Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (5510) > Seite 65 nach 92
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G3F25MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
G3F60MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
G3F45MT06D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
G3F33MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F33MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
GBPC35005W | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
GE12MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
GE10MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 2302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
GE04MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 6046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
G2R1000MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
GBJ6B | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
GBJ6G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
GBJ6D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
GBJ6K | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
S12B | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
G3F09MT12GB4 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F09MT12GB4-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F05MT12GB2 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
GD15MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GD05MPS17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
1N3297AR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
1N3289A | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
KBJ804 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
KBJ802 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
KBJ801 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
BR104 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280 |
auf Bestellung 1754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BR106 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420 |
auf Bestellung 4840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BR1005 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BR102 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
BR101 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
BR108 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
1N3673A | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| Діодний міст KBU8M | GeneSiC Semiconductor | Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| Діод Шотткі GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| G2R1000MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G2R1000MT17J SMD N channel transistors |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| G3R160MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R160MT12D THT N channel transistors |
auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| G3R160MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R160MT17D THT N channel transistors |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
G3R20MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 219nC On-state resistance: 20mΩ Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
G3R20MT12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 365W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
G3R350MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 12nC On-state resistance: 0.35Ω Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 74W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| G3R40MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R40MT12D THT N channel transistors |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
G3R40MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 106nC On-state resistance: 40mΩ Drain current: 50A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Gate-source voltage: -5...15V Drain current: 6A Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.45Ω Power dissipation: 88W Pulsed drain current: 16A Technology: G3R™; SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
G3R450MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W Case: TO263-7 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Gate-source voltage: -5...15V Drain current: 6A Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.45Ω Power dissipation: 91W Pulsed drain current: 16A Technology: G3R™; SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| G3R45MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R45MT17D THT N channel transistors |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| G3R45MT17K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R45MT17K THT N channel transistors |
auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| G3R75MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R75MT12D THT N channel transistors |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
G3R75MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 54nC On-state resistance: 75mΩ Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
GC02MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Load current: 2A Max. forward impulse current: 16A Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| GC15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| GC2X10MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| GC2X15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
GC2X8MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 16A Max. forward impulse current: 60A Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD10MPS17H THT Schottky diodes |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| GD15MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD15MPS17H THT Schottky diodes |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| GD20MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD20MPS12A THT Schottky diodes |
auf Bestellung 1103 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| GD20MPS12H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD20MPS12H THT Schottky diodes |
auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD2X100MPS06N Diode modules |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
| G3F25MT06L-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 22.48 EUR |
| 10+ | 20.43 EUR |
| 25+ | 19.66 EUR |
| 100+ | 18.55 EUR |
| 250+ | 17.86 EUR |
| 500+ | 17.35 EUR |
| 1200+ | 16.86 EUR |
| G3F60MT06K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.51 EUR |
| 10+ | 10.45 EUR |
| 30+ | 10.05 EUR |
| 120+ | 9.49 EUR |
| 270+ | 9.13 EUR |
| 510+ | 8.89 EUR |
| 1020+ | 8.62 EUR |
| G3F45MT06D |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 14.41 EUR |
| 10+ | 13.11 EUR |
| 30+ | 12.6 EUR |
| 120+ | 11.9 EUR |
| 270+ | 11.46 EUR |
| 510+ | 11.12 EUR |
| 1020+ | 10.81 EUR |
| G3F33MT06K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 17.18 EUR |
| 10+ | 15.63 EUR |
| 30+ | 15.03 EUR |
| 120+ | 14.2 EUR |
| 270+ | 13.68 EUR |
| 510+ | 13.27 EUR |
| 1020+ | 12.9 EUR |
| G3F33MT06L-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.12 EUR |
| 10+ | 14.66 EUR |
| 25+ | 14.12 EUR |
| 100+ | 13.32 EUR |
| 250+ | 12.81 EUR |
| 500+ | 12.46 EUR |
| 1200+ | 12.09 EUR |
| GBPC35005W |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GE12MPS06E-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.45 EUR |
