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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+20.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F34MT12K G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.41 EUR
10+24.53 EUR
30+23.04 EUR
120+22.07 EUR
270+21.42 EUR
510+21.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+15.29 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.54 EUR
10+20.78 EUR
100+15.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.23 EUR
10+16.61 EUR
25+15.6 EUR
100+14.96 EUR
250+14.49 EUR
500+14.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12K G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.3 EUR
10+18.39 EUR
30+17.28 EUR
120+16.53 EUR
270+16.04 EUR
510+15.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06D G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.15 EUR
10+15.6 EUR
30+14.99 EUR
120+14.16 EUR
270+13.64 EUR
510+13.23 EUR
1020+12.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06J-TR G3F45MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.83 EUR
10+12.59 EUR
25+12.1 EUR
100+11.44 EUR
250+11 EUR
500+10.7 EUR
800+10.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06K G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.74 EUR
10+16.12 EUR
30+15.49 EUR
120+14.64 EUR
270+14.09 EUR
510+13.7 EUR
1020+13.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06L-TR G3F45MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.77 EUR
10+14.33 EUR
25+13.8 EUR
100+13.01 EUR
250+12.54 EUR
500+12.17 EUR
1200+11.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06D G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.36 EUR
10+12.17 EUR
30+11.69 EUR
120+11.04 EUR
270+10.61 EUR
510+10.33 EUR
1020+10.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06J-TR G3F60MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.64 EUR
10+9.67 EUR
25+9.32 EUR
100+8.79 EUR
250+8.46 EUR
500+8.21 EUR
800+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06K G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+12.44 EUR
30+11.96 EUR
120+11.29 EUR
270+10.86 EUR
510+10.58 EUR
1020+10.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+8.71 EUR
25+8.4 EUR
100+7.91 EUR
250+7.63 EUR
500+7.39 EUR
1200+7.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.98 EUR
10+15.93 EUR
100+11.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.39 EUR
10+12.95 EUR
25+12.42 EUR
100+11.65 EUR
250+11.14 EUR
500+10.81 EUR
800+10.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+11.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12K G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.06 EUR
10+14.47 EUR
30+13.84 EUR
120+12.98 EUR
270+12.46 EUR
510+12.07 EUR
1020+11.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.76 EUR
10+11.47 EUR
25+11 EUR
100+10.31 EUR
250+9.89 EUR
500+9.57 EUR
800+9.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.94 EUR
10+14.46 EUR
100+10.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12K G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.61 EUR
10+13.15 EUR
30+12.59 EUR
120+11.82 EUR
270+11.3 EUR
510+10.97 EUR
1020+10.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+111.69 EUR
10+104.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+108.56 EUR
10+99.73 EUR
30+94.46 EUR
120+88.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+108.56 EUR
10+97.57 EUR
30+90.96 EUR
120+83.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.38 EUR
18+10.07 EUR
25+9.42 EUR
50+9.2 EUR
100+8.52 EUR
250+7.52 EUR
500+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+16.09 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.38 EUR
18+9.84 EUR
25+9.08 EUR
50+8.71 EUR
100+7.87 EUR
250+6.76 EUR
500+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.75 EUR
10+10.09 EUR
30+9.45 EUR
120+9.03 EUR
270+8.71 EUR
510+8.44 EUR
2520+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.22 EUR
12+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.55 EUR
10+13.08 EUR
25+12.53 EUR
100+11.77 EUR
250+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J-2449111.pdf MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.71 EUR
10+14.14 EUR
25+13.55 EUR
100+12.7 EUR
250+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+11.75 EUR
25+11.27 EUR
100+10.56 EUR
250+10.12 EUR
500+9.81 EUR
800+9.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+9.85 EUR
1600+9.53 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.14 EUR
10+11.79 EUR
25+11.3 EUR
100+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.53 EUR
120+13.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.65 EUR
10+21.38 EUR
25+20.54 EUR
100+19.34 EUR
250+18.59 EUR
500+18.03 EUR
1000+17.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D-3479643.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.81 EUR
10+20.72 EUR
30+19.48 EUR
120+18.72 EUR
270+18.16 EUR
510+17.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.06 EUR
10+19.67 EUR
25+18.39 EUR
100+16.84 EUR
250+15.83 EUR
500+15.01 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.06 EUR
10+19.24 EUR
25+17.71 EUR
100+15.95 EUR
250+14.61 EUR
500+13.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
1000+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+35.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
800+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+19.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.07 EUR
10+22.72 EUR
25+21.82 EUR
100+20.58 EUR
250+19.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+40.85 EUR
120+38.53 EUR
270+36.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.99 EUR
10+57.82 EUR
30+54.87 EUR
120+53.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+40.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+40.85 EUR
120+39.38 EUR
270+38.08 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 20mΩ
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 365W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+72.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+101.2 EUR
10+86.54 EUR
30+86.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+20.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F34MT12K
G3F34MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+28.41 EUR
