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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUR2X030A12 MUR2X030A12 GeneSiC Semiconductor mur2x030a12-612642.pdf Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X030A12 MUR2X030A12 GeneSiC Semiconductor mur2x030a12.pdf Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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 Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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MUR2X060A02 MUR2X060A02 GeneSiC Semiconductor mur2x060a02.pdf Diode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 103 Stücke:
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MUR2X060A04 MUR2X060A04 GeneSiC Semiconductor mur2x060a04.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X060A04 MUR2X060A04 GeneSiC Semiconductor mur2x060a04-2452459.pdf Discrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X060A06 MUR2X060A06 GeneSiC Semiconductor mur2x060a06.pdf Diode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X060A10 MUR2X060A10 GeneSiC Semiconductor mur2x060a10.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR2X060A10 MUR2X060A10 GeneSiC Semiconductor mur2x060a10-2452182.pdf Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X060A12 MUR2X060A12 GeneSiC Semiconductor mur2x060a12-2452288.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X060A12 MUR2X060A12 GeneSiC Semiconductor mur2x060a12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
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 Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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MUR2X100A02 MUR2X100A02 GeneSiC Semiconductor mur2x100a02.pdf Diode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X100A04 MUR2X100A04 GeneSiC Semiconductor mur2x100a04.pdf Diode Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X100A06 MUR2X100A06 GeneSiC Semiconductor mur2x100a06-2452291.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X100A06 MUR2X100A06 GeneSiC Semiconductor mur2x100a06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR2X100A10 MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor mur2x100a10-2451668.pdf Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X100A10 MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor mur2x100a10.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR2X100A12 MUR2X100A12 GeneSiC Semiconductor mur2x100a12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
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MUR2X100A12 MUR2X100A12 GeneSiC Semiconductor mur2x100a12-2452599.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X120A02 MUR2X120A02 GeneSiC Semiconductor mur2x120a02.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X120A02 MUR2X120A02 GeneSiC Semiconductor mur2x120a02-2452250.pdf Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X120A04 MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor mur2x120a04.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR2X120A04 MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor mur2x120a04-2452294.pdf Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X120A06 MUR2X120A06 GeneSiC Semiconductor mur2x120a06-2451820.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X120A06 MUR2X120A06 GeneSiC Semiconductor mur2x120a06.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X120A10 MUR2X120A10 GeneSiC Semiconductor mur2x120a10.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X120A10 MUR2X120A10 GeneSiC Semiconductor mur2x120a10-2452602.pdf Discrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X120A12 MUR2X120A12 GeneSiC Semiconductor mur2x120a12-2452296.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A12 MUR2X120A12 GeneSiC Semiconductor mur2x120a12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR30005CT MUR30005CT GeneSiC Semiconductor mur30005ct_thru_mur30020ctr-475474.pdf Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
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MUR30005CT GeneSiC Semiconductor mur30005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MUR30005CTR GeneSiC Semiconductor mur30005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MUR30005CTR MUR30005CTR GeneSiC Semiconductor mur30005ct_thru_mur30020ctr-475474.pdf Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MUR30010CT GeneSiC Semiconductor mur30005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR30010CT MUR30010CT GeneSiC Semiconductor mur30010ct-3481382.pdf Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30010CTR MUR30010CTR GeneSiC Semiconductor mur30010ctr-3482448.pdf Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30010CTR GeneSiC Semiconductor mur30005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30020CT MUR30020CT GeneSiC Semiconductor mur30020ct-3480884.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30020CT GeneSiC Semiconductor mur30005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30020CTR GeneSiC Semiconductor mur30005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30020CTR MUR30020CTR GeneSiC Semiconductor mur30020ctr-3482523.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30040CT GeneSiC Semiconductor mur30040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30040CT MUR30040CT GeneSiC Semiconductor mur30040ct-3482646.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30040CTR GeneSiC Semiconductor mur30040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30040CTR MUR30040CTR GeneSiC Semiconductor mur30040ctr-3481525.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30060CT MUR30060CT GeneSiC Semiconductor mur30060ct-3482195.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30060CT GeneSiC Semiconductor mur30040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30060CTR MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor mur30060ctr-3481623.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor mur30040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR40005CT GeneSiC Semiconductor mur40005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR40005CT MUR40005CT GeneSiC Semiconductor mur40005ct-3480302.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR40005CTR GeneSiC Semiconductor mur40005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MUR40005CTR MUR40005CTR GeneSiC Semiconductor mur40005ctr-3480344.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
