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GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06d.pdf Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N.pdf SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.5 EUR
10+34.62 EUR
30+34.6 EUR
100+31.8 EUR
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GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N.pdf Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
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GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+39.39 EUR
25+33.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+36.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+36.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR GD2X30MPS06N.pdf GD2X30MPS06N Diode modules
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+27.04 EUR
500+26.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 300 Stücke:
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300+27.32 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+19.72 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+19.72 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D-2585436.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.3 EUR
10+25.84 EUR
30+24.9 EUR
120+23.58 EUR
270+22.74 EUR
510+22.12 EUR
1020+21.98 EUR
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GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+21.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.22 EUR
10+26.66 EUR
25+25.72 EUR
100+24.33 EUR
250+23.47 EUR
500+22.83 EUR
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GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N.pdf Description: 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.2 EUR
10+56.2 EUR
25+54.32 EUR
100+52.65 EUR
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GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.27 EUR
10+45.51 EUR
100+42.15 EUR
250+42.08 EUR
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GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
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GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+49.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+53.72 EUR
10+48.79 EUR
30+46.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
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GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
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GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+39.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+39.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N.pdf SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.15 EUR
10+46.71 EUR
30+45.55 EUR
100+44.32 EUR
250+43.23 EUR
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GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.26 EUR
10+53.51 EUR
25+51.73 EUR
100+49.17 EUR
250+47.53 EUR
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GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
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GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+157.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
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GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GENESIC SEMICONDUCTOR 3163683.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+163.96 EUR
10+149.04 EUR
30+147.73 EUR
100+146.56 EUR
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GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+154.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N.pdf Description: DIODE MOD SIC 1700V 115A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+166.16 EUR
10+154.2 EUR
25+149.69 EUR
100+143.1 EUR
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GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.61 EUR
10+7.65 EUR
25+7.31 EUR
100+6.8 EUR
250+6.5 EUR
500+6.28 EUR
1000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A-3479866.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 7912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.52 EUR
10+7.57 EUR
25+7.22 EUR
100+6.74 EUR
250+6.42 EUR
500+6.2 EUR
1000+5.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.94 EUR
10+7.57 EUR
30+7.08 EUR
120+6.81 EUR
270+6.6 EUR
510+6.37 EUR
2520+6.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 49A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.98 EUR
10+8.03 EUR
25+7.68 EUR
100+7.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06H.pdf GD30MPS06H THT Schottky diodes
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.54 EUR
11+6.82 EUR
12+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J GENESIC SEMICONDUCTOR 3163696.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J-2450011.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.69 EUR
10+10.47 EUR
25+10.03 EUR
100+9.36 EUR
250+8.96 EUR
500+8.68 EUR
1000+8.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.3 EUR
10+10.12 EUR
25+9.69 EUR
100+9.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06J.pdf GD30MPS06J SMD Schottky diodes
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
100+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.29 EUR
10+13.74 EUR
25+13.17 EUR
100+12.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.85 EUR
10+12.88 EUR
30+12.07 EUR
120+11.56 EUR
270+11.4 EUR
510+11.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.62 EUR
10+17.66 EUR
25+16.93 EUR
100+15.9 EUR
250+15.83 EUR
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GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+12.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.05 EUR
10+14.44 EUR
25+13.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+18.71 EUR
120+17.19 EUR
270+15.98 EUR
510+15.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+18.71 EUR
120+17.19 EUR
270+15.98 EUR
510+15.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.18 EUR
10+20.7 EUR
30+19.68 EUR
120+18.92 EUR
270+18.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.63 EUR
10+23.33 EUR
25+22.47 EUR
100+21.24 EUR
250+20.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.41 EUR
10+15.65 EUR
25+15.01 EUR
100+14.1 EUR
250+13.51 EUR
500+13.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H-3075533.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.8 EUR
10+16.93 EUR
30+16.23 EUR
120+15.22 EUR
270+14.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 122A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.12 EUR
10+63.93 EUR
25+61.98 EUR
100+59.13 EUR
250+57.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.75 EUR
10+64.5 EUR
30+62.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H GD60MPS17H GENESIC SEMICONDUCTOR 3593581.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A.pdf Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
auf Bestellung 7188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.66 EUR
10+3.18 EUR
25+3.01 EUR
100+2.77 EUR
250+2.62 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.41 EUR
2500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06D gd2x30mps06d.pdf
GD2X30MPS06D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N.pdf
