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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.57 EUR
10+10.36 EUR
25+9.91 EUR
100+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.41 EUR
10+24.8 EUR
25+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.41 EUR
10+25.36 EUR
25+23.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-2449477.pdf MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.4 EUR
10+32.9 EUR
25+31.58 EUR
100+29.74 EUR
250+28.55 EUR
500+28.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.67 EUR
10+29.16 EUR
25+26.87 EUR
100+25.22 EUR
250+23.88 EUR
500+21.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+26.74 EUR
100+24.97 EUR
250+23.48 EUR
500+22.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.38 EUR
10+32.9 EUR
25+31.59 EUR
100+29.73 EUR
250+28.56 EUR
500+27.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+23.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+24.35 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+25.22 EUR
100+23.4 EUR
250+21.81 EUR
500+20.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+31.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+31.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J-2449933.pdf MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
1+210.43 EUR
10+195.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor sic-mosfet-selector-guide.pdf Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+214.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+518.27 EUR
10+453.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+518.27 EUR
10+463.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K-2585786.pdf MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+575.9 EUR
10+540.69 EUR
30+537.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2 GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+501.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+277.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+292.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12G3T G3F09MT12G3T GeneSiC Semiconductor SiCPAK.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+502.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12G3T-T G3F09MT12G3T-T GeneSiC Semiconductor SiCPAK.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+529.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+501.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+528.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F135MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
10+9.64 EUR
25+9.21 EUR
100+8.65 EUR
250+8.27 EUR
500+8 EUR
800+7.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F17MT12FB2 G3F17MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+197.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+208.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4 GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+250.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4-T GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+264.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+35.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.36 EUR
10+37.57 EUR
25+36.19 EUR
100+34.16 EUR
250+32.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.76 EUR
10+41.5 EUR
100+35.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.24 EUR
10+44.18 EUR
100+37.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12K G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.44 EUR
10+44.01 EUR
30+42.39 EUR
120+40.01 EUR
270+38.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+27.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.17 EUR
10+34.09 EUR
100+27.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.69 EUR
10+29.71 EUR
25+28.61 EUR
100+27 EUR
250+26.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12K G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.09 EUR
10+36.44 EUR
30+35.06 EUR
120+33.12 EUR
270+31.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT06J-TR G3F25MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.8 EUR
10+23.45 EUR
25+22.57 EUR
100+21.3 EUR
250+20.53 EUR
500+19.94 EUR
800+19.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT06K G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.52 EUR
10+25.03 EUR
30+24.09 EUR
120+22.73 EUR
270+21.88 EUR
510+21.28 EUR
1020+20.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT06L-TR G3F25MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.13 EUR
10+26.49 EUR
25+25.49 EUR
100+24.06 EUR
250+23.17 EUR
500+22.51 EUR
1200+21.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.38 EUR
10+24.5 EUR
25+23.01 EUR
100+22.05 EUR
250+21.41 EUR
500+21.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+22.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.96 EUR
10+28.62 EUR
100+22.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12K G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.63 EUR
10+28.19 EUR
30+26.48 EUR
120+25.36 EUR
270+24.61 EUR
510+24.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F320MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F320MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.53 EUR
10+11.25 EUR
100+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F33MT06J-TR G3F33MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.61 EUR
10+16.02 EUR
25+15.4 EUR
100+14.55 EUR
250+14.01 EUR
500+13.61 EUR
800+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F33MT06K G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.44 EUR
10+18.6 EUR
30+17.89 EUR
120+16.9 EUR
270+16.28 EUR
510+15.79 EUR
1020+15.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.9 EUR
10+19.02 EUR
25+18.28 EUR
100+17.28 EUR
250+16.62 EUR
500+16.15 EUR
1200+15.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+20.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.57 EUR
10+10.36 EUR
25+9.91 EUR
100+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+27.41 EUR
10+24.8 EUR
25+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+27.41 EUR
10+25.36 EUR
25+23.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J-2449477.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+36.4 EUR
10+32.9 EUR
25+31.58 EUR
100+29.74 EUR
250+28.55 EUR
500+28.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+32.67 EUR
10+29.16 EUR
25+26.87 EUR
100+25.22 EUR
250+23.88 EUR
500+21.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+26.74 EUR
