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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+35.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.06 EUR
10+19.67 EUR
25+18.39 EUR
100+16.84 EUR
250+15.83 EUR
500+15.01 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.07 EUR
10+22.72 EUR
25+21.82 EUR
100+20.58 EUR
250+19.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+19.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
800+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+40.85 EUR
120+38.53 EUR
270+36.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+40.85 EUR
120+39.38 EUR
270+38.08 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.99 EUR
10+59.75 EUR
30+58.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+39.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+108.86 EUR
10+93.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 20mΩ
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 365W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+72.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17K G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+193.08 EUR
10+179.1 EUR
30+173.81 EUR
120+170.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N-3478980.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+269.51 EUR
10+251.38 EUR
30+244.52 EUR
100+241.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J-2450019.pdf MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.43 EUR
10+44.95 EUR
25+43.24 EUR
100+41.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor g3r30mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+66.56 EUR
5+63.12 EUR
10+60.05 EUR
20+57.72 EUR
50+55.61 EUR
100+53.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.11 EUR
10+37.37 EUR
25+35.96 EUR
100+33.95 EUR
250+32.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+52.01 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.54 EUR
10+7.22 EUR
30+6.72 EUR
120+6.41 EUR
270+6.18 EUR
510+5.97 EUR
1020+5.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.27 EUR
120+5.78 EUR
270+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.27 EUR
120+5.91 EUR
270+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.73 EUR
22+8.01 EUR
25+7.53 EUR
100+6.94 EUR
250+6.34 EUR
500+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J-2449378.pdf MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+9.57 EUR
25+9.13 EUR
100+8.52 EUR
250+8.15 EUR
500+7.88 EUR
1000+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.73 EUR
22+7.83 EUR
25+7.25 EUR
100+6.58 EUR
250+5.85 EUR
500+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+24.22 EUR
10+21.77 EUR
30+20.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189236.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+112.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+38.73 EUR
10+36.74 EUR
20+34.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.36 EUR
10+28.63 EUR
30+27.61 EUR
120+26.13 EUR
270+25.19 EUR
510+24.53 EUR
1020+24.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+26.85 EUR
100+24.2 EUR
250+22.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+26.85 EUR
100+24.75 EUR
250+23.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf 1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
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G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor g3r40mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2521 Stücke:
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2+13.92 EUR
10+12.52 EUR
25+12 EUR
100+11.26 EUR
250+10.79 EUR
500+10.45 EUR
1000+10.13 EUR
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G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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14+12.59 EUR
17+10.48 EUR
30+9.48 EUR
120+8.75 EUR
270+8.08 EUR
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G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D-2449192.pdf MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 3133 Stücke:
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1+14.05 EUR
10+12.63 EUR
30+12.1 EUR
120+11.33 EUR
270+10.86 EUR
510+10.52 EUR
1020+10.17 EUR
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G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J-2449670.pdf MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2991 Stücke:
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1+17.42 EUR
10+15.71 EUR
25+15.08 EUR
100+14.16 EUR
250+13.59 EUR
500+13.2 EUR
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G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 5835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.65 EUR
10+14.11 EUR
25+13.55 EUR
100+12.73 EUR
250+12.22 EUR
500+11.84 EUR
1000+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D-2448906.pdf MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
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1+63.74 EUR
10+58.48 EUR
30+56.49 EUR
120+53.62 EUR
270+52.15 EUR
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G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 400 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
400+35.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+22.06 EUR
10+19.67 EUR
25+18.39 EUR
100+16.84 EUR
250+15.83 EUR
500+15.01 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.07 EUR
10+22.72 EUR
25+21.82 EUR
100+20.58 EUR
250+19.78 EUR
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G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+19.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
800+19.15 EUR
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G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+40.85 EUR
120+38.53 EUR
270+36.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+40.85 EUR
120+39.38 EUR
270+38.08 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+64.99 EUR
10+59.75 EUR
30+58.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+39.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+108.86 EUR
10+93.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 20mΩ
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 365W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R20MT12N g3r20mt12n.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+72.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N g3r20mt12n.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
G3R20MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+193.08 EUR
10+179.1 EUR
30+173.81 EUR
120+170.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N-3478980.pdf
G3R20MT17N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+269.51 EUR
10+251.38 EUR
30+244.52 EUR
100+241.65 EUR
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G3R30MT12J G3R30MT12J-2450019.pdf
G3R30MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+49.43 EUR
10+44.95 EUR
25+43.24 EUR
100+41.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J g3r30mt12j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+66.56 EUR
5+63.12 EUR
10+60.05 EUR
20+57.72 EUR
50+55.61 EUR
100+53.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+41.11 EUR
10+37.37 EUR
25+35.96 EUR
100+33.95 EUR
250+32.69 EUR
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G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R30MT12K g3r30mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G3R30MT12K g3r30mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+52.01 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
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G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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250+6.34 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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250+8.15 EUR
500+7.88 EUR
1000+7.6 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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21+8.73 EUR
22+7.83 EUR
25+7.25 EUR
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250+5.85 EUR
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G3R350MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
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4+24.22 EUR
10+21.77 EUR
30+20.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 78 Stücke:
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30+22.99 EUR
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G3R40MT12D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
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3+112.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 24 Stücke:
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5+38.73 EUR
10+36.74 EUR
20+34.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 541 Stücke:
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1+31.36 EUR
10+28.63 EUR
30+27.61 EUR
120+26.13 EUR
270+25.19 EUR
510+24.53 EUR
1020+24.4 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
50+26.85 EUR
100+24.2 EUR
250+22.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+26.85 EUR
100+24.75 EUR
250+23.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+34.25 EUR
10+29.24 EUR
25+28.06 EUR
100+27.5 EUR
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G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+30.61 EUR
7+26.88 EUR
10+23.07 EUR
200+19.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 100 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+40.09 EUR
10+38.03 EUR
20+36.19 EUR
50+34.8 EUR
100+33.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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G3R40MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+21.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+28.5 EUR
8+24.28 EUR
10+23.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+12.59 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.92 EUR
10+12.52 EUR
25+12 EUR
100+11.26 EUR
250+10.79 EUR
500+10.45 EUR
1000+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+12.59 EUR
17+10.48 EUR
30+9.48 EUR
120+8.75 EUR
270+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D-2449192.pdf
G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.05 EUR
10+12.63 EUR
30+12.1 EUR
120+11.33 EUR
270+10.86 EUR
510+10.52 EUR
1020+10.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J G3R450MT17J-2449670.pdf
G3R450MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.42 EUR
10+15.71 EUR
25+15.08 EUR
100+14.16 EUR
250+13.59 EUR
500+13.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 5835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.65 EUR
10+14.11 EUR
25+13.55 EUR
100+12.73 EUR
250+12.22 EUR
500+11.84 EUR
1000+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D-2448906.pdf
G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+63.74 EUR
10+58.48 EUR
30+56.49 EUR
120+53.62 EUR
270+52.15 EUR
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