Die Produkte genesic semiconductor

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GD60MPS17H GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 1700V 60A TO-247-
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 252 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 124.51 EUR
10+ 115.16 EUR
25+ 113.61 EUR
GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 10A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Current - Average Rectified (Io): 10A (DC)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
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auf Bestellung 3014 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+ 12.71 EUR
10+ 11.29 EUR
25+ 10.77 EUR
100+ 10.02 EUR
250+ 9.55 EUR
500+ 9.43 EUR
GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor Description: 650V 30A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 30A (DC)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 1300 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+ 13.75 EUR
10+ 12.25 EUR
25+ 11.69 EUR
100+ 10.9 EUR
250+ 10.4 EUR
500+ 10.3 EUR
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
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auf Bestellung 440 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 90.4 EUR
10+ 83.02 EUR
25+ 80.24 EUR
100+ 77.77 EUR
G3R20MT17N G3R20MT17N.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 523W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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auf Bestellung 160 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 366 EUR
10+ 357.22 EUR
GD2X100MPS12N GD2X100MPS12N GD2X100MPS12N.pdf GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 200A SOT-227 SIC SCHOTTKY
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
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auf Bestellung 55 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 212.11 EUR
10+ 201.08 EUR
G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf GeneSiC Semiconductor Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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auf Bestellung 2 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 28.91 EUR
G3R60MT07K G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf GeneSiC Semiconductor Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
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auf Bestellung 545 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
G3R160MT17D G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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auf Bestellung 2207 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 30.63 EUR
10+ 27.7 EUR
25+ 26.61 EUR
100+ 25.1 EUR
G3R160MT17J G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
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auf Bestellung 297 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 35.15 EUR
10+ 31.84 EUR
25+ 30.62 EUR
100+ 28.98 EUR
G3R20MT12N G3R20MT12N G3R20MT17K.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Packaging: Tube
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
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auf Bestellung 272 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 151.84 EUR
10+ 140.44 EUR
GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Current - Average Rectified (Io): 5A (DC)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
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auf Bestellung 978 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 64.82 EUR
10+ 61.75 EUR
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GC05MPS12-220.pdf GeneSiC Semiconductor Description: SIC DIODE 1200V 5A TO-220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A (DC)
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
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GBPC1506W GBPC1506W gbpc1506t.pdf GeneSiC Semiconductor Description: BRIDGE RECT 1P 600V 15A GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
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GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N.pdf GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 100A SOT-227 SIC SCHOTTKY
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 110 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 125.35 EUR
10+ 114.95 EUR
25+ 114.43 EUR
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 2X30A TO-24
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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auf Bestellung 526 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 46.72 EUR
10+ 42.66 EUR
25+ 41.14 EUR
100+ 39.53 EUR
GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor Description: 650V 60A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Part Status: Active
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 600 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 26.47 EUR
10+ 23.77 EUR
25+ 22.78 EUR
100+ 21.36 EUR
250+ 21.22 EUR
GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20A TO-220-2 SIC SCHOTTKY
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 42A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 2988 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+ 23.09 EUR
10+ 20.86 EUR
100+ 17.27 EUR
500+ 15.04 EUR
1000+ 13.23 EUR
G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 567W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 274 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 176.33 EUR
10+ 167.53 EUR
25+ 163.12 EUR
100+ 155.96 EUR
GD60MPS06H GD60MPS06H.pdf GeneSiC Semiconductor Description: 650V 60A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 1.463nF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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GD30MPS12H GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO-247-
Current - Average Rectified (Io): 55A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 1200 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 26.68 EUR
10+ 24 EUR
25+ 23 EUR
100+ 21.58 EUR
250+ 21.44 EUR
GD20MPS12H GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 39A (DC)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Packaging: Tube
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 3600 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 26.16 EUR
10+ 23.63 EUR
100+ 19.56 EUR
500+ 17.04 EUR
1000+ 14.99 EUR
GD2X20MPS12D GD2X20MPS12D GD2X20MPS12D.pdf GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40A TO-247-3 SIC SCHOTTK
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 1800 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 41.52 EUR
10+ 38.15 EUR
100+ 32.22 EUR
500+ 28.66 EUR
1000+ 26.96 EUR
KBU8G KBU8G kbu8g-2450729.pdf GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 6349 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+ 5.2 EUR
14+ 3.9 EUR
25+ 3.48 EUR
100+ 2.91 EUR
GBU8D GBU8D gbu8d-2450878.pdf GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 2500 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+ 4.26 EUR
18+ 3.02 EUR
25+ 2.63 EUR
100+ 2.11 EUR
GBPC2502W GBPC2502W gbpc2502w-2450498.pdf GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 200 V - 25 A Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 3177 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+ 12.01 EUR
10+ 9.57 EUR
25+ 8.74 EUR
100+ 7.59 EUR
GBPC3506W GBPC3506W gbpc3506w-2450017.pdf GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 600 V - 35 A Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 1987 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+ 13.21 EUR
10+ 10.61 EUR
25+ 9.72 EUR
100+ 8.5 EUR
GBPC2508W GBPC2508W gbpc2508w-2449076.pdf GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 800 V - 25 A Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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BR62 br605_thru_br64-1132987.pdf GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 200P/140R Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1700V 60A TO-247-
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 252 Stücke
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GD10MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 10A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Current - Average Rectified (Io): 10A (DC)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 3014 Stücke
