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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
G3R45MT17D G3R45MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189235.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D-2448906.pdf MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.56 EUR
10+49.14 EUR
30+47.47 EUR
120+45.06 EUR
270+43.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+41.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+41.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+36.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.61 EUR
10+45.53 EUR
25+44 EUR
100+41.78 EUR
250+40.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.07 EUR
10+45.94 EUR
30+44.39 EUR
120+42.15 EUR
270+40.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+27.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+93.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D-3479072.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.83 EUR
10+14.8 EUR
30+13.96 EUR
120+13.31 EUR
270+13.02 EUR
510+12.65 EUR
2520+12.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D.pdf Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.47 EUR
10+14.95 EUR
25+14.38 EUR
100+13.57 EUR
250+13.05 EUR
500+12.68 EUR
1000+12.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.17 EUR
10+14.71 EUR
25+14.15 EUR
100+13.36 EUR
250+12.87 EUR
500+12.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J-2448865.pdf MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.53 EUR
10+15.91 EUR
25+15.32 EUR
100+14.46 EUR
250+13.9 EUR
500+13.51 EUR
1000+13.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.63 EUR
10+13.76 EUR
30+12.97 EUR
120+12.37 EUR
270+12.13 EUR
510+11.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.89 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.79 EUR
10+13.73 EUR
30+12.46 EUR
120+12.14 EUR
270+11.92 EUR
510+11.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J-2449780.pdf MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+13.27 EUR
13+11.43 EUR
50+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+6.55 EUR
100+6.44 EUR
250+6.29 EUR
500+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+6.32 EUR
100+6.07 EUR
250+5.83 EUR
500+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.2 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.21 EUR
10+14.1 EUR
30+13.25 EUR
120+12.69 EUR
270+12.3 EUR
510+12.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+14.91 EUR
13+11.51 EUR
14+10.68 EUR
50+8.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor ga01pns150-201.pdf PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720485.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201.pdf PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201.pdf Description: SIC DIODE 15000V 1A DO-201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Supplier Device Package: DO-201
Current - Max: 1 A
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GA01PNS150-220 GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220.pdf PIN Diodes 15000V 1A Standard
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GA01PNS80-220 GA01PNS80-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS80_220-2450027.pdf PIN Diodes 8000V 2A Standard
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GA01SLV20 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
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GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4.pdf Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
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GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
Power - Max: 15 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247-471474.pdf JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
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G3R45MT17D 3189235.pdf
G3R45MT17D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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G3R45MT17D G3R45MT17D-2448906.pdf
G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+53.56 EUR
10+49.14 EUR
30+47.47 EUR
120+45.06 EUR
270+43.82 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+41.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
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Anzahl Preis
4+41.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+49.61 EUR
10+45.53 EUR
25+44 EUR
100+41.78 EUR
250+40.37 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+50.07 EUR
10+45.94 EUR
30+44.39 EUR
120+42.15 EUR
270+40.97 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+27.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+93.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07D G3R60MT07D-3479072.pdf
G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.83 EUR
10+14.8 EUR
30+13.96 EUR
120+13.31 EUR
270+13.02 EUR
510+12.65 EUR
2520+12.53 EUR
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G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+16.47 EUR
10+14.95 EUR
25+14.38 EUR
100+13.57 EUR
250+13.05 EUR
500+12.68 EUR
1000+12.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.17 EUR
10+14.71 EUR
25+14.15 EUR
100+13.36 EUR
250+12.87 EUR
500+12.43 EUR
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G3R60MT07J g3r60mt07j.pdf
G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-2448865.pdf
G3R60MT07J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.53 EUR
10+15.91 EUR
25+15.32 EUR
100+14.46 EUR
250+13.9 EUR
500+13.51 EUR
1000+13.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.63 EUR
10+13.76 EUR
30+12.97 EUR
120+12.37 EUR
270+12.13 EUR
510+11.77 EUR
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G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+10.89 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.79 EUR
10+13.73 EUR
30+12.46 EUR
120+12.14 EUR
270+11.92 EUR
510+11.81 EUR
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G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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G3R75MT12J G3R75MT12J-2449780.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R75MT12J G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.52 EUR
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G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+13.27 EUR
13+11.43 EUR
50+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+6.55 EUR
100+6.44 EUR
250+6.29 EUR
500+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+6.32 EUR
100+6.07 EUR
250+5.83 EUR
500+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+11.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
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270+12.3 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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GA01PNS150-201
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
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GA01PNS150-201
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
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GA01PNS150-201
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
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GA01PNS150-201
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 15000V 1A DO-201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Supplier Device Package: DO-201
Current - Max: 1 A
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GA01PNS150-220 GA01PNS150-220.pdf
GA01PNS150-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 15000V 1A Standard
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GA01PNS80-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 8000V 2A Standard
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GA01SLV20
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
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GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
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GA03JT12-247
GA03JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
Power - Max: 15 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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GA03JT12-247 GA03JT12-247-471474.pdf
GA03JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
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