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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J-2449378.pdf MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+9.57 EUR
25+9.13 EUR
100+8.52 EUR
250+8.15 EUR
500+7.88 EUR
1000+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
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21+8.83 EUR
22+7.91 EUR
25+7.33 EUR
100+6.65 EUR
250+5.91 EUR
500+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
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1000+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
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21+8.83 EUR
22+8.09 EUR
25+7.62 EUR
100+7.02 EUR
250+6.41 EUR
500+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
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1000+7.01 EUR
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G3R350MT12J-TR G3R350MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189236.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+112.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+23.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.36 EUR
10+28.63 EUR
30+27.61 EUR
120+26.13 EUR
270+25.19 EUR
510+24.53 EUR
1020+24.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+39.17 EUR
10+37.15 EUR
20+35.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+23.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.25 EUR
10+29.24 EUR
25+28.06 EUR
100+27.5 EUR
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G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+27.16 EUR
100+25.03 EUR
250+23.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+30.96 EUR
7+27.18 EUR
10+23.34 EUR
200+19.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+40.56 EUR
10+38.46 EUR
20+36.59 EUR
50+35.19 EUR
100+33.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+27.16 EUR
100+24.48 EUR
250+22.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf 1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor g3r40mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+28.82 EUR
8+24.55 EUR
10+23.5 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.73 EUR
17+10.6 EUR
30+9.59 EUR
120+8.84 EUR
270+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.73 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D-2449192.pdf MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.05 EUR
10+12.63 EUR
30+12.1 EUR
120+11.33 EUR
270+10.86 EUR
510+10.52 EUR
1020+10.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.92 EUR
10+12.52 EUR
25+12 EUR
100+11.26 EUR
250+10.79 EUR
500+10.45 EUR
1000+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 5835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.65 EUR
10+14.11 EUR
25+13.55 EUR
100+12.73 EUR
250+12.22 EUR
500+11.84 EUR
1000+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J-2449670.pdf MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.42 EUR
10+15.71 EUR
25+15.08 EUR
100+14.16 EUR
250+13.59 EUR
500+13.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+43.86 EUR
10+39.64 EUR
30+37.06 EUR
120+34.94 EUR
270+33.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.43 EUR
10+53.59 EUR
25+51.79 EUR
100+49.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D-2448906.pdf MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.74 EUR
10+58.48 EUR
30+56.49 EUR
120+53.62 EUR
270+52.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+43.86 EUR
10+40.52 EUR
30+38.48 EUR
120+36.89 EUR
270+36 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189235.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.04 EUR
10+54.18 EUR
25+52.36 EUR
100+49.72 EUR
250+48.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.56 EUR
10+54.64 EUR
30+53.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+33.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+51.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
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G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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1+19.24 EUR
10+17.5 EUR
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250+15.32 EUR
500+14.79 EUR
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G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J-2448865.pdf MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
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1+18.74 EUR
30+15.18 EUR
120+15.14 EUR
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G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1079 Stücke:
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2+20.86 EUR
10+18.93 EUR
25+18.23 EUR
100+17.21 EUR
250+16.54 EUR
500+16.08 EUR
1000+15.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G3R350MT12J G3R350MT12J-2449378.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2254 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+10.72 EUR
10+9.57 EUR
25+9.13 EUR
100+8.52 EUR
250+8.15 EUR
500+7.88 EUR
1000+7.6 EUR
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G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.83 EUR
22+7.91 EUR
25+7.33 EUR
100+6.65 EUR
250+5.91 EUR
500+5.15 EUR
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G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+7.01 EUR
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G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.83 EUR
22+8.09 EUR
25+7.62 EUR
100+7.02 EUR
250+6.41 EUR
500+5.72 EUR
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G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G3R350MT12J-TR G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R40MT12D 3189236.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+112.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+23.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+31.36 EUR
10+28.63 EUR
30+27.61 EUR
120+26.13 EUR
270+25.19 EUR
510+24.53 EUR
1020+24.4 EUR
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G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+39.17 EUR
10+37.15 EUR
20+35.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+23.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+34.25 EUR
10+29.24 EUR
25+28.06 EUR
100+27.5 EUR
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G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+27.16 EUR
100+25.03 EUR
250+23.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+30.96 EUR
7+27.18 EUR
10+23.34 EUR
200+19.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+40.56 EUR
10+38.46 EUR
20+36.59 EUR
50+35.19 EUR
100+33.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+27.16 EUR
100+24.48 EUR
250+22.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K g3r40mt12k.pdf
G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+28.82 EUR
8+24.55 EUR
10+23.5 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+12.73 EUR
17+10.6 EUR
30+9.59 EUR
120+8.84 EUR
270+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+12.73 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D-2449192.pdf
G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.05 EUR
10+12.63 EUR
30+12.1 EUR
120+11.33 EUR
270+10.86 EUR
510+10.52 EUR
1020+10.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.92 EUR
10+12.52 EUR
25+12 EUR
100+11.26 EUR
250+10.79 EUR
500+10.45 EUR
1000+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R450MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 5835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.65 EUR
10+14.11 EUR
25+13.55 EUR
100+12.73 EUR
250+12.22 EUR
500+11.84 EUR
1000+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J G3R450MT17J-2449670.pdf
G3R450MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.42 EUR
10+15.71 EUR
25+15.08 EUR
100+14.16 EUR
250+13.59 EUR
500+13.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+43.86 EUR
10+39.64 EUR
30+37.06 EUR
120+34.94 EUR
270+33.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+58.43 EUR
10+53.59 EUR
25+51.79 EUR
100+49.16 EUR
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G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+63.74 EUR
10+58.48 EUR
30+56.49 EUR
120+53.62 EUR
270+52.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+43.86 EUR
10+40.52 EUR
30+38.48 EUR
120+36.89 EUR
270+36 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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G3R45MT17D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+59.04 EUR
10+54.18 EUR
25+52.36 EUR
100+49.72 EUR
250+48.04 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+59.56 EUR
10+54.64 EUR
30+53.16 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+33.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+51.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+113.78 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+51.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G3R60MT07D g3r60mt07d.pdf
G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G3R60MT07D G3R60MT07D.pdf
G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.32 EUR
10+21.24 EUR
30+15.77 EUR
120+14.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J g3r60mt07j.pdf
G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+20.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+19.24 EUR
10+17.5 EUR
25+16.84 EUR
100+15.9 EUR
250+15.32 EUR
500+14.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R60MT07J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-2448865.pdf
G3R60MT07J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+18.74 EUR
30+15.18 EUR
120+15.14 EUR
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G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+20.86 EUR
10+18.93 EUR
25+18.23 EUR
100+17.21 EUR
250+16.54 EUR
500+16.08 EUR
1000+15.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH