Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (5819) > Seite 69 nach 97
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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G3F18MT12FB4 | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F09MT12FB2 | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F17MT12FB2-T | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSRTA200100D | GeneSiC Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MSRTA200140D | GeneSiC Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MSRTA200120D | GeneSiC Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MSRTA20080D | GeneSiC Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MSRTA200160D | GeneSiC Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
W01M | GeneSiC Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
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auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F25MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F45MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1031 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F60MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F45MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F60MT06D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F25MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F60MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F45MT06D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F33MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3F33MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BR1005 | GeneSiC Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G2R1000MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 54W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: G2R™; SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G2R1000MT33J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
G2R120MT33J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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G3R160MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 123W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 28nC Technology: G3R™; SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R160MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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G3R160MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 175W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC Technology: G3R™; SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R160MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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G3R20MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 90A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 219nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Case: TO247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R20MT12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 365W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R20MT17K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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G3R20MT17N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 70A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 523W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R30MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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G3R30MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 155nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 400W Case: TO247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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G3R350MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 74W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R350MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 75W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: G3R™; SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R40MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 704 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R40MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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G3R40MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 106nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Case: TO247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R450MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 597 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R450MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 844 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R45MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R45MT17K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R75MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R75MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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G3R75MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 54nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Case: TO247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GAP3SLT33-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
GB01SLT06-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
GB01SLT12-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
GB01SLT12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
GB02SLT12-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
GB02SLT12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
GB05MPS33-263 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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GB10MPS17-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 87A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Case: TO247-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
GB20SLT12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
GB2X100MPS12-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
GB2X50MPS12-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
GB2X50MPS17-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
GB50SLT12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
GC02MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3F18MT12FB4 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 232.88 EUR |
G3F09MT12FB2 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 232.99 EUR |
G3F17MT12FB2-T |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 175.4 EUR |
MSRTA200100D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSRTA200140D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSRTA200120D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSRTA20080D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSRTA200160D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
W01M |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD2X30MPS12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 51.3 EUR |
10+ | 45.51 EUR |
100+ | 42.08 EUR |
G3F25MT06K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 23.13 EUR |
10+ | 21.03 EUR |
30+ | 20.24 EUR |
120+ | 19.1 EUR |
270+ | 18.39 EUR |
510+ | 17.88 EUR |