100+24.97 EUR
250+23.48 EUR
500+22.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+36.38 EUR
10+32.9 EUR
25+31.59 EUR
100+29.73 EUR
250+28.56 EUR
500+27.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+23.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+24.35 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+25.22 EUR
100+23.4 EUR
250+21.81 EUR
500+20.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+31.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+31.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J-2449933.pdf
G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+210.43 EUR
10+195.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
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G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
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G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+518.27 EUR
10+463.65 EUR
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G2R50MT33K G2R50MT33K-2585786.pdf
G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
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1+575.9 EUR
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G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
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1+501.56 EUR
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G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
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1+277.26 EUR
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G3F09MT12FB2-T
G3F09MT12FB2-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+292.5 EUR
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G3F09MT12G3T SiCPAK.pdf
G3F09MT12G3T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+502.13 EUR
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G3F09MT12G3T-T SiCPAK.pdf
G3F09MT12G3T-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 94 Stücke:
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1+529.74 EUR
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G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+501.25 EUR
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G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+528.81 EUR
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G3F135MT12J-TR G3F135MT12J.pdf
G3F135MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1498 Stücke:
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1+10.75 EUR
10+9.64 EUR
25+9.21 EUR
100+8.65 EUR
250+8.27 EUR
500+8 EUR
800+7.72 EUR
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G3F17MT12FB2
G3F17MT12FB2
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+197.87 EUR
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G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+208.73 EUR
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G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+250.86 EUR
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G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+264.67 EUR
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G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+35.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+41.36 EUR
10+37.57 EUR
25+36.19 EUR
100+34.16 EUR
250+32.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+56.76 EUR
10+41.5 EUR
100+35.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+60.24 EUR
10+44.18 EUR
100+37.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12K Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf
G3F18MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+48.44 EUR
10+44.01 EUR
30+42.39 EUR
120+40.01 EUR
270+38.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+27.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+47.17 EUR
10+34.09 EUR
100+27.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+32.69 EUR
10+29.71 EUR
25+28.61 EUR
100+27 EUR
250+26.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12K
G3F20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+40.09 EUR
10+36.44 EUR
30+35.06 EUR
120+33.12 EUR
270+31.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT06J-TR
G3F25MT06J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.8 EUR
10+23.45 EUR
25+22.57 EUR
100+21.3 EUR
250+20.53 EUR
500+19.94 EUR
800+19.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT06K
G3F25MT06K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+27.52 EUR
10+25.03 EUR
30+24.09 EUR
120+22.73 EUR
270+21.88 EUR
510+21.28 EUR
1020+20.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT06L-TR
G3F25MT06L-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+29.13 EUR
10+26.49 EUR
25+25.49 EUR
100+24.06 EUR
250+23.17 EUR
500+22.51 EUR
1200+21.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+28.38 EUR
10+24.5 EUR
25+23.01 EUR
100+22.05 EUR
250+21.41 EUR
500+21.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+22.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+39.96 EUR
10+28.62 EUR
100+22.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12K
G3F25MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+32.63 EUR
10+28.19 EUR
30+26.48 EUR
120+25.36 EUR
270+24.61 EUR
510+24.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F320MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F320MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+16.53 EUR
10+11.25 EUR
100+8.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F33MT06J-TR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 778 Stücke:
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1+17.61 EUR
10+16.02 EUR
25+15.4 EUR
100+14.55 EUR
250+14.01 EUR
500+13.61 EUR
800+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F33MT06K
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1182 Stücke:
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1+20.44 EUR
10+18.6 EUR
30+17.89 EUR
120+16.9 EUR
270+16.28 EUR
510+15.79 EUR
1020+15.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F33MT06L-TR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
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1+20.9 EUR
10+19.02 EUR
25+18.28 EUR
100+17.28 EUR
250+16.62 EUR
500+16.15 EUR
1200+15.66 EUR
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G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+20.55 EUR
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