Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4012) > Seite 18 nach 67
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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GA060TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
 SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA060TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA06JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GA080TH65 | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-2 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Structure: Single Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Number of SCRs, Diodes: 1 SCR Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A Voltage - Off State: 6.5 kV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GA080TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Structure: Single Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Number of SCRs, Diodes: 1 SCR Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A Voltage - Off State: 6.5 kV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA080TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GA08JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA08JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Current Drain (Id) - Max: 8 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV Power - Max: 48 W Resistance - RDS(On): 230 mOhms |
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
GA100JT12-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA100JT17-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA100SBJT12-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BOARD EVAL DBL PULSE |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA100SBJT12-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GA100SCPL12-227E | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV |
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GA10JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 25A Standard |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
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| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
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GA10SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA10SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA15IDDJT22-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GA15IDDJT22-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BOARD GATE DRIVER Packaging: Bulk Function: Gate Driver Type: Power Management Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: Isolated |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GA16JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A Power Dissipation (Max): 282W (Tc) Current Drain (Id) - Max: 45 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV Power - Max: 282 W Resistance - RDS(On): 50 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V Current Drain (Id) - Max: 45 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Power - Max: 282 W Resistance - RDS(On): 50 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV |
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Mindestbestellmenge: 510 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 45A Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A Power Dissipation (Max): 282W (Tc) Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
JFETs 1200V 45A Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Part Status: Active Current: 20 A Voltage: 1.2 kV |
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA35XCP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GA50JT06-258 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 600V 100A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 100A Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V Current Drain (Id) - Max: 100 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Power - Max: 583 W Resistance - RDS(On): 20 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV |
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| GA50JT12-247ISO | GeneSiC Semiconductor | JFET |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GA50JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA50JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GAP05SLT80-220 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GAP05SLT80-220 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GAP3SLT33-214 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GAP3SLT33-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 3.3kV Load current: 0.3A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GAP3SLT33-214 | GeneSiC Semiconductor |
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Діоди та діодні збірки |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GAP3SLT33-220FP | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier |
auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GB01SHT06-CAU | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| GB01SHT12-CAL | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GB01SLT06-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 7A Kind of package: reel; tape |
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Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard |
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB01SLT06-214 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 7 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GB01SLT12-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 8A Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB01SLT12-214 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 0 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0 Anzahl der Pins: 2 Pin Produktpalette: 1200V Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 2849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GA060TH65-227SP |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA060TH65-227SP |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA06JT12-247 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA080TH65 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA080TH65-227SP |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA080TH65-227SP |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA08JT17-247 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA08JT17-247 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 48 W
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 48 W
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100JT12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GA100JT12-227
GA100JT12-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100JT12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100JT12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100JT17-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100SBJT12-FR4 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA100SBJT12-FR4 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100SCPL12-227E |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10JT12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Standard
MOSFET 1200V 25A Standard
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA10JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA10SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA15IDDJT22-FR4 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA15IDDJT22-FR4 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA16JT17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 510 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 45A Standard
JFET 1200V 45A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20JT12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 76.95 EUR |
| 10+ | 70.97 EUR |
| GA20JT12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFETs 1200V 45A Standard
JFETs 1200V 45A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20SICP12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA20SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA35XCP12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT06-258 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 600V 100A
Description: TRANS SJT 600V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 100A Standard
JFET 1200V 100A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT12-247ISO |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET
JFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT12-263 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GAP05SLT80-220 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GAP05SLT80-220 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GAP3SLT33-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GAP3SLT33-214 |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GAP3SLT33-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Діоди та діодні збірки
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GAP3SLT33-220FP |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB01SHT06-CAU |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SHT12-CAL |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT06-214 |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT06-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT06-214 |
|
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT06-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT12-214 |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT12-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT12-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| GB01SLT12-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| GB01SLT12-214 |
|
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.88 EUR |
| 41+ | 5.66 EUR |
| 44+ | 4.97 EUR |
| 50+ | 4.77 EUR |
| 100+ | 4.61 EUR |
| 250+ | 4.41 EUR |
| 500+ | 4.22 EUR |
| GB01SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| GB01SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB01SLT12-252 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH