Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4221) > Seite 30 nach 71
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GE08MPS06E | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 36A Kind of package: reel; tape |
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| GE08MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 21A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
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GE08MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
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GE08MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
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GE08MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 8 A |
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GE08MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE10MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M |
auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE10MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: tube |
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GE10MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
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GE10MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
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GE10MPS06E | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: reel; tape |
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| GE10MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 26A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
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GE10MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE10MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 10 A |
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GE10MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE12MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Max: 12 A |
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GE12MPS06A | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2951 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE12MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE12MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 12 A |
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GE12MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE2X10MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY MPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
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GE2X10MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 44A Kind of package: tube |
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GE2X10MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE2X12MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE2X8MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 16A Max. forward impulse current: 36A Kind of package: tube |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY MPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GKN130/04 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 165 A - DO-8 |
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| GKN130/04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA |
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GKN130/08 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 165 A - DO-8 |
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| GKN130/08 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA |
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GKN130/12 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 165 A - DO-8 |
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| GKN130/12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205 |
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GKN130/14 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 165 A - DO-8 |
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| GKN130/14 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205 |
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| GKN130/16 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205 |
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GKN130/16 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1600 V - 165 A - DO-8 |
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GKN130/18 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA |
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GKN130/18 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1800V 165A Fwd Std Recovery |
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| GKN240/04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB |
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GKN240/04 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 320 A - DO-9 |
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| GKN240/08 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB |
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GKN240/08 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 320 A - DO-9 |
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GKN240/12 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 320 A - DO-9 |
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| GKN240/12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205 |
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| GKN240/14 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205 |
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GKN240/14 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 320 A - DO-9 |
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GKN240/16 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 320V 1600A DO-9 Silicon Standard Recovery Stud Rectifier |
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| GKN240/16 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205 |
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GKN240/18 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1800V 320A Fwd Std Recovery |
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GKN240/18 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB |
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GKN26/04 | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 400 V - 25 A - DO-4 |
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| GKN26/04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 |
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GKN26/08 | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 800 V - 25 A - DO-4 |
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GKN26/08 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V |
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GKN26/12 | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1200 V - 25 A - DO-4 |
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| GKN26/12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 |
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GKN26/14 | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1400 V - 25 A - DO-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GKN26/14 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| GKN26/16 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GE08MPS06E |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06E-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06Q |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06Q |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE08MPS06Q-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.29 EUR |
| GE10MPS06A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.81 EUR |
| 10+ | 5.12 EUR |
| 25+ | 4.86 EUR |
| 100+ | 4.51 EUR |
| 250+ | 4.28 EUR |
| 500+ | 4.12 EUR |
| GE10MPS06A |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06E-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.17 EUR |
| 10+ | 3.68 EUR |
| 25+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 250+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.97 EUR |
| 1000+ | 2.85 EUR |
| GE10MPS06Q |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 10 A
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 10 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE10MPS06Q-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.97 EUR |
| 3000+ | 2.6 EUR |
| GE12MPS06A |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Max: 12 A
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Max: 12 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE12MPS06A |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.34 EUR |
| GE12MPS06E-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.45 EUR |
| 2500+ | 3.1 EUR |
| GE12MPS06Q |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 12 A
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 12 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE12MPS06Q-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.22 EUR |
| GE2X10MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE2X10MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE2X10MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.72 EUR |
| 10+ | 9.59 EUR |
| 30+ | 9.17 EUR |
| 120+ | 8.55 EUR |
| 270+ | 8.18 EUR |
| GE2X12MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.92 EUR |
| 10+ | 7.96 EUR |
| 30+ | 7.62 EUR |
| 120+ | 7.11 EUR |
| 270+ | 6.81 EUR |
| 510+ | 6.58 EUR |
| 1020+ | 6.35 EUR |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 5.31 EUR |
| 15+ | 5.06 EUR |
| 16+ | 4.55 EUR |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 9.13 EUR |
| 10+ | 8.13 EUR |
| 25+ | 7.76 EUR |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.45 EUR |
| 10+ | 8.41 EUR |
| 30+ | 8.03 EUR |
| 120+ | 7.48 EUR |
| 270+ | 7.13 EUR |
| 510+ | 6.88 EUR |
| 1020+ | 6.81 EUR |
| GKN130/04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 165 A - DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/08 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 165 A - DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/08 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 165 A - DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/14 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 165 A - DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/14 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/16 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/16 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1600 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 1600 V - 165 A - DO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/18 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN130/18 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1800V 165A Fwd Std Recovery
Rectifiers 1800V 165A Fwd Std Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 320 A - DO-9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/08 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/08 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 320 A - DO-9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 320 A - DO-9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/14 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/14 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 320 A - DO-9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/16 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 320V 1600A DO-9 Silicon Standard Recovery Stud Rectifier
Rectifiers 320V 1600A DO-9 Silicon Standard Recovery Stud Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/16 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/18 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1800V 320A Fwd Std Recovery
Rectifiers 1800V 320A Fwd Std Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN240/18 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN26/04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 400 V - 25 A - DO-4
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 400 V - 25 A - DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN26/04 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN26/08 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 800 V - 25 A - DO-4
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 800 V - 25 A - DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN26/08 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN26/12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1200 V - 25 A - DO-4
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1200 V - 25 A - DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN26/12 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN26/14 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1400 V - 25 A - DO-4
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1400 V - 25 A - DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN26/14 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKN26/16 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH