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250+ 9.55 EUR
500+ 9.43 EUR
GD30MPS06A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 30A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 30A (DC)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
auf Bestellung 1300 Stücke
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2+ 13.75 EUR
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GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
GD2X30MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
auf Bestellung 440 Stücke
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1+ 90.4 EUR
10+ 83.02 EUR
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100+ 77.77 EUR
G3R20MT17N G3R20MT17N.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 523W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 160 Stücke
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1+ 366 EUR
10+ 357.22 EUR
GD2X100MPS12N GD2X100MPS12N.pdf
GD2X100MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 200A SOT-227 SIC SCHOTTKY
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
auf Bestellung 55 Stücke
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1+ 212.11 EUR
10+ 201.08 EUR
G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 2 Stücke
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1+ 28.91 EUR
G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
auf Bestellung 545 Stücke
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G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2207 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 52 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 30.63 EUR
10+ 27.7 EUR
25+ 26.61 EUR
100+ 25.1 EUR
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
auf Bestellung 297 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 35.15 EUR
10+ 31.84 EUR
25+ 30.62 EUR
100+ 28.98 EUR
G3R20MT12N G3R20MT17K.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Packaging: Tube
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
auf Bestellung 272 Stücke
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1+ 151.84 EUR
10+ 140.44 EUR
GC05MPS33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Current - Average Rectified (Io): 5A (DC)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
auf Bestellung 978 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 64.82 EUR
10+ 61.75 EUR
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220.pdf
GC05MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 5A TO-220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A (DC)
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
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GBPC1506W gbpc1506t.pdf
GBPC1506W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 15A GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
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GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N.pdf
GD2X50MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 100A SOT-227 SIC SCHOTTKY
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
auf Bestellung 110 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 125.35 EUR
10+ 114.95 EUR
25+ 114.43 EUR
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D.pdf
GD2X30MPS12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 2X30A TO-24
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 526 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 46.72 EUR
10+ 42.66 EUR
25+ 41.14 EUR
100+ 39.53 EUR
GD2X30MPS06D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Part Status: Active
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 600 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 26.47 EUR
10+ 23.77 EUR
25+ 22.78 EUR
100+ 21.36 EUR
250+ 21.22 EUR
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20A TO-220-2 SIC SCHOTTKY
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 42A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 2988 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+ 23.09 EUR
10+ 20.86 EUR
100+ 17.27 EUR
500+ 15.04 EUR
1000+ 13.23 EUR
G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 567W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
auf Bestellung 274 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 176.33 EUR
10+ 167.53 EUR
25+ 163.12 EUR
100+ 155.96 EUR
GD60MPS06H GD60MPS06H.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 1.463nF @ 1V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
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GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO-247-
Current - Average Rectified (Io): 55A (DC)
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
auf Bestellung 1200 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 26.68 EUR
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25+ 23 EUR
100+ 21.58 EUR
250+ 21.44 EUR
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 39A (DC)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Packaging: Tube
auf Bestellung 3600 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GD2X20MPS12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40A TO-247-3 SIC SCHOTTK
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
auf Bestellung 1800 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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KBU8G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
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GBU8D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2500 Stücke
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GBPC2502W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
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GBPC3506W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 35 A
auf Bestellung 1987 Stücke
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GBPC2508W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 25 A
auf Bestellung 2000 Stücke
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GBPC2510W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 25A Si Bridge Rectifier
auf Bestellung 2678 Stücke
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GBPC2504W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 25 A
auf Bestellung 884 Stücke
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KBPC2504T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 25 A
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KBPC3508W
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Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
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GBU15G
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Bridge Rectifiers 400V 15A Bridge Rectifier
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KBJ2510G
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Bridge Rectifiers 1000V 25A Bridge Rectifier
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KBPC15005W
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Bridge Rectifiers 50 V - 15 A
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KBPC1502W
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Bridge Rectifiers 200 V - 15 A
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10+ 8.42 EUR
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KBPC2501W
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KBPC35005W
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Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
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KBPC3501T
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Bridge Rectifiers 100 V - 35 A
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KBPC1501W
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Bridge Rectifiers 100 V - 15 A
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KBJ2504G
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KBU8K
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GBU8J
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Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
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GBU8B
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Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
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KBU1004
