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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
KBJ801 KBJ801 GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Діодний міст KBU8M GeneSiC Semiconductor Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.18 EUR
10+3.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Діод Шотткі GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+41.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.84 EUR
12+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.39 EUR
11+6.66 EUR
30+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf G3R160MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.8 EUR
7+10.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+39.08 EUR
3+37.57 EUR
10+37.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+60.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+140.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1B0A0C7&compId=G3R40MT12D.pdf?ci_sign=80928ea7e4b37e0193cc95578c620c2ccb46972c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.55 EUR
5+17.53 EUR
30+16.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E680C7&compId=G3R450MT17D.pdf?ci_sign=623c2d7bc68ab7ce63fe93b60466746ffbe3ca5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.18 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17D.pdf G3R45MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.92 EUR
3+33.96 EUR
30+32.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E2ACF6A0C7&compId=G3R45MT17K.pdf?ci_sign=89d3230475a713b0275b57f836663c202e724959 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Gate charge: 182nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.48 EUR
30+36.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.21 EUR
10+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B9A0C7&compId=GC02MPS12-220.pdf?ci_sign=5b7cd32c33a073a9b17522300153aa93377d3d17 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
25+2.86 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F708B5DC80C7&compId=GC15MPS12-247.pdf?ci_sign=4ac77057ece4747c92a492a58a4553c9ddd81843 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DDC0C7&compId=GC2X10MPS12-247.pdf?ci_sign=e075ca835a1a5ec526ae3d81441dbc12a96a6763 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DF00C7&compId=GC2X15MPS12-247.pdf?ci_sign=178143544f1be58c59460efff2b373df8bffe5f5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6940C7&compId=GC2X5MPS12-247.pdf?ci_sign=22b717436d147819ca0797c4a474a406b23594d6 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6A80C7&compId=GC2X8MPS12-247.pdf?ci_sign=8c5e325e271b4f22def450d924e930f6cf152081 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F720C7&compId=GD10MPS17H.pdf?ci_sign=b05d9cf7c1fa201ac9405cf96058e406639b928a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B12914258020D2&compId=GD15MPS17H.pdf?ci_sign=14d1367c5878ff582f81892e248f6526f04652cf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Max. load current: 67A
Max. forward impulse current: 128A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.26 EUR
13+5.86 EUR
25+5.61 EUR
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250+4.99 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Load current: 27A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 128A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.41 EUR
11+6.99 EUR
30+6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+57.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.6 EUR
10+25.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
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9+8.01 EUR
11+6.76 EUR
12+6.39 EUR
120+6.31 EUR
300+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06J.pdf GD30MPS06J SMD Schottky diodes
auf Bestellung 90 Stücke:
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12+6.03 EUR
13+5.72 EUR
100+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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GE06MPS06A GeneSiC SEMICONDUCTOR GE06MPS06A.pdf GE06MPS06A THT Schottky diodes
auf Bestellung 16 Stücke:
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16+4.46 EUR
26+2.75 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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GE2X8MPS06D GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F7D2B0E420C7&compId=GE2X8MPS06D.pdf?ci_sign=d66b91dcf83eef08485d0063aca1ea9d1b133d03 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
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16+4.53 EUR
17+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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KBL406G KBL406G GeneSiC Semiconductor kbl408g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
auf Bestellung 89 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBL04 GBL04 GeneSiC Semiconductor gbl01.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBL10 GBL10 GeneSiC Semiconductor gbl10.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBL02 GeneSiC Semiconductor GBL005 SERIES_K2103.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC2508T KBPC2508T GeneSiC Semiconductor kbpc2506w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC5010T KBPC5010T GeneSiC Semiconductor kbpc5010t.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU8G KBU8G GeneSiC Semiconductor kbu8d.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DB104G DB104G GeneSiC Semiconductor db103g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBPC5010T GBPC5010T GeneSiC Semiconductor gbpc5006t.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20045CT MBR20045CT GeneSiC Semiconductor mbr20080ct.pdf Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR60100 MBR60100 GeneSiC Semiconductor 36162525740587920mbr6045_thru_mbr60100r.pdf Diode Schottky 100V 60A 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBJ25M GBJ25M GeneSiC Semiconductor gbj25m.pdf Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR400100CT MBR400100CT GeneSiC Semiconductor 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC2502T KBPC2502T GeneSiC Semiconductor kbpc2501w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N3881 1N3881 GeneSiC Semiconductor 1n3883r.pdf Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR3545 MBR3545 GeneSiC Semiconductor 34976362909671172mbr3545_thru_mbr35100r.pdf Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150KR40A 150KR40A GeneSiC Semiconductor 150kr20a.pdf Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1206AR 1N1206AR GeneSiC Semiconductor 1n1200a.pdf Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.55 EUR
132+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBL01 GBL01 GeneSiC Semiconductor gbl01.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case GBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST160100 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Rectifier Diode Schottky 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+109.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16080 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FST16045 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB50SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBJ801
KBJ801
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Діодний міст KBU8M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.18 EUR
10+3.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Діод Шотткі GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+41.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R1000MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.84 EUR
12+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.39 EUR
