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MSRTA500120(A) MSRTA500120(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
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MSRTA500140(A) MSRTA500140(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
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MSRTA500160(A) MSRTA500160(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
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MSRTA50060(A) MSRTA50060(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
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MSRTA50080(A) MSRTA50080(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
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MSRTA6001 MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
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MSRTA600100(A) MSRTA600100(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
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MSRTA600100A MSRTA600100A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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MSRTA600120(A) MSRTA600120(A) GeneSiC Semiconductor msrta600120a_thru_msrta600160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
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MSRTA600140(A) MSRTA600140(A) GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
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MSRTA6001R MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
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MSRTA60060(A) MSRTA60060(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
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MSRTA60080(A) MSRTA60080(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
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MUR10005CT MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct-3480606.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
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MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR10005CTR MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
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MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR10010CT MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10010ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
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MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CTR MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10010ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
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MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
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MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10020ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+121.14 EUR
10+104.86 EUR
25+98.52 EUR
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MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR10020CTR MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor mur10020ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
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MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR10040CT MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CT MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CT MUR20005CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct-3480153.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ctr-3480551.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CT MUR20010CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CT MUR20010CT GeneSiC Semiconductor mur20010ct-3481743.pdf Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CTR MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CTR MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor mur20010ctr-3481513.pdf Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT MUR20020CT GeneSiC Semiconductor mur20020ct-3482192.pdf Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+176.69 EUR
10+164.4 EUR
25+160.16 EUR
40+160.14 EUR
120+160.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+178.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT MUR20020CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Diode Switching 200V 200A 3-Pin Twin Tower
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CTR MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor mur20020ctr-3482794.pdf Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20040CT MUR20040CT GeneSiC Semiconductor mur20060ctr.pdf Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20040CT MUR20040CT GeneSiC Semiconductor mur20040ct-3482093.pdf Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20040CT GeneSiC Semiconductor mur20040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20040CTR GeneSiC Semiconductor mur20040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20040CTR MUR20040CTR GeneSiC Semiconductor mur20040ctr-3481210.pdf Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20060CT MUR20060CT GeneSiC Semiconductor mur20060ct-3482645.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+176.7 EUR
10+155.2 EUR
25+147.38 EUR
40+147.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20060CT GeneSiC Semiconductor mur20040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor mur20040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR20060CTR MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor mur20060ctr-3482287.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
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MUR2505 MUR2505 GeneSiC Semiconductor mur2505-2453628.pdf Rectifiers 50V 25A Super Fast Recovery
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.71 EUR
10+19.76 EUR
25+18.36 EUR
100+16.74 EUR
250+14.47 EUR
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MUR2505 GeneSiC Semiconductor mur2505.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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MUR2505R MUR2505R GeneSiC Semiconductor mur2505r-2453515.pdf Rectifiers 50V 25A REV Leads Super Fast Recovery
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MUR2505R GeneSiC Semiconductor mur2505.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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MSRTA500120(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
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MSRTA500140(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
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MSRTA500160(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
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MSRTA50060(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA50060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA50080(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA50080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
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MSRTA6001 threetower.pdf
MSRTA6001
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
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MSRTA600100(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA600100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
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MSRTA600100A MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf
MSRTA600100A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600120(A) msrta600120a_thru_msrta600160a.pdf
MSRTA600120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600140(A)
MSRTA600140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
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MSRTA6001R threetower.pdf
MSRTA6001R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
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MSRTA60060(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA60060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
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MSRTA60080(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA60080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
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MUR10005CT mur10005ct-3480606.pdf
MUR10005CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
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MUR10005CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR10005CTR mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10005CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
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MUR10010CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR10010CT mur10010ct.pdf
MUR10010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
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MUR10010CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR10010CTR mur10010ctr.pdf
MUR10010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
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MUR10020CT mur10005ct.pdf
MUR10020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
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MUR10020CT mur10020ct.pdf
MUR10020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+121.14 EUR
10+104.86 EUR
25+98.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR mur10020ctr.pdf
MUR10020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT mur10040ct.pdf
MUR10040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR mur10040ctr.pdf
MUR10040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CT mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CT mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CT mur20005ct-3480153.pdf
MUR20005CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CT mur20005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR mur20005ctr-3480551.pdf
MUR20005CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR mur20005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CT mur20005ct.pdf
MUR20010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CT mur20010ct-3481743.pdf
MUR20010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CTR mur20005ct.pdf
MUR20010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CTR mur20010ctr-3481513.pdf
MUR20010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT mur20020ct-3482192.pdf
MUR20020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+176.69 EUR
10+164.4 EUR
25+160.16 EUR
40+160.14 EUR
120+160.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT mur20005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR20020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 200A 3-Pin Twin Tower
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR20020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
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MUR20040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower
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MUR20040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR20040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
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MUR20060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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MUR20060CTR mur20060ctr-3482287.pdf
MUR20060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
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MUR2505
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 25A Super Fast Recovery
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100+16.74 EUR
250+14.47 EUR
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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MUR2505R mur2505r-2453515.pdf
MUR2505R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 25A REV Leads Super Fast Recovery
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MUR2505R mur2505.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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