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+40.5 EUR
10+34.62 EUR
30+34.6 EUR
100+31.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N.pdf
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+39.39 EUR
25+33.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+36.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+36.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X30MPS06N Diode modules
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+27.04 EUR
500+26.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
300+27.32 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
GD2X30MPS12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+19.72 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
GD2X30MPS12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+19.72 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
GD2X30MPS12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D-2585436.pdf
GD2X30MPS12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+28.3 EUR
10+25.84 EUR
30+24.9 EUR
120+23.58 EUR
270+22.74 EUR
510+22.12 EUR
1020+21.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
GD2X30MPS12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+21.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D.pdf
GD2X30MPS12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+29.22 EUR
10+26.66 EUR
25+25.72 EUR
100+24.33 EUR
250+23.47 EUR
500+22.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
GD2X30MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+61.2 EUR
10+56.2 EUR
25+54.32 EUR
100+52.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
GD2X30MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+51.27 EUR
10+45.51 EUR
100+42.15 EUR
250+42.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12N gd2x30mps12n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS12N gd2x30mps12n.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N.pdf
GD2X50MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
GD2X50MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+49.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
GD2X50MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+53.72 EUR
10+48.79 EUR
30+46.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
GD2X50MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
GD2X50MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+39.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+39.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N.pdf
GD2X60MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+51.15 EUR
10+46.71 EUR
30+45.55 EUR
100+44.32 EUR
250+43.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N.pdf
GD2X60MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+58.26 EUR
10+53.51 EUR
25+51.73 EUR
100+49.17 EUR
250+47.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+157.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N 3163683.pdf
GD2X75MPS17N
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N.pdf
GD2X75MPS17N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+163.96 EUR
10+149.04 EUR
30+147.73 EUR
100+146.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+154.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N.pdf
GD2X75MPS17N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1700V 115A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+166.16 EUR
10+154.2 EUR
25+149.69 EUR
100+143.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06A GD30MPS06A.pdf
GD30MPS06A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.61 EUR
10+7.65 EUR
25+7.31 EUR
100+6.8 EUR
250+6.5 EUR
500+6.28 EUR
1000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06A GD30MPS06A-3479866.pdf
GD30MPS06A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 7912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.52 EUR
10+7.57 EUR
25+7.22 EUR
100+6.74 EUR
250+6.42 EUR
500+6.2 EUR
1000+5.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.94 EUR
10+7.57 EUR
30+7.08 EUR
120+6.81 EUR
270+6.6 EUR
510+6.37 EUR
2520+6.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 49A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+8.98 EUR
10+8.03 EUR
25+7.68 EUR
100+7.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD30MPS06H THT Schottky diodes
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.54 EUR
11+6.82 EUR
12+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J 3163696.pdf
GD30MPS06J
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J-2450011.pdf
GD30MPS06J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.69 EUR
10+10.47 EUR
25+10.03 EUR
100+9.36 EUR
250+8.96 EUR
500+8.68 EUR
1000+8.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
GD30MPS06J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.3 EUR
10+10.12 EUR
25+9.69 EUR
100+9.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD30MPS06J SMD Schottky diodes
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
100+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.29 EUR
10+13.74 EUR
25+13.17 EUR
100+12.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.85 EUR
10+12.88 EUR
30+12.07 EUR
120+11.56 EUR
270+11.4 EUR
510+11.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.62 EUR
10+17.66 EUR
25+16.93 EUR
100+15.9 EUR
250+15.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
GD30MPS12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+12.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
GD30MPS12J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+16.05 EUR
10+14.44 EUR
25+13.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+18.71 EUR
120+17.19 EUR
270+15.98 EUR
510+15.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+18.71 EUR
120+17.19 EUR
270+15.98 EUR
510+15.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
GD50MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.18 EUR
10+20.7 EUR
30+19.68 EUR
120+18.92 EUR
270+18.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
GD50MPS12H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.63 EUR
10+23.33 EUR
25+22.47 EUR
100+21.24 EUR
250+20.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS06H GD60MPS06H.pdf
GD60MPS06H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.41 EUR
10+15.65 EUR
25+15.01 EUR
100+14.1 EUR
250+13.51 EUR
500+13.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS06H GD60MPS06H-3075533.pdf
GD60MPS06H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.8 EUR
10+16.93 EUR
30+16.23 EUR
120+15.22 EUR
270+14.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 122A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+69.12 EUR
10+63.93 EUR
25+61.98 EUR
100+59.13 EUR
250+57.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+69.75 EUR
10+64.5 EUR
30+62.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD60MPS17H 3593581.pdf
GD60MPS17H
Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
GE04MPS06A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
auf Bestellung 7188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.66 EUR
10+3.18 EUR
25+3.01 EUR
100+2.77 EUR
250+2.62 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.41 EUR
2500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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