Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4220) > Seite 65 nach 71

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MURTA500120 MURTA500120 GeneSiC Semiconductor murta500120-2452673.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA500120R MURTA500120R GeneSiC Semiconductor murta500120r-2452820.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
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MURTA500120R MURTA500120R GeneSiC Semiconductor murta500120.pdf Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA50020 MURTA50020 GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50020 MURTA50020 GeneSiC Semiconductor murta50020-2452676.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35
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MURTA50020R MURTA50020R GeneSiC Semiconductor murta50020r-2452898.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35
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MURTA50020R MURTA50020R GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50040 MURTA50040 GeneSiC Semiconductor murta50040-2452947.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71
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MURTA50040 MURTA50040 GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50040R MURTA50040R GeneSiC Semiconductor murta50020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50040R MURTA50040R GeneSiC Semiconductor murta50040r-2452679.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71
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MURTA50060 MURTA50060 GeneSiC Semiconductor murta500120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50060 MURTA50060 GeneSiC Semiconductor murta50060-2452351.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141
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MURTA50060R MURTA50060R GeneSiC Semiconductor murta500120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50060R MURTA50060R GeneSiC Semiconductor murta50060r-2452682.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141
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MURTA600120 MURTA600120 GeneSiC Semiconductor murta600120-2452627.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
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MURTA600120 MURTA600120 GeneSiC Semiconductor murta60060.pdf Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA600120R MURTA600120R GeneSiC Semiconductor murta60060.pdf Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA600120R MURTA600120R GeneSiC Semiconductor murta600120r-2453296.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
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MURTA60020 MURTA60020 GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60020 MURTA60020 GeneSiC Semiconductor murta60020-2452736.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
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MURTA60020R MURTA60020R GeneSiC Semiconductor murta60020r-2453077.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
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MURTA60020R MURTA60020R GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60040 MURTA60040 GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60040 MURTA60040 GeneSiC Semiconductor murta60040-2452532.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60040R MURTA60040R GeneSiC Semiconductor murta60020.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60040R MURTA60040R GeneSiC Semiconductor murta60040r-2453298.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
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MURTA60060 MURTA60060 GeneSiC Semiconductor murta60060-2452738.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
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MURTA60060 MURTA60060 GeneSiC Semiconductor murta60060.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60060R MURTA60060R GeneSiC Semiconductor murta60060r-2452739.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60060R MURTA60060R GeneSiC Semiconductor murta60060.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6117 NV6117 GeneSiC Semiconductor nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf Power IC 8-Pin QFN EP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6117-RA NV6117-RA GeneSiC Semiconductor nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.69 EUR
2000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6117-RA NV6117-RA GeneSiC Semiconductor nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.69 EUR
2000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6125 NV6125 GeneSiC Semiconductor nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6125 NV6125 GeneSiC Semiconductor nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6127 NV6127 GeneSiC Semiconductor nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6127 NV6127 GeneSiC Semiconductor nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6136A GeneSiC Semiconductor NV6136A-Datasheet-FINAL-10-11-22.pdf GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.27 EUR
10000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6136A GeneSiC Semiconductor NV6136A-Datasheet-FINAL-10-11-22.pdf GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.27 EUR
10000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6245C GeneSiC Semiconductor NV6245C%20Datasheet%20Final%2005-08-2024.pdf Half-Bridge Power ICs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6245C-RA GeneSiC Semiconductor NV6245C-RA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6247C GeneSiC Semiconductor NV6247C%20Datasheet%20Final%2005-08-2024.pdf NV6247C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6247C-RA GeneSiC Semiconductor NV6247C-RA
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S12B S12B GeneSiC Semiconductor s12b.pdf Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
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S12BR GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
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S12BR S12BR GeneSiC Semiconductor s12br.pdf Rectifiers 100V 12A REV Leads Std. Recovery
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S12D S12D GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
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S12D S12D GeneSiC Semiconductor s12d-3482928.pdf Rectifiers 200V 12A Std. Recovery
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S12DR S12DR GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr-474904.pdf Rectifiers 200V 12A REV Leads Std. Recovery
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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S12DR GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
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S12G S12G GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr-474904.pdf Rectifiers 400V 12A Std. Recovery
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12G GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
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S12GR S12GR GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr-474904.pdf Rectifiers 400V 12A REV Leads Std. Recovery
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12GR GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
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S12J GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
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S12J S12J GeneSiC Semiconductor s12j-2453549.pdf Rectifiers 600V 12A Std. Recovery
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.51 EUR
10+9.28 EUR
25+8.52 EUR
100+7.48 EUR
