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G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 642 Stücke:
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1+16.17 EUR
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G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1348 Stücke:
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J-2448865.pdf MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1079 Stücke:
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2+17.53 EUR
10+15.91 EUR
25+15.32 EUR
100+14.46 EUR
250+13.9 EUR
500+13.51 EUR
1000+13.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2603 Stücke:
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1+15.63 EUR
10+13.76 EUR
30+12.97 EUR
120+12.37 EUR
270+12.13 EUR
510+11.77 EUR
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 948 Stücke:
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1+15.79 EUR
10+13.73 EUR
30+12.46 EUR
120+12.14 EUR
270+11.92 EUR
510+11.81 EUR
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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25+10.64 EUR
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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50+6.4 EUR
100+6.16 EUR
250+5.92 EUR
500+5.63 EUR
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G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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50+6.17 EUR
100+5.93 EUR
250+5.69 EUR
500+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J-2449780.pdf MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
auf Bestellung 2 Stücke:
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1+18.52 EUR
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G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 204 Stücke:
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12+12.97 EUR
13+10.75 EUR
50+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+11.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
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800+11.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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30+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+14.57 EUR
13+11 EUR
14+10.05 EUR
50+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 453 Stücke:
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8+9.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 569 Stücke:
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30+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 978 Stücke:
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1+16.21 EUR
10+14.1 EUR
30+13.25 EUR
120+12.69 EUR
270+12.3 EUR
510+12.13 EUR
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+21.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720485.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
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GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201.pdf Description: SIC DIODE 15000V 1A DO-201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Supplier Device Package: DO-201
Current - Max: 1 A
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GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor ga01pns150-201.pdf PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
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GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201.pdf PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
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GA01PNS150-220 GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220.pdf PIN Diodes 15000V 1A Standard
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GA01PNS80-220 GA01PNS80-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS80_220-2450027.pdf PIN Diodes 8000V 2A Standard
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GA01SLV20 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
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GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4.pdf Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 15 W
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
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GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247-471474.pdf JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
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GA040TH65 GeneSiC Semiconductor GA040TH65.pdf Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 780 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 40 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 69 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
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GA040TH65 GA040TH65 GeneSiC Semiconductor GA040TH65-218866.pdf SCR Modules 6500V - 40A SiC Discrete Thyrstr
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GA040TH65-227SP GA040TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA040TH65.pdf Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
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GA040TH65-227SP GA040TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA040TH65-218866.pdf SCR Modules 6500V 40A SiC Thyristor
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GA04JT17-247 GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247-218618.pdf MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
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GA04JT17-247 GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
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GA05JT01-46 GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46-437429.pdf JFET SiC High Temperature JT
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA05JT01-46 GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46_Dec2014.pdf Description: TRANS SJT 100V 9A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 210°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V
Current Drain (Id) - Max: 5.8 A
Supplier Device Package: TO-46
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power - Max: 20 W
Resistance - RDS(On): 240 mOhms
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GA05JT03-46 GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46.pdf Description: TRANS SJT 300V 9A
auf Bestellung 67 Stücke:
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GA05JT03-46 GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46-437441.pdf MOSFET SiC High Temperature JT
auf Bestellung 1 Stücke:
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GA05JT12-247 GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247-1856068.pdf JFET 1200V 15A Standard
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GA05JT12-247 GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 15 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 106 W
Resistance - RDS(On): 180 MOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
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GA05JT12-263 GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263-1856072.pdf JFET 1200V 15A Standard
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GA05JT12-263 GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
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GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
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G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.17 EUR
10+14.71 EUR
25+14.15 EUR
100+13.36 EUR
250+12.87 EUR
500+12.43 EUR
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G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R60MT07J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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G3R60MT07J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.53 EUR
10+15.91 EUR
25+15.32 EUR
100+14.46 EUR
250+13.9 EUR
500+13.51 EUR
1000+13.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.63 EUR
10+13.76 EUR
30+12.97 EUR
120+12.37 EUR
270+12.13 EUR
510+11.77 EUR
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G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.79 EUR
10+13.73 EUR
30+12.46 EUR
120+12.14 EUR
270+11.92 EUR
510+11.81 EUR
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G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+10.64 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+6.4 EUR
100+6.16 EUR
250+5.92 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+6.17 EUR
100+5.93 EUR
250+5.69 EUR
500+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.52 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+12.97 EUR
13+10.75 EUR
50+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+11.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+11.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+14.57 EUR
13+11 EUR
14+10.05 EUR
50+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.21 EUR
10+14.1 EUR
30+13.25 EUR
120+12.69 EUR
270+12.3 EUR
510+12.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+21.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-201 2720485.pdf
GA01PNS150-201
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201.pdf
GA01PNS150-201
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 15000V 1A DO-201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Supplier Device Package: DO-201
Current - Max: 1 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-201 ga01pns150-201.pdf
GA01PNS150-201
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
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GA01PNS150-201 GA01PNS150-201.pdf
GA01PNS150-201
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
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GA01PNS150-220 GA01PNS150-220.pdf
GA01PNS150-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 15000V 1A Standard
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GA01PNS80-220 GA01PNS80_220-2450027.pdf
GA01PNS80-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 8000V 2A Standard
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GA01SLV20
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
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GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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GA03JT12-247
GA03JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 15 W
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
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GA03JT12-247 GA03JT12-247-471474.pdf
GA03JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
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GA040TH65 GA040TH65.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 780 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 40 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 69 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
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GA040TH65 GA040TH65-218866.pdf
GA040TH65
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 40A SiC Discrete Thyrstr
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GA040TH65-227SP GA040TH65.pdf
GA040TH65-227SP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
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GA040TH65-227SP GA040TH65-218866.pdf
GA040TH65-227SP
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V 40A SiC Thyristor
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GA04JT17-247 GA04JT17-247-218618.pdf
GA04JT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
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GA04JT17-247
GA04JT17-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
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GA05JT01-46 GA05JT01-46-437429.pdf
GA05JT01-46
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET SiC High Temperature JT
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA05JT01-46
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 100V 9A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 210°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V
Current Drain (Id) - Max: 5.8 A
Supplier Device Package: TO-46
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power - Max: 20 W
Resistance - RDS(On): 240 mOhms
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GA05JT03-46 GA05JT03-46.pdf
GA05JT03-46
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 300V 9A
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA05JT03-46 GA05JT03-46-437441.pdf
GA05JT03-46
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC High Temperature JT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GA05JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 15A Standard
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GA05JT12-247
GA05JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 15 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 106 W
Resistance - RDS(On): 180 MOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
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GA05JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 15A Standard
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GA05JT12-263
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
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GA05JT12-SMB3L
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
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