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G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E680C7&compId=G3R450MT17D.pdf?ci_sign=623c2d7bc68ab7ce63fe93b60466746ffbe3ca5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.18 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17D.pdf G3R45MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.92 EUR
3+33.96 EUR
30+32.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E2ACF6A0C7&compId=G3R45MT17K.pdf?ci_sign=89d3230475a713b0275b57f836663c202e724959 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Gate charge: 182nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.48 EUR
30+36.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.6 EUR
10+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B9A0C7&compId=GC02MPS12-220.pdf?ci_sign=5b7cd32c33a073a9b17522300153aa93377d3d17 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
12+5.96 EUR
25+2.86 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC15MPS12-247.pdf GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.13 EUR
7+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X10MPS12-247.pdf GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.11 EUR
9+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DF00C7&compId=GC2X15MPS12-247.pdf?ci_sign=178143544f1be58c59460efff2b373df8bffe5f5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X5MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X5MPS12-247.pdf GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.56 EUR
14+5.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X8MPS12-247.pdf GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.53 EUR
7+11.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F720C7&compId=GD10MPS17H.pdf?ci_sign=b05d9cf7c1fa201ac9405cf96058e406639b928a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.37 EUR
9+8.24 EUR
10+7.79 EUR
120+7.52 EUR
510+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B12914258020D2&compId=GD15MPS17H.pdf?ci_sign=14d1367c5878ff582f81892e248f6526f04652cf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.95 EUR
14+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.18 EUR
10+7.55 EUR
11+7.14 EUR
30+7.05 EUR
120+6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 108A x2
Max. load current: 231A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+56.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.38 EUR
10+25.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.01 EUR
11+6.76 EUR
12+6.39 EUR
120+6.31 EUR
300+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06J.pdf GD30MPS06J SMD Schottky diodes
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.03 EUR
13+5.72 EUR
100+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06A GeneSiC SEMICONDUCTOR GE06MPS06A.pdf GE06MPS06A THT Schottky diodes
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.46 EUR
26+2.75 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR GE2X8MPS06D.pdf GE2X8MPS06D THT Schottky diodes
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.9 EUR
16+4.63 EUR
60+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DB107G DB107G GeneSiC Semiconductor db106g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 1A 4-Pin Case DB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL406G KBL406G GeneSiC Semiconductor kbl408g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBL04 GBL04 GeneSiC Semiconductor gbl01.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBL10 GBL10 GeneSiC Semiconductor gbl10.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBL02 GeneSiC Semiconductor GBL005 SERIES_K2103.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC2508T KBPC2508T GeneSiC Semiconductor kbpc2506w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC5010T KBPC5010T GeneSiC Semiconductor kbpc5010t.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU8G KBU8G GeneSiC Semiconductor kbu8d.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DB104G DB104G GeneSiC Semiconductor db103g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBPC5010T GBPC5010T GeneSiC Semiconductor gbpc5006t.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20045CT MBR20045CT GeneSiC Semiconductor mbr20080ct.pdf Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR60100 MBR60100 GeneSiC Semiconductor 36162525740587920mbr6045_thru_mbr60100r.pdf Diode Schottky 100V 60A 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBJ25M GBJ25M GeneSiC Semiconductor gbj25m.pdf Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR40060CT MBR40060CT GeneSiC Semiconductor 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR400100CT MBR400100CT GeneSiC Semiconductor 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBPC2502T KBPC2502T GeneSiC Semiconductor kbpc2501w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N3881 1N3881 GeneSiC Semiconductor 1n3883r.pdf Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4
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MBR3545 MBR3545 GeneSiC Semiconductor 34976362909671172mbr3545_thru_mbr35100r.pdf Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
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150KR40A 150KR40A GeneSiC Semiconductor 150kr20a.pdf Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8
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1N1206AR 1N1206AR GeneSiC Semiconductor 1n1200a.pdf Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4
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KBPC2504W KBPC2504W GeneSiC Semiconductor kbpc2501w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 25A 4-Pin Case KBPC-W
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GBL01 GBL01 GeneSiC Semiconductor gbl01.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case GBL
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FST160100 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Rectifier Diode Schottky 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
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FST16080 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
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FST16045 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
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GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GB50SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
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1N1190 1N1190 GeneSiC Semiconductor 1n1188r.pdf Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5
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1N1190A 1N1190A GeneSiC Semiconductor 1n1184a.pdf Rectifier Diode Switching 600V 40A 2-Pin DO-5
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MUR5020 MUR5020 GeneSiC Semiconductor mur5005.pdf Rectifier Diode Switching 200V 50A 75ns 2-Pin DO-5
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MUR5010 MUR5010 GeneSiC Semiconductor mur5005.pdf Rectifier Diode Switching 100V 50A 75ns 2-Pin DO-5
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1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 9733158768511141n8030-ga.pdf Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
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1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 9732867828337061n8032-ga.pdf Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
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GBJ25G GeneSiC Semiconductor gbj25g.pdf Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
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GBJ25G GeneSiC Semiconductor gbj25g.pdf Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
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G3R40MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0
G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
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4+18.73 EUR
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G3R450MT17D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E680C7&compId=G3R450MT17D.pdf?ci_sign=623c2d7bc68ab7ce63fe93b60466746ffbe3ca5f
G3R450MT17D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
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9+8.18 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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G3R450MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312
G3R450MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
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2+35.92 EUR
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30+32.65 EUR
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G3R45MT17K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E2ACF6A0C7&compId=G3R45MT17K.pdf?ci_sign=89d3230475a713b0275b57f836663c202e724959
G3R45MT17K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Gate charge: 182nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.48 EUR
30+36.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R75MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.6 EUR
10+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G3R75MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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GC02MPS12-220 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B9A0C7&compId=GC02MPS12-220.pdf?ci_sign=5b7cd32c33a073a9b17522300153aa93377d3d17
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
12+5.96 EUR
25+2.86 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.13 EUR
7+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.11 EUR
9+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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GC2X15MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DF00C7&compId=GC2X15MPS12-247.pdf?ci_sign=178143544f1be58c59460efff2b373df8bffe5f5
GC2X15MPS12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.56 EUR
14+5.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.53 EUR
7+11.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F720C7&compId=GD10MPS17H.pdf?ci_sign=b05d9cf7c1fa201ac9405cf96058e406639b928a
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.37 EUR
9+8.24 EUR
10+7.79 EUR
120+7.52 EUR
510+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15MPS17H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B12914258020D2&compId=GD15MPS17H.pdf?ci_sign=14d1367c5878ff582f81892e248f6526f04652cf
GD15MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.95 EUR
14+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.18 EUR
10+7.55 EUR
11+7.14 EUR
30+7.05 EUR
120+6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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GD2X100MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 108A x2
Max. load current: 231A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+56.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GD2X30MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.38 EUR
10+25.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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GD30MPS06H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb
GD30MPS06H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.01 EUR
11+6.76 EUR
12+6.39 EUR
120+6.31 EUR
300+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD30MPS06J SMD Schottky diodes
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.03 EUR
13+5.72 EUR
100+5.49 EUR
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GE06MPS06A THT Schottky diodes
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GE2X8MPS06D THT Schottky diodes
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DB107G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 1A 4-Pin Case DB
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KBL406G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
auf Bestellung 89 Stücke:
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GBL04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
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GBL10 gbl10.pdf
GBL10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
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GBL02 GBL005 SERIES_K2103.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
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KBPC2508T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
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KBPC5010T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
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KBU8G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU
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DB104G db103g.pdf
DB104G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
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GBPC5010T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T
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MBR20045CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
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MBR60100 36162525740587920mbr6045_thru_mbr60100r.pdf
MBR60100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 60A 2-Pin DO-5
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GBJ25M gbj25m.pdf
GBJ25M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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MUR10020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
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MBR40060CT 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf
MBR40060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
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MBR400100CT 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf
MBR400100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
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KBPC2502T kbpc2501w.pdf
KBPC2502T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T
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1N3881 1n3883r.pdf
1N3881
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4
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MBR3545 34976362909671172mbr3545_thru_mbr35100r.pdf
MBR3545
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
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150KR40A 150kr20a.pdf
150KR40A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8
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1N1206AR 1n1200a.pdf
1N1206AR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+4.5 EUR
132+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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KBPC2504W kbpc2501w.pdf
KBPC2504W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 25A 4-Pin Case KBPC-W
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GBL01 gbl01.pdf
GBL01
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case GBL
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FST160100 fst160100.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+108.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FST16080 fst160100.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
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FST16045 fst160100.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
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GB50MPS17-247 GB50MPS17-247.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GB50MPS17-247 GB50MPS17-247.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GB50SLT12-247 GB50SLT12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N1190 1n1188r.pdf
1N1190
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5
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1N1190A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 40A 2-Pin DO-5
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MUR5020 mur5005.pdf
MUR5020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 50A 75ns 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR5010 mur5005.pdf
MUR5010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 50A 75ns 2-Pin DO-5
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1N8030-GA 9733158768511141n8030-ga.pdf
1N8030-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
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1N8032-GA 9732867828337061n8032-ga.pdf
1N8032-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
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GBJ25G gbj25g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
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GBJ25G gbj25g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
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