Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4032) > Seite 20 nach 68
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| GB20SHT12-CAU | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GB20SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 50A SiC Schottky Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB20SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 968pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB20SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GB20SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 67A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GB20SLT12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube Mounting: THT Max. forward impulse current: 160A Max. forward voltage: 1.5V Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB20SLT12-247D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB25MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 52A Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB25MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB2X50MPS12-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw Mechanical mounting: screw Max. forward impulse current: 0.4kA Max. forward voltage: 1.5V Type of semiconductor module: diode Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Load current: 50A x2 Max. load current: 100A Kind of package: tube Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Reverse recovery time: 10ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 93A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GB2X50MPS17-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw Mechanical mounting: screw Max. forward impulse current: 0.432kA Max. forward voltage: 1.5V Type of semiconductor module: diode Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: screw Load current: 50A x2 Max. load current: 100A Kind of package: tube Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Reverse recovery time: 10ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB2X50MPS17-227 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GB2X50MPS17-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1700V 136A SOT-227Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GB50MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GB50MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2 |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB50MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GB50MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| GB50SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GB50SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GB50SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 50A SiC POWER SCHOTTKY DIODE |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GBJ10B | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GBJ10B | GeneSiC Semiconductor |
Description: 100V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGECurrent - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Supplier Device Package: GBJ Technology: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-SIP, GBJ Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| GBJ10D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 200V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGESupplier Device Package: GBJ Technology: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-SIP, GBJ Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GBJ10D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GBJ10G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 400V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GBJ10G | GeneSiC Semiconductor |
Description: 400V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGECurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Supplier Device Package: GBJ Technology: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-SIP, GBJ Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GBJ10J | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GBJ10J | GeneSiC Semiconductor |
Description: 600V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGECurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Supplier Device Package: GBJ Technology: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-SIP, GBJ Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GBJ10J | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 600V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GBJ10K | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GBJ10K | GeneSiC Semiconductor |
Description: 800V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GBJ10K | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GBJ10M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 1000V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GBJ15B | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GBJ15B | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GBJ15D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GBJ15D | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GBJ15G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 400V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GBJ15G | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| GBJ15J | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GBJ15J | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 600V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GBJ15K | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
auf Bestellung 1929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GBJ15K | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJPackage / Case: 4-SIP, GBJ Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Part Status: Active Supplier Device Package: GBJ Technology: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GBJ15M | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Supplier Device Package: GBJ Technology: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-SIP, GBJ Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GBJ15M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 1000V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GBJ15M | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GBJ25B | GeneSiC Semiconductor |
Description: 100V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GBJ25B | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GBJ25D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 200V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GBJ25D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GB20SHT12-CAU |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom
SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SLT12-220 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A SiC Schottky Rectifier
SiC Schottky Diodes 1200V 50A SiC Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SLT12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 968pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Bulk
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 968pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SLT12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB20SLT12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 67A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 67A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SLT12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB20SLT12-247D |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB25MPS17-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 52A
Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 52A
Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB25MPS17-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
Silicon Carbide Power
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 420.12 EUR |
| GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
Silicon Carbide Power
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 257.94 EUR |
| GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 256.18 EUR |
| 10+ | 238.82 EUR |
| GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
Silicon Carbide Power
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 143.94 EUR |
| 10+ | 125 EUR |
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 247.62 EUR |
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 93A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 93A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 160.09 EUR |
| GB2X50MPS17-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.432kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.432kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB2X50MPS17-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 222.8 EUR |
| 10+ | 206.13 EUR |
| 30+ | 205.48 EUR |
| GB2X50MPS17-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1700V 136A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: DIODE MOD SIC 1700V 136A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 172.65 EUR |
| GB50MPS17-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB50MPS17-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2
Description: SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB50MPS17-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 91.8 EUR |
| 10+ | 84.63 EUR |
| 30+ | 81.93 EUR |
| 120+ | 79.88 EUR |
| GB50MPS17-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB50SLT12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB50SLT12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB50SLT12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 50A SiC POWER SCHOTTKY DIODE
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 50A SiC POWER SCHOTTKY DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10B |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10B |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 100V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Description: 100V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 200V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Description: 200V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10G |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10G |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 400V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Description: 400V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 600V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Description: 600V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 600V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 800V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 800V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: 800V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
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| GBJ10K |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ10M |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 1000V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15B |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15B |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15G |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15G |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15J |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 600V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 800V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.72 EUR |
| 10+ | 2.75 EUR |
| 25+ | 2.43 EUR |
| 100+ | 2.12 EUR |
| 200+ | 1.78 EUR |
| 600+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.48 EUR |
| GBJ15K |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15M |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJ
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJ
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15M |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 1000V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ15M |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ25B |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 100V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: 100V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ25B |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ25D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 200V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: 200V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ25D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH












