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MBRT30080 MBRT30080 GeneSiC Semiconductor mbrt30045_thru_mbrt300100r.pdf Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
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MBRT30080R MBRT30080R GeneSiC Semiconductor mbrt30045_thru_mbrt300100r.pdf Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
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MBRT40020 MBRT40020 GeneSiC Semiconductor mbrt40020_thru_mbrt40040r.pdf Description: DIODE MODULE 20V 400A 3TOWER
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MBRT40020R MBRT40020R GeneSiC Semiconductor mbrt40020_thru_mbrt40040r.pdf Description: DIODE MODULE 20V 400A 3TOWER
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MBRT40030 MBRT40030 GeneSiC Semiconductor mbrt40020_thru_mbrt40040r.pdf Description: DIODE MODULE 30V 400A 3TOWER
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MBRT40030R MBRT40030R GeneSiC Semiconductor mbrt40020_thru_mbrt40040r.pdf Description: DIODE MODULE 30V 400A 3TOWER
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MBRT40040 MBRT40040 GeneSiC Semiconductor mbrt40020.pdf Description: DIODE MODULE 40V 400A 3TOWER
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MBRT40040R MBRT40040R GeneSiC Semiconductor mbrt40020.pdf Description: DIODE MODULE 40V 400A 3TOWER
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MBRT40060 MBRT40060 GeneSiC Semiconductor mbrt40045_thru_mbrt400100r.pdf Description: DIODE MODULE 60V 400A 3TOWER
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MBRT40060R MBRT40060R GeneSiC Semiconductor mbrt400100.pdf Description: DIODE MODULE 60V 400A 3TOWER
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MBRT500100 MBRT500100 GeneSiC Semiconductor mbrt500100r.pdf Description: DIODE MODULE 100V 500A 3TOWER
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MBRT500100R MBRT500100R GeneSiC Semiconductor mbrt500100r.pdf Description: DIODE MODULE 100V 500A 3TOWER
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MBRT50020 MBRT50020 GeneSiC Semiconductor mbrt50020.pdf Description: DIODE MODULE 20V 500A 3TOWER
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MBRT50020R MBRT50020R GeneSiC Semiconductor mbrt50020.pdf Description: DIODE MODULE 20V 500A 3TOWER
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MBRT50030 MBRT50030 GeneSiC Semiconductor mbrt50020.pdf Description: DIODE MODULE 30V 500A 3TOWER
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MBRT50030R MBRT50030R GeneSiC Semiconductor mbrt50020.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT50035 MBRT50035 GeneSiC Semiconductor mbrt50020.pdf Description: DIODE MODULE 35V 500A 3TOWER
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MBRT50035R MBRT50035R GeneSiC Semiconductor mbrt50020.pdf Description: DIODE MODULE 35V 500A 3TOWER
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MBRT50040 MBRT50040 GeneSiC Semiconductor mbrt50020.pdf Description: DIODE MODULE 40V 500A 3TOWER
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MBRT50040R MBRT50040R GeneSiC Semiconductor mbrt50020.pdf Description: DIODE MODULE 40V 500A 3TOWER
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MBRT50045 MBRT50045 GeneSiC Semiconductor mbrt500100r.pdf Description: DIODE MODULE 45V 500A 3TOWER
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MBRT50045R MBRT50045R GeneSiC Semiconductor mbrt500100r.pdf Description: DIODE MODULE 45V 500A 3TOWER
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MBRT50060 MBRT50060 GeneSiC Semiconductor mbrt500100r.pdf Description: DIODE MODULE 60V 500A 3TOWER
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MBRT50060R MBRT50060R GeneSiC Semiconductor mbrt500100r.pdf Description: DIODE MODULE 60V 500A 3TOWER
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MBRT50080 MBRT50080 GeneSiC Semiconductor mbrt500100r.pdf Description: DIODE MODULE 80V 500A 3TOWER
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MBRT50080R MBRT50080R GeneSiC Semiconductor mbrt500100r.pdf Description: DIODE MODULE 80V 500A 3TOWER
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MBRT600100 MBRT600100 GeneSiC Semiconductor mbrt600100.pdf Description: DIODE MODULE 100V 600A 3TOWER
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MBRT600100R MBRT600100R GeneSiC Semiconductor mbrt600100.pdf Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60020 MBRT60020 GeneSiC Semiconductor mbrt60020.pdf Description: DIODE MODULE 20V 600A 3TOWER
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MBRT60020R MBRT60020R GeneSiC Semiconductor mbrt60020.pdf Description: DIODE MODULE 20V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60030 MBRT60030 GeneSiC Semiconductor mbrt60020.pdf Description: DIODE MODULE 30V 600A 3TOWER
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MBRT60030R MBRT60030R GeneSiC Semiconductor mbrt60020.pdf Description: DIODE MODULE 30V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60035 MBRT60035 GeneSiC Semiconductor mbrt60020.pdf Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
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MBRT60035R MBRT60035R GeneSiC Semiconductor mbrt60020.pdf Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
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MBRT60040 MBRT60040 GeneSiC Semiconductor mbrt60020.pdf Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
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MBRT60040R MBRT60040R GeneSiC Semiconductor mbrt60020.pdf Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
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MBRT60045 MBRT60045 GeneSiC Semiconductor mbrt600100.pdf Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60045R MBRT60045R GeneSiC Semiconductor mbrt600100.pdf Description: DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER
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MBRT60060 MBRT60060 GeneSiC Semiconductor mbrt600100.pdf Description: DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER
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MBRT60060R MBRT60060R GeneSiC Semiconductor mbrt600100.pdf Description: DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60080 MBRT60080 GeneSiC Semiconductor mbrt600100.pdf Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60080R MBRT60080R GeneSiC Semiconductor mbrt600100.pdf Description: DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER
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MSRT150100(A) MSRT150100(A) GeneSiC Semiconductor msrt15060a_thru_msrt150100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
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MSRT150120(A) MSRT150120(A) GeneSiC Semiconductor msrt150120a_thru_msrt150160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
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MSRT150140(A) MSRT150140(A) GeneSiC Semiconductor msrt150120a_thru_msrt150160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER
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MSRT150160(A) MSRT150160(A) GeneSiC Semiconductor msrt150120a_thru_msrt150160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER
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MSRT15060(A) MSRT15060(A) GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
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MSRT15080(A) MSRT15080(A) GeneSiC Semiconductor msrt15060a_thru_msrt150100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
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MSRT200100(A) MSRT200100(A) GeneSiC Semiconductor msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
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MSRT200120(A) MSRT200120(A) GeneSiC Semiconductor msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
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MSRT200140(A) MSRT200140(A) GeneSiC Semiconductor msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER
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MSRT200160(A) MSRT200160(A) GeneSiC Semiconductor msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
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MSRT20060(A) MSRT20060(A) GeneSiC Semiconductor MSRT20060~200100(A).pdf Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
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MSRT20080(A) MSRT20080(A) GeneSiC Semiconductor msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
