Die Produkte genesic semiconductor

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MBR2X050A200 MBR2X050A200 mbr2x050a200.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 20 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUR2X100A02 MUR2X100A02 mur2x100a02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 100A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
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MUR2X100A04 MUR2X100A04 mur2x100a04.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 100A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
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auf Bestellung 31 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+ 126.81 EUR
25+ 119.77 EUR
MBR2X120A045 MBR2X120A045 mbr2x120a045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 21 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 160.47 EUR
10+ 139.67 EUR
MBR2X100A180 MBR2X100A180 mbr2x100a180.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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MUR2X030A10 MUR2X030A10 mur2x030a10.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1000V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
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MUR2X030A12 MUR2X030A12 mur2x030a12.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MUR2X030A04 MUR2X030A04 mur2x030a04.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Supplier Device Package: SOT-227
Diode Type: Standard
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X030A060 MBR2X030A060 mbr2x030a060.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X030A080 MBR2X030A080 mbr2x030a080.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X060A060 MBR2X060A060 mbr2x060a060.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X060A080 MBR2X060A080 mbr2x060a080.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X080A060 MBR2X080A060 mbr2x080a060.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X080A080 MBR2X080A080 mbr2x080a080.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X050A100 MBR2X050A100 mbr2x050a100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X060A100 MBR2X060A100 mbr2x060a100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X050A120 MBR2X050A120 mbr2x050a120.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X050A045 MBR2X050A045 mbr2x050a045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X050A060 MBR2X050A060 mbr2x050a060.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X050A080 MBR2X050A080 mbr2x050a080.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X060A120 MBR2X060A120 mbr2x060a120.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MBR2X060
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MBR2X080A120 MBR2X080A120 mbr2x080a120.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X050A150 MBR2X050A150 mbr2x050a150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
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MBR2X060A150 MBR2X060A150 mbr2x060a150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
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MBR2X080A150 MBR2X080A150 mbr2x080a150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
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MBR2X050A180 MBR2X050A180 mbr2x050a180.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X060A180 MBR2X060A180 mbr2x060a180.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X080A180 MBR2X080A180 mbr2x080a180.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X060A200 MBR2X060A200 mbr2x060a200.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X080A200 MBR2X080A200 mbr2x080a200.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X100A045 MBR2X100A045 mbr2x100a045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBR2X100A060 MBR2X100A060 mbr2x100a060.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X100A080 MBR2X100A080 mbr2x100a080.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Supplier Device Package: SOT-227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X100A100 MBR2X100A100 mbr2x100a100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MUR2X100A06 MUR2X100A06 mur2x100a06.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
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MUR2X100A10 MUR2X100A10 mur2x100a10.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
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MBR2X120A060 MBR2X120A060 mbr2x120a060.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 120A SOT227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
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MBR2X120A080 MBR2X120A080 mbr2x120a080.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X120A100 MBR2X120A100 mbr2x120a100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
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MUR2X100A12 MUR2X100A12 mur2x100a12.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X100A120 MBR2X100A120 mbr2x100a120.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X120A120 MBR2X120A120 mbr2x120a120.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
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MUR2X120A02 MUR2X120A02 mur2x120a02.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
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MUR2X120A04 MUR2X120A04 mur2x120a04.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
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MUR2X120A06 MUR2X120A06 mur2x120a06.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
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MBRT400200R MBRT400200R mbrt400150_thru_mbrt400200r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
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MBR2X100A150 MBR2X100A150 mbr2x100a150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
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MBR2X120A150 MBR2X120A150 mbr2x120a150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X120A180 MBR2X120A180 mbr2x120a180.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
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MBR2X100A200 MBR2X100A200 mbr2x100a200.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X120A200 MBR2X120A200 mbr2x120a200.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
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MUR2X060A10 MUR2X060A10 mur2x060a10.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
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MUR2X060A12 MUR2X060A12 mur2x060a12.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MUR2X060
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MBR2X160A080 MBR2X160A080 mbr2x160a080.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
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MBR2X160A100 MBR2X160A100 mbr2x160a100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X160A120 MBR2X160A120 mbr2x160a120.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MBR2X160
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MBR2X160A150 MBR2X160A150 mbr2x160a150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 160A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
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MBR2X160A180 MBR2X160A180 mbr2x160a180.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Supplier Device Package: SOT-227
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MUR2X120A10 MUR2X120A10 mur2x120a10.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1KV 120A SOT227
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 120A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MUR2X120A12 MUR2X120A12 mur2x120a12.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
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MBR2X160A200 MBR2X160A200 mbr2x160a200.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRT400200 MBRT400200 mbrt400150_thru_mbrt400200r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 3 TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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MSRT100100(A)D MSRT100100(A)D msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT100120(A)D MSRT100120(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT100140(A)D MSRT100140(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT100160(A)D MSRT100160(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT10060(A)D MSRT10060(A)D msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT10080(A)D MSRT10080(A)D msrt100100(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MSRT150100(A)D MSRT150100(A)D msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT150120(A)D MSRT150120(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT150140(A)D MSRT150140(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT150160(A)D MSRT150160(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT15060(A)D MSRT15060(A)D msrt150100(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MSRT15080(A)D MSRT15080(A)D msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: Three Tower
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MBRT120150 MBRT120150 mbrt120150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MBRT120150R MBRT120150R mbrt120150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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MBRT120200 MBRT120200 mbrt120150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
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MBRT120200R MBRT120200R mbrt120150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MBRT400150R MBRT400150R mbrt400150_thru_mbrt400200r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
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MBRT200150 MBRT200150 mbrt200150_thru_mbrt200200r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBRT200150R MBRT200150R mbrt200150_thru_mbrt200200r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
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MBRT200200 MBRT200200 mbrt200150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRT200200R MBRT200200R mbrt200150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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FST160200 FST160200 fst160150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 80A TO249AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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FST100150 FST100150 fst100150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 50A TO249AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C
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FST100200 FST100200 fst100150_thru_fst100200.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 50A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST120150 FST120150 fst120150_thru_fst120200.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST120200 FST120200 fst120150_thru_fst120200.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBR400150CT MBR400150CT mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBR400150CTR MBR400150CTR mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
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MBR400200CT MBR400200CT mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBR400200CTR MBR400200CTR mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
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MBRT300150 MBRT300150 mbrt300150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
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MBRT300150R MBRT300150R mbrt300150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
Base Part Number: MBRT300150
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MBRT300200 MBRT300200 mbrt300150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MBRT300200R MBRT300200R mbrt300150.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
Base Part Number: MBRT300200
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FST160150 FST160150 fst160150_thru_fst160200.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 80A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBR120150CT MBR120150CT mbr120150ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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MBR120150CTR MBR120150CTR mbr120150ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 2 TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR120200CT MBR120200CT mbr120150ct.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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MBR2X050A200 mbr2x050a200.pdf
MBR2X050A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
auf Bestellung 20 Stücke
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MUR2X100A02 mur2x100a02.pdf
MUR2X100A02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 100A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
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MUR2X100A04 mur2x100a04.pdf
MUR2X100A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 100A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
auf Bestellung 31 Stücke
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10+ 126.81 EUR
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MBR2X120A045 mbr2x120a045.pdf
MBR2X120A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
auf Bestellung 21 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+ 139.67 EUR
MBR2X100A180 mbr2x100a180.pdf
MBR2X100A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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MUR2X030A10 mur2x030a10.pdf
MUR2X030A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1000V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
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MUR2X030A12 mur2x030a12.pdf
MUR2X030A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MUR2X030A04 mur2x030a04.pdf
MUR2X030A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Supplier Device Package: SOT-227
Diode Type: Standard
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X030A060 mbr2x030a060.pdf
MBR2X030A060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X030A080 mbr2x030a080.pdf
MBR2X030A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X060A060 mbr2x060a060.pdf
MBR2X060A060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X060A080 mbr2x060a080.pdf
MBR2X060A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X080A060 mbr2x080a060.pdf
MBR2X080A060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X080A080 mbr2x080a080.pdf
MBR2X080A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X050A100 mbr2x050a100.pdf
MBR2X050A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X060A100 mbr2x060a100.pdf
MBR2X060A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X050A120 mbr2x050a120.pdf
MBR2X050A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X050A045 mbr2x050a045.pdf
MBR2X050A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X050A060 mbr2x050a060.pdf
MBR2X050A060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
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MBR2X050A080 mbr2x050a080.pdf
MBR2X050A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X060A120 mbr2x060a120.pdf
MBR2X060A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MBR2X060
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X080A120 mbr2x080a120.pdf
MBR2X080A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X050A150 mbr2x050a150.pdf
MBR2X050A150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X060A150 mbr2x060a150.pdf
MBR2X060A150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X080A150 mbr2x080a150.pdf
MBR2X080A150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X050A180 mbr2x050a180.pdf
MBR2X050A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X060A180 mbr2x060a180.pdf
MBR2X060A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X080A180 mbr2x080a180.pdf
MBR2X080A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X060A200 mbr2x060a200.pdf
MBR2X060A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X080A200 mbr2x080a200.pdf
MBR2X080A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X100A045 mbr2x100a045.pdf
MBR2X100A045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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MBR2X100A060 mbr2x100a060.pdf
MBR2X100A060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X100A080 mbr2x100a080.pdf
MBR2X100A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Supplier Device Package: SOT-227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X100A100 mbr2x100a100.pdf
MBR2X100A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MUR2X100A06 mur2x100a06.pdf
MUR2X100A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
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MUR2X100A10 mur2x100a10.pdf
MUR2X100A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
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MBR2X120A060 mbr2x120a060.pdf
