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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf G2R1000MT33J SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 123W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.19 EUR
10+7.18 EUR
11+6.78 EUR
30+6.75 EUR
120+6.55 EUR
600+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J.pdf G3R160MT12J SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.71 EUR
7+11.04 EUR
10+10.93 EUR
30+10.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf G3R160MT17J SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+38.35 EUR
3+38.34 EUR
30+37.42 EUR
120+36.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+62.65 EUR
3+60.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17K.pdf G3R20MT17K THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+154.81 EUR
10+148.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 68A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 459W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.38 EUR
15+5.08 EUR
16+4.60 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.82 EUR
13+5.55 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.82 EUR
5+17.79 EUR
30+17.20 EUR
120+17.10 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 53A; Idm: 140A; 374W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 374W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.30 EUR
10+19.19 EUR
30+18.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17D.pdf G3R450MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.55 EUR
11+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17J.pdf G3R450MT17J SMD N channel transistors
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.50 EUR
9+7.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17D.pdf G3R45MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+41.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf G3R45MT17K THT N channel transistors
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+38.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.93 EUR
7+11.77 EUR
10+11.34 EUR
30+11.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 80A; 224W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 224W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.36 EUR
7+11.63 EUR
10+11.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GAP3SLT33-214.pdf GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT06-214.pdf GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT12-214.pdf GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT12-252.pdf GB01SLT12-252 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-214.pdf GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-252.pdf GB02SLT12-252 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB05MPS33-263.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Max. off-state voltage: 3.3kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB10MPS17-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB20SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247.pdf GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X100MPS12-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.8kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X50MPS12-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.4kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X50MPS17-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.432kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB50SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB50SLT12-247.pdf GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC02MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC05MPS12-252.pdf GC05MPS12-252 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-252.pdf GC08MPS12-252 SMD Schottky diodes
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GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GC10MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-252.pdf GC10MPS12-252 SMD Schottky diodes
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GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC15MPS12-247.pdf GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 49 Stücke:
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6+12.53 EUR
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GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GC20MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-247.pdf GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
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GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X100MPS06-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.64kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X10MPS12-247.pdf GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
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GC2X15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X15MPS12-247.pdf GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
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4+19.09 EUR
6+12.34 EUR
7+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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GC2X20MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X20MPS12-247.pdf GC2X20MPS12-247 THT Schottky diodes
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GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X50MPS06-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.32kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GC2X5MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X5MPS12-247.pdf GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
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8+9.41 EUR
12+6.12 EUR
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GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X8MPS12-247.pdf GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
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6+12.37 EUR
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GD02MPS12E GeneSiC SEMICONDUCTOR GD02MPS12E.pdf GD02MPS12E SMD Schottky diodes
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GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD05MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 5A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Max. load current: 21A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
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12+6.12 EUR
13+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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GD05MPS17J GeneSiC SEMICONDUCTOR GD05MPS17J SMD Schottky diodes
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GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: tube
Max. load current: 33A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
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18+4.00 EUR
19+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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GD10MPS12E GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS12E.pdf GD10MPS12E SMD Schottky diodes
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GD10MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS12H.pdf GD10MPS12H THT Schottky diodes
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GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.55 EUR
9+8.22 EUR
10+7.78 EUR
30+7.69 EUR
60+7.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT33J SMD N channel transistors
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G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
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G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 123W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.19 EUR
10+7.18 EUR
11+6.78 EUR
30+6.75 EUR
120+6.55 EUR
600+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12J SMD N channel transistors
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G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.71 EUR
7+11.04 EUR
10+10.93 EUR
30+10.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17J SMD N channel transistors
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G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.35 EUR
3+38.34 EUR
30+37.42 EUR
120+36.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+62.65 EUR
3+60.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R20MT17K THT N channel transistors
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G3R20MT17N G3R20MT17N.pdf
G3R20MT17N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+154.81 EUR
10+148.73 EUR
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G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 68A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 459W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.38 EUR
15+5.08 EUR
16+4.60 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.82 EUR
13+5.55 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.82 EUR
5+17.79 EUR
30+17.20 EUR
120+17.10 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 53A; Idm: 140A; 374W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 374W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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G3R40MT12K G3R40MT12K.pdf
G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.30 EUR
10+19.19 EUR
30+18.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.55 EUR
11+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17J SMD N channel transistors
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.50 EUR
9+7.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+41.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.93 EUR
7+11.77 EUR
10+11.34 EUR
30+11.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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G3R75MT12J G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 80A; 224W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 224W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.36 EUR
7+11.63 EUR
10+11.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT12-252 SMD Schottky diodes
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GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
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GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB02SLT12-252 SMD Schottky diodes
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GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
GB05MPS33-263
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Max. off-state voltage: 3.3kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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GB10MPS17-247 GB10MPS17-247.pdf
GB10MPS17-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
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GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227.pdf
GB2X100MPS12-227
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.8kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227.pdf
GB2X50MPS12-227
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.4kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17-227.pdf
GB2X50MPS17-227
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.432kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC05MPS12-252 SMD Schottky diodes
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GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC08MPS12-252 SMD Schottky diodes
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GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC10MPS12-252 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.55 EUR
6+12.53 EUR
7+11.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227.pdf
GC2X100MPS06-227
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.64kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.54 EUR
8+9.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.09 EUR
6+12.34 EUR
7+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X20MPS12-247 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227.pdf
GC2X50MPS06-227
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.32kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.41 EUR
12+6.12 EUR
13+5.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.37 EUR
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD02MPS12E GD02MPS12E.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD02MPS12E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 5A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Max. load current: 21A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.12 EUR
13+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD05MPS17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD05MPS17J SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: tube
Max. load current: 33A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.00 EUR
19+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD10MPS12E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD10MPS12H THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.55 EUR
9+8.22 EUR
10+7.78 EUR
30+7.69 EUR
60+7.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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