Die Produkte genesic semiconductor

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MBR2X050A200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk

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auf Bestellung 20 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MUR2X100A02

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 200V 100A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard

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MUR2X100A04

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 400V 100A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard

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auf Bestellung 31 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	146.35 EUR
10+	126.81 EUR
25+	119.77 EUR

MBR2X120A045

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk

Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 21 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	160.47 EUR
10+	139.67 EUR

MBR2X100A180

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk

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MUR2X030A10

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1000V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V

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MUR2X030A12

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

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MUR2X030A04

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Supplier Device Package: SOT-227
Diode Type: Standard
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X030A060

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X030A080

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X060A060

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X060A080

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X080A060

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X080A080

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X050A100

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X060A100

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X050A120

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X050A045

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X050A060

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X050A080

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X060A120

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MBR2X060

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MBR2X080A120

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X050A150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MBR2X060A150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MBR2X080A150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MBR2X050A180

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X060A180

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X080A180

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X060A200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X080A200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X100A045

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBR2X100A060

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X100A080

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Supplier Device Package: SOT-227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X100A100

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MUR2X100A06

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard

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MUR2X100A10

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A

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MBR2X120A060

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 120A SOT227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V

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MBR2X120A080

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X120A100

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MUR2X100A12

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X100A120

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X120A120

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A

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MUR2X120A02

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent

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MUR2X120A04

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard

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MUR2X120A06

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent

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MBRT400200R

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky

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MBR2X100A150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V

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MBR2X120A150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X120A180

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V

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MBR2X100A200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X120A200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MUR2X060A10

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent

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MUR2X060A12

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MUR2X060

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MBR2X160A080

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC

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MBR2X160A100

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X160A120

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MBR2X160

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MBR2X160A150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 160A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky

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MBR2X160A180

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Supplier Device Package: SOT-227
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MUR2X120A10

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1KV 120A SOT227
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 120A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MUR2X120A12

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)

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MBR2X160A200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBRT400200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 3 TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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MSRT100100(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT100120(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT100140(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT100160(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT10060(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT10080(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower

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MSRT150100(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT150120(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT150140(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT150160(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT15060(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower

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MSRT15080(A)D

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: Three Tower

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MBRT120150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower

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MBRT120150R

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V

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MBRT120200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky

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MBRT120200R

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower

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MBRT400150R

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky

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MBRT200150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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MBRT200150R

GeneSiC Semiconductor

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MBRT200200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk

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MBRT200200R

GeneSiC Semiconductor

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FST160200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 80A TO249AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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FST100150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 50A TO249AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C

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FST100200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 50A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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FST120150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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FST120200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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MBR400150CT

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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MBR400150CTR

GeneSiC Semiconductor

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MBR400200CT

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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MBR400200CTR

GeneSiC Semiconductor

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MBRT300150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower

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MBRT300150R

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
Base Part Number: MBRT300150

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MBRT300200

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower

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MBRT300200R

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
Base Part Number: MBRT300200

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FST160150

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 80A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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MBR120150CT

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V

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MBR120150CTR

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 2 TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk

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MBR120200CT

GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V

Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBR2X050A200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk

auf Bestellung 20 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MUR2X100A02

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 100A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard

Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen

MUR2X100A04

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 100A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard

auf Bestellung 31 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	146.35 EUR
10+	126.81 EUR
25+	119.77 EUR

MBR2X120A045

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk

auf Bestellung 21 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	160.47 EUR
10+	139.67 EUR

MBR2X100A180

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk

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MUR2X030A10

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1000V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V

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MUR2X030A12

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

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MUR2X030A04

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Supplier Device Package: SOT-227
Diode Type: Standard
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X030A060

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X030A080

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 30A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X060A060

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X060A080

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X080A060

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X080A080

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X050A100

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X060A100

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X050A120

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X050A045

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X050A060

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBR2X050A080

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X060A120

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MBR2X060

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MBR2X080A120

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X050A150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MBR2X060A150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MBR2X080A150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MBR2X050A180

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X060A180

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X080A180

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X060A200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X080A200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 80A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X100A045

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 45V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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MBR2X100A060

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X100A080

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Supplier Device Package: SOT-227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X100A100

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MUR2X100A06

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard

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MUR2X100A10

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A

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MBR2X120A060

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 120A SOT227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 60V

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MBR2X120A080

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X120A100

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MUR2X100A12

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X100A120

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X120A120

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A

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MUR2X120A02

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent

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MUR2X120A04

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard

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MUR2X120A06

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent

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MBRT400200R

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky

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MBR2X100A150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V

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MBR2X120A150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X120A180

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V

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MBR2X100A200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X120A200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MUR2X060A10

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent

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MUR2X060A12

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MUR2X060

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MBR2X160A080

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 80V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC

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MBR2X160A100

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 100V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MBR2X160A120

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 120V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Base Part Number: MBR2X160

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MBR2X160A150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 160A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky

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MBR2X160A180

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 180V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Supplier Device Package: SOT-227
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent

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MUR2X120A10

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 120A SOT227
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 120A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1000V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227

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MUR2X120A12

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)

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MBR2X160A200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 160A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount

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MBRT400200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 3 TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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MSRT100100(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT100120(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT100140(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT100160(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT10060(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT10080(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower

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MSRT150100(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT150120(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT150140(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT150160(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection

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MSRT15060(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower

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MSRT15080(A)D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: Three Tower

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MBRT120150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower

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MBRT120150R

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V

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MBRT120200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky

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MBRT120200R

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower

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MBRT400150R

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky

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MBRT200150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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MBRT200150R

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MBRT200200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk

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MBRT200200R

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FST160200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 80A TO249AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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FST100150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 50A TO249AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 155°C

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FST100200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 50A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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FST120150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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FST120200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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MBR400150CT

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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MBR400150CTR

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MBR400200CT

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 200V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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MBR400200CTR

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MBRT300150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower

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MBRT300150R

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
Base Part Number: MBRT300150

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MBRT300200

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower

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MBRT300200R

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 200V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
Base Part Number: MBRT300200

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FST160150

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 80A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 150V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode

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MBR120150CT

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V

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MBR120150CTR

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 2 TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk

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MBR120200CT

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V

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