Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4030) > Seite 18 nach 68
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| GA05JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 5A |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| GA05JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 5A |
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| GA05JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 5A |
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GA060TH65 | GeneSiC Semiconductor |
 SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr |
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| GA060TH65 | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-2 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Structure: Single Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Number of SCRs, Diodes: 1 SCR Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A Voltage - Off State: 6.5 kV |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GA060TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227 |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA060TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA06JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GA080TH65 | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227 Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Structure: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-2 Packaging: Bulk Voltage - Off State: 6.5 kV Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A Number of SCRs, Diodes: 1 SCR |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GA080TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227 Voltage - Off State: 6.5 kV Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A Number of SCRs, Diodes: 1 SCR Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Structure: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA080TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr |
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| GA08JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA08JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB Resistance - RDS(On): 230 mOhms Power - Max: 48 W Current Drain (Id) - Max: 8 A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV Supplier Device Package: TO-247-3 Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C) FET Type: N-Channel Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
GA100JT12-227 |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor |
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GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-227 Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
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GA100JT17-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-227 Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
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GA100SBJT12-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BOARD EVAL DBL PULSE |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA100SBJT12-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board |
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| GA100SCPL12-227E | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV |
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GA10JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 25A Standard |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
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| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
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GA10SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA10SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA15IDDJT22-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board |
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| GA15IDDJT22-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BOARD GATE DRIVER Packaging: Bulk Function: Gate Driver Type: Power Management Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: Isolated |
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GA16JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV Resistance - RDS(On): 50 mOhms Power - Max: 282 W Current Drain (Id) - Max: 45 A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV Supplier Device Package: TO-247-3 Power Dissipation (Max): 282W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C) FET Type: N-Channel Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 45A Standard |
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GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV Resistance - RDS(On): 50 mOhms Power - Max: 282 W Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Supplier Device Package: TO-247-3 Current Drain (Id) - Max: 45 A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 510 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Power Dissipation (Max): 282W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
JFETs 1200V 45A Standard |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak |
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube Voltage: 1.2 kV Current: 20 A Part Status: Active |
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GA35XCP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak |
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| GA50JT06-258 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 600V 100A |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 100A Standard |
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GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV Resistance - RDS(On): 20 mOhms Power - Max: 583 W Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Supplier Device Package: TO-247-3 Current Drain (Id) - Max: 100 A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| GA50JT12-247ISO | GeneSiC Semiconductor | JFET |
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GA50JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7 |
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GA50JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A |
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GAP05SLT80-220 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GAP05SLT80-220 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GAP3SLT33-214 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier |
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GAP3SLT33-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA Max. off-state voltage: 3.3kV Case: DO214 Mounting: SMD Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.15V Technology: SiC Load current: 0.3A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GAP3SLT33-214 | GeneSiC Semiconductor |
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Діоди та діодні збірки |
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GAP3SLT33-220FP | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier |
auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GB01SHT06-CAU | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom |
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| GB01SHT12-CAL | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GB01SLT06-214 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 7 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
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GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB01SLT06-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape Max. off-state voltage: 650V Case: DO214 Mounting: SMD Max. forward impulse current: 7A Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.5V Technology: SiC Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying |
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Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GB01SLT12-214 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 0 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0 Anzahl der Pins: 2 Pin Produktpalette: 1200V Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 2849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GA05JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA05JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA05JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA060TH65 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr
SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA060TH65 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA060TH65-227SP |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA060TH65-227SP |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA06JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA080TH65 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-2
Packaging: Bulk
Voltage - Off State: 6.5 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-2
Packaging: Bulk
Voltage - Off State: 6.5 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA080TH65-227SP |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Voltage - Off State: 6.5 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Voltage - Off State: 6.5 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
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| GA080TH65-227SP |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
Produkt ist nicht verfügbar
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| GA08JT17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA08JT17-247 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
Power - Max: 48 W
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
Power - Max: 48 W
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| GA100JT12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GA100JT12-227
GA100JT12-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| GA100JT12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| GA100JT12-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| GA100JT17-227 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| GA100SBJT12-FR4 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA100SBJT12-FR4 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA100SCPL12-227E |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| GA10JT12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Standard
MOSFET 1200V 25A Standard
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA10JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| GA10JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| GA10JT12-SMB3L |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| GA10SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA10SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA10SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA15IDDJT22-FR4 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| GA15IDDJT22-FR4 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA16JT17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Power - Max: 282 W
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Power - Max: 282 W
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 45A Standard
JFET 1200V 45A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Power - Max: 282 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Power - Max: 282 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 510 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20JT12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 76.95 EUR |
| 10+ | 70.97 EUR |
| GA20JT12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFETs 1200V 45A Standard
JFETs 1200V 45A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20SICP12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA20SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GA20SICP12-263 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Voltage: 1.2 kV
Current: 20 A
Part Status: Active
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Voltage: 1.2 kV
Current: 20 A
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA35XCP12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT06-258 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 600V 100A
Description: TRANS SJT 600V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 100A Standard
JFET 1200V 100A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Power - Max: 583 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Power - Max: 583 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT12-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT12-247ISO |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET
JFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT12-263 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GA50JT17-247 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GAP05SLT80-220 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GAP05SLT80-220 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GAP3SLT33-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GAP3SLT33-214 |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.15V
Technology: SiC
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.15V
Technology: SiC
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GAP3SLT33-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Діоди та діодні збірки
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GAP3SLT33-220FP |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GB01SHT06-CAU |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SHT12-CAL |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT06-214 |
|
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT06-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT06-214 |
|
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT06-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT12-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GB01SLT12-214 |
|
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.88 EUR |
| 41+ | 5.66 EUR |
| 44+ | 4.97 EUR |
| 50+ | 4.77 EUR |
| 100+ | 4.61 EUR |
| 250+ | 4.41 EUR |
| 500+ | 4.22 EUR |
| GB01SLT12-214 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
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