 GeneSiC Semiconductor GA080TH65.pdf Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
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GA080TH65-227SP GA080TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA080TH65.pdf Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
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GA080TH65-227SP GA080TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA080TH65-218805.pdf SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
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GA08JT17-247 GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Power - Max: 48 W
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
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GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247-218631.pdf MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
auf Bestellung 42 Stücke:
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GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227.pdf GA100JT12-227
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GA100JT12-227 GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227.pdf Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
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GA100JT12-227 GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227-612650.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
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GA100JT17-227 GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227.pdf Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
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GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4 GeneSiC Semiconductor GA100SBJT12-FR4.pdf Description: BOARD EVAL DBL PULSE
auf Bestellung 2 Stücke:
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GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4 GeneSiC Semiconductor GA100SBJT12-FR4-437485.pdf Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
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GA100SCPL12-227E GeneSiC Semiconductor Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
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GA100SICP12-227 GA100SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA100SICP12-227.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 100 A
Voltage: 1.2 kV
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GA10JT12-263 GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263-553311.pdf MOSFET 1200V 25A Standard
auf Bestellung 52 Stücke:
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GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
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GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
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GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
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GA10SICP12-247 GA10SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current: 10 A
Voltage: 1.2 kV
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GA10SICP12-263 GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263-612649.pdf MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
auf Bestellung 57 Stücke:
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GA10SICP12-263 GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
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GA10SLT12-220 GA10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
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GA15IDDJT22-FR4 GA15IDDJT22-FR4 GeneSiC Semiconductor GA15IDDJT22-FR4-437474.pdf Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
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GA15IDDJT22-FR4 GeneSiC Semiconductor Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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GA16JT17-247 GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA16JT17-247_SPICE.pdf Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
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GA20JT12-247 GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
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GA20JT12-247 GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247-1856190.pdf JFET 1200V 45A Standard
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GA20JT12-263 GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
auf Bestellung 31 Stücke:
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1+64.66 EUR
10+59.64 EUR
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GA20JT12-263 GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12_263-3478317.pdf JFETs 1200V 45A Standard
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GA20SICP12-247 GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247-612529.pdf MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
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GA20SICP12-247 GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
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GA20SICP12-263 GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
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GA20SICP12-263 GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263-766175.pdf MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
auf Bestellung 81 Stücke:
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GA35XCP12-247 GA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247.pdf IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
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GA35XCP12-247 GA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247.pdf Description: IGBT 1200V SOT247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: PT
Switching Energy: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT06-258 GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258.pdf Description: TRANS SJT 600V 100A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247.pdf Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT12-247 GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247-1856120.pdf JFET 1200V 100A Standard
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT12-247 GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
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GA50JT12-247ISO GeneSiC Semiconductor JFET
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GA50JT12-263 GA50JT12-263 GeneSiC Semiconductor Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT17-247 GA50JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247.pdf Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA50SICP12-227.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
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GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor GAP05SLT80-220.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
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GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor GAP05SLT80-220.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
auf Bestellung 9 Stücke:
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GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GAP3SLT33-214.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 0.3A
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.15V
Semiconductor structure: single diode
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GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214.pdf SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
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GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214.pdf DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
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GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP-1856078.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GB01SHT06-CAU GeneSiC Semiconductor GB01SHT06-CAU-218255.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
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GB01SHT12-CAL GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0001016124_1-3478380.pdf SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
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GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT06-214.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 1A
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
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GA05JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
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GA05JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
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GA060TH65 GA060TH65.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
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GA060TH65 GA060TH65-218936.pdf
GA060TH65
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr
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GA060TH65-227SP GA060TH65-218936.pdf
GA060TH65-227SP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
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GA060TH65-227SP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
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GA06JT12-247 GA06JT12-247-471373.pdf
GA06JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA06JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V
Current Drain (Id) - Max: 6 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 24 W
Resistance - RDS(On): 200 mOhms
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GA080TH65 GA080TH65.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
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GA080TH65-227SP GA080TH65.pdf
GA080TH65-227SP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
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GA080TH65-227SP GA080TH65-218805.pdf
GA080TH65-227SP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
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GA08JT17-247
GA08JT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Power - Max: 48 W
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
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GA08JT17-247 GA08JT17-247-218631.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA100JT12-227 GA100JT12-227.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GA100JT12-227
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GA100JT12-227 GA100JT12-227.pdf
GA100JT12-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
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GA100JT12-227 GA100JT12-227-612650.pdf
GA100JT12-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
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GA100JT17-227 GA100JT17-227.pdf
GA100JT17-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
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GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4.pdf
GA100SBJT12-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4-437485.pdf
GA100SBJT12-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
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GA100SCPL12-227E
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
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GA100SICP12-227 GA100SICP12-227.pdf
GA100SICP12-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 100 A
Voltage: 1.2 kV
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GA10JT12-263 GA10JT12-263-553311.pdf
GA10JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Standard
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA10JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
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GA10JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
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GA10JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
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GA10SICP12-247 GA10SICP12-247.pdf
GA10SICP12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current: 10 A
Voltage: 1.2 kV
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GA10SICP12-263 GA10SICP12-263-612649.pdf
GA10SICP12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA10SICP12-263 GA10SICP12-263.pdf
GA10SICP12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
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GA10SLT12-220
GA10SLT12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
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GA15IDDJT22-FR4 GA15IDDJT22-FR4-437474.pdf
GA15IDDJT22-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
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GA15IDDJT22-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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GA16JT17-247 GA16JT17-247_SPICE.pdf
GA16JT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
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GA20JT12-247 GA20JT12-247.pdf
GA20JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
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GA20JT12-247 GA20JT12-247-1856190.pdf
GA20JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 45A Standard
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GA20JT12-263 GA20JT12-263.pdf
GA20JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+64.66 EUR
10+59.64 EUR
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GA20JT12-263 GA20JT12_263-3478317.pdf
GA20JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFETs 1200V 45A Standard
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GA20SICP12-247 GA20SICP12-247-612529.pdf
GA20SICP12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
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GA20SICP12-247 GA20SICP12-247.pdf
GA20SICP12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
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GA20SICP12-263 GA20SICP12-263.pdf
GA20SICP12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
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GA20SICP12-263 GA20SICP12-263-766175.pdf
GA20SICP12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA35XCP12-247 GA35XCP12-247.pdf
GA35XCP12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
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GA35XCP12-247 GA35XCP12-247.pdf
GA35XCP12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: IGBT 1200V SOT247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: PT
Switching Energy: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT06-258 GA50JT06-258.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 600V 100A
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GA50JT12-247 GA50JT12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT12-247 GA50JT12-247-1856120.pdf
GA50JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 100A Standard
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GA50JT12-247 GA50JT12-247.pdf
GA50JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT12-247ISO
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET
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GA50JT12-263
GA50JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
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GA50JT17-247 GA50JT17-247.pdf
GA50JT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227.pdf
GA50SICP12-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220.pdf
GAP05SLT80-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
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GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220.pdf
GAP05SLT80-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 0.3A
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.15V
Semiconductor structure: single diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
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GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP.pdf
GAP3SLT33-220FP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP-1856078.pdf
GAP3SLT33-220FP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SHT06-CAU GB01SHT06-CAU-218255.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SHT12-CAL GCSR_S_A0001016124_1-3478380.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
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GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 1A
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
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