10+24.53 EUR
30+23.04 EUR
120+22.07 EUR
270+21.42 EUR
510+21.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+15.29 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+29.54 EUR
10+20.78 EUR
100+15.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+19.23 EUR
10+16.61 EUR
25+15.6 EUR
100+14.96 EUR
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G3F40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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1+21.3 EUR
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SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
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SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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510+13.7 EUR
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SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
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500+12.17 EUR
1200+11.83 EUR
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SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
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510+10.33 EUR
1020+10.03 EUR
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SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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500+8.21 EUR
800+7.98 EUR
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SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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30+11.96 EUR
120+11.29 EUR
270+10.86 EUR
510+10.58 EUR
1020+10.26 EUR
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G3F60MT06L-TR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
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1+9.59 EUR
10+8.71 EUR
25+8.4 EUR
100+7.91 EUR
250+7.63 EUR
500+7.39 EUR
1200+7.19 EUR
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G3F65MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+22.98 EUR
10+15.93 EUR
100+11.96 EUR
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G3F65MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1560 Stücke:
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1+14.39 EUR
10+12.95 EUR
25+12.42 EUR
100+11.65 EUR
250+11.14 EUR
500+10.81 EUR
800+10.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR
G3F65MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+11.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3F65MT12K
G3F65MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.06 EUR
10+14.47 EUR
30+13.84 EUR
120+12.98 EUR
270+12.46 EUR
510+12.07 EUR
1020+11.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.76 EUR
10+11.47 EUR
25+11 EUR
100+10.31 EUR
250+9.89 EUR
500+9.57 EUR
800+9.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+20.94 EUR
10+14.46 EUR
100+10.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12K
G3F75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.61 EUR
10+13.15 EUR
30+12.59 EUR
120+11.82 EUR
270+11.3 EUR
510+10.97 EUR
1020+10.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf
G3R12MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+111.69 EUR
10+104.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+108.56 EUR
10+99.73 EUR
30+94.46 EUR
120+88.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+108.56 EUR
10+97.57 EUR
30+90.96 EUR
120+83.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+11.38 EUR
18+10.07 EUR
25+9.42 EUR
50+9.2 EUR
100+8.52 EUR
250+7.52 EUR
500+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+16.09 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+11.38 EUR
18+9.84 EUR
25+9.08 EUR
50+8.71 EUR
100+7.87 EUR
250+6.76 EUR
500+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.75 EUR
10+10.09 EUR
30+9.45 EUR
120+9.03 EUR
270+8.71 EUR
510+8.44 EUR
2520+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+8.22 EUR
12+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.55 EUR
10+13.08 EUR
25+12.53 EUR
100+11.77 EUR
250+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J-2449111.pdf
G3R160MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.71 EUR
10+14.14 EUR
25+13.55 EUR
100+12.7 EUR
250+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.07 EUR
10+11.75 EUR
25+11.27 EUR
100+10.56 EUR
250+10.12 EUR
500+9.81 EUR
800+9.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+9.85 EUR
1600+9.53 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.14 EUR
10+11.79 EUR
25+11.3 EUR
100+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+14.53 EUR
120+13.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+23.65 EUR
10+21.38 EUR
25+20.54 EUR
100+19.34 EUR
250+18.59 EUR
500+18.03 EUR
1000+17.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+23.81 EUR
10+20.72 EUR
30+19.48 EUR
120+18.72 EUR
270+18.16 EUR
510+17.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+22.06 EUR
10+19.67 EUR
25+18.39 EUR
100+16.84 EUR
250+15.83 EUR
500+15.01 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+22.06 EUR
10+19.24 EUR
25+17.71 EUR
100+15.95 EUR
250+14.61 EUR
500+13.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
1000+19.15 EUR
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+35.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
800+19.15 EUR
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G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+19.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.07 EUR
10+22.72 EUR
25+21.82 EUR
100+20.58 EUR
250+19.78 EUR
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G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+40.85 EUR
120+38.53 EUR
270+36.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+64.99 EUR
10+57.82 EUR
30+54.87 EUR
120+53.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+40.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+40.85 EUR
120+39.38 EUR
270+38.08 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 20mΩ
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 365W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N g3r20mt12n.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+72.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+101.2 EUR
10+86.54 EUR
30+86.01 EUR
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