MBR2X120A060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 120A SOT227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
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MBR2X120A080 mbr2x120a080.pdf
MBR2X120A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X120A100 mbr2x120a100.pdf
MBR2X120A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
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MUR2X100A12 mur2x100a12.pdf
MUR2X100A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X100A120 mbr2x100a120.pdf
MBR2X100A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X120A120 mbr2x120a120.pdf
MBR2X120A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
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MUR2X120A02 mur2x120a02.pdf
MUR2X120A02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
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MUR2X120A04 mur2x120a04.pdf
MUR2X120A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
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MUR2X120A06 mur2x120a06.pdf
MUR2X120A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
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MBRT400200R mbrt400150_thru_mbrt400200r.pdf
MBRT400200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
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MBR2X100A150 mbr2x100a150.pdf
MBR2X100A150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
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MBR2X120A150 mbr2x120a150.pdf
MBR2X120A150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X120A180 mbr2x120a180.pdf
MBR2X120A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X100A200 mbr2x100a200.pdf
MBR2X100A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
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MBR2X120A200 mbr2x120a200.pdf
MBR2X120A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
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MUR2X060A10 mur2x060a10.pdf
MUR2X060A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
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MUR2X060A12 mur2x060a12.pdf
MUR2X060A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MUR2X060
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MBR2X160A080 mbr2x160a080.pdf
MBR2X160A080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X160A100 mbr2x160a100.pdf
MBR2X160A100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X160A120 mbr2x160a120.pdf
MBR2X160A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MBR2X160
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X160A150 mbr2x160a150.pdf
MBR2X160A150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 160A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X160A180 mbr2x160a180.pdf
MBR2X160A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Supplier Device Package: SOT-227
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MUR2X120A10 mur2x120a10.pdf
MUR2X120A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 120A SOT227
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 120A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MUR2X120A12 mur2x120a12.pdf
MUR2X120A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR2X160A200 mbr2x160a200.pdf
MBR2X160A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT400200 mbrt400150_thru_mbrt400200r.pdf
MBRT400200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 3 TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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MSRT100100(A)D msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf
MSRT100100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT100120(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT100140(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT100160(A)D msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf
MSRT100160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT10060(A)D msrt10060(a)d_thru_msrt100100(a)d.pdf
MSRT10060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT10080(A)D msrt100100(a)d.pdf
MSRT10080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MSRT150100(A)D msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf
MSRT150100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT150120(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf
MSRT150120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT150140(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf
MSRT150140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT150160(A)D msrt150120(a)d_thru_msrt150160(a)d.pdf
MSRT150160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRT15060(A)D msrt150100(a)d.pdf
MSRT15060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MSRT15080(A)D msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf
MSRT15080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: Three Tower
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MBRT120150 mbrt120150.pdf
MBRT120150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MBRT120150R mbrt120150.pdf
MBRT120150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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MBRT120200 mbrt120150.pdf
MBRT120200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
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MBRT120200R mbrt120150.pdf
MBRT120200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MBRT400150R mbrt400150_thru_mbrt400200r.pdf
MBRT400150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
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MBRT200150 mbrt200150_thru_mbrt200200r.pdf
MBRT200150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBRT200150R mbrt200150_thru_mbrt200200r.pdf
MBRT200150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
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MBRT200200 mbrt200150.pdf
MBRT200200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRT200200R mbrt200150.pdf
MBRT200200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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FST160200 fst160150.pdf
FST160200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 80A TO249AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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FST100150 fst100150.pdf
FST100150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 50A TO249AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C
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FST100200 fst100150_thru_fst100200.pdf
FST100200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 50A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST120150 fst120150_thru_fst120200.pdf
FST120150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST120200 fst120150_thru_fst120200.pdf
FST120200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBR400150CT mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf
MBR400150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBR400150CTR mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf
MBR400150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR400200CT mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf
MBR400200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR400200CTR mbr400150ct_thru_mbr400200ctr.pdf
MBR400200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
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MBRT300150 mbrt300150.pdf
MBRT300150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
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MBRT300150R mbrt300150.pdf
MBRT300150R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
Base Part Number: MBRT300150
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MBRT300200 mbrt300150.pdf
MBRT300200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MBRT300200R mbrt300150.pdf
MBRT300200R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
Base Part Number: MBRT300200
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FST160150 fst160150_thru_fst160200.pdf
FST160150
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 80A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBR120150CT mbr120150ct.pdf
MBR120150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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MBR120150CTR mbr120150ct.pdf
MBR120150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 2 TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MBR120200CT mbr120150ct.pdf
MBR120200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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