Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4214) > Seite 65 nach 71
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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MURTA50060R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141 |
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Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MURTA50060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
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MURTA600120 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery |
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MURTA600120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
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MURTA600120R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
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MURTA600120R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery |
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MURTA60020 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35 |
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MURTA60020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
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MURTA60020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWERReverse Recovery Time (trr): 200 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard |
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MURTA60020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35 |
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MURTA60040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 220 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
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MURTA60040 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71 |
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MURTA60040R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71 |
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MURTA60040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 220 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
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Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MURTA60060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 280 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
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MURTA60060 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141 |
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Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MURTA60060R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141 |
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Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MURTA60060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 280 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NV6117 | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 8-Pin QFN EP |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NV6117-RA | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 8-Pin QFN EP |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NV6117-RA | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 8-Pin QFN EP |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NV6125 | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 30-Pin QFN EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NV6125 | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 30-Pin QFN EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NV6127 | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 30-Pin QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NV6127 | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 30-Pin QFN EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NV6136A | GeneSiC Semiconductor |
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NV6136A | GeneSiC Semiconductor |
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NV6245C | GeneSiC Semiconductor |
Half-Bridge Power ICs |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| NV6245C-RA | GeneSiC Semiconductor |
Half Bridge Gan Fast Power IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| NV6247C | GeneSiC Semiconductor |
NV6247C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| NV6247C-RA | GeneSiC Semiconductor |
Driver 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| NV6247M | GeneSiC Semiconductor |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 32-Pin PQFN EP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| NV6247M-RA | GeneSiC Semiconductor |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 32-Pin PQFN EP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| NV6257 | GeneSiC Semiconductor | 650V Half-Bridge Power IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| NV6257-RA | GeneSiC Semiconductor | GaNSense Half-Bridge Motor 650V 170/170mOhms PQFN68 |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| NV6269C | GeneSiC Semiconductor |
NV6269C |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| NV6269C-RA | GeneSiC Semiconductor | NV6269C-RA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| NV6511 | GeneSiC Semiconductor | GaNSafe 650V 98 (max)mOhm TOLL GaN |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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S12B | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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S12BR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 12A REV Leads Std. Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| S12BR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 |
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Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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S12D | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 12A Std. Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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S12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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S12DR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 12A REV Leads Std. Recovery |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| S12DR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| S12G | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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S12G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 12A Std. Recovery |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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S12GR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 12A REV Leads Std. Recovery |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| S12GR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| S12J | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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S12J | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 12A Std. Recovery |
auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S12JR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 12A REV Leads Std. Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| S12JR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| S12K | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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S12K | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 800V 12A Std. Recovery |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| S12KR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 800V 12A REV Leads Std. Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| S12KR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| S12M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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S12M | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| S12MR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MURTA50060R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA50060R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA600120 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA600120 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA600120R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA600120R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60020 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60020 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60020R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60020R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60040 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60040 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60040R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60040R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60060 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60060 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60060R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA60060R |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6117 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
Power IC 8-Pin QFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6117-RA |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 5.71 EUR |
| 2000+ | 5.53 EUR |
| NV6117-RA |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
Power IC 8-Pin QFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 5.71 EUR |
| 2000+ | 5.4 EUR |
| NV6125 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 3.13 EUR |
| NV6125 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 3.13 EUR |
| NV6127 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6127 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 5.06 EUR |
| NV6136A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 3.97 EUR |
| 10000+ | 3.89 EUR |
| NV6136A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 3.97 EUR |
| 10000+ | 3.8 EUR |
| NV6245C |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Half-Bridge Power ICs
Half-Bridge Power ICs
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6245C-RA |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Half Bridge Gan Fast Power IC
Half Bridge Gan Fast Power IC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6247C |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
NV6247C
NV6247C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6247C-RA |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Driver 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg
Driver 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6247M |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 32-Pin PQFN EP
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 32-Pin PQFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6247M-RA |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 32-Pin PQFN EP
Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 32-Pin PQFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6257 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
650V Half-Bridge Power IC
650V Half-Bridge Power IC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6257-RA |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GaNSense Half-Bridge Motor 650V 170/170mOhms PQFN68
GaNSense Half-Bridge Motor 650V 170/170mOhms PQFN68
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6269C |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
NV6269C
NV6269C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6269C-RA |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
NV6269C-RA
NV6269C-RA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6511 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
GaNSafe 650V 98 (max)mOhm TOLL GaN
GaNSafe 650V 98 (max)mOhm TOLL GaN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12B |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12BR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 100V 12A REV Leads Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12BR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 12A Std. Recovery
Rectifiers 200V 12A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12DR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 200V 12A REV Leads Std. Recovery
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| S12DR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12G |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12G |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 12A Std. Recovery
Rectifiers 400V 12A Std. Recovery
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| S12GR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 400V 12A REV Leads Std. Recovery
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| S12GR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 12A Std. Recovery
Rectifiers 600V 12A Std. Recovery
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.7 EUR |
| 10+ | 11.04 EUR |
| 25+ | 10.14 EUR |
| 100+ | 8.9 EUR |
| 250+ | 8.33 EUR |
| S12JR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 600V 12A REV Leads Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12JR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 12A Std. Recovery
Rectifiers 800V 12A Std. Recovery
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| S12KR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 800V 12A REV Leads Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12KR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12M |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S12M |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| S12MR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH




