Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4237) > Seite 57 nach 71

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MSRT200160(A) MSRT200160(A) GeneSiC Semiconductor msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
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MSRT200160A MSRT200160A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT200160(A) MSRT200160(A) GeneSiC Semiconductor msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
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MSRT200160AD MSRT200160AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
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MSRT200160(A)D MSRT200160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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MSRT200160(A)D MSRT200160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Diode Modules 1600V 200A Forward
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MSRT20060A MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT20060(A) MSRT20060(A) GeneSiC Semiconductor MSRT20060~200100(A).pdf Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
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MSRT20060(A)D MSRT20060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060ad_thru_msrt200100ad-1132254.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Forward
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MSRT20060(A)D MSRT20060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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MSRT20060AD MSRT20060AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT20060D GeneSiC Semiconductor msrt20060d.pdf Description: 600V 200A THREE TOWER SILICON RE
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT20060D MSRT20060D GeneSiC Semiconductor msrt20060d-2452235.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRT20080(A) MSRT20080(A) GeneSiC Semiconductor msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
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MSRT20080AD MSRT20080AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 800V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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MSRT20080(A)D MSRT20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060ad_thru_msrt200100ad-1132254.pdf Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Forward
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MSRT20080(A)D MSRT20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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MSRT20080D MSRT20080D GeneSiC Semiconductor msrt20080d-2452238.pdf Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRT20080D GeneSiC Semiconductor MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Packaging: Bulk
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MSRT250100(A) MSRT250100(A) GeneSiC Semiconductor msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
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MSRT250100A MSRT250100A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
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MSRT250120(A) MSRT250120(A) GeneSiC Semiconductor msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
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MSRT250140(A) MSRT250140(A) GeneSiC Semiconductor msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
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MSRT250160(A) MSRT250160(A) GeneSiC Semiconductor msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
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MSRT25060(A) MSRT25060(A) GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
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MSRT25080(A) MSRT25080(A) GeneSiC Semiconductor msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
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MSRTA200100(A)D MSRTA200100(A)D GeneSiC Semiconductor msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf Diode Modules 1000V 200A Forward
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MSRTA200100(A)D MSRTA200100(A)D GeneSiC Semiconductor msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200100D MSRTA200100D GeneSiC Semiconductor msrta200100d-3481508.pdf Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200120(A)D MSRTA200120(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Diode Modules 1200V 200A Forward
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MSRTA200120(A)D MSRTA200120(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200120D MSRTA200120D GeneSiC Semiconductor msrta200120d-3482688.pdf Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200140(A)D MSRTA200140(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200140(A)D MSRTA200140(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Diode Modules 1400V 200A Forward
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MSRTA200140D MSRTA200140D GeneSiC Semiconductor msrta200140d-3482278.pdf Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200160(A)D MSRTA200160(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Diode Modules 1600V 200A Forward
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MSRTA200160(A)D MSRTA200160(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200160D MSRTA200160D GeneSiC Semiconductor msrta200160d-3482600.pdf Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA20060(A)D MSRTA20060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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MSRTA20060(A)D MSRTA20060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf Diode Modules 600V 200A Forward
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MSRTA20060D MSRTA20060D GeneSiC Semiconductor msrta20060d.pdf Diode Modules 600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA20080(A)D MSRTA20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200100(a)d.pdf Diode Modules 800V 200A Forward
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MSRTA20080(A)D MSRTA20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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MSRTA20080D MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor msrta20080d-3481365.pdf Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA300100(A)D MSRTA300100(A)D GeneSiC Semiconductor threetower-1133050.pdf Rectifiers 1000V 300A Forward
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MSRTA300100(A)D MSRTA300100(A)D GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
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MSRTA300120(A)D MSRTA300120(A)D GeneSiC Semiconductor msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf Rectifiers 1200V 300A Forward
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MSRTA300120(A)D MSRTA300120(A)D GeneSiC Semiconductor msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
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MSRTA300140(A)D MSRTA300140(A)D GeneSiC Semiconductor msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf Rectifiers 1400V 300A Forward
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MSRTA300140(A)D MSRTA300140(A)D GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
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MSRTA300160(A)D MSRTA300160(A)D GeneSiC Semiconductor msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
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MSRTA300160(A)D MSRTA300160(A)D GeneSiC Semiconductor msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching 1600V 300A Forward
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MSRTA300160D MSRTA300160D GeneSiC Semiconductor msrta300160d-2451954.pdf Discrete Semiconductor Modules 1600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA30060(A) MSRTA30060(A) GeneSiC Semiconductor msrta30020a_thru_msrta30060a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
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MSRTA30060(A)D MSRTA30060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
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MSRTA30060(A)D MSRTA30060(A)D GeneSiC Semiconductor msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf Diode Modules 600V 300A Forward
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MSRTA30060D MSRTA30060D GeneSiC Semiconductor msrta30060d-3482793.pdf Diode Modules 600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA30080(A) MSRTA30080(A) GeneSiC Semiconductor www.genesicsemi.com Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
