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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.82 EUR
10+17.46 EUR
100+13.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12K G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.42 EUR
10+14.19 EUR
30+13.32 EUR
120+12.76 EUR
270+12.37 EUR
510+12.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06D G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.41 EUR
10+13.11 EUR
30+12.6 EUR
120+11.9 EUR
270+11.46 EUR
510+11.12 EUR
1020+10.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06J-TR G3F45MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.62 EUR
10+10.58 EUR
25+10.17 EUR
100+9.61 EUR
250+9.24 EUR
500+8.99 EUR
800+8.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06K G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.91 EUR
10+13.55 EUR
30+13.02 EUR
120+12.3 EUR
270+11.84 EUR
510+11.51 EUR
1020+11.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06L-TR G3F45MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.16 EUR
10+11.05 EUR
25+10.65 EUR
100+10.03 EUR
250+9.68 EUR
500+9.4 EUR
1200+9.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06D G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.23 EUR
10+10.23 EUR
30+9.82 EUR
120+9.28 EUR
270+8.92 EUR
510+8.68 EUR
1020+8.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06J-TR G3F60MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.94 EUR
10+8.13 EUR
25+7.83 EUR
100+7.39 EUR
250+7.11 EUR
500+6.9 EUR
800+6.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06K G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.51 EUR
10+10.45 EUR
30+10.05 EUR
120+9.49 EUR
270+9.13 EUR
510+8.89 EUR
1020+8.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.06 EUR
10+7.32 EUR
25+7.06 EUR
100+6.65 EUR
250+6.41 EUR
500+6.21 EUR
1200+6.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.31 EUR
10+13.39 EUR
100+10.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.09 EUR
10+10.88 EUR
25+10.44 EUR
100+9.79 EUR
250+9.36 EUR
500+9.08 EUR
800+8.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12K G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.39 EUR
10+11.16 EUR
30+10.68 EUR
120+10.01 EUR
270+9.61 EUR
510+9.31 EUR
1020+9.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.6 EUR
10+12.15 EUR
100+9.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+9.64 EUR
25+9.24 EUR
100+8.66 EUR
250+8.31 EUR
500+8.04 EUR
800+7.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12K G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.28 EUR
10+10.14 EUR
30+9.72 EUR
120+9.12 EUR
270+8.73 EUR
510+8.47 EUR
1020+8.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+96.29 EUR
10+91.41 EUR
30+80.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+88.12 EUR
10+79.19 EUR
30+73.83 EUR
120+68.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+88.12 EUR
10+79.19 EUR
30+73.83 EUR
120+68.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.87 EUR
10+8.48 EUR
30+7.94 EUR
120+7.59 EUR
270+7.32 EUR
510+7.09 EUR
2520+6.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.24 EUR
18+7.99 EUR
25+7.37 EUR
50+7.07 EUR
100+6.38 EUR
250+5.49 EUR
500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+13.06 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.24 EUR
18+7.99 EUR
25+7.37 EUR
50+7.07 EUR
100+6.38 EUR
250+5.49 EUR
500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J-2449111.pdf MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.2 EUR
10+11.88 EUR
25+11.39 EUR
100+10.67 EUR
250+10.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.23 EUR
10+10.99 EUR
25+10.53 EUR
100+9.89 EUR
250+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.28 EUR
1600+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
10+9.91 EUR
25+9.5 EUR
100+9.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.98 EUR
10+9.87 EUR
25+9.47 EUR
100+8.87 EUR
250+8.5 EUR
500+8.24 EUR
800+7.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D-3479643.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.01 EUR
10+17.41 EUR
30+16.37 EUR
120+15.73 EUR
270+15.26 EUR
510+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+28.99 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
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G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
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G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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800+16.09 EUR
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G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
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G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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30+33.16 EUR
120+31.27 EUR
270+29.77 EUR
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G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 377 Stücke:
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1+54.61 EUR
10+48.59 EUR
30+46.11 EUR
120+45 EUR
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G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1080 Stücke:
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30+33.16 EUR
120+31.27 EUR
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G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 531 Stücke:
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3+34.08 EUR
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 110 Stücke:
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2+61.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
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1+85.04 EUR
10+72.72 EUR
30+72.28 EUR
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
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5+59.15 EUR
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G3R20MT17K G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 50 Stücke:
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1+162.25 EUR
10+150.5 EUR
30+146.06 EUR
120+143.55 EUR
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G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N-3478980.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 48 Stücke:
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1+226.48 EUR
10+211.24 EUR
30+205.48 EUR
100+203.07 EUR
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G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor g3r30mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 238 Stücke:
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3+52.85 EUR
5+49.34 EUR
10+46.16 EUR
20+43.25 EUR
50+40.55 EUR
100+38.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J-2450019.pdf MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1665 Stücke:
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1+41.54 EUR
10+37.77 EUR
25+36.34 EUR
100+34.64 EUR
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G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 459W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
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G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 329 Stücke:
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1+34.55 EUR
10+31.4 EUR
25+30.22 EUR
100+28.53 EUR
250+27.47 EUR
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G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
auf Bestellung 617 Stücke:
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1+34.71 EUR
