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SD4145 SD4145 sd41_thru_sd4145r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
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SD4145R SD4145R sd41_thru_sd4145r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
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SD41R SD41R sd41_thru_sd4145r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 30A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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GKN130/18 GKN130/18 gkn13004.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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GKR130/18 GKR130/18 gkr13004.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800V
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MBRH15020L MBRH15020L GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A D-67
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
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MBRH15020RL MBRH15020RL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
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MBRH15030L MBRH15030L mbrh15030(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 150A D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
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MBRH15030RL MBRH15030RL mbrh15030(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 150A D-67
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 150A
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MBRH15035L MBRH15035L mbrh15035(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 150A D-67
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
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MBRH15035RL MBRH15035RL mbrh15035(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 150A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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MBRH15040L MBRH15040L mbrh15040(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 150A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
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MBRH15040RL MBRH15040RL mbrh15040(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 150A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
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MBRH15045L MBRH15045L mbrh15045(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 150A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRH15045RL MBRH15045RL mbrh15045(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 150A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRH120150 MBRH120150 mbrh120150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
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MBRH120150R MBRH120150R mbrh120150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A D-67
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
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MBRH120200 MBRH120200 mbrh120150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A D-67
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
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MBRH120200R MBRH120200R mbrh120150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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MBRH20020L MBRH20020L GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200mA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20020RL MBRH20020RL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200mA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20030L MBRH20030L GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MBRH20030RL MBRH20030RL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MBRH20035L MBRH20035L GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRH20035RL MBRH20035RL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20040L MBRH20040L GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRH20040RL MBRH20040RL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67 HALF-PAK
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20045L MBRH20045L GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRH20045RL MBRH20045RL GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRH200150 MBRH200150 mbrh200150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRH200150R MBRH200150R mbrh200150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Packaging: Bulk
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GKN240/18 GKN240/18 gkn24004.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1800V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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GKR240/18 GKR240/18 gkr24004_thru_gkr24018.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800V (1.8kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MURH7020 MURH7020 murh7005.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 70A D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MURH7020R MURH7020R murh7005.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 70A D-67
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
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MBRH200200 MBRH200200 mbrh200150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRH200200R MBRH200200R mbrh200150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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GA05JT03-46 GA05JT03-46 GA05JT03-46.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 300V 9A
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
FET Feature: Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss): 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5A
Power - Max: 20W
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-46-3
Supplier Device Package: TO-46
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GA05JT01-46 GA05JT01-46 GA05JT01-46.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 100V 9A
Supplier Device Package: TO-46
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Package / Case: TO-46-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Power - Max: 20W
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GA100JT12-227 GA100JT12-227 GA100JT12-227.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
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GA50JT17-247 GA50JT17-247 GA50JT17-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
Supplier Device Package: TO-247
Package / Case: TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 583W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
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MBRH240100 MBRH240100 mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 240A D67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
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MBRH240100R MBRH240100R mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
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MBRH240150 MBRH240150 mbrh240150_thru_mbrh240200r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
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MBRH240150R MBRH240150R mbrh240150_thru_mbrh240200r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
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MBRH24020 MBRH24020 mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
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MBRH240200 MBRH240200 mbrh240150_thru_mbrh240200r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 240A D67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 240A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 240 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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MBRH240200R MBRH240200R mbrh240150_thru_mbrh240200r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 240A D67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 240A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 240 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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MBRH24020R MBRH24020R mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
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MBRH24030 MBRH24030 mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 240A D67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 30V
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MBRH24030R MBRH24030R mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 30V
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MBRH24035 MBRH24035 mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 35V
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MBRH24035R MBRH24035R mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 35V
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MBRH24040 MBRH24040 mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 40V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 40V