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MSRT250100(A) MSRT250100(A) GeneSiC Semiconductor msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
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MSRT250120(A) MSRT250120(A) GeneSiC Semiconductor msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
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MSRT250140(A) MSRT250140(A) GeneSiC Semiconductor msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
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MSRT250160(A) MSRT250160(A) GeneSiC Semiconductor msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
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MSRT25060(A) MSRT25060(A) GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
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MSRT25080(A) MSRT25080(A) GeneSiC Semiconductor msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
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MBRT30080 mbrt30045_thru_mbrt300100r.pdf
MBRT30080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
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MBRT30080R mbrt30045_thru_mbrt300100r.pdf
MBRT30080R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
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MBRT40020 mbrt40020_thru_mbrt40040r.pdf
MBRT40020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 400A 3TOWER
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MBRT40020R mbrt40020_thru_mbrt40040r.pdf
MBRT40020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 400A 3TOWER
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MBRT40030 mbrt40020_thru_mbrt40040r.pdf
MBRT40030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 400A 3TOWER
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MBRT40030R mbrt40020_thru_mbrt40040r.pdf
MBRT40030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 400A 3TOWER
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MBRT40040 mbrt40020.pdf
MBRT40040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 400A 3TOWER
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MBRT40040R mbrt40020.pdf
MBRT40040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 400A 3TOWER
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MBRT40060 mbrt40045_thru_mbrt400100r.pdf
MBRT40060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 400A 3TOWER
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MBRT40060R mbrt400100.pdf
MBRT40060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 400A 3TOWER
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MBRT500100 mbrt500100r.pdf
MBRT500100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 500A 3TOWER
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MBRT500100R mbrt500100r.pdf
MBRT500100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 500A 3TOWER
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MBRT50020 mbrt50020.pdf
MBRT50020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 500A 3TOWER
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MBRT50020R mbrt50020.pdf
MBRT50020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 500A 3TOWER
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MBRT50030 mbrt50020.pdf
MBRT50030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 500A 3TOWER
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MBRT50030R mbrt50020.pdf
MBRT50030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT50035 mbrt50020.pdf
MBRT50035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 500A 3TOWER
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MBRT50035R mbrt50020.pdf
MBRT50035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 500A 3TOWER
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MBRT50040 mbrt50020.pdf
MBRT50040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 500A 3TOWER
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MBRT50040R mbrt50020.pdf
MBRT50040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 500A 3TOWER
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MBRT50045 mbrt500100r.pdf
MBRT50045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT50045R mbrt500100r.pdf
MBRT50045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT50060 mbrt500100r.pdf
MBRT50060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT50060R mbrt500100r.pdf
MBRT50060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT50080 mbrt500100r.pdf
MBRT50080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT50080R mbrt500100r.pdf
MBRT50080R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT600100 mbrt600100.pdf
MBRT600100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT600100R mbrt600100.pdf
MBRT600100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60020 mbrt60020.pdf
MBRT60020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT60020R mbrt60020.pdf
MBRT60020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60030 mbrt60020.pdf
MBRT60030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT60030R mbrt60020.pdf
MBRT60030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60035 mbrt60020.pdf
MBRT60035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT60035R mbrt60020.pdf
MBRT60035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT60040 mbrt60020.pdf
MBRT60040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT60040R mbrt60020.pdf
MBRT60040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
MBRT60045 mbrt600100.pdf
MBRT60045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER
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MBRT60060 mbrt600100.pdf
MBRT60060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER
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MBRT60060R mbrt600100.pdf
MBRT60060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRT60080R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER
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MSRT150100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
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MSRT150120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
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MSRT150140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER
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MSRT150160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER
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MSRT15060(A)
MSRT15060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
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MSRT15080(A) msrt15060a_thru_msrt150100a.pdf
MSRT15080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
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MSRT200100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
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MSRT200120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
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MSRT200140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER
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MSRT200160(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf
MSRT200160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
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MSRT20060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
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MSRT20080(A) msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf
MSRT20080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
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MSRT250100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
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MSRT250120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
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MSRT250140(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf
MSRT250140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
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MSRT250160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
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MSRT25060(A)
MSRT25060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
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MSRT25080(A) msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf
MSRT25080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
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