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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
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4+50.46 EUR
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G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 23 Stücke:
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6+33.51 EUR
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G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 132 Stücke:
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1+59.56 EUR
10+54.64 EUR
30+53.16 EUR
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G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 29 Stücke:
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29+112.49 EUR
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G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
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4+50.46 EUR
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G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.04 EUR
10+54.18 EUR
25+52.36 EUR
100+49.72 EUR
250+48.04 EUR
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G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D.pdf Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.6 EUR
10+17.79 EUR
25+17.11 EUR
100+16.15 EUR
250+15.53 EUR
500+15.09 EUR
1000+14.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D-3479072.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.03 EUR
10+17.61 EUR
30+16.61 EUR
120+15.84 EUR
270+15.49 EUR
510+15.05 EUR
2520+14.91 EUR
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G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.24 EUR
10+17.5 EUR
25+16.84 EUR
100+15.9 EUR
250+15.32 EUR
500+14.79 EUR
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G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J-2448865.pdf MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.74 EUR
30+15.18 EUR
120+15.14 EUR
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G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.86 EUR
10+18.93 EUR
25+18.23 EUR
100+17.21 EUR
250+16.54 EUR
500+16.08 EUR
1000+15.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.91 EUR
10+17.05 EUR
30+16.34 EUR
120+15.35 EUR
270+15.32 EUR
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J-2449780.pdf MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.97 EUR
13+13.76 EUR
50+10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+7.88 EUR
100+7.76 EUR
250+7.58 EUR
500+7.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+7.6 EUR
100+7.31 EUR
250+7.02 EUR
500+6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+13.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+13.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.4 EUR
10+17.47 EUR
30+16.78 EUR
120+15.76 EUR
270+15.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.95 EUR
13+13.85 EUR
14+12.86 EUR
50+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G4H08MT23GB4 G4H08MT23GB4 GeneSiC Semiconductor Maximizing_MVHV_SiC_Performance_and_Reliability.pdf MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5R05MT06LK GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 5.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor ga01pns150-201.pdf PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720485.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1071.02 EUR
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GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201.pdf PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201.pdf Description: SIC DIODE 15000V 1A DO-201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Supplier Device Package: DO-201
Current - Max: 1 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220.pdf PIN Diodes 15000V 1A Standard
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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GA01PNS80-220 GA01PNS80-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS80_220-2450027.pdf PIN Diodes 8000V 2A Standard
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GA01SLV20 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
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GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4.pdf Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247-471474.pdf JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
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GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
Power - Max: 15 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 1260 Stücke
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+50.46 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2+42.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 132 Stücke:
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1+59.56 EUR
10+54.64 EUR
30+53.16 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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29+112.49 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
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G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+59.04 EUR
10+54.18 EUR
25+52.36 EUR
100+49.72 EUR
250+48.04 EUR
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G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.6 EUR
10+17.79 EUR
25+17.11 EUR
100+16.15 EUR
250+15.53 EUR
500+15.09 EUR
1000+14.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2829 Stücke:
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1+20.03 EUR
10+17.61 EUR
30+16.61 EUR
120+15.84 EUR
270+15.49 EUR
510+15.05 EUR
2520+14.91 EUR
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G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+19.24 EUR
10+17.5 EUR
25+16.84 EUR
100+15.9 EUR
250+15.32 EUR
500+14.79 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+20.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R60MT07J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R60MT07J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+18.74 EUR
30+15.18 EUR
120+15.14 EUR
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G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+20.86 EUR
10+18.93 EUR
25+18.23 EUR
100+17.21 EUR
250+16.54 EUR
500+16.08 EUR
1000+15.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+18.91 EUR
10+17.05 EUR
30+16.34 EUR
120+15.35 EUR
270+15.32 EUR
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G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+15.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+15.97 EUR
13+13.76 EUR
50+10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+7.88 EUR
100+7.76 EUR
250+7.58 EUR
500+7.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+7.6 EUR
100+7.31 EUR
250+7.02 EUR
500+6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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G3R75MT12J G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.04 EUR
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G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+13.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+13.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R75MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+26.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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G3R75MT12K
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+19.4 EUR
10+17.47 EUR
30+16.78 EUR
120+15.76 EUR
270+15.73 EUR
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+17.95 EUR
13+13.85 EUR
14+12.86 EUR
50+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
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G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G4H08MT23GB4 Maximizing_MVHV_SiC_Performance_and_Reliability.pdf
G4H08MT23GB4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
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Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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G5R05MT06LK
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 5.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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GA01PNS150-201 ga01pns150-201.pdf
GA01PNS150-201
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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GA01PNS150-201
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
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GA01PNS150-201
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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GA01PNS150-201 GA01PNS150-201.pdf
GA01PNS150-201
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 15000V 1A DO-201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Supplier Device Package: DO-201
Current - Max: 1 A
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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GA01PNS150-220 GA01PNS150-220.pdf
GA01PNS150-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 15000V 1A Standard
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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GA01PNS80-220 GA01PNS80_220-2450027.pdf
GA01PNS80-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 8000V 2A Standard
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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GA01SLV20
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA02JT33-SMB
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
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GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
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GA03JT12-247 GA03JT12-247-471474.pdf
GA03JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
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GA03JT12-247
GA03JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
Power - Max: 15 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Mindestbestellmenge: 1260 Stücke
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