Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (3962) > Seite 15 nach 67

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G3F60MT06D G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.23 EUR
10+18.85 EUR
30+12.7 EUR
120+11.27 EUR
510+10.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06J-TR G3F60MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.64 EUR
10+9.67 EUR
25+9.32 EUR
100+8.79 EUR
250+8.46 EUR
500+8.21 EUR
800+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06K G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+12.44 EUR
30+11.96 EUR
120+11.29 EUR
270+10.86 EUR
510+10.58 EUR
1020+10.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+8.71 EUR
25+8.4 EUR
100+7.91 EUR
250+7.63 EUR
500+7.39 EUR
1200+7.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.66 EUR
10+14.09 EUR
25+13.53 EUR
100+12.67 EUR
250+12.15 EUR
500+11.77 EUR
800+11.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12K G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.26 EUR
10+21.97 EUR
30+13.34 EUR
120+12.4 EUR
270+12.38 EUR
510+11.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12U-TR G3F65MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F65MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 65m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F75MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.89 EUR
10+12.51 EUR
25+11.98 EUR
100+11.22 EUR
250+10.77 EUR
500+10.41 EUR
800+10.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12K G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.8 EUR
10+20.67 EUR
30+11.83 EUR
120+10.97 EUR
270+10.72 EUR
1020+10.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+109.8 EUR
10+100.86 EUR
30+95.53 EUR
120+89.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+111.69 EUR
10+104.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+109.8 EUR
10+98.67 EUR
30+92 EUR
120+84.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.75 EUR
10+10.09 EUR
30+9.45 EUR
120+9.03 EUR
270+8.71 EUR
510+8.44 EUR
2520+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+16.27 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.51 EUR
18+10.17 EUR
25+9.53 EUR
50+9.31 EUR
100+8.62 EUR
250+7.62 EUR
500+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.16Ω
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.51 EUR
18+9.96 EUR
25+9.19 EUR
50+8.82 EUR
100+7.95 EUR
250+6.84 EUR
500+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J-2449111.pdf MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.71 EUR
10+14.14 EUR
25+13.55 EUR
100+12.7 EUR
250+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+11.75 EUR
25+11.27 EUR
100+10.56 EUR
250+10.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D-3479643.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.81 EUR
10+20.72 EUR
30+19.48 EUR
120+18.72 EUR
270+18.16 EUR
510+17.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.31 EUR
10+19.9 EUR
25+18.59 EUR
100+17.03 EUR
250+16.01 EUR
500+15.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.31 EUR
10+19.46 EUR
25+17.9 EUR
100+16.12 EUR
250+14.77 EUR
500+13.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
1000+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+36.12 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+19.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.07 EUR
10+22.72 EUR
25+21.82 EUR
100+20.58 EUR
250+19.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
800+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+41.32 EUR
120+39.83 EUR
270+38.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.99 EUR
10+59.75 EUR
30+58.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+41.32 EUR
120+38.96 EUR
270+37.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+73.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+108.86 EUR
10+93.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17K G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+193.08 EUR
10+179.1 EUR
30+173.81 EUR
120+170.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N-3478980.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+269.51 EUR
10+251.38 EUR
30+244.52 EUR
100+241.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J-2450019.pdf MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.43 EUR
10+44.95 EUR
25+43.24 EUR
100+41.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Mounting: SMD
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 459W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor g3r30mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+67.31 EUR
5+63.84 EUR
10+60.74 EUR
20+58.37 EUR
50+56.24 EUR
100+53.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.11 EUR
10+37.37 EUR
25+35.96 EUR
100+33.95 EUR
250+32.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+52.6 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 30mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.59 EUR
10+37.28 EUR
30+36.05 EUR
120+35.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.34 EUR
120+5.97 EUR
270+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.54 EUR
10+7.22 EUR
30+6.72 EUR
120+6.41 EUR
270+6.18 EUR
510+5.97 EUR
1020+5.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.34 EUR
120+5.84 EUR
270+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.83 EUR
22+7.91 EUR
25+7.33 EUR
100+6.65 EUR
250+5.91 EUR
500+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06D
G3F60MT06D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+19.23 EUR
10+18.85 EUR
30+12.7 EUR
120+11.27 EUR
510+10.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06J-TR