| 2500+ | 3.1 EUR |
| GE06MPS06E-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.08 EUR |
| 10+ | 2.69 EUR |
| 25+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 250+ | 2.22 EUR |
| 500+ | 2.11 EUR |
| 1000+ | 2.02 EUR |
| GE10MPS06E-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.17 EUR |
| 10+ | 3.68 EUR |
| 25+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 250+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.97 EUR |
| 1000+ | 2.85 EUR |
| GE04MPS06E-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 6046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.5 EUR |
| 10+ | 2.16 EUR |
| 25+ | 2.04 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 250+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.72 EUR |
| 2500+ | 1.46 EUR |
| G2R1000MT17J-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ6B |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ6G |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ6D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBJ6K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12B |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3F09MT12GB4 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 421.22 EUR |
| G3F09MT12GB4-T |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 444.38 EUR |
| G3F05MT12GB2 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 421.48 EUR |
| GD15MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.51 EUR |
| 10+ | 14.33 EUR |
| 30+ | 13.53 EUR |
| 120+ | 13.11 EUR |
| 270+ | 12.57 EUR |
| GD05MPS17J-TR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N3297AR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N3289A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KBJ804 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KBJ802 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KBJ801 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR104 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.19 EUR |
| 10+ | 2.39 EUR |
| 25+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 200+ | 1.48 EUR |
| 600+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| BR106 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420
auf Bestellung 4840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.2 EUR |
| 10+ | 2.41 EUR |
| 25+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 200+ | 1.78 EUR |
| 600+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.35 EUR |
| BR1005 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.19 EUR |
| 10+ | 2.39 EUR |
| 25+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.85 EUR |
| 200+ | 1.56 EUR |
| 600+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| BR102 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR101 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR108 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N3673A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.57 EUR |
| 10+ | 7.71 EUR |
| 25+ | 7.08 EUR |
| 100+ | 6.21 EUR |
| 250+ | 5.68 EUR |
| 500+ | 5.56 EUR |
| Діодний міст KBU8M |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Діод Шотткі GD20MPS12A |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| G2R1000MT17J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT17J SMD N channel transistors
G2R1000MT17J SMD N channel transistors
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.64 EUR |
| 11+ | 6.75 EUR |
| 12+ | 6.38 EUR |
| 100+ | 6.13 EUR |
| G3R160MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12D THT N channel transistors
G3R160MT12D THT N channel transistors
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.74 EUR |
| 11+ | 6.72 EUR |
| 2520+ | 6.46 EUR |
| G3R160MT17D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17D THT N channel transistors
G3R160MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 13.7 EUR |
| 7+ | 10.93 EUR |
| 750+ | 10.51 EUR |
| G3R20MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 39.04 EUR |
| 3+ | 37.52 EUR |
| 10+ | 36.92 EUR |
| G3R20MT12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 61.23 EUR |
| G3R350MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 4.82 EUR |
| 16+ | 4.72 EUR |
| G3R40MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12D THT N channel transistors
G3R40MT12D THT N channel transistors
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 18.69 EUR |
| 5+ | 17.67 EUR |
| G3R40MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 18.59 EUR |
| G3R450MT17D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 88W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 88W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 6.35 EUR |
| 13+ | 5.95 EUR |
| G3R450MT17J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 91W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 91W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.79 EUR |
| G3R45MT17D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
G3R45MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 36.06 EUR |
| 3+ | 34.09 EUR |
| 30+ | 32.79 EUR |
| G3R45MT17K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
G3R45MT17K THT N channel transistors
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 37.77 EUR |
| G3R75MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R75MT12D THT N channel transistors
G3R75MT12D THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 14.79 EUR |
| 6+ | 12.2 EUR |
| 7+ | 11.53 EUR |
| 120+ | 11.33 EUR |
| G3R75MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 10.04 EUR |
| GC02MPS12-220 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 8.94 EUR |
| 25+ | 2.86 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| GC15MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 12.17 EUR |
| 7+ | 11.51 EUR |
| GC2X10MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 9.15 EUR |
| 9+ | 8.79 EUR |
| GC2X15MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 11.23 EUR |
| GC2X5MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 5.58 EUR |
| 14+ | 5.36 EUR |
| GC2X8MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 11.31 EUR |
| GD10MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD10MPS17H THT Schottky diodes
GD10MPS17H THT Schottky diodes
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 9.71 EUR |
| 9+ | 8.31 EUR |
| 10+ | 7.85 EUR |
| 510+ | 7.55 EUR |
| GD15MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD15MPS17H THT Schottky diodes
GD15MPS17H THT Schottky diodes
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 12.24 EUR |
| 7+ | 11.77 EUR |
| GD20MPS12A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD20MPS12A THT Schottky diodes
GD20MPS12A THT Schottky diodes
auf Bestellung 1103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.21 EUR |
| 13+ | 5.52 EUR |
| 14+ | 5.22 EUR |
| GD20MPS12H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD20MPS12H THT Schottky diodes
GD20MPS12H THT Schottky diodes
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 8.48 EUR |
| 10+ | 7.19 EUR |
| 1020+ | 6.92 EUR |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X100MPS06N Diode modules
GD2X100MPS06N Diode modules
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 59.86 EUR |