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MBRH24040R MBRH24040R mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 40V 240A D67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 40V
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MBRH24045 MBRH24045 mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
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MBRH24045R MBRH24045R mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
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MBRH24060 MBRH24060 mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRH24060R MBRH24060R mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
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MBRH24080 MBRH24080 mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRH24080R MBRH24080R mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRH30020L MBRH30020L mbrh30020(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300A D67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRH30020RL MBRH30020RL mbrh30020(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300A D67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
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MBRH30030L MBRH30030L mbrh30030(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
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MBRH30030RL MBRH30030RL mbrh30030(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
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MBRH30035L MBRH30035L mbrh30035(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 35V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRH30035RL MBRH30035RL mbrh30035(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A D67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 35V
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MBRH30040L MBRH30040L mbrh30040(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 40V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
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MBRH30040RL MBRH30040RL mbrh30040(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 40V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
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MBRH30045L MBRH30045L mbrh30045(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
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MBRH30045RL MBRH30045RL mbrh30045(r)l.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
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MURH7005 murh7005.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 50V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MURH7005R murh7005.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 50V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MURH7010 murh7005.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MURH7010R murh7005.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 100V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MURH7040 murh7040.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C
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MURH7040R murh7040.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C
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MURH7060 murh7040.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MURH7060R murh7040.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2.5A SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Base Part Number: GB01SLT12
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package: SMB (DO-214AA)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 2995 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2.5A SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB (DO-214AA)
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
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auf Bestellung 1580 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+ 7.2 EUR
10+ 6.36 EUR
25+ 6.06 EUR
100+ 5.62 EUR
250+ 5.34 EUR
500+ 5.15 EUR
1000+ 4.96 EUR
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247 GA20SICP12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Supplier Device Package: TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 282W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Super Junction
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GA50JT12-263 GA50JT12-263 GeneSiC Semiconductor Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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GA50JT06-258 GA50JT06-258.pdf GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 600V 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Supplier Device Package: TO-258
Package / Case: TO-258-3, TO-258AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Power - Max: 769W
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GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY 3300V 5A TO-263-7
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 14A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V
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auf Bestellung 2870 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 84.97 EUR
10+ 77.79 EUR
25+ 75.11 EUR
100+ 72.47 EUR
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 15A TO-247-3
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
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auf Bestellung 20 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GBU4D gbu4a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBU
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 200V
Supplier Device Package: GBU
Package / Case: 4-SIP, GBU
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A
Current - Average Rectified (Io): 4A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
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auf Bestellung 4968 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A
Current - Average Rectified (Io): 5A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 3453 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A (DC)
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 359 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+ 13.91 EUR
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 8A TO-220-2
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Tube
Part Status: Active
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 43A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Base Part Number: GC08MPS12
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 517 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 2A TO-220-2
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 12A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 142 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A (DC)
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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KBPC5010T KBPC5010T kbpc5006t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-T
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-T
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 928 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+ 11.96 EUR
10+ 9.53 EUR
25+ 8.71 EUR
100+ 7.6 EUR
250+ 6.94 EUR
500+ 6.6 EUR
KBU8J KBU8J kbu8j.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 5745 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+ 5.1 EUR
10+ 3.81 EUR
25+ 3.39 EUR
100+ 2.85 EUR
250+ 2.54 EUR
500+ 2.33 EUR
1000+ 2.13 EUR
2500+ 1.9 EUR
2W08M 2W005M-2W10M.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOM
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Part Status: Obsolete
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W08M W06M-10M.pdf техническая информация GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOM
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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KBPC3510T KBPC3510T kbpc3506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A KBPC-T
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-T
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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SD4145 sd41_thru_sd4145r.pdf
SD4145
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
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SD4145R sd41_thru_sd4145r.pdf
SD4145R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
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SD41R sd41_thru_sd4145r.pdf
SD41R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 30A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
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GKN130/18 gkn13004.pdf
GKN130/18
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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GKR130/18 gkr13004.pdf
GKR130/18
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800V
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MBRH15020L
MBRH15020L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A D-67
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
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MBRH15020RL
MBRH15020RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
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MBRH15030L mbrh15030(r)l.pdf
MBRH15030L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 150A D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
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MBRH15030RL mbrh15030(r)l.pdf
MBRH15030RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 150A D-67
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 150A
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MBRH15035L mbrh15035(r)l.pdf
MBRH15035L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 150A D-67
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
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MBRH15035RL mbrh15035(r)l.pdf
MBRH15035RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 150A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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MBRH15040L mbrh15040(r)l.pdf
MBRH15040L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 150A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
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MBRH15040RL mbrh15040(r)l.pdf
MBRH15040RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 150A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
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MBRH15045L mbrh15045(r)l.pdf
MBRH15045L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 150A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRH15045RL mbrh15045(r)l.pdf
MBRH15045RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 150A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRH120150 mbrh120150.pdf
MBRH120150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
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MBRH120150R mbrh120150.pdf
MBRH120150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A D-67
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
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MBRH120200 mbrh120150.pdf
MBRH120200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A D-67
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
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MBRH120200R mbrh120150.pdf
MBRH120200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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MBRH20020L
MBRH20020L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200mA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20020RL
MBRH20020RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200mA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20030L
MBRH20030L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MBRH20030RL
MBRH20030RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MBRH20035L
MBRH20035L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20035RL
MBRH20035RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20040L
MBRH20040L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20040RL
MBRH20040RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67 HALF-PAK
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20045L
MBRH20045L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MBRH20045RL
MBRH20045RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 200A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRH200150 mbrh200150.pdf
MBRH200150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRH200150R mbrh200150.pdf
MBRH200150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
GKN240/18 gkn24004.pdf
GKN240/18
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1800V
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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GKR240/18 gkr24004_thru_gkr24018.pdf
GKR240/18
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22mA @ 1800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 165A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800V (1.8kV)
Diode Type: Standard, Reverse Polarity
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MURH7020 murh7005.pdf
MURH7020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 70A D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MURH7020R murh7005.pdf
MURH7020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 70A D-67
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRH200200 mbrh200150.pdf
MBRH200200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRH200200R mbrh200150.pdf
MBRH200200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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GA05JT03-46 GA05JT03-46.pdf
GA05JT03-46
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 300V 9A
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
FET Feature: Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss): 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5A
Power - Max: 20W
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-46-3
Supplier Device Package: TO-46
auf Bestellung 67 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA05JT01-46 GA05JT01-46.pdf
GA05JT01-46
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 100V 9A
Supplier Device Package: TO-46
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Package / Case: TO-46-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Power - Max: 20W
auf Bestellung 94 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GA100JT12-227 GA100JT12-227.pdf
GA100JT12-227
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
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GA50JT17-247 GA50JT17-247.pdf
GA50JT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
Supplier Device Package: TO-247
Package / Case: TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 583W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
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MBRH240100 mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf
MBRH240100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 240A D67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
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MBRH240100R mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf
MBRH240100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
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MBRH240150 mbrh240150_thru_mbrh240200r.pdf
MBRH240150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
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MBRH240150R mbrh240150_thru_mbrh240200r.pdf
MBRH240150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
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MBRH24020 mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf
MBRH24020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
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MBRH240200 mbrh240150_thru_mbrh240200r.pdf
MBRH240200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 240A D67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 240A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 240 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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MBRH240200R mbrh240150_thru_mbrh240200r.pdf
MBRH240200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 240A D67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 240A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 240 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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MBRH24020R mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf
MBRH24020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
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MBRH24030 mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf
MBRH24030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 240A D67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 30V
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MBRH24030R mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf
MBRH24030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 30V
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MBRH24035 mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf
MBRH24035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 35V
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MBRH24035R mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf
MBRH24035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 35V
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MBRH24040 mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf
MBRH24040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 40V
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MBRH24040R mbrh24020_thru_mbrh24040r.pdf
MBRH24040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 240A D67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 40V
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MBRH24045 mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf
MBRH24045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
