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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 950
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.75 EUR
25+8.07 EUR
50+7.48 EUR
100+6.95 EUR
250+6.47 EUR
500+6.03 EUR
1000+5.63 EUR
2500+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
996+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 996
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J-3478629.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.72 EUR
10+8.71 EUR
25+8.33 EUR
100+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+18.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-2449477.pdf MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.59 EUR
10+27.65 EUR
25+26.54 EUR
100+24.99 EUR
250+23.99 EUR
500+23.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.57 EUR
10+27.65 EUR
25+26.55 EUR
100+24.98 EUR
250+24 EUR
500+23.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+19.76 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.25 EUR
10+20.13 EUR
25+18.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+20.46 EUR
100+18.99 EUR
250+17.7 EUR
500+16.78 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.52 EUR
10+23.15 EUR
25+21 EUR
100+19.38 EUR
250+17.89 EUR
500+15.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.25 EUR
10+20.13 EUR
25+18.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+21.71 EUR
100+19.83 EUR
250+18.35 EUR
500+17.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+25.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+25.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor sic-mosfet-selector-guide.pdf Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+179.96 EUR
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G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J-2449933.pdf MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
1+176.83 EUR
10+164.03 EUR
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G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K-2585786.pdf MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+483.95 EUR
10+454.36 EUR
30+451.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+420.67 EUR
10+368.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+420.67 EUR
10+368.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2 GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+421.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+232.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+245.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+421.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+444.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.03 EUR
10+8.1 EUR
25+7.74 EUR
100+7.27 EUR
250+6.95 EUR
500+6.72 EUR
800+6.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.33 EUR
10+10.49 EUR
100+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F17MT12FB2 G3F17MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+166.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
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G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4 GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
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G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4-T GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
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G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
auf Bestellung 800 Stücke:
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10+34.87 EUR
100+29.59 EUR
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G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+29.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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G3F18MT12K G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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120+30.85 EUR
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G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
auf Bestellung 595 Stücke:
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G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 504 Stücke:
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10+24.97 EUR
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100+22.69 EUR
250+21.88 EUR
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G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+23.4 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
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10+28.65 EUR
100+23.4 EUR
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G3F20MT12K G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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1+30.91 EUR
10+28.09 EUR
30+27.05 EUR
120+25.54 EUR
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G3F25MT06J-TR G3F25MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
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10+19.71 EUR
25+18.97 EUR
100+17.9 EUR
250+17.25 EUR
500+16.76 EUR
800+16.26 EUR
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G3F25MT06K G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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1+23.13 EUR
10+21.03 EUR
30+20.24 EUR
120+19.1 EUR
270+18.39 EUR
510+17.88 EUR
1020+17.35 EUR
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G3F25MT06L-TR G3F25MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1969 Stücke:
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1+22.48 EUR
10+20.43 EUR
25+19.66 EUR
100+18.55 EUR
250+17.86 EUR
500+17.35 EUR
1200+16.86 EUR
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G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.58 EUR
10+24.05 EUR
100+18.95 EUR
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G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.85 EUR
10+20.59 EUR
25+19.34 EUR
100+18.53 EUR
250+17.99 EUR
500+17.71 EUR
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G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+18.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
950+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 950
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G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+8.75 EUR
25+8.07 EUR
50+7.48 EUR
100+6.95 EUR
250+6.47 EUR
500+6.03 EUR
1000+5.63 EUR
2500+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
996+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 996
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-3478629.pdf
G2R1000MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.72 EUR
10+8.71 EUR
25+8.33 EUR
100+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+18.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J-2449477.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.59 EUR
10+27.65 EUR
25+26.54 EUR
100+24.99 EUR
250+23.99 EUR
500+23.94 EUR
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.57 EUR
10+27.65 EUR
25+26.55 EUR
100+24.98 EUR
250+24 EUR
500+23.28 EUR
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G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+19.76 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+22.25 EUR
10+20.13 EUR
25+18.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+20.46 EUR
100+18.99 EUR
250+17.7 EUR
500+16.78 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+26.52 EUR
10+23.15 EUR
25+21 EUR
100+19.38 EUR
250+17.89 EUR
500+15.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+22.25 EUR
10+20.13 EUR
25+18.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
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G2R1000MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+21.71 EUR
100+19.83 EUR
250+18.35 EUR
500+17.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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G2R1000MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+25.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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G2R1000MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+25.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
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G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+179.96 EUR
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G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
Anzahl Preis
1+176.83 EUR
10+164.03 EUR
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G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
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G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
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G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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G2R50MT33K G2R50MT33K-2585786.pdf
G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+483.95 EUR
10+454.36 EUR
30+451.95 EUR
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G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+420.67 EUR
10+368.15 EUR
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G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+420.67 EUR
10+368.15 EUR
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G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+421.48 EUR
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G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+232.99 EUR
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G3F09MT12FB2-T
G3F09MT12FB2-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+245.8 EUR
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G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+421.22 EUR
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G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+444.38 EUR
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G3F135MT12J-TR
G3F135MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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G3F135MT12J-TR
G3F135MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.03 EUR
10+8.1 EUR
25+7.74 EUR
100+7.27 EUR
250+6.95 EUR
500+6.72 EUR
800+6.49 EUR
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G3F135MT12J-TR
G3F135MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.33 EUR
10+10.49 EUR
100+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F17MT12FB2
G3F17MT12FB2
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+166.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+175.4 EUR
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G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+210.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+222.41 EUR
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G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+47.7 EUR
10+34.87 EUR
100+29.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+29.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.76 EUR
10+31.57 EUR
25+30.41 EUR
100+28.71 EUR
250+27.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12K Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf
G3F18MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+37.35 EUR
10+33.93 EUR
30+32.68 EUR
120+30.85 EUR
270+29.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F18MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+50.62 EUR
10+37.13 EUR
100+31.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+27.47 EUR
10+24.97 EUR
25+24.04 EUR
100+22.69 EUR
250+21.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+23.4 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+39.64 EUR
10+28.65 EUR
100+23.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12K
G3F20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.91 EUR
10+28.09 EUR
30+27.05 EUR
120+25.54 EUR
270+24.6 EUR
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G3F25MT06J-TR
G3F25MT06J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.68 EUR
10+19.71 EUR
25+18.97 EUR
100+17.9 EUR
250+17.25 EUR
500+16.76 EUR
800+16.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT06K
G3F25MT06K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.13 EUR
10+21.03 EUR
30+20.24 EUR
120+19.1 EUR
270+18.39 EUR
510+17.88 EUR
1020+17.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT06L-TR
G3F25MT06L-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.48 EUR
10+20.43 EUR
25+19.66 EUR
100+18.55 EUR
250+17.86 EUR
500+17.35 EUR
1200+16.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+33.58 EUR
10+24.05 EUR
100+18.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.85 EUR
10+20.59 EUR
25+19.34 EUR
100+18.53 EUR
250+17.99 EUR
500+17.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+18.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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