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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 400 Stücke:
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1+30.92 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12K G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 247 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12U-TR G3F25MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
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 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F33MT06J-TR G3F33MT06J-TR GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J.pdf SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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1+17.61 EUR
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500+13.61 EUR
800+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F33MT06K G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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270+16.28 EUR
510+15.79 EUR
1020+15.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L-TR GeneSiC Semiconductor G3F33MT06L.pdf SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
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250+16.78 EUR
1200+15.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F34MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1547 Stücke:
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1+28.17 EUR
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100+21.88 EUR
250+21.24 EUR
500+20.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F34MT12K G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 456 Stücke:
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1+36.57 EUR
10+36.1 EUR
30+21.68 EUR
120+21.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 761 Stücke:
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1+20.97 EUR
10+18.08 EUR
25+16.98 EUR
100+16.28 EUR
250+15.79 EUR
500+15.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12K G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1416 Stücke:
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1+27.56 EUR
10+26.93 EUR
30+16.67 EUR
510+16.23 EUR
1020+15.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06D G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1163 Stücke:
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1+18.68 EUR
10+16.98 EUR
30+16.34 EUR
120+15.41 EUR
270+14.88 EUR
510+14.43 EUR
1020+14.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06J-TR G3F45MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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10+13.7 EUR
25+13.2 EUR
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250+11.98 EUR
500+11.65 EUR
800+11.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06K G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06L-TR G3F45MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
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500+12.65 EUR
1200+11.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06U-TR G3F45MT06U-TR GeneSiC Semiconductor G3F45MT06U.pdf SiC MOSFETs 650V 42m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
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 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06D G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1197 Stücke:
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510+10.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06J-TR G3F60MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 768 Stücke:
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1+10.64 EUR
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G3F60MT06K G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1106 Stücke:
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270+10.86 EUR
510+10.58 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
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500+7.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1560 Stücke:
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1+15.66 EUR
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25+13.53 EUR
100+12.67 EUR
250+12.15 EUR
500+11.77 EUR
800+11.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12K G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.26 EUR
10+21.97 EUR
30+13.34 EUR
120+12.4 EUR
270+12.38 EUR
510+11.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12U-TR G3F65MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F65MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 65m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F75MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.89 EUR
10+12.51 EUR
25+11.98 EUR
100+11.22 EUR
250+10.77 EUR
500+10.41 EUR
800+10.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12K G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.8 EUR
10+20.67 EUR
30+11.83 EUR
120+10.97 EUR
270+10.72 EUR
1020+10.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+107.34 EUR
10+96.45 EUR
30+89.93 EUR
120+82.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+117.1 EUR
10+111.75 EUR
30+104.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+107.34 EUR
10+98.6 EUR
30+93.39 EUR
120+87.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.25 EUR
18+9.95 EUR
25+9.32 EUR
50+9.1 EUR
100+8.43 EUR
250+7.44 EUR
500+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.25 EUR
18+9.73 EUR
25+8.97 EUR
50+8.62 EUR
100+7.77 EUR
250+6.69 EUR
500+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+15.91 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.75 EUR
10+10.09 EUR
30+9.45 EUR
120+9.03 EUR
270+8.71 EUR
510+8.44 EUR
2520+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J-2449111.pdf MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.71 EUR
10+14.14 EUR
25+13.55 EUR
100+12.7 EUR
250+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+11.75 EUR
25+11.27 EUR
100+10.56 EUR
250+10.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D-3479643.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.81 EUR
10+20.72 EUR
30+19.48 EUR
120+18.72 EUR
270+18.16 EUR
510+17.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+35.31 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
1000+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
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G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
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G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
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G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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120+38.94 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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120+38.09 EUR
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G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
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10+59.75 EUR
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 95 Stücke:
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
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1+108.86 EUR
10+93.75 EUR
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
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G3R20MT17K G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
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G3F25MT12J-TR G3F25MT12J.pdf
G3F25MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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1+30.92 EUR
10+26.7 EUR
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100+24.03 EUR
250+23.31 EUR
500+22.98 EUR
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G3F25MT12K
G3F25MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 247 Stücke:
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1+40.86 EUR
10+39.94 EUR
30+25.32 EUR
120+24.25 EUR
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G3F25MT12U-TR G3F25MT12U.pdf
G3F25MT12U-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
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G3F33MT06J-TR G3F33MT06J.pdf
G3F33MT06J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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1+17.61 EUR
10+16.02 EUR
25+15.4 EUR
100+14.55 EUR
250+14.01 EUR
500+13.61 EUR
800+13.22 EUR
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G3F33MT06K
G3F33MT06K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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1+20.44 EUR
10+18.6 EUR
30+17.89 EUR
120+16.9 EUR
270+16.28 EUR
510+15.79 EUR
1020+15.35 EUR
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G3F33MT06L-TR G3F33MT06L.pdf
G3F33MT06L-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
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10+19.68 EUR
25+16.81 EUR
250+16.78 EUR
1200+15.58 EUR
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G3F34MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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1+28.17 EUR
10+24.34 EUR
25+22.82 EUR
100+21.88 EUR
250+21.24 EUR
500+20.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F34MT12K
G3F34MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 456 Stücke:
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1+36.57 EUR
10+36.1 EUR
30+21.68 EUR
120+21.11 EUR
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G3F40MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
1+20.97 EUR
10+18.08 EUR
25+16.98 EUR
100+16.28 EUR
250+15.79 EUR
500+15.58 EUR
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G3F40MT12K G3F40MT12K.pdf
G3F40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1416 Stücke:
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1+27.56 EUR
10+26.93 EUR
30+16.67 EUR
510+16.23 EUR
1020+15.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06D
G3F45MT06D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1163 Stücke:
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1+18.68 EUR
10+16.98 EUR
30+16.34 EUR
120+15.41 EUR
270+14.88 EUR
510+14.43 EUR
1020+14.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06J-TR
G3F45MT06J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 750 Stücke:
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1+15.08 EUR
10+13.7 EUR
25+13.2 EUR
100+12.46 EUR
250+11.98 EUR
500+11.65 EUR
800+11.29 EUR
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G3F45MT06K
G3F45MT06K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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1+19.33 EUR
10+17.58 EUR
30+16.9 EUR
120+15.96 EUR
270+15.37 EUR
510+14.93 EUR
1020+14.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F45MT06L-TR
G3F45MT06L-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1055 Stücke:
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1+21.34 EUR
10+15.62 EUR
25+12.9 EUR
100+12.67 EUR
500+12.65 EUR
1200+11.73 EUR
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G3F45MT06U-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 42m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
Produkt ist nicht verfügbar
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G3F60MT06D
G3F60MT06D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1197 Stücke:
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1+13.36 EUR
10+12.17 EUR
30+11.69 EUR
120+11.04 EUR
270+10.61 EUR
510+10.33 EUR
1020+10.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06J-TR
G3F60MT06J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 768 Stücke:
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1+10.64 EUR
10+9.67 EUR
25+9.32 EUR
100+8.79 EUR
250+8.46 EUR
500+8.21 EUR
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G3F60MT06K
G3F60MT06K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1106 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+13.7 EUR
10+12.44 EUR
30+11.96 EUR
120+11.29 EUR
270+10.86 EUR
510+10.58 EUR
1020+10.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F60MT06L-TR
G3F60MT06L-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
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1+9.59 EUR
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25+8.4 EUR
100+7.91 EUR
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500+7.39 EUR
1200+7.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F65MT12J-TR Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf
G3F65MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1560 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+15.66 EUR
10+14.09 EUR
25+13.53 EUR
100+12.67 EUR
250+12.15 EUR
500+11.77 EUR
800+11.39 EUR
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G3F65MT12K
G3F65MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 473 Stücke:
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10+21.97 EUR
30+13.34 EUR
120+12.4 EUR
270+12.38 EUR
510+11.52 EUR
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G3F65MT12U-TR G3F65MT12U.pdf
G3F65MT12U-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
Produkt ist nicht verfügbar
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G3F75MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 572 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+13.89 EUR
10+12.51 EUR
25+11.98 EUR
100+11.22 EUR
250+10.77 EUR
500+10.41 EUR
800+10.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12K
G3F75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+20.8 EUR
10+20.67 EUR
30+11.83 EUR
120+10.97 EUR
270+10.72 EUR
1020+10.58 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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10+96.45 EUR
30+89.93 EUR
120+82.93 EUR
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G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf
G3R12MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+117.1 EUR
10+111.75 EUR
30+104.11 EUR
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G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+107.34 EUR
10+98.6 EUR
30+93.39 EUR
120+87.57 EUR
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G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
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510+8.44 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R160MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
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G3R160MT12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R160MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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25+11.27 EUR
100+10.56 EUR
250+10.17 EUR
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G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
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10+20.72 EUR
30+19.48 EUR
120+18.72 EUR
270+18.16 EUR
510+17.95 EUR
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G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
auf Bestellung 1 Stücke:
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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10+22.9 EUR
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+21.81 EUR
10+19.44 EUR
25+18.17 EUR
100+16.64 EUR
250+15.65 EUR
500+14.84 EUR
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G3R160MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+21.81 EUR
10+19.03 EUR
25+17.5 EUR
100+15.76 EUR
250+14.45 EUR
500+13.33 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
800+19.15 EUR
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G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+19.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G3R160MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.07 EUR
10+22.72 EUR
25+21.82 EUR
100+20.58 EUR
250+19.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+40.39 EUR
120+38.94 EUR
270+37.65 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+40.39 EUR
120+38.09 EUR
270+36.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+64.99 EUR
10+59.75 EUR
30+58.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+108.86 EUR
10+93.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N g3r20mt12n.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+72.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
G3R20MT17K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+193.08 EUR
10+179.1 EUR
30+173.81 EUR
120+170.82 EUR
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