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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
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G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
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1+232.88 EUR
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G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
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1+232.99 EUR
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G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
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MSRTA200100D MSRTA200100D GeneSiC Semiconductor msrta200100d-3481508.pdf Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200140D MSRTA200140D GeneSiC Semiconductor msrta200140d-3482278.pdf Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200120D MSRTA200120D GeneSiC Semiconductor msrta200120d-3482688.pdf Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA20080D MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor msrta20080d-3481365.pdf Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200160D MSRTA200160D GeneSiC Semiconductor msrta200160d-3482600.pdf Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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W01M GeneSiC Semiconductor W005M~W10M.pdf Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
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BR1005 BR1005 GeneSiC Semiconductor br1005-3480139.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
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GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N-3479579.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 134 Stücke:
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1+53.68 EUR
10+47.63 EUR
100+44.11 EUR
250+44.02 EUR
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.46 EUR
11+6.64 EUR
12+6.18 EUR
50+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf G2R1000MT33J SMD N channel transistors
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G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf G2R120MT33J SMD N channel transistors
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G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf G3R160MT12D THT N channel transistors
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.37 EUR
10+7.38 EUR
11+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J.pdf G3R160MT12J SMD N channel transistors
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G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf G3R160MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.77 EUR
7+10.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf G3R160MT17J SMD N channel transistors
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G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+38.7 EUR
10+37.44 EUR
30+37.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+60.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17K.pdf G3R20MT17K THT N channel transistors
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G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+136.58 EUR
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G3R30MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J.pdf G3R30MT12J SMD N channel transistors
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G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.58 EUR
14+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf G3R40MT12D THT N channel transistors
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R40MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12J.pdf G3R40MT12J SMD N channel transistors
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G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17D.pdf G3R450MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.55 EUR
11+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17J.pdf G3R450MT17J SMD N channel transistors
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.5 EUR
9+7.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17D.pdf G3R45MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+41.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf G3R45MT17K THT N channel transistors
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+38.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.03 EUR
7+11.5 EUR
10+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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G3R75MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1BD40C7&compId=GAP3SLT33-214.pdf?ci_sign=3f7c816d7df04ea04b3ce4c56965ceee66bdb19f Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FF520C7&compId=GB01SLT06-214.pdf?ci_sign=46b721560c9c4ae69c2461509e665c72076e625f Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F0C0C7&compId=GB01SLT12-214.pdf?ci_sign=1a27e0d251e1ef15eaa527409a4d59f19d8e34a1 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT12-252.pdf GB01SLT12-252 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F340C7&compId=GB02SLT12-214.pdf?ci_sign=aa4195c60dcde06bd2fa2d1777fb0c659414c11e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-252.pdf GB02SLT12-252 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB05MPS33-263 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB05MPS33-263.pdf GB05MPS33-263 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB10MPS17-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB10MPS17-247.pdf GB10MPS17-247 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB20SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247.pdf GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
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GB2X100MPS12-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X100MPS12-227.pdf GB2X100MPS12-227 Diode modules
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GB2X50MPS12-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X50MPS12-227.pdf GB2X50MPS12-227 Diode modules
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GB2X50MPS17-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X50MPS17-227.pdf GB2X50MPS17-227 Diode modules
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GB50SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB50SLT12-247.pdf GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
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GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC02MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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GC05MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC05MPS12-252.pdf GC05MPS12-252 SMD Schottky diodes
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GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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GC08MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-252.pdf GC08MPS12-252 SMD Schottky diodes
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GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GC10MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-252.pdf GC10MPS12-252 SMD Schottky diodes
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GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC15MPS12-247.pdf GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.55 EUR
6+12.53 EUR
7+11.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GC20MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-247.pdf GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
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GC2X100MPS06-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X100MPS06-227.pdf GC2X100MPS06-227 Diode modules
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G3F09MT12FB2-T
G3F09MT12FB2-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+245.8 EUR
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G3F18MT12FB4
G3F18MT12FB4
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+232.88 EUR
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G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+232.99 EUR
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G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+175.4 EUR
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MSRTA200100D msrta200100d-3481508.pdf
MSRTA200100D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200140D msrta200140d-3482278.pdf
MSRTA200140D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200120D msrta200120d-3482688.pdf
MSRTA200120D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA20080D msrta20080d-3481365.pdf
MSRTA20080D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200160D msrta200160d-3482600.pdf
MSRTA200160D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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W01M W005M~W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
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BR1005 br1005-3480139.pdf
BR1005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
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GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N-3479579.pdf
GD2X30MPS12N
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+53.68 EUR
10+47.63 EUR
100+44.11 EUR
250+44.02 EUR
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G2R1000MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.46 EUR
11+6.64 EUR
12+6.18 EUR
50+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT33J SMD N channel transistors
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G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R120MT33J SMD N channel transistors
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G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12D THT N channel transistors
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.37 EUR
10+7.38 EUR
11+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12J SMD N channel transistors
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G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.77 EUR
7+10.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17J SMD N channel transistors
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G3R20MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.7 EUR
10+37.44 EUR
30+37.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT12N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+60.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R20MT17K THT N channel transistors
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G3R20MT17N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764
G3R20MT17N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+136.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R30MT12J SMD N channel transistors
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G3R30MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7
G3R350MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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G3R350MT12J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8
G3R350MT12J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.58 EUR
14+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12D THT N channel transistors
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12J SMD N channel transistors
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G3R40MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0
G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.55 EUR
11+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17J SMD N channel transistors
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.5 EUR
9+7.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+41.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R75MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad
G3R75MT12D
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.03 EUR
7+11.5 EUR
10+11.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12J G3R75MT12J.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R75MT12J SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R75MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAP3SLT33-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1BD40C7&compId=GAP3SLT33-214.pdf?ci_sign=3f7c816d7df04ea04b3ce4c56965ceee66bdb19f
GAP3SLT33-214
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT06-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FF520C7&compId=GB01SLT06-214.pdf?ci_sign=46b721560c9c4ae69c2461509e665c72076e625f
GB01SLT06-214
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F0C0C7&compId=GB01SLT12-214.pdf?ci_sign=1a27e0d251e1ef15eaa527409a4d59f19d8e34a1
GB01SLT12-214
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT12-252 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F340C7&compId=GB02SLT12-214.pdf?ci_sign=aa4195c60dcde06bd2fa2d1777fb0c659414c11e
GB02SLT12-214
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB02SLT12-252 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB05MPS33-263 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB10MPS17-247 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X100MPS12-227 Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X50MPS12-227 Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17-227.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X50MPS17-227 Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC05MPS12-252 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC08MPS12-252 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC10MPS12-252 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.55 EUR
6+12.53 EUR
7+11.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227.pdf
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X100MPS06-227 Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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