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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
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G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 94 Stücke:
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MSRTA200100D MSRTA200100D GeneSiC Semiconductor msrta200100d-3481508.pdf Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200140D MSRTA200140D GeneSiC Semiconductor msrta200140d-3482278.pdf Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200120D MSRTA200120D GeneSiC Semiconductor msrta200120d-3482688.pdf Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA20080D MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor msrta20080d-3481365.pdf Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200160D MSRTA200160D GeneSiC Semiconductor msrta200160d-3482600.pdf Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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W01M GeneSiC Semiconductor W005M~W10M.pdf Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
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GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 134 Stücke:
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1+51.3 EUR
10+45.51 EUR
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G3F25MT06K G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1177 Stücke:
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1+23.13 EUR
10+21.03 EUR
30+20.24 EUR
120+19.1 EUR
270+18.39 EUR
510+17.88 EUR
1020+17.35 EUR
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G3F45MT06L-TR G3F45MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1145 Stücke:
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1+12.16 EUR
10+11.05 EUR
25+10.65 EUR
100+10.03 EUR
250+9.68 EUR
500+9.4 EUR
1200+9.13 EUR
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G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1080 Stücke:
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1+8.06 EUR
10+7.32 EUR
25+7.06 EUR
100+6.65 EUR
250+6.41 EUR
500+6.21 EUR
1200+6.04 EUR
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G3F45MT06K G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1135 Stücke:
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1+14.91 EUR
10+13.55 EUR
30+13.02 EUR
120+12.3 EUR
270+11.84 EUR
510+11.51 EUR
1020+11.19 EUR
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G3F60MT06D G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1197 Stücke:
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1+11.23 EUR
10+10.23 EUR
30+9.82 EUR
120+9.28 EUR
270+8.92 EUR
510+8.68 EUR
1020+8.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F25MT06L-TR G3F25MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1969 Stücke:
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1+22.48 EUR
10+20.43 EUR
25+19.66 EUR
100+18.55 EUR
250+17.86 EUR
500+17.35 EUR
1200+16.86 EUR
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G3F60MT06K G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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10+10.45 EUR
30+10.05 EUR
120+9.49 EUR
270+9.13 EUR
510+8.89 EUR
1020+8.62 EUR
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G3F45MT06D G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1166 Stücke:
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1+14.41 EUR
10+13.11 EUR
30+12.6 EUR
120+11.9 EUR
270+11.46 EUR
510+11.12 EUR
1020+10.81 EUR
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G3F33MT06K G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1182 Stücke:
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1+17.18 EUR
10+15.63 EUR
30+15.03 EUR
120+14.2 EUR
270+13.68 EUR
510+13.27 EUR
1020+12.9 EUR
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G3F33MT06L-TR G3F33MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
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1+16.12 EUR
10+14.66 EUR
25+14.12 EUR
100+13.32 EUR
250+12.81 EUR
500+12.46 EUR
1200+12.09 EUR
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GBPC35005W GBPC35005W GeneSiC Semiconductor gbpc35005w-3477452.pdf Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
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GE12MPS06E-TR GE12MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2490 Stücke:
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2500+3.1 EUR
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GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163666-3479785.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2423 Stücke:
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1+3.08 EUR
10+2.69 EUR
25+2.53 EUR
100+2.32 EUR
250+2.22 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.02 EUR
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GE10MPS06E-TR GE10MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163668-3479722.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2302 Stücke:
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1+4.17 EUR
10+3.68 EUR
25+3.5 EUR
100+3.24 EUR
250+3.08 EUR
500+2.97 EUR
1000+2.85 EUR
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GE04MPS06E-TR GE04MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_GE04MPS06E-3479634.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 6046 Stücke:
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2+2.5 EUR
10+2.16 EUR
25+2.04 EUR
100+1.88 EUR
250+1.78 EUR
500+1.72 EUR
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J-3478629.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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GBJ6B GBJ6B GeneSiC Semiconductor gbj6b-3477385.pdf Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
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GBJ6G GBJ6G GeneSiC Semiconductor gbj6g-3480696.pdf Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
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GBJ6D GBJ6D GeneSiC Semiconductor gbj6d-3481238.pdf Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
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GBJ6K GBJ6K GeneSiC Semiconductor gbj6k-3477887.pdf Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.34 EUR
11+6.52 EUR
12+6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf G2R1000MT33J SMD N channel transistors
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G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf G2R120MT33J SMD N channel transistors
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G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.39 EUR
11+6.68 EUR
30+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J.pdf G3R160MT12J SMD N channel transistors
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G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3320C7&compId=G3R160MT17D.pdf?ci_sign=276ec0a4ae3fd6dab9f56d72e76e55585fff9413 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.96 EUR
7+10.85 EUR
510+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf G3R160MT17J SMD N channel transistors
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G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+38.58 EUR
3+38.57 EUR
10+37.68 EUR
30+37.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+63.23 EUR
100+60.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17K.pdf G3R20MT17K THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+137.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J.pdf G3R30MT12J SMD N channel transistors
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G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 75W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf G3R40MT12D THT N channel transistors
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G3R40MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12J.pdf G3R40MT12J SMD N channel transistors
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G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
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G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17D.pdf G3R450MT17D THT N channel transistors
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G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17J.pdf G3R450MT17J SMD N channel transistors
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G3R45MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17D.pdf G3R45MT17D THT N channel transistors
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G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf G3R45MT17K THT N channel transistors
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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G3R75MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J SMD N channel transistors
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
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GAP3SLT33-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GAP3SLT33-214.pdf GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
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GB01SLT06-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT06-214.pdf GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
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GB01SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT12-214.pdf GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
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GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F200C7&compId=GB01SLT12-252.pdf?ci_sign=3f8bd99f926ff4342ef6ac1189e760174984f563 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
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GB02SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-214.pdf GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
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GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1C2A0C7&compId=GB02SLT12-252.pdf?ci_sign=735707e6339eeaaa7c2480d77ead93404157f8fe Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
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G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
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G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
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MSRTA200100D msrta200100d-3481508.pdf
MSRTA200100D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200140D msrta200140d-3482278.pdf
MSRTA200140D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200120D msrta200120d-3482688.pdf
MSRTA200120D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA20080D msrta20080d-3481365.pdf
MSRTA20080D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200160D msrta200160d-3482600.pdf
MSRTA200160D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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W01M W005M~W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
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GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
GD2X30MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
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G3F25MT06K
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F45MT06L-TR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
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G3F60MT06L-TR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
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100+6.65 EUR
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500+6.21 EUR
1200+6.04 EUR
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G3F45MT06K
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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10+13.55 EUR
30+13.02 EUR
120+12.3 EUR
270+11.84 EUR
510+11.51 EUR
1020+11.19 EUR
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G3F60MT06D
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
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1+11.23 EUR
10+10.23 EUR
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120+9.28 EUR
270+8.92 EUR
510+8.68 EUR
1020+8.43 EUR
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G3F25MT06L-TR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
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10+20.43 EUR
25+19.66 EUR
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250+17.86 EUR
500+17.35 EUR
1200+16.86 EUR
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G3F60MT06K
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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120+9.49 EUR
270+9.13 EUR
510+8.89 EUR
1020+8.62 EUR
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G3F45MT06D
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1166 Stücke:
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30+12.6 EUR
120+11.9 EUR
270+11.46 EUR
510+11.12 EUR
1020+10.81 EUR
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G3F33MT06K
G3F33MT06K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1182 Stücke:
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Anzahl Preis
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10+15.63 EUR
30+15.03 EUR
120+14.2 EUR
270+13.68 EUR
510+13.27 EUR
1020+12.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F33MT06L-TR
G3F33MT06L-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.12 EUR
10+14.66 EUR
25+14.12 EUR
100+13.32 EUR
250+12.81 EUR
500+12.46 EUR
1200+12.09 EUR
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GBPC35005W gbpc35005w-3477452.pdf
GBPC35005W
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
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GE12MPS06E-TR
GE12MPS06E-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.45 EUR
2500+3.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE06MPS06E-TR Genesic_07032024_3163666-3479785.pdf
GE06MPS06E-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.08 EUR
10+2.69 EUR
25+2.53 EUR
100+2.32 EUR
250+2.22 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE10MPS06E-TR Genesic_07032024_3163668-3479722.pdf
GE10MPS06E-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.17 EUR
10+3.68 EUR
25+3.5 EUR
100+3.24 EUR
250+3.08 EUR
500+2.97 EUR
1000+2.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GE04MPS06E-TR Genesic_07032024_GE04MPS06E-3479634.pdf
GE04MPS06E-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 6046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.5 EUR
10+2.16 EUR
25+2.04 EUR
100+1.88 EUR
250+1.78 EUR
500+1.72 EUR
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-3478629.pdf
G2R1000MT17J-TR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
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GBJ6B gbj6b-3477385.pdf
GBJ6B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
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GBJ6G gbj6g-3480696.pdf
GBJ6G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
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GBJ6D gbj6d-3481238.pdf
GBJ6D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBJ6K gbj6k-3477887.pdf
GBJ6K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
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G2R1000MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
11+6.52 EUR
12+6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT33J SMD N channel transistors
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G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R120MT33J SMD N channel transistors
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G3R160MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.39 EUR
11+6.68 EUR
30+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12J SMD N channel transistors
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G3R160MT17D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3320C7&compId=G3R160MT17D.pdf?ci_sign=276ec0a4ae3fd6dab9f56d72e76e55585fff9413
G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.96 EUR
7+10.85 EUR
510+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17J SMD N channel transistors
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G3R20MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.58 EUR
3+38.57 EUR
10+37.68 EUR
30+37.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT12N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+63.23 EUR
100+60.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R20MT17K THT N channel transistors
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G3R20MT17N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764
G3R20MT17N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+137.89 EUR
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G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R30MT12J SMD N channel transistors
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G3R30MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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G3R350MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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G3R350MT12J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 75W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G3R™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12D THT N channel transistors
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12J SMD N channel transistors
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G3R40MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0
G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.55 EUR
11+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17J SMD N channel transistors
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.5 EUR
9+7.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+41.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R75MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.95 EUR
7+11.58 EUR
10+11.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R75MT12J SMD N channel transistors
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G3R75MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-252 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F200C7&compId=GB01SLT12-252.pdf?ci_sign=3f8bd99f926ff4342ef6ac1189e760174984f563
GB01SLT12-252
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-252 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1C2A0C7&compId=GB02SLT12-252.pdf?ci_sign=735707e6339eeaaa7c2480d77ead93404157f8fe
GB02SLT12-252
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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