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MURT40060R MURT40060R GeneSiC Semiconductor murt40040.pdf Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50020 MURTA50020 GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50020R MURTA50020R GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50040 MURTA50040 GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50040R MURTA50040R GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50060 MURTA50060 GeneSiC Semiconductor murta500120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50060R MURTA50060R GeneSiC Semiconductor murta500120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60020 MURTA60020 GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60020R MURTA60020R GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60040 MURTA60040 GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60040R MURTA60040R GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60060 MURTA60060 GeneSiC Semiconductor murta60060.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60060R MURTA60060R GeneSiC Semiconductor murta60060.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12BR GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12D S12D GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12DR GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12G GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12GR GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12J GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12JR GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12K GeneSiC Semiconductor s12k_thru_s12qr.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
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S12KR GeneSiC Semiconductor s12m.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12M GeneSiC Semiconductor s12m.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12MR GeneSiC Semiconductor s12k_thru_s12qr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12Q S12Q GeneSiC Semiconductor s12m.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12QR GeneSiC Semiconductor s12k_thru_s12qr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150J GeneSiC Semiconductor s150j.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150JR GeneSiC Semiconductor s150j.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150K GeneSiC Semiconductor s150j.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150KR GeneSiC Semiconductor s150j.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150M GeneSiC Semiconductor s150j.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150MR GeneSiC Semiconductor s150j.pdf Description: DIODE GP REV 1KV 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150Q GeneSiC Semiconductor s150j.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150QR S150QR GeneSiC Semiconductor s150j.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16B GeneSiC Semiconductor s16b.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 16A
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16BR GeneSiC Semiconductor s16b.pdf Description: DIODE STANDARD REV 100V 16A
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 16A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16D GeneSiC Semiconductor s16b_thru_s16jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16DR GeneSiC Semiconductor s16b_thru_s16jr.pdf Description: DIODE GEN REV 200V 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16G GeneSiC Semiconductor s16b_thru_s16jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16GR GeneSiC Semiconductor s16b_thru_s16jr.pdf Description: DIODE GEN REV 400V 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16J S16J GeneSiC Semiconductor s16b.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16JR GeneSiC Semiconductor s16b_thru_s16jr.pdf Description: DIODE GEN REV 600V 16A DO203AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16K GeneSiC Semiconductor s16k_thru_s16qr.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16KR GeneSiC Semiconductor s16k.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DO220AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16M GeneSiC Semiconductor s16k_thru_s16qr.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16MR GeneSiC Semiconductor s16k_thru_s16qr.pdf Description: DIODE GEN REV 1KV 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16QR GeneSiC Semiconductor s16k_thru_s16qr.pdf Description: DIODE GEN REV 1.2KV 16A DO203AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25B GeneSiC Semiconductor s25b_thru_s25jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25BR GeneSiC Semiconductor s25b_thru_s25jr.pdf Description: DIODE GEN REV 100V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25D GeneSiC Semiconductor s25b_thru_s25jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25DR GeneSiC Semiconductor s25b_thru_s25jr.pdf Description: DIODE GEN REV 200V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25G GeneSiC Semiconductor s25b_thru_s25jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25GR GeneSiC Semiconductor s25b_thru_s25jr.pdf Description: DIODE GEN REV 400V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25J GeneSiC Semiconductor s25b_thru_s25jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25JR GeneSiC Semiconductor s25b_thru_s25jr.pdf Description: DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25K GeneSiC Semiconductor s25k_thru_s25qr.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25KR GeneSiC Semiconductor s25k_thru_s25qr.pdf Description: DIODE GEN REV 800V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25M GeneSiC Semiconductor s25k_thru_s25qr.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25MR GeneSiC Semiconductor s25k_thru_s25qr.pdf Description: DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25Q GeneSiC Semiconductor s25k_thru_s25qr.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURT40060R murt40040.pdf
MURT40060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50020 murta50020.pdf
MURTA50020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50020R murta50020.pdf
MURTA50020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50040 murta50020.pdf
MURTA50040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50040R murta50020.pdf
MURTA50040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50060 murta500120.pdf
MURTA50060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50060R murta500120.pdf
MURTA50060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60020 murta60020.pdf
MURTA60020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60020R murta60020.pdf
MURTA60020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60040 murta60020.pdf
MURTA60040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60040R murta60020.pdf
MURTA60040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60060 murta60060.pdf
MURTA60060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60060R murta60060.pdf
MURTA60060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12BR s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12D s12b_thru_s12jr.pdf
S12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12DR s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12G s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12GR s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12J s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12JR s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12K s12k_thru_s12qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12KR s12m.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12M s12m.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12MR s12k_thru_s12qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12Q s12m.pdf
S12Q
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12QR s12k_thru_s12qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150J s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150JR s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150K s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150KR s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150M s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150MR s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP REV 1KV 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150Q s150j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S150QR s150j.pdf
S150QR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16B s16b.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 100V 16A
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16BR s16b.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 100V 16A
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 16A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16D s16b_thru_s16jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16DR s16b_thru_s16jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 200V 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16G s16b_thru_s16jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16GR s16b_thru_s16jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 400V 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16J s16b.pdf
S16J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16JR s16b_thru_s16jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 600V 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16K s16k_thru_s16qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16KR s16k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DO220AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16M s16k_thru_s16qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16MR s16k_thru_s16qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 1KV 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S16QR s16k_thru_s16qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 1.2KV 16A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25B s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25BR s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 100V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25D s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25DR s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 200V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25G s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25GR s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 400V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25J s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25JR s25b_thru_s25jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25K s25k_thru_s25qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25KR s25k_thru_s25qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 800V 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25M s25k_thru_s25qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25MR s25k_thru_s25qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25Q s25k_thru_s25qr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO203AA
Produkt ist nicht verfügbar
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