G3F60MT06J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.64 EUR
10+9.67 EUR
25+9.32 EUR
100+8.79 EUR
250+8.46 EUR
500+8.21 EUR
800+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06K
G3F60MT06K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.7 EUR
10+12.44 EUR
30+11.96 EUR
120+11.29 EUR
270+10.86 EUR
510+10.58 EUR
1020+10.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06L-TR
G3F60MT06L-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.59 EUR
10+8.71 EUR
25+8.4 EUR
100+7.91 EUR
250+7.63 EUR
500+7.39 EUR
1200+7.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf
G3F65MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.66 EUR
10+14.09 EUR
25+13.53 EUR
100+12.67 EUR
250+12.15 EUR
500+11.77 EUR
800+11.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12K
G3F65MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.26 EUR
10+21.97 EUR
30+13.34 EUR
120+12.4 EUR
270+12.38 EUR
510+11.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12U-TR G3F65MT12U.pdf
G3F65MT12U-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J.pdf
G3F75MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.89 EUR
10+12.51 EUR
25+11.98 EUR
100+11.22 EUR
250+10.77 EUR
500+10.41 EUR
800+10.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12K
G3F75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+20.8 EUR
10+20.67 EUR
30+11.83 EUR
120+10.97 EUR
270+10.72 EUR
1020+10.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+109.8 EUR
10+100.86 EUR
30+95.53 EUR
120+89.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf
G3R12MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+111.69 EUR
10+104.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+109.8 EUR
10+98.67 EUR
30+92 EUR
120+84.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.75 EUR
10+10.09 EUR
30+9.45 EUR
120+9.03 EUR
270+8.71 EUR
510+8.44 EUR
2520+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+16.27 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+11.51 EUR
18+10.17 EUR
25+9.53 EUR
50+9.31 EUR
100+8.62 EUR
250+7.62 EUR
500+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.16Ω
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+11.51 EUR
18+9.96 EUR
25+9.19 EUR
50+8.82 EUR
100+7.95 EUR
250+6.84 EUR
500+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J-2449111.pdf
G3R160MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.71 EUR
10+14.14 EUR
25+13.55 EUR
100+12.7 EUR
250+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.07 EUR
10+11.75 EUR
25+11.27 EUR
100+10.56 EUR
250+10.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D-3479643.pdf
G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+23.81 EUR
10+20.72 EUR
30+19.48 EUR
120+18.72 EUR
270+18.16 EUR
510+17.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+22.31 EUR
10+19.9 EUR
25+18.59 EUR
100+17.03 EUR
250+16.01 EUR
500+15.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+22.31 EUR
10+19.46 EUR
25+17.9 EUR
100+16.12 EUR
250+14.77 EUR
500+13.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
1000+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+36.12 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+19.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.07 EUR
10+22.72 EUR
25+21.82 EUR
100+20.58 EUR
250+19.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
800+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+41.32 EUR
120+39.83 EUR
270+38.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+64.99 EUR
10+59.75 EUR
30+58.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+41.32 EUR
120+38.96 EUR
270+37.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N g3r20mt12n.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+73.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+108.86 EUR
10+93.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N g3r20mt12n.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
G3R20MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+193.08 EUR
10+179.1 EUR
30+173.81 EUR
120+170.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N-3478980.pdf
G3R20MT17N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+269.51 EUR
10+251.38 EUR
30+244.52 EUR
100+241.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J G3R30MT12J-2450019.pdf
G3R30MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+49.43 EUR
10+44.95 EUR
25+43.24 EUR
100+41.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Mounting: SMD
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 459W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J g3r30mt12j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+67.31 EUR
5+63.84 EUR
10+60.74 EUR
20+58.37 EUR
50+56.24 EUR
100+53.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+41.11 EUR
10+37.37 EUR
25+35.96 EUR
100+33.95 EUR
250+32.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K g3r30mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+52.6 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 30mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+40.59 EUR
10+37.28 EUR
30+36.05 EUR
120+35.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K g3r30mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+6.34 EUR
120+5.97 EUR
270+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.54 EUR
10+7.22 EUR
30+6.72 EUR
120+6.41 EUR
270+6.18 EUR
510+5.97 EUR
1020+5.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+6.34 EUR
120+5.84 EUR
270+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.83 EUR
22+7.91 EUR
25+7.33 EUR
100+6.65 EUR
250+5.91 EUR
500+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH