Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4030) > Seite 26 nach 68
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD10MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD10MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS Max. load current: 42A |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 26A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD10MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
GD15MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD15MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 120A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS Max. load current: 63A |
auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD15MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 36A Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube Max. forward voltage: 1.9V Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 29A Max. load current: 67A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. forward impulse current: 128A |
auf Bestellung 1094 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 2283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD20MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD20MPS12H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube Max. forward voltage: 1.9V Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 27A Max. load current: 67A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. forward impulse current: 128A |
auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD20MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
GD20MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 650 V 108A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw Mechanical mounting: screw Max. forward impulse current: 0.84kA Max. forward voltage: 1.8V Type of semiconductor module: diode Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: screw Load current: 150A x2 Max. load current: 440A Kind of package: tube Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Reverse recovery time: 10ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
|
|
GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| GD10MPS12H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.38 EUR |
| 10+ | 8.33 EUR |
| 25+ | 7.94 EUR |
| 100+ | 7.39 EUR |
| 250+ | 7.06 EUR |
| 500+ | 6.79 EUR |
| GD10MPS12H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 6.31 EUR |
| GD10MPS12H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD10MPS12H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.48 EUR |
| 10+ | 7.16 EUR |
| 30+ | 6.56 EUR |
| 120+ | 6.28 EUR |
| 270+ | 6.12 EUR |
| 510+ | 5.99 EUR |
| 1020+ | 5.78 EUR |
| GD10MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD10MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 11.29 EUR |
| GD10MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Max. load current: 42A
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Max. load current: 42A
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GD10MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1200+ | 18.73 EUR |
| GD10MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD10MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.71 EUR |
| 10+ | 13.14 EUR |
| 30+ | 12.57 EUR |
| 120+ | 11.75 EUR |
| 270+ | 11.25 EUR |
| 510+ | 10.86 EUR |
| 1020+ | 10.64 EUR |
| GD10MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 11.29 EUR |
| GD10MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1200+ | 9.71 EUR |
| GD15MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.65 EUR |
| 10+ | 17.05 EUR |
| 30+ | 16.1 EUR |
| 120+ | 15.6 EUR |
| 270+ | 14.96 EUR |
| GD15MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Max. load current: 63A
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Max. load current: 63A
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GD15MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 36A
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 36A
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 19.87 EUR |
| 10+ | 17.92 EUR |
| 25+ | 17.21 EUR |
| 100+ | 16.17 EUR |
| 250+ | 15.52 EUR |
| 500+ | 15.05 EUR |
| GD20MPS12A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5.43 EUR |
| GD20MPS12A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. load current: 67A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. load current: 67A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GD20MPS12A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD20MPS12A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.75 EUR |
| 10+ | 10.53 EUR |
| 25+ | 10.07 EUR |
| 100+ | 9.42 EUR |
| 250+ | 9.02 EUR |
| 500+ | 8.72 EUR |
| 1000+ | 8.45 EUR |
| GD20MPS12A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.5 EUR |
| 10+ | 10.31 EUR |
| 25+ | 9.84 EUR |
| 100+ | 9.21 EUR |
| 250+ | 8.82 EUR |
| 500+ | 8.54 EUR |
| 1000+ | 8.27 EUR |
| GD20MPS12A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5.56 EUR |
| GD20MPS12H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD20MPS12H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. load current: 67A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. load current: 67A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GD20MPS12H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD20MPS12H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.88 EUR |
| 10+ | 11.08 EUR |
| 30+ | 10.39 EUR |
| 120+ | 9.95 EUR |
| 270+ | 9.64 EUR |
| 510+ | 9.32 EUR |
| 2520+ | 9.17 EUR |
| GD25MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 20.66 EUR |
| GD25MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 32.42 EUR |
| 10+ | 29.27 EUR |
| 30+ | 28.11 EUR |
| 120+ | 26.43 EUR |
| 270+ | 25.38 EUR |
| 510+ | 25.3 EUR |
| GD25MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GD25MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 69.83 EUR |
| 10+ | 64.06 EUR |
| 30+ | 61.87 EUR |
| 100+ | 58.2 EUR |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 69.83 EUR |
| 10+ | 62.67 EUR |
| 30+ | 59.58 EUR |
| 100+ | 55.11 EUR |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 145+ | 145.33 EUR |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 92.32 EUR |
| 10+ | 84.73 EUR |
| 25+ | 81.87 EUR |
| 100+ | 77.74 EUR |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 93.31 EUR |
| 10+ | 85.62 EUR |
| 30+ | 82.78 EUR |
| 100+ | 78.6 EUR |
| 250+ | 78.41 EUR |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 650 V 108A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 650 V 108A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 125.63 EUR |
| 30+ | 119.63 EUR |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 125.63 EUR |
| 30+ | 117.04 EUR |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 165.43 EUR |
| 10+ | 152.46 EUR |
| 25+ | 147.56 EUR |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.67 EUR |
| 10+ | 14.99 EUR |
| 30+ | 14.35 EUR |
| 120+ | 13.45 EUR |
| 270+ | 12.9 EUR |
| 600+ | 12.51 EUR |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 12.11 EUR |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 12.09 EUR |
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.84kA
Max. forward voltage: 1.8V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Load current: 150A x2
Max. load current: 440A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.84kA
Max. forward voltage: 1.8V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Load current: 150A x2
Max. load current: 440A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 123.87 EUR |
| 10+ | 114.48 EUR |
| 30+ | 110.94 EUR |
| 100+ | 106.1 EUR |
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.04 EUR |
| 10+ | 19.93 EUR |
| 25+ | 19.14 EUR |
| 100+ | 18.02 EUR |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 10.36 EUR |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 10.36 EUR |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.93 EUR |
| 10+ | 19.06 EUR |
| 30+ | 16.53 EUR |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 60.84 EUR |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 90.98 EUR |
| 10+ | 78.29 EUR |
| 30+ | 78.16 EUR |
| 100+ | 76.76 EUR |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 74.53 EUR |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 72.57 EUR |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 60.84 EUR |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 12.67 EUR |
