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MUR40010CT MUR40010CT GeneSiC Semiconductor mur40010ct-3482647.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
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MUR40010CT GeneSiC Semiconductor mur40005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR40010CTR MUR40010CTR GeneSiC Semiconductor mur40010ctr-3482796.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
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MUR40010CTR GeneSiC Semiconductor mur40005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR40020CT MUR40020CT GeneSiC Semiconductor mur40020ct-3482571.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
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MUR40020CT GeneSiC Semiconductor mur40005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR40020CTR GeneSiC Semiconductor mur40005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MUR40020CTR MUR40020CTR GeneSiC Semiconductor mur40020ctr-3481864.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
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MUR2X030A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X030A12 mur2x030a12.pdf
MUR2X030A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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MUR2X060A02 mur2x060a02.pdf
MUR2X060A02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery
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1+85.13 EUR
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MUR2X060A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X060A04 mur2x060a04-2452459.pdf
MUR2X060A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X060A06 mur2x060a06.pdf
MUR2X060A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 58 Stücke:
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MUR2X060A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
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MUR2X060A10 mur2x060a10-2452182.pdf
MUR2X060A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X060A12 mur2x060a12-2452288.pdf
MUR2X060A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X060A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
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Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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MUR2X100A02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+96.89 EUR
25+95.35 EUR
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MUR2X100A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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MUR2X100A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X100A06 mur2x100a06.pdf
MUR2X100A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR2X100A10 mur2x100a10-2451668.pdf
MUR2X100A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X100A10 mur2x100a10.pdf
MUR2X100A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR2X100A12 mur2x100a12.pdf
MUR2X100A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR2X100A12 mur2x100a12-2452599.pdf
MUR2X100A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X120A02 mur2x120a02.pdf
MUR2X120A02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A02 mur2x120a02-2452250.pdf
MUR2X120A02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery
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MUR2X120A04 mur2x120a04.pdf
MUR2X120A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MUR2X120A04 mur2x120a04-2452294.pdf
MUR2X120A04
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A06 mur2x120a06-2451820.pdf
MUR2X120A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A06 mur2x120a06.pdf
MUR2X120A06
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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MUR2X120A10 mur2x120a10.pdf
MUR2X120A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A10 mur2x120a10-2452602.pdf
MUR2X120A10
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A12 mur2x120a12-2452296.pdf
MUR2X120A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR2X120A12 mur2x120a12.pdf
MUR2X120A12
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30005CT mur30005ct_thru_mur30020ctr-475474.pdf
MUR30005CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30005CT mur30005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30005CTR mur30005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30005CTR mur30005ct_thru_mur30020ctr-475474.pdf
MUR30005CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30010CT mur30005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30010CT mur30010ct-3481382.pdf
MUR30010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30010CTR mur30010ctr-3482448.pdf
MUR30010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30010CTR mur30005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30020CT mur30020ct-3480884.pdf
MUR30020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30020CT mur30005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30020CTR mur30005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30020CTR mur30020ctr-3482523.pdf
MUR30020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30040CT mur30040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR30040CT mur30040ct-3482646.pdf
MUR30040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR30040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR30060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR30060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR40005CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR40005CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR40010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR40010CT mur40005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUR40010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR40020CT mur40020ct-3482571.pdf
MUR40020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR40020CTR mur40005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
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MUR40020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
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