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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.11 EUR
10+30.32 EUR
30+28.62 EUR
120+27.09 EUR
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G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+42.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.15 EUR
120+4.75 EUR
270+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.15 EUR
120+4.75 EUR
270+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.18 EUR
10+6.07 EUR
30+5.65 EUR
120+5.39 EUR
270+5.19 EUR
510+5.02 EUR
1020+4.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J-2449378.pdf MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.01 EUR
10+8.04 EUR
25+7.67 EUR
100+7.16 EUR
250+6.85 EUR
500+6.62 EUR
1000+6.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.17 EUR
22+6.43 EUR
25+5.95 EUR
100+5.4 EUR
250+4.81 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.17 EUR
22+6.43 EUR
25+5.95 EUR
100+5.4 EUR
250+4.81 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 800 V
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.28 EUR
10+8.29 EUR
25+7.92 EUR
100+7.38 EUR
250+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189236.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.35 EUR
10+24.06 EUR
30+23.2 EUR
120+21.96 EUR
270+21.17 EUR
510+20.61 EUR
1020+20.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+18.88 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+31.12 EUR
10+29.05 EUR
20+27.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.35 EUR
10+18.29 EUR
30+17.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+18.88 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+25.14 EUR
7+21.59 EUR
10+18.25 EUR
200+15.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+32.21 EUR
10+30.07 EUR
20+28.14 EUR
50+26.37 EUR
100+24.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+22.05 EUR
100+19.88 EUR
250+18.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 374W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.17 EUR
10+27.23 EUR
25+26.14 EUR
100+24.58 EUR
250+23.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.75 EUR
10+24.57 EUR
25+22.35 EUR
100+21.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+22.05 EUR
100+19.88 EUR
250+18.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf 1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.75 EUR
10+23.57 EUR
30+22.3 EUR
120+21.51 EUR
270+20.93 EUR
510+20.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor g3r40mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.41 EUR
8+19.5 EUR
10+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.34 EUR
17+8.61 EUR
30+7.79 EUR
120+7.18 EUR
270+6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.7 EUR
10+10.52 EUR
25+10.08 EUR
100+9.46 EUR
250+9.07 EUR
500+8.78 EUR
1000+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D-2449192.pdf MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.81 EUR
10+10.61 EUR
30+10.17 EUR
120+9.52 EUR
270+9.13 EUR
510+8.84 EUR
1020+8.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.34 EUR
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G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 5835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.15 EUR
10+11.86 EUR
25+11.39 EUR
100+10.7 EUR
250+10.27 EUR
500+9.95 EUR
1000+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J-2449670.pdf MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2991 Stücke:
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1+14.64 EUR
10+13.2 EUR
25+12.67 EUR
100+11.9 EUR
250+11.42 EUR
500+11.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189235.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
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G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.1 EUR
10+45.03 EUR
25+43.52 EUR
100+41.31 EUR
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G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D-2448906.pdf MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.56 EUR
10+49.14 EUR
30+47.47 EUR
120+45.06 EUR
270+43.82 EUR
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G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.61 EUR
10+32.18 EUR
30+30.09 EUR
120+28.37 EUR
270+26.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 279 Stücke:
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5+35.61 EUR
10+32.18 EUR
30+30.09 EUR
120+28.37 EUR
270+26.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.61 EUR
10+45.53 EUR
25+44 EUR
100+41.78 EUR
250+40.37 EUR
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G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.07 EUR
10+45.94 EUR
30+44.39 EUR
120+42.15 EUR
270+40.97 EUR
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G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 23 Stücke:
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6+27.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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4+41.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+92.38 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+36.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+41.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.11 EUR
10+30.32 EUR
30+28.62 EUR
120+27.09 EUR
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G3R30MT12K g3r30mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R30MT12K g3r30mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+42.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+5.15 EUR
120+4.75 EUR
270+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+5.15 EUR
120+4.75 EUR
270+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.18 EUR
10+6.07 EUR
30+5.65 EUR
120+5.39 EUR
270+5.19 EUR
510+5.02 EUR
1020+4.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J-2449378.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.01 EUR
10+8.04 EUR
25+7.67 EUR
100+7.16 EUR
250+6.85 EUR
500+6.62 EUR
1000+6.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+7.17 EUR
22+6.43 EUR
25+5.95 EUR
100+5.4 EUR
250+4.81 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+7.17 EUR
22+6.43 EUR
25+5.95 EUR
100+5.4 EUR
250+4.81 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 800 V
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.28 EUR
10+8.29 EUR
25+7.92 EUR
100+7.38 EUR
250+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D 3189236.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.35 EUR
10+24.06 EUR
30+23.2 EUR
120+21.96 EUR
270+21.17 EUR
510+20.61 EUR
1020+20.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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30+18.88 EUR
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G3R40MT12D
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 94 Stücke:
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4+20.35 EUR
10+18.29 EUR
30+17.2 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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6+25.14 EUR
7+21.59 EUR
10+18.25 EUR
200+15.22 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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10+30.07 EUR
20+28.14 EUR
50+26.37 EUR
100+24.74 EUR
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G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
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50+22.05 EUR
100+19.88 EUR
250+18.26 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 374W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+30.17 EUR
10+27.23 EUR
25+26.14 EUR
100+24.58 EUR
250+23.61 EUR
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G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 940 Stücke:
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Anzahl Preis
1+26.75 EUR
10+24.57 EUR
25+22.35 EUR
100+21.21 EUR
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G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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50+22.05 EUR
100+19.88 EUR
250+18.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R40MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 263 Stücke:
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Anzahl Preis
4+18.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 506 Stücke:
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1+26.75 EUR
10+23.57 EUR
30+22.3 EUR
120+21.51 EUR
270+20.93 EUR
510+20.82 EUR
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G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 52 Stücke:
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7+23.41 EUR
8+19.5 EUR
10+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+10.34 EUR
17+8.61 EUR
30+7.79 EUR
120+7.18 EUR
270+6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.7 EUR
10+10.52 EUR
25+10.08 EUR
100+9.46 EUR
250+9.07 EUR
500+8.78 EUR
1000+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.81 EUR
10+10.61 EUR
30+10.17 EUR
120+9.52 EUR
270+9.13 EUR
510+8.84 EUR
1020+8.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+10.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1 Stücke:
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G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 5835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.15 EUR
10+11.86 EUR
25+11.39 EUR
100+10.7 EUR
250+10.27 EUR
500+9.95 EUR
1000+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J G3R450MT17J-2449670.pdf
G3R450MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.64 EUR
10+13.2 EUR
25+12.67 EUR
100+11.9 EUR
250+11.42 EUR
500+11.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D 3189235.pdf
G3R45MT17D
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+49.1 EUR
10+45.03 EUR
25+43.52 EUR
100+41.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D-2448906.pdf
G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+53.56 EUR
10+49.14 EUR
30+47.47 EUR
120+45.06 EUR
270+43.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D g3r45mt17d.pdf
G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+35.61 EUR
10+32.18 EUR
30+30.09 EUR
120+28.37 EUR
270+26.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+35.61 EUR
10+32.18 EUR
30+30.09 EUR
120+28.37 EUR
270+26.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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G3R45MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+49.61 EUR
10+45.53 EUR
25+44 EUR
100+41.78 EUR
250+40.37 EUR
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G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+50.07 EUR
10+45.94 EUR
30+44.39 EUR
120+42.15 EUR
270+40.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+27.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+41.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+92.38 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+41.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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