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GBPC2506W
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Bridge Rectifiers 600 V - 25 A
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GBPC3508W
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Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
auf Bestellung 17 Stücke
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GBPC3510W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 35A Si Bridge Rectifier
auf Bestellung 50 Stücke
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4+ 13.21 EUR
10+ 10.61 EUR
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KBPC5006T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 50 A
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GBU4A gbu4a-2450387.pdf
GBU4A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 4A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1701 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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GBPC3504W gbpc3504w-2449873.pdf
GBPC3504W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 35 A
auf Bestellung 1970 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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KBPC3502W kbpc3502w-2451250.pdf
KBPC3502W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 35 A
auf Bestellung 307 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+ 11.78 EUR
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BR305 br305-2450294.pdf
BR305
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R
auf Bestellung 7831 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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17+ 3.17 EUR
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BR68 br66_thru_br610-1132536.pdf
BR68
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 800P/560R
auf Bestellung 105 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
KBPC3510T kbpc3510t-2451208.pdf
KBPC3510T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 35A Si Bridge Rectifier
auf Bestellung 1956 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
KBPC3506W kbpc3506w-2451118.pdf
KBPC3506W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 35 A
auf Bestellung 985 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
auf Bestellung 15 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
5+ 11.78 EUR
10+ 9.36 EUR
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100+ 7.41 EUR
BR64 br605_thru_br64-1132987.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 400P/280R
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BR106 br106_thru_br1010-907570.pdf
BR106
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420R
auf Bestellung 1555 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
KBPC2506T kbpc2506t-2450540.pdf
KBPC2506T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 25 A
auf Bestellung 304 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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KBPC2502W kbpc2502w-2451202.pdf
KBPC2502W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
auf Bestellung 687 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
auf Bestellung 10825 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
5+ 11.15 EUR
10+ 8.81 EUR
25+ 8.03 EUR
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KBL404G kbl404g-2450526.pdf
KBL404G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 4A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2975 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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GBL005 gbl005-2450471.pdf
GBL005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 4A Bridge Rectifier
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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KBPC2506W kbpc2506w-2451671.pdf
KBPC2506W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 25 A
auf Bestellung 285 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
auf Bestellung 934 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
5+ 11.15 EUR
10+ 8.81 EUR
25+ 8.03 EUR
100+ 6.94 EUR
BR108 br108-2448895.pdf
BR108
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560
auf Bestellung 47 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
auf Bestellung 296 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
KBPC3502T kbpc3502t-2450725.pdf
KBPC3502T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 35 A
auf Bestellung 879 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+ 11.78 EUR
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BR88 br86_thru_br810-1132131.pdf
BR88
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 800P/560R
auf Bestellung 88 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GBU15M gbu15m-2450505.pdf
GBU15M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 15A Bridge Rectifier
auf Bestellung 187 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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KBPC3506T kbpc3506t-2451205.pdf
KBPC3506T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 35 A
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5+ 11.78 EUR
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KBPC3508T kbpc3508t-2451767.pdf
KBPC3508T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
auf Bestellung 580 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+ 11.78 EUR
10+ 9.36 EUR
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GBU10D gbu10d-2450025.pdf
GBU10D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 10A Bridge Rectifier
auf Bestellung 5 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
auf Bestellung 9528 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
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KBL402G kbl402g-2451755.pdf
KBL402G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 4A Bridge Rectifier
auf Bestellung 490 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+ 4.39 EUR
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KBPC1504T kbpc1504t-2451761.pdf
KBPC1504T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 15 A
auf Bestellung 672 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+ 10.17 EUR
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KBL403G kbl401g_thru_kbl404g-1133174.pdf
KBL403G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 4A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2248 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
GBU10B gbu10b-2450705.pdf
GBU10B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 10A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1915 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+ 4.65 EUR
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DB154G db154g-2449827.pdf
DB154G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1KV 1.5A400P/280
auf Bestellung 7344 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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GBU10G gbu10g-2450790.pdf
GBU10G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 10A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1253 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+ 4.65 EUR
16+ 3.3 EUR
25+ 2.89 EUR
100+ 2.34 EUR
KBU1001 kbu1001-2451121.pdf
KBU1001
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 10A Bridge Rectifier
auf Bestellung 795 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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DB152G db152g-2450755.pdf
DB152G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V1.5A100P/70
auf Bestellung 4466 Stücke
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KBU10005 kbu10005-2451521.pdf
KBU10005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 10A Bridge Rectifier
auf Bestellung 490 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
auf Bestellung 204 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
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KBL601G kbl601g-2449619.pdf
KBL601G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 418 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+ 4.55 EUR
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Bridge Rectifiers 600V 1.5A Bridge Rectifier
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Bridge Rectifiers 1000V 35A Standard
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