Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (5802) > Seite 69 nach 97
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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G3R40MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A Case: TO247-3 On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R40MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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G3R40MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 106nC On-state resistance: 40mΩ Drain current: 50A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R450MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 88W Drain-source voltage: 1.7kV Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R450MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 91W Drain-source voltage: 1.7kV Case: TO263-7 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R45MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R45MT17K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R75MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A Case: TO247-3 On-state resistance: 75mΩ Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 54nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R75MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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G3R75MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 54nC On-state resistance: 75mΩ Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GAP3SLT33-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GB01SLT06-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GB01SLT12-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GB01SLT12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 8A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GB02SLT12-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GB02SLT12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 16A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GB05MPS33-263 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GB10MPS17-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GB20SLT12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GB2X50MPS12-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GB2X50MPS17-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GB50SLT12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GC02MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Load current: 2A Max. forward impulse current: 16A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO220-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GC05MPS12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GC08MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GC08MPS12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 60A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GC10MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GC10MPS12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GC15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GC20MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GC20MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GC2X100MPS06-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GC2X10MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GC2X15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GC2X20MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GC2X50MPS06-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GC2X5MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GC2X8MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GD02MPS12E | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 16A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GD05MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GD05MPS17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR | GD05MPS17J SMD Schottky diodes |
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GD10MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GD10MPS12E | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 18A Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 18A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 64A Kind of package: reel; tape Max. load current: 33A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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GD10MPS12H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO247-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 33A Load current: 16A Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 64A Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.9V Anzahl je Verpackung: 600 Stücke |
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GD10MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube Max. load current: 42A Features of semiconductor devices: MPS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 361 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GD15MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 120A Kind of package: tube Max. load current: 63A Features of semiconductor devices: MPS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GD20MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 29A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 128A Kind of package: tube Max. load current: 67A Features of semiconductor devices: MPS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1107 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GD20MPS12H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 27A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 128A Kind of package: tube Max. load current: 67A Features of semiconductor devices: MPS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GD2X100MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Max. forward voltage: 1.8V Load current: 108A x2 Max. load current: 231A Max. forward impulse current: 0.44kA Max. off-state voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GD2X100MPS12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
GD2X150MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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GD2X20MPS12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
GD2X30MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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GD2X30MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Max. forward voltage: 1.5V Load current: 30A x2 Max. load current: 60A Max. forward impulse current: 0.168kA Max. off-state voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GD2X30MPS12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
GD2X60MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
GD2X75MPS17N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
GD30MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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GD30MPS06H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R40MT12D |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 18.55 EUR |
5+ | 17.53 EUR |
30+ | 16.86 EUR |
G3R40MT12J |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12J SMD N channel transistors
G3R40MT12J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
G3R40MT12K |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 18.68 EUR |
G3R450MT17D |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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9+ | 8.18 EUR |
12+ | 6.08 EUR |
G3R450MT17J |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.72 EUR |
G3R45MT17D |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
G3R45MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 41.54 EUR |
G3R45MT17K |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
G3R45MT17K THT N channel transistors
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 38.15 EUR |
G3R75MT12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.6 EUR |
10+ | 11.15 EUR |
G3R75MT12J |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R75MT12J SMD N channel transistors
G3R75MT12J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
G3R75MT12K |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10.08 EUR |
GAP3SLT33-214 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB01SLT06-214 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB01SLT12-214 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB01SLT12-252 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB02SLT12-214 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB02SLT12-252 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB05MPS33-263 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB05MPS33-263 SMD Schottky diodes
GB05MPS33-263 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB10MPS17-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB10MPS17-247 THT Schottky diodes
GB10MPS17-247 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB20SLT12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X100MPS12-227 Diode modules
GB2X100MPS12-227 Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X50MPS12-227 Diode modules
GB2X50MPS12-227 Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB2X50MPS17-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X50MPS17-227 Diode modules
GB2X50MPS17-227 Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GB50SLT12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GC02MPS12-220 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.94 EUR |
12+ | 5.96 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
GC05MPS12-252 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GC08MPS12-220 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC08MPS12-220 THT Schottky diodes
GC08MPS12-220 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GC08MPS12-252 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GC10MPS12-220 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC10MPS12-220 THT Schottky diodes
GC10MPS12-220 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GC10MPS12-252 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GC15MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.55 EUR |
6+ | 12.53 EUR |
7+ | 11.85 EUR |
GC20MPS12-220 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC20MPS12-220 THT Schottky diodes
GC20MPS12-220 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GC20MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GC2X100MPS06-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X100MPS06-227 Diode modules
GC2X100MPS06-227 Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GC2X10MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.54 EUR |
8+ | 9.55 EUR |
GC2X15MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.09 EUR |
6+ | 12.34 EUR |
7+ | 11.67 EUR |
GC2X20MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X20MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X20MPS12-247 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GC2X50MPS06-227 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X50MPS06-227 Diode modules
GC2X50MPS06-227 Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GC2X5MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.41 EUR |
12+ | 6.12 EUR |
13+ | 5.79 EUR |
GC2X8MPS12-247 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.37 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
GD02MPS12E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD05MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD05MPS17H THT Schottky diodes
GD05MPS17H THT Schottky diodes
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.84 EUR |
12+ | 6.11 EUR |
13+ | 5.78 EUR |
2520+ | 5.56 EUR |
GD05MPS17J |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD05MPS17J SMD Schottky diodes
GD05MPS17J SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD10MPS12A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD10MPS12A THT Schottky diodes
GD10MPS12A THT Schottky diodes
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.75 EUR |
17+ | 4.23 EUR |
18+ | 4 EUR |
GD10MPS12E |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 18A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 33A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 18A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 33A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD10MPS12H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD10MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.28 EUR |
9+ | 8.24 EUR |
10+ | 7.79 EUR |
120+ | 7.49 EUR |
GD15MPS17H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.68 EUR |
GD20MPS12A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.89 EUR |
14+ | 5.18 EUR |
GD20MPS12H |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.11 EUR |
10+ | 7.55 EUR |
11+ | 7.14 EUR |
30+ | 6.98 EUR |
120+ | 6.86 EUR |
GD2X100MPS06N |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 108A x2
Max. load current: 231A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 108A x2
Max. load current: 231A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 56.94 EUR |
GD2X100MPS12N |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X100MPS12N Diode modules
GD2X100MPS12N Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD2X150MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X150MPS06N Diode modules
GD2X150MPS06N Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD2X20MPS12D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X20MPS12D THT Schottky diodes
GD2X20MPS12D THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD2X30MPS06D |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X30MPS06D THT Schottky diodes
GD2X30MPS06D THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD2X30MPS06N |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 25.38 EUR |
10+ | 25.2 EUR |
GD2X30MPS12N |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X30MPS12N Diode modules
GD2X30MPS12N Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD2X60MPS06N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X60MPS06N Diode modules
GD2X60MPS06N Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD2X75MPS17N |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X75MPS17N Diode modules
GD2X75MPS17N Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD30MPS06A |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD30MPS06A THT Schottky diodes
GD30MPS06A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
GD30MPS06H |
![]() |
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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11+ | 6.69 EUR |
12+ | 6.39 EUR |
30+ | 6.15 EUR |