Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4227) > Seite 30 nach 71
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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GE08MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE08MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 36A Kind of package: tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE08MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE08MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 21A Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GE08MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 1314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE08MPS06E | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 36A Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE08MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE08MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE08MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 8 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE08MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE10MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M |
auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE10MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE10MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE10MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE10MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 26A Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GE10MPS06E | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE10MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE10MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 10 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE10MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE12MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M Current - Max: 12 A Supplier Device Package: TO-220-2 Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Diode Type: Schottky - Single Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE12MPS06A | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2951 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE12MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE12MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 12 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE12MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE2X10MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 44A Kind of package: tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE2X10MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY MVoltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GE2X10MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE2X12MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE2X8MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 16A Max. forward impulse current: 36A Kind of package: tube |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY MVoltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GKN130/04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GKN130/04 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 165 A - DO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GKN130/08 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 165 A - DO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GKN130/08 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GKN130/12 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 165 A - DO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GKN130/12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GKN130/14 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 165 A - DO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GKN130/14 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GKN130/16 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1600 V - 165 A - DO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GKN130/16 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GKN130/18 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GKN130/18 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1800V 165A Fwd Std Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GKN240/04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 32 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GKN240/04 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 320 A - DO-9 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GKN240/08 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 32 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GKN240/08 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 320 A - DO-9 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GKN240/12 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 320 A - DO-9 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GKN240/12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 32 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GKN240/14 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 320 A - DO-9 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GKN240/14 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 32 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GKN240/16 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 320V 1600A DO-9 Silicon Standard Recovery Stud Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GKN240/16 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GKN240/18 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1800V 320A Fwd Std Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GKN240/18 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GKN26/04 | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 400 V - 25 A - DO-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GKN26/04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GKN26/08 | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 800 V - 25 A - DO-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GKN26/08 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO4Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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GKN26/12 | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1200 V - 25 A - DO-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GE08MPS06A |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| GE08MPS06A |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 21A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 21A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.36 EUR |
| 10+ | 3.84 EUR |
| 25+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 3.36 EUR |
| 250+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 3.06 EUR |
| 1000+ | 2.94 EUR |
| GE08MPS06E |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06E-TR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06Q |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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| GE08MPS06Q |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06Q-TR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.29 EUR |
| GE10MPS06A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.81 EUR |
| 10+ | 5.12 EUR |
| 25+ | 4.86 EUR |
| 100+ | 4.51 EUR |
| 250+ | 4.28 EUR |
| 500+ | 4.12 EUR |
| GE10MPS06A |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
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| GE10MPS06A |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
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| GE10MPS06E |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 26A
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 26A
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
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| GE10MPS06E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06E-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.17 EUR |
| 10+ | 3.68 EUR |
| 25+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 250+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.97 EUR |
| 1000+ | 2.85 EUR |
| GE10MPS06Q |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 10 A
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 10 A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06Q-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.97 EUR |
| 3000+ | 2.6 EUR |
| GE12MPS06A |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Current - Max: 12 A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Current - Max: 12 A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE12MPS06A |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.34 EUR |
| GE12MPS06E-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.45 EUR |
| 2500+ | 3.1 EUR |
| GE12MPS06Q |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 12 A
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 12 A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE12MPS06Q-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.22 EUR |
| GE2X10MPS06D |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE2X10MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE2X10MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.72 EUR |
| 10+ | 9.59 EUR |
| 30+ | 9.17 EUR |
| 120+ | 8.55 EUR |
| 270+ | 8.18 EUR |
| GE2X12MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.92 EUR |
| 10+ | 7.96 EUR |
| 30+ | 7.62 EUR |
| 120+ | 7.11 EUR |
| 270+ | 6.81 EUR |
| 510+ | 6.58 EUR |
| 1020+ | 6.35 EUR |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.45 EUR |
| 10+ | 8.41 EUR |
| 30+ | 8.03 EUR |
| 120+ | 7.48 EUR |
| 270+ | 7.13 EUR |
| 510+ | 6.88 EUR |
| 1020+ | 6.81 EUR |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 5.31 EUR |
| 15+ | 5.06 EUR |
| 16+ | 4.55 EUR |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 9.13 EUR |
| 10+ | 8.13 EUR |
| 25+ | 7.76 EUR |
| GKN130/04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 165 A - DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/08 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 165 A - DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/08 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 165 A - DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/14 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 165 A - DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/14 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/16 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1600 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 1600 V - 165 A - DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/16 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/18 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/18 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1800V 165A Fwd Std Recovery
Rectifiers 1800V 165A Fwd Std Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 320 A - DO-9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/08 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/08 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 320 A - DO-9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 320 A - DO-9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/14 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 320 A - DO-9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/14 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/16 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 320V 1600A DO-9 Silicon Standard Recovery Stud Rectifier
Rectifiers 320V 1600A DO-9 Silicon Standard Recovery Stud Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/16 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/18 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1800V 320A Fwd Std Recovery
Rectifiers 1800V 320A Fwd Std Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/18 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN26/04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 400 V - 25 A - DO-4
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| GKN26/04 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
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| GKN26/08 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 800 V - 25 A - DO-4
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| GKN26/08 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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| GKN26/12 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1200 V - 25 A - DO-4
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1200 V - 25 A - DO-4
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