10+32.48 EUR
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G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.82 EUR
10+17.46 EUR
100+13.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12K
G3F40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.42 EUR
10+14.19 EUR
30+13.32 EUR
120+12.76 EUR
270+12.37 EUR
510+12.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06D
G3F45MT06D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.41 EUR
10+13.11 EUR
30+12.6 EUR
120+11.9 EUR
270+11.46 EUR
510+11.12 EUR
1020+10.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06J-TR
G3F45MT06J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.62 EUR
10+10.58 EUR
25+10.17 EUR
100+9.61 EUR
250+9.24 EUR
500+8.99 EUR
800+8.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06K
G3F45MT06K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.91 EUR
10+13.55 EUR
30+13.02 EUR
120+12.3 EUR
270+11.84 EUR
510+11.51 EUR
1020+11.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06L-TR
G3F45MT06L-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.16 EUR
10+11.05 EUR
25+10.65 EUR
100+10.03 EUR
250+9.68 EUR
500+9.4 EUR
1200+9.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06D
G3F60MT06D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.23 EUR
10+10.23 EUR
30+9.82 EUR
120+9.28 EUR
270+8.92 EUR
510+8.68 EUR
1020+8.43 EUR
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G3F60MT06J-TR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.94 EUR
10+8.13 EUR
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G3F60MT06K
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1106 Stücke:
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Anzahl Preis
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10+10.45 EUR
30+10.05 EUR
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270+9.13 EUR
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G3F60MT06L-TR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
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10+7.32 EUR
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500+6.21 EUR
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G3F65MT12J-TR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.31 EUR
10+13.39 EUR
100+10.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3F65MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.09 EUR
10+10.88 EUR
25+10.44 EUR
100+9.79 EUR
250+9.36 EUR
500+9.08 EUR
800+8.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR
G3F65MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3F65MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.39 EUR
10+11.16 EUR
30+10.68 EUR
120+10.01 EUR
270+9.61 EUR
510+9.31 EUR
1020+9.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+17.6 EUR
10+12.15 EUR
100+9.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3F75MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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1+10.72 EUR
10+9.64 EUR
25+9.24 EUR
100+8.66 EUR
250+8.31 EUR
500+8.04 EUR
800+7.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12K
G3F75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1695 Stücke:
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1+11.28 EUR
10+10.14 EUR
30+9.72 EUR
120+9.12 EUR
270+8.73 EUR
510+8.47 EUR
1020+8.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R12MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+96.29 EUR
10+91.41 EUR
30+80.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+88.12 EUR
10+79.19 EUR
30+73.83 EUR
120+68.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+88.12 EUR
10+79.19 EUR
30+73.83 EUR
120+68.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.87 EUR
10+8.48 EUR
30+7.94 EUR
120+7.59 EUR
270+7.32 EUR
510+7.09 EUR
2520+6.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+9.24 EUR
18+7.99 EUR
25+7.37 EUR
50+7.07 EUR
100+6.38 EUR
250+5.49 EUR
500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+13.06 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+9.24 EUR
18+7.99 EUR
25+7.37 EUR
50+7.07 EUR
100+6.38 EUR
250+5.49 EUR
500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J-2449111.pdf
G3R160MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.2 EUR
10+11.88 EUR
25+11.39 EUR
100+10.67 EUR
250+10.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.23 EUR
10+10.99 EUR
25+10.53 EUR
100+9.89 EUR
250+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+8.28 EUR
1600+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.04 EUR
10+9.91 EUR
25+9.5 EUR
100+9.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.98 EUR
10+9.87 EUR
25+9.47 EUR
100+8.87 EUR
250+8.5 EUR
500+8.24 EUR
800+7.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D-3479643.pdf
G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.01 EUR
10+17.41 EUR
30+16.37 EUR
120+15.73 EUR
270+15.26 EUR
510+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+28.99 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+17.91 EUR
10+15.62 EUR
25+14.37 EUR
100+12.94 EUR
250+11.86 EUR
500+10.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+17.91 EUR
10+15.62 EUR
25+14.37 EUR
100+12.94 EUR
250+11.86 EUR
500+10.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.23 EUR
10+19.24 EUR
25+18.5 EUR
100+17.42 EUR
250+16.74 EUR
500+16.24 EUR
1000+16.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.07 EUR
10+19.09 EUR
25+18.34 EUR
100+17.29 EUR
250+16.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.23 EUR
10+19.24 EUR
25+18.5 EUR
100+17.42 EUR
250+16.74 EUR
500+16.24 EUR
800+16.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+16.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+33.16 EUR
120+31.27 EUR
270+29.77 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+54.61 EUR
10+48.59 EUR
30+46.11 EUR
120+45 EUR
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G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+33.16 EUR
120+31.27 EUR
270+29.77 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+34.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+61.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+85.04 EUR
10+72.72 EUR
30+72.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+59.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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G3R20MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+162.25 EUR
10+150.5 EUR
30+146.06 EUR
120+143.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R20MT17N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+226.48 EUR
10+211.24 EUR
30+205.48 EUR
100+203.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+52.85 EUR
5+49.34 EUR
10+46.16 EUR
20+43.25 EUR
50+40.55 EUR
100+38.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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G3R30MT12J G3R30MT12J-2450019.pdf
G3R30MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+41.54 EUR
10+37.77 EUR
25+36.34 EUR
100+34.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R30MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 459W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.55 EUR
10+31.4 EUR
25+30.22 EUR
100+28.53 EUR
250+27.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R30MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R30MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.71 EUR
10+32.48 EUR
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G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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