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MBRH24045R mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf
MBRH24045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
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MBRH24060 mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf
MBRH24060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
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MBRH24060R mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf
MBRH24060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
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MBRH24080 mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf
MBRH24080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
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MBRH24080R mbrh24045_thru_mbrh240100r.pdf
MBRH24080R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 240A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 240A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
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MBRH30020L mbrh30020(r)l.pdf
MBRH30020L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300A D67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
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MBRH30020RL mbrh30020(r)l.pdf
MBRH30020RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300A D67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 20V
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MBRH30030L mbrh30030(r)l.pdf
MBRH30030L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
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MBRH30030RL mbrh30030(r)l.pdf
MBRH30030RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
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MBRH30035L mbrh30035(r)l.pdf
MBRH30035L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 35V
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MBRH30035RL mbrh30035(r)l.pdf
MBRH30035RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 300A D67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 35V
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MBRH30040L mbrh30040(r)l.pdf
MBRH30040L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
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MBRH30040RL mbrh30040(r)l.pdf
MBRH30040RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 40V
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MBRH30045L mbrh30045(r)l.pdf
MBRH30045L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
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MBRH30045RL mbrh30045(r)l.pdf
MBRH30045RL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 300A D67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A
Current - Average Rectified (Io): 300A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 45V
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MURH7005 murh7005.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MURH7005R murh7005.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MURH7010 murh7005.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MURH7010R murh7005.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 100V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MURH7040 murh7040.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C
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MURH7040R murh7040.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C
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MURH7060 murh7040.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MURH7060R murh7040.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 70A D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 70A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2.5A SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Base Part Number: GB01SLT12
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package: SMB (DO-214AA)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
auf Bestellung 2995 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 1580 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2.5A SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB (DO-214AA)
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1580 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 2995 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
4+ 7.2 EUR
10+ 6.36 EUR
25+ 6.06 EUR
100+ 5.62 EUR
250+ 5.34 EUR
500+ 5.15 EUR
1000+ 4.96 EUR
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247.pdf
GA20SICP12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Supplier Device Package: TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 282W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Super Junction
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GA50JT12-263
GA50JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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GA50JT06-258 GA50JT06-258.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 600V 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
FET Feature: Super Junction
FET Type: Silicon Carbide, Normally Off
Supplier Device Package: TO-258
Package / Case: TO-258-3, TO-258AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Power - Max: 769W
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GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
GB05MPS33-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY 3300V 5A TO-263-7
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 14A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V
auf Bestellung 2870 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 84.97 EUR
10+ 77.79 EUR
25+ 75.11 EUR
100+ 72.47 EUR
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
GC2X8MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 15A TO-247-3
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
auf Bestellung 20 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 30 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GBU4D gbu4a.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBU
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 200V
Supplier Device Package: GBU
Package / Case: 4-SIP, GBU
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A
Current - Average Rectified (Io): 4A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200V
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 3954 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf
GB01SLT12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
auf Bestellung 4968 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 15743 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
GB02SLT12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A
Current - Average Rectified (Io): 5A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
auf Bestellung 3453 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 7950 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A (DC)
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 359 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+ 13.91 EUR
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 8A TO-220-2
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Tube
Part Status: Active
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 43A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Base Part Number: GC08MPS12
auf Bestellung 517 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 2A TO-220-2
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 12A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
auf Bestellung 142 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 52 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf
GC10MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A (DC)
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
KBPC5010T kbpc5006t.pdf
KBPC5010T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-T
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-T
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
Packaging: Bulk
auf Bestellung 928 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+ 11.96 EUR
10+ 9.53 EUR
25+ 8.71 EUR
100+ 7.6 EUR
250+ 6.94 EUR
500+ 6.6 EUR
KBU8J kbu8j.pdf
KBU8J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 5745 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 7936 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
6+ 5.1 EUR
10+ 3.81 EUR
25+ 3.39 EUR
100+ 2.85 EUR
250+ 2.54 EUR
500+ 2.33 EUR
1000+ 2.13 EUR
2500+ 1.9 EUR
2W08M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOM
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
W08M техническая информация W06M-10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOM
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 19737 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC3510T kbpc3506t.pdf
KBPC3510T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A KBPC-T
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: KBPC-T
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
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