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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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S6MR GeneSiC Semiconductor s6k_thru_s6qr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4
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S6Q GeneSiC Semiconductor s6k_thru_s6qr.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4
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S6QR S6QR GeneSiC Semiconductor s6k_thru_s6qr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4
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S70B GeneSiC Semiconductor s70b.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 70A DO5
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S70BR GeneSiC Semiconductor s70b_thru_s70jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO5
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S70D GeneSiC Semiconductor s70b_thru_s70jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 70A DO5
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S70DR GeneSiC Semiconductor s70b_thru_s70jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 200V 70A DO5
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S70G GeneSiC Semiconductor s70b_thru_s70jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 70A DO5
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S70GR GeneSiC Semiconductor s70b_thru_s70jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5
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S70J GeneSiC Semiconductor s70b_thru_s70jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 70A DO5
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S70JR GeneSiC Semiconductor s70b_thru_s70jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 600V 70A DO5
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S70K GeneSiC Semiconductor s70k_thru_s70qr.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 70A DO5
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S70KR GeneSiC Semiconductor s70k_thru_s70qr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 800V 70A DO5
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S70M GeneSiC Semiconductor s70k.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 70A DO5
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S70MR GeneSiC Semiconductor s70k.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 70A DO5
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S70Q GeneSiC Semiconductor s70k_thru_s70qr.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO5
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S70QR GeneSiC Semiconductor s70k_thru_s70qr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 70A DO5
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S70V GeneSiC Semiconductor s70v_thru_s70yr.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 70A DO5
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S70VR GeneSiC Semiconductor s70v_thru_s70yr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV 70A DO5
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S70Y GeneSiC Semiconductor s70v_thru_s70yr.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 70A DO5
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S70YR GeneSiC Semiconductor s70v_thru_s70yr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1.6KV 70A DO5
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S85B GeneSiC Semiconductor s85b_thru_s85jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 85A DO5
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S85BR GeneSiC Semiconductor s85b_thru_s85jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 100V 85A DO5
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S85D GeneSiC Semiconductor s85b_thru_s85jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 85A DO5
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S85DR GeneSiC Semiconductor s85b_thru_s85jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 200V 85A DO5
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S85G GeneSiC Semiconductor s85b.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 85A DO5
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S85GR GeneSiC Semiconductor s85b.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 400V 85A DO5
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S85K GeneSiC Semiconductor s85k_thru_s85qr.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 85A DO5
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S85KR GeneSiC Semiconductor s85k_thru_s85qr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 800V 85A DO5
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S85M S85M GeneSiC Semiconductor s85k_thru_s85qr.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 85A DO5
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S85MR GeneSiC Semiconductor s85k_thru_s85qr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 85A DO5
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S85V GeneSiC Semiconductor s85v_thru_s85yr.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 85A DO5
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S85VR S85VR GeneSiC Semiconductor s85v.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV 85A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 85 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.89 EUR
10+22.63 EUR
25+21.33 EUR
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S85Y GeneSiC Semiconductor s85v_thru_s85yr.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 85A DO5
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S85YR S85YR GeneSiC Semiconductor s85v.pdf Description: DIODE STANDARD REV 1600V 85A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 85 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.87 EUR
10+20.09 EUR
25+18.76 EUR
100+16.92 EUR
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SD51 GeneSiC Semiconductor sd51_thru_sd51r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO5
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SD51R GeneSiC Semiconductor sd51_thru_sd51r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 45V DO5
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W005M GeneSiC Semiconductor W005M%7EW10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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W01M W01M GeneSiC Semiconductor W005M~W10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A WOM
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W02M W02M GeneSiC Semiconductor W005M%7EW10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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W04M GeneSiC Semiconductor W005M%7EW10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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W06M GeneSiC Semiconductor W06M-10M.pdf description Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
W08M GeneSiC Semiconductor W06M-10M.pdf description Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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GA50JT17-247 GA50JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247.pdf Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4.pdf Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA15IDDJT22-FR4 GeneSiC Semiconductor Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4 GeneSiC Semiconductor GA100SBJT12-FR4.pdf Description: BOARD EVAL DBL PULSE
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT01-46 GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46.pdf Description: TRANS SJT 100V 9A
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA05JT03-46 GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46.pdf Description: TRANS SJT 300V 9A
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT06-258 GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258.pdf Description: TRANS SJT 600V 100A
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GB02SHT01-46 GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.2 EUR
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GB02SHT03-46 GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.36 EUR
10+69.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor GAP05SLT80-220.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220.pdf Description: RF DIODE PIN 15000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Part Status: Active
Current - Max: 1 A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+790.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS80-220 GA01PNS80-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS80-220.pdf Description: RF DIODE PIN 8000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8000V
Current - Max: 2 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X030A045 MBR2X030A045 GeneSiC Semiconductor mbr2x030a045.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.48 EUR
10+63.19 EUR
25+59.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X030A100 MBR2X030A100 GeneSiC Semiconductor mbr2x030a100.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X050A200 MBR2X050A200 GeneSiC Semiconductor mbr2x050a200.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6MR s6k_thru_s6qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4
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S6Q s6k_thru_s6qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4
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S6QR s6k_thru_s6qr.pdf
S6QR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4
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S70B s70b.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70BR s70b_thru_s70jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70D s70b_thru_s70jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70DR s70b_thru_s70jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70G s70b_thru_s70jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 70A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70GR s70b_thru_s70jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70J s70b_thru_s70jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 70A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70JR s70b_thru_s70jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 70A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70K s70k_thru_s70qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70KR s70k_thru_s70qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70M s70k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 70A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70MR s70k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70Q s70k_thru_s70qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70QR s70k_thru_s70qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70V s70v_thru_s70yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70VR s70v_thru_s70yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70Y s70v_thru_s70yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70YR s70v_thru_s70yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.6KV 70A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85B s85b_thru_s85jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85BR s85b_thru_s85jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85D s85b_thru_s85jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85DR s85b_thru_s85jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85G s85b.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85GR s85b.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85K s85k_thru_s85qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85KR s85k_thru_s85qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85M s85k_thru_s85qr.pdf
S85M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85MR s85k_thru_s85qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85V s85v_thru_s85yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85VR s85v.pdf
S85VR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV 85A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 85 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.89 EUR
10+22.63 EUR
25+21.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85Y s85v_thru_s85yr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 85A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S85YR s85v.pdf
S85YR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 1600V 85A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 85 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.87 EUR
10+20.09 EUR
25+18.76 EUR
100+16.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD51 sd51_thru_sd51r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD51R sd51_thru_sd51r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 45V DO5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
W005M W005M%7EW10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
W01M W005M~W10M.pdf
W01M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A WOM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
W02M W005M%7EW10M.pdf
W02M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
W04M W005M%7EW10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
W06M description W06M-10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
W08M description W06M-10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT17-247 GA50JT17-247.pdf
GA50JT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA15IDDJT22-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4.pdf
GA100SBJT12-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT01-46 GA05JT01-46.pdf
GA05JT01-46
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 100V 9A
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA05JT03-46 GA05JT03-46.pdf
GA05JT03-46
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 300V 9A
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA50JT06-258 GA50JT06-258.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 600V 100A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46.pdf
GB02SHT01-46
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+72.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46.pdf
GB02SHT03-46
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+78.36 EUR
10+69.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46.pdf
GB02SHT06-46
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220.pdf
GAP05SLT80-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220.pdf
GA01PNS150-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: RF DIODE PIN 15000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Part Status: Active
Current - Max: 1 A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+790.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS80-220 GA01PNS80-220.pdf
GA01PNS80-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: RF DIODE PIN 8000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8000V
Current - Max: 2 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
GB02SLT12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X030A045 mbr2x030a045.pdf
MBR2X030A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+73.48 EUR
10+63.19 EUR
25+59.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X030A100 mbr2x030a100.pdf
MBR2X030A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X050A200 mbr2x050a200.pdf
MBR2X050A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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