11+6.66 EUR
30+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.8 EUR
7+10.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+39.08 EUR
3+37.57 EUR
10+37.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+60.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764
G3R20MT17N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+140.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1B0A0C7&compId=G3R40MT12D.pdf?ci_sign=80928ea7e4b37e0193cc95578c620c2ccb46972c
G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.55 EUR
5+17.53 EUR
30+16.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0
G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E680C7&compId=G3R450MT17D.pdf?ci_sign=623c2d7bc68ab7ce63fe93b60466746ffbe3ca5f
G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.18 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312
G3R450MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.92 EUR
3+33.96 EUR
30+32.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E2ACF6A0C7&compId=G3R45MT17K.pdf?ci_sign=89d3230475a713b0275b57f836663c202e724959
G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Gate charge: 182nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.48 EUR
30+36.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.21 EUR
10+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B9A0C7&compId=GC02MPS12-220.pdf?ci_sign=5b7cd32c33a073a9b17522300153aa93377d3d17
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
25+2.86 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC15MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F708B5DC80C7&compId=GC15MPS12-247.pdf?ci_sign=4ac77057ece4747c92a492a58a4553c9ddd81843
GC15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X10MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DDC0C7&compId=GC2X10MPS12-247.pdf?ci_sign=e075ca835a1a5ec526ae3d81441dbc12a96a6763
GC2X10MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X15MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DF00C7&compId=GC2X15MPS12-247.pdf?ci_sign=178143544f1be58c59460efff2b373df8bffe5f5
GC2X15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X5MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6940C7&compId=GC2X5MPS12-247.pdf?ci_sign=22b717436d147819ca0797c4a474a406b23594d6
GC2X5MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6A80C7&compId=GC2X8MPS12-247.pdf?ci_sign=8c5e325e271b4f22def450d924e930f6cf152081
GC2X8MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F720C7&compId=GD10MPS17H.pdf?ci_sign=b05d9cf7c1fa201ac9405cf96058e406639b928a
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.37 EUR
9+8.24 EUR
10+7.79 EUR
120+7.52 EUR
510+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B12914258020D2&compId=GD15MPS17H.pdf?ci_sign=14d1367c5878ff582f81892e248f6526f04652cf
GD15MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Max. load current: 67A
Max. forward impulse current: 128A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.26 EUR
13+5.86 EUR
25+5.61 EUR
50+5.39 EUR
100+5.21 EUR
250+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Load current: 27A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 128A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.41 EUR
11+6.99 EUR
30+6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+57.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.6 EUR
10+25.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb
GD30MPS06H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.01 EUR
11+6.76 EUR
12+6.39 EUR
120+6.31 EUR
300+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD30MPS06J SMD Schottky diodes
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.03 EUR
13+5.72 EUR
100+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GE06MPS06A THT Schottky diodes
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.46 EUR
26+2.75 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GE2X8MPS06D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.53 EUR
17+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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KBL406G kbl408g.pdf
KBL406G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GBL04 gbl01.pdf
GBL04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
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GBL10 gbl10.pdf
GBL10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
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GBL02 GBL005 SERIES_K2103.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
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KBPC2508T kbpc2506w.pdf
KBPC2508T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
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KBPC5010T kbpc5010t.pdf
KBPC5010T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
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KBU8G kbu8d.pdf
KBU8G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU
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DB104G db103g.pdf
DB104G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
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GBPC5010T gbpc5006t.pdf
GBPC5010T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T
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MBR20045CT mbr20080ct.pdf
MBR20045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
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MBR60100 36162525740587920mbr6045_thru_mbr60100r.pdf
MBR60100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 60A 2-Pin DO-5
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GBJ25M gbj25m.pdf
GBJ25M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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MUR10020CT mur10005ct.pdf
MUR10020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
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MBR400100CT 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf
MBR400100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
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KBPC2502T kbpc2501w.pdf
KBPC2502T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T
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1N3881 1n3883r.pdf
1N3881
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4
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MBR3545 34976362909671172mbr3545_thru_mbr35100r.pdf
MBR3545
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
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150KR40A 150kr20a.pdf
150KR40A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8
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1N1206AR 1n1200a.pdf
1N1206AR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+4.55 EUR
132+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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GBL01 gbl01.pdf
GBL01
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case GBL
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FST160100 fst160100.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+109.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FST16080 fst160100.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
Produkt ist nicht verfügbar
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FST16045 fst160100.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
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GB50MPS17-247 GB50MPS17-247.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GB50MPS17-247 GB50MPS17-247.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GB50SLT12-247 GB50SLT12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
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