1020+ | 17.35 EUR |
G3F45MT06L-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 12.16 EUR |
10+ | 11.05 EUR |
25+ | 10.65 EUR |
100+ | 10.03 EUR |
250+ | 9.68 EUR |
500+ | 9.4 EUR |
1200+ | 9.13 EUR |
G3F60MT06L-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 8.06 EUR |
10+ | 7.32 EUR |
25+ | 7.06 EUR |
100+ | 6.65 EUR |
250+ | 6.41 EUR |
500+ | 6.21 EUR |
1200+ | 6.04 EUR |
G3F45MT06K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 14.91 EUR |
10+ | 13.55 EUR |
30+ | 13.02 EUR |
120+ | 12.3 EUR |
270+ | 11.84 EUR |
510+ | 11.51 EUR |
1020+ | 11.19 EUR |
G3F60MT06D |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 11.23 EUR |
10+ | 10.23 EUR |
30+ | 9.82 EUR |
120+ | 9.28 EUR |
270+ | 8.92 EUR |
510+ | 8.68 EUR |
1020+ | 8.43 EUR |
G3F25MT06L-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 22.48 EUR |
10+ | 20.43 EUR |
25+ | 19.66 EUR |
100+ | 18.55 EUR |
250+ | 17.86 EUR |
500+ | 17.35 EUR |
1200+ | 16.86 EUR |
G3F60MT06K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 11.51 EUR |
10+ | 10.45 EUR |
30+ | 10.05 EUR |
120+ | 9.49 EUR |
270+ | 9.13 EUR |
510+ | 8.89 EUR |
1020+ | 8.62 EUR |
G3F45MT06D |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 14.41 EUR |
10+ | 13.11 EUR |
30+ | 12.6 EUR |
120+ | 11.9 EUR |
270+ | 11.46 EUR |
510+ | 11.12 EUR |
1020+ | 10.81 EUR |
G3F33MT06K |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 17.18 EUR |
10+ | 15.63 EUR |
30+ | 15.03 EUR |
120+ | 14.2 EUR |
270+ | 13.68 EUR |
510+ | 13.27 EUR |
1020+ | 12.9 EUR |
G3F33MT06L-TR |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 16.12 EUR |
10+ | 14.66 EUR |
25+ | 14.12 EUR |
100+ | 13.32 EUR |
250+ | 12.81 EUR |
500+ | 12.46 EUR |
1200+ | 12.09 EUR |
BR1005 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
Produkt ist nicht verfügbar
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G2R1000MT17J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.34 EUR |
11+ | 6.52 EUR |
12+ | 6.11 EUR |
G2R1000MT33J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT33J SMD N channel transistors
G2R1000MT33J SMD N channel transistors
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G2R120MT33J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R120MT33J SMD N channel transistors
G2R120MT33J SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
G3R160MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.39 EUR |
11+ | 6.68 EUR |
30+ | 6.42 EUR |
G3R160MT12J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12J SMD N channel transistors
G3R160MT12J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
G3R160MT17D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.96 EUR |
7+ | 10.85 EUR |
510+ | 10.44 EUR |
G3R160MT17J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17J SMD N channel transistors
G3R160MT17J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
G3R20MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 38.58 EUR |
10+ | 37.42 EUR |
30+ | 37.09 EUR |
G3R20MT12N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 63.18 EUR |
100+ | 60.75 EUR |
G3R20MT17K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R20MT17K THT N channel transistors
G3R20MT17K THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
G3R20MT17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 137.21 EUR |
G3R30MT12J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R30MT12J SMD N channel transistors
G3R30MT12J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
G3R30MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
G3R350MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.65 EUR |
G3R350MT12J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 75W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 75W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.18 EUR |
G3R40MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12D THT N channel transistors
G3R40MT12D THT N channel transistors
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.52 EUR |
G3R40MT12J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12J SMD N channel transistors
G3R40MT12J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
G3R40MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.68 EUR |
G3R450MT17D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17D THT N channel transistors
G3R450MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.55 EUR |
11+ | 6.62 EUR |
G3R450MT17J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17J SMD N channel transistors
G3R450MT17J SMD N channel transistors
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.5 EUR |
9+ | 7.99 EUR |
G3R45MT17D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
G3R45MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 41.54 EUR |
G3R45MT17K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
G3R45MT17K THT N channel transistors
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 38.15 EUR |
G3R75MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.18 EUR |
G3R75MT12J |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R75MT12J SMD N channel transistors
G3R75MT12J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
G3R75MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11 EUR |
GAP3SLT33-214 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB01SLT06-214 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB01SLT12-214 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB01SLT12-252 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT12-252 SMD Schottky diodes
GB01SLT12-252 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB02SLT12-214 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB02SLT12-252 |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB02SLT12-252 SMD Schottky diodes
GB02SLT12-252 SMD Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
GB05MPS33-263 |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB05MPS33-263 SMD Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
GB10MPS17-247 |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO247-2
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Stück im Wert von UAH
GB20SLT12-247 |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
GB2X100MPS12-227 |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X100MPS12-227 Diode modules
GB2X100MPS12-227 Diode modules
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Stück im Wert von UAH
GB2X50MPS12-227 |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X50MPS12-227 Diode modules
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Stück im Wert von UAH
GB2X50MPS17-227 |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X50MPS17-227 Diode modules
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GB50SLT12-247 |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
GC02MPS12-220 |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC02MPS12-220 THT Schottky diodes
GC02MPS12-220 THT Schottky diodes
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 3.98 EUR |
19+ | 3.76 EUR |
100+ | 2.8 EUR |