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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GBU6B GBU6B GeneSiC Semiconductor gbu6b.pdf Bridge Rectifiers 100V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2975 Stücke:
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2+2.32 EUR
10+1.61 EUR
25+1.4 EUR
100+1.13 EUR
250+0.98 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
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GBU6B GBU6B GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6D GBU6D GeneSiC Semiconductor gbu6d.pdf Bridge Rectifiers 200V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2179 Stücke:
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GBU6D GBU6D GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6G GBU6G GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Bridge Rectifiers 400V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1945 Stücke:
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GBU6J GBU6J GeneSiC Semiconductor gbu6k.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6J GBU6J GeneSiC Semiconductor gbu6j-2449735.pdf Bridge Rectifiers 600V 6A Bridge Rectifier
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GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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GBU6K GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6k.pdf Bridge Rectifiers 800V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1246 Stücke:
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500+0.88 EUR
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GBU6M GBU6M GeneSiC Semiconductor gbu6m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 6A Bridge Rectifier
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GBU8B GBU8B GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 492 Stücke:
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2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
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GBU8B GBU8B GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case GBU
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GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case GBU
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GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8d.pdf Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 3462 Stücke:
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2+2.38 EUR
10+1.68 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
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GBU8G GBU8G GeneSiC Semiconductor gbu8g.pdf Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
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25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
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500+0.92 EUR
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GBU8J GBU8J GeneSiC Semiconductor gbu8j.pdf Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1653 Stücke:
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2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GBU8J GBU8J GeneSiC Semiconductor gbu8m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case GBU
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GBU8K GBU8K GeneSiC Semiconductor gbu8m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case GBU
auf Bestellung 30000 Stücke:
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30000+0.52 EUR
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GBU8K GBU8K GeneSiC Semiconductor gbu8k.pdf Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 156 Stücke:
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2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
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500+0.92 EUR
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GBU8M GBU8M GeneSiC Semiconductor gbu8m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12_220-2449250.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.59 EUR
10+3.15 EUR
25+2.97 EUR
100+2.73 EUR
250+2.59 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.36 EUR
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GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC02MPS12-220.pdf GC02MPS12-220 THT Schottky diodes
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
12+5.96 EUR
31+2.3 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220-1535211.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-220-2
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GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252-1856058.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor sic-schottky-mps-selector-guide.pdf Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor sic-schottky-mps-selector-guide.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.67 EUR
10+39.74 EUR
25+38.28 EUR
100+36.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J GC05MPS33J GENESIC SEMICONDUCTOR 3967273.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.53 EUR
10+35.97 EUR
25+34.66 EUR
100+32.74 EUR
250+31.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.88 EUR
50+3.6 EUR
100+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12_220-2449830.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252-1856202.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12_220-2449540.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.57 EUR
10+8.61 EUR
25+8.22 EUR
100+7.69 EUR
250+7.36 EUR
500+7.11 EUR
1000+6.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252-1856247.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-252.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12_220-2449839.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.97 EUR
10+10.61 EUR
25+10.14 EUR
100+9.42 EUR
250+8.98 EUR
500+8.87 EUR
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GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
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GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 75A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
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GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12_247-2449953.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 19 Stücke:
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GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC15MPS12-247.pdf GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
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6+12 EUR
7+11.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
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GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
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GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220-1535232.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-220-2
auf Bestellung 50 Stücke:
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GBU6B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.61 EUR
25+1.4 EUR
100+1.13 EUR
250+0.98 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GBU6B gbu6g.pdf
GBU6B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6D gbu6d.pdf
GBU6D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.61 EUR
25+1.4 EUR
100+1.13 EUR
250+0.98 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GBU6D gbu6g.pdf
GBU6D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6G gbu6g.pdf
GBU6G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.61 EUR
25+1.4 EUR
100+1.13 EUR
250+0.98 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
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GBU6J gbu6k.pdf
GBU6J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 2.8A 4-Pin Case GBU
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GBU6J gbu6j-2449735.pdf
GBU6J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 6A Bridge Rectifier
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GBU6K gbu6j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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GBU6K gbu6k.pdf
GBU6K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.61 EUR
25+1.4 EUR
100+1.13 EUR
250+0.98 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GBU6M gbu6m.pdf
GBU6M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 6A Bridge Rectifier
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GBU8B gbu8b.pdf
GBU8B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GBU8B gbu8b.pdf
GBU8B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case GBU
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GBU8D gbu8b.pdf
GBU8D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case GBU
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GBU8D gbu8d.pdf
GBU8D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 3462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.68 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GBU8G gbu8g.pdf
GBU8G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
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GBU8J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 1653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GBU8J gbu8m.pdf
GBU8J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case GBU
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GBU8K gbu8m.pdf
GBU8K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case GBU
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
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GBU8K gbu8k.pdf
GBU8K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.66 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GBU8M gbu8m.pdf
GBU8M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
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GC02MPS12-220 gc02mps12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
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GC02MPS12-220 gc02mps12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC02MPS12-220 GC02MPS12_220-2449250.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.59 EUR
10+3.15 EUR
25+2.97 EUR
100+2.73 EUR
250+2.59 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC02MPS12-220 THT Schottky diodes
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
12+5.96 EUR
31+2.3 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220-1535211.pdf
GC05MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-220-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220.pdf
GC05MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252-1856058.pdf
GC05MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J sic-schottky-mps-selector-guide.pdf
GC05MPS33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J sic-schottky-mps-selector-guide.pdf
GC05MPS33J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+43.67 EUR
10+39.74 EUR
25+38.28 EUR
100+36.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J 3967273.pdf
GC05MPS33J
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J.pdf
GC05MPS33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J.pdf
GC05MPS33J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+39.53 EUR
10+35.97 EUR
25+34.66 EUR
100+32.74 EUR
250+31.54 EUR
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GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
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GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC08MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
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1+9.57 EUR
10+8.61 EUR
25+8.22 EUR
100+7.69 EUR
250+7.36 EUR
500+7.11 EUR
1000+6.93 EUR
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GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC10MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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GC10MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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GC10MPS12-252
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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GC15MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC15MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 14 Stücke:
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Anzahl Preis
1+11.97 EUR
10+10.61 EUR
25+10.14 EUR
100+9.42 EUR
250+8.98 EUR
500+8.87 EUR
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GC15MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
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GC15MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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GC15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 75A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
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GC15MPS12-247 GC15MPS12_247-2449953.pdf
GC15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12 EUR
7+11.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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GC20MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
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GC20MPS12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
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GC20MPS12-220
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-220-2
auf Bestellung 50 Stücke:
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