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MSRTA30080A MSRTA30080A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 800V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MSRTA30080(A)D MSRTA30080(A)D GeneSiC Semiconductor www.genesicsemi.com Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
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MSRT200160(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf
MSRT200160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
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MSRT200160A
MSRT200160A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT200160(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf
MSRT200160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRT200160AD
MSRT200160AD
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
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MSRT200160(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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MSRT200160(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Forward
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MSRT20060A MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf
MSRT20060A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT20060(A) MSRT20060~200100(A).pdf
MSRT20060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
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MSRT20060(A)D msrt20060ad_thru_msrt200100ad-1132254.pdf
MSRT20060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Forward
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MSRT20060(A)D msrt200100(a)d.pdf
MSRT20060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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MSRT20060AD
MSRT20060AD
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT20060D msrt20060d.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 600V 200A THREE TOWER SILICON RE
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MSRT20060D msrt20060d-2452235.pdf
MSRT20060D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRT20080(A) msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf
MSRT20080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
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MSRT20080AD
MSRT20080AD
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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MSRT20080(A)D msrt20060ad_thru_msrt200100ad-1132254.pdf
MSRT20080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Forward
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MSRT20080(A)D msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf
MSRT20080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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MSRT20080D msrt20080d-2452238.pdf
MSRT20080D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRT20080D MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Packaging: Bulk
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MSRT250100(A) msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf
MSRT250100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
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MSRT250100A
MSRT250100A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
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MSRT250120(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf
MSRT250120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
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MSRT250140(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf
MSRT250140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
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MSRT250160(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf
MSRT250160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
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MSRT25060(A)
MSRT25060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
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MSRT25080(A) msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf
MSRT25080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
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MSRTA200100(A)D msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf
MSRTA200100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Forward
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MSRTA200100(A)D msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf
MSRTA200100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200100D msrta200100d-3481508.pdf
MSRTA200100D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200120(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Forward
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MSRTA200120(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200120D msrta200120d-3482688.pdf
MSRTA200120D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200140(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200140(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Forward
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MSRTA200140D msrta200140d-3482278.pdf
MSRTA200140D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA200160(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Forward
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MSRTA200160(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200160D msrta200160d-3482600.pdf
MSRTA200160D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA20060(A)D msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf
MSRTA20060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
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MSRTA20060(A)D msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf
MSRTA20060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Forward
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MSRTA20060D msrta20060d.pdf
MSRTA20060D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA20080(A)D msrta200100(a)d.pdf
MSRTA20080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Forward
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MSRTA20080(A)D msrta200100(a)d.pdf
MSRTA20080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
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MSRTA20080D msrta20080d-3481365.pdf
MSRTA20080D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA300100(A)D threetower-1133050.pdf
MSRTA300100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 300A Forward
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MSRTA300100(A)D threetower.pdf
MSRTA300100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
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MSRTA300120(A)D msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf
MSRTA300120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 300A Forward
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MSRTA300120(A)D msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf
MSRTA300120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
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MSRTA300140(A)D msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf
MSRTA300140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1400V 300A Forward
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MSRTA300140(A)D threetower.pdf
MSRTA300140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
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MSRTA300160(A)D msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf
MSRTA300160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
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MSRTA300160(A)D msrta300120ad_thru_msrta300160ad-1133235.pdf
MSRTA300160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching 1600V 300A Forward
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MSRTA300160D msrta300160d-2451954.pdf
MSRTA300160D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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MSRTA30060(A) msrta30020a_thru_msrta30060a.pdf
MSRTA30060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
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MSRTA30060(A)D msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf
MSRTA30060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA30060(A)D msrta30060(a)d_thru_msrta300100(a)d.pdf
MSRTA30060(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Forward
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MSRTA30060D msrta30060d-3482793.pdf
MSRTA30060D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA30080(A) www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
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MSRTA30080A
MSRTA30080A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA30080(A)D www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
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