250+7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12JR GeneSiC Semiconductor s12b_thru_s12jr.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12JR S12JR GeneSiC Semiconductor s12jr-2453025.pdf Rectifiers 600V 12A REV Leads Std. Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12K S12K GeneSiC Semiconductor s12k_thru_s12qr-474089.pdf Rectifiers 800V 12A Std. Recovery
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MURTA500120 murta500120-2452673.pdf
MURTA500120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
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MURTA500120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
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MURTA500120R murta500120.pdf
MURTA500120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50020 murta50020.pdf
MURTA50020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50020 murta50020-2452676.pdf
MURTA50020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35
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MURTA50020R murta50020r-2452898.pdf
MURTA50020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35
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MURTA50020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50040 murta50040-2452947.pdf
MURTA50040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71
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MURTA50040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA50040R murta50020.pdf
MURTA50040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50040R murta50040r-2452679.pdf
MURTA50040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71
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MURTA50060 murta500120.pdf
MURTA50060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50060 murta50060-2452351.pdf
MURTA50060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141
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MURTA50060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA50060R murta50060r-2452682.pdf
MURTA50060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141
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MURTA600120 murta600120-2452627.pdf
MURTA600120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
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MURTA600120 murta60060.pdf
MURTA600120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA600120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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MURTA600120R murta600120r-2453296.pdf
MURTA600120R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
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MURTA60020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60020 murta60020-2452736.pdf
MURTA60020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
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MURTA60020R murta60020r-2453077.pdf
MURTA60020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
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MURTA60020R murta60020.pdf
MURTA60020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60040 murta60040-2452532.pdf
MURTA60040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60040R murta60020.pdf
MURTA60040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MURTA60040R murta60040r-2453298.pdf
MURTA60040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60060 murta60060-2452738.pdf
MURTA60060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60060 murta60060.pdf
MURTA60060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60060R murta60060r-2452739.pdf
MURTA60060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MURTA60060R murta60060.pdf
MURTA60060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6117 nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf
NV6117
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6117-RA nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf
NV6117-RA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+4.69 EUR
2000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6117-RA nv6117_datasheet_final_v0a10-11-20.pdf
NV6117-RA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+4.69 EUR
2000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6125 nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6125
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6125 nv6125_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6125
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6127 nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6127
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6127 nv6127_datasheet_final_v0b10-12-20.pdf
NV6127
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6136A NV6136A-Datasheet-FINAL-10-11-22.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+3.27 EUR
10000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6136A NV6136A-Datasheet-FINAL-10-11-22.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+3.27 EUR
10000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6245C NV6245C%20Datasheet%20Final%2005-08-2024.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Half-Bridge Power ICs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6245C-RA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
NV6245C-RA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6247C NV6247C%20Datasheet%20Final%2005-08-2024.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
NV6247C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NV6247C-RA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
NV6247C-RA
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S12B s12b.pdf
S12B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
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S12BR s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
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S12BR s12br.pdf
S12BR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A REV Leads Std. Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12D s12b_thru_s12jr.pdf
S12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
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S12D s12d-3482928.pdf
S12D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 12A Std. Recovery
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S12DR s12b_thru_s12jr-474904.pdf
S12DR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 12A REV Leads Std. Recovery
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12DR s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
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S12G s12b_thru_s12jr-474904.pdf
S12G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 12A Std. Recovery
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12G s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12GR s12b_thru_s12jr-474904.pdf
S12GR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 12A REV Leads Std. Recovery
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12GR s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12J s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12J s12j-2453549.pdf
S12J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 12A Std. Recovery
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.51 EUR
10+9.28 EUR
25+8.52 EUR
100+7.48 EUR
250+7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S12JR s12b_thru_s12jr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
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S12JR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 12A REV Leads Std. Recovery
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S12K s12k_thru_s12qr-474089.pdf
S12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 12A Std. Recovery
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