Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4237) > Seite 58 nach 71

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 7 14 21 28 35 42 49 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 70 71  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MSRTA30080(A)D MSRTA30080(A)D GeneSiC Semiconductor www.genesicsemi.com Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA30080D MSRTA30080D GeneSiC Semiconductor msrta30080d-3482083.pdf Diode Modules 800V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400100(A) MSRTA400100(A) GeneSiC Semiconductor msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400100A MSRTA400100A GeneSiC Semiconductor MSRTA40060%28A%29%7EMSRTA400100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400120(A) MSRTA400120(A) GeneSiC Semiconductor MSRTA400120(A)~MSRTA400160(A).pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400120A MSRTA400120A GeneSiC Semiconductor MSRTA400120%28A%29%7EMSRTA400160%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1200V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400140(A) MSRTA400140(A) GeneSiC Semiconductor msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400160(A) MSRTA400160(A) GeneSiC Semiconductor msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA40060(A) MSRTA40060(A) GeneSiC Semiconductor msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA40080(A) MSRTA40080(A) GeneSiC Semiconductor Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500100(A) MSRTA500100(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500100A MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500120(A) MSRTA500120(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500140(A) MSRTA500140(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500160(A) MSRTA500160(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA50060(A) MSRTA50060(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA50080(A) MSRTA50080(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA6001 MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600100(A) MSRTA600100(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600100A MSRTA600100A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600120(A) MSRTA600120(A) GeneSiC Semiconductor msrta600120a_thru_msrta600160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600140(A) MSRTA600140(A) GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA6001R MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA60060(A) MSRTA60060(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA60080(A) MSRTA60080(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CT MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct-3480606.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CTR MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CT MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10010ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CTR MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10010ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10020ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+121.14 EUR
10+104.86 EUR
25+98.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor mur10020ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CT MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CT MUR20005CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct-3480153.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ctr-3480551.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CT MUR20010CT GeneSiC Semiconductor mur20010ct-3481743.pdf Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CT MUR20010CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CTR MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CTR MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor mur20010ctr-3481513.pdf Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+178.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT MUR20020CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Diode Switching 200V 200A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT MUR20020CT GeneSiC Semiconductor mur20020ct-3482192.pdf Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+176.69 EUR
10+164.4 EUR
25+160.16 EUR
40+160.14 EUR
120+160.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CTR MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor mur20020ctr-3482794.pdf Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20040CT MUR20040CT GeneSiC Semiconductor mur20040ct-3482093.pdf Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA30080(A)D www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA30080D msrta30080d-3482083.pdf
MSRTA30080D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400100(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf
MSRTA400100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400100A MSRTA40060%28A%29%7EMSRTA400100%28A%29.pdf
MSRTA400100A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400120(A) MSRTA400120(A)~MSRTA400160(A).pdf
MSRTA400120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400120A MSRTA400120%28A%29%7EMSRTA400160%28A%29.pdf
MSRTA400120A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400140(A) msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf
MSRTA400140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA400160(A) msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf
MSRTA400160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA40060(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf
MSRTA40060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA40080(A)
MSRTA40080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500100(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA500100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500100A
MSRTA500100A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500120(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500140(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA500160(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA50060(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA50060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA50080(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA50080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA6001 threetower.pdf
MSRTA6001
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600100(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA600100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600100A MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf
MSRTA600100A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600120(A) msrta600120a_thru_msrta600160a.pdf
MSRTA600120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA600140(A)
MSRTA600140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA6001R threetower.pdf
MSRTA6001R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA60060(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA60060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSRTA60080(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA60080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CT mur10005ct-3480606.pdf
MUR10005CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10005CTR mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10005CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CT mur10010ct.pdf
MUR10010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CTR mur10010ctr.pdf
MUR10010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10010CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT mur10005ct.pdf
MUR10020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT mur10020ct.pdf
MUR10020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+121.14 EUR
10+104.86 EUR
25+98.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CT mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR mur10005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10020CTR mur10020ctr.pdf
MUR10020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT mur10040ct.pdf
MUR10040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CT mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR mur10040ctr.pdf
MUR10040CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10040CTR mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CT mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CT mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10060CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR mur10040ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR10060CTR mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10060CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CT mur20005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CT mur20005ct-3480153.pdf
MUR20005CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR mur20005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20005CTR mur20005ctr-3480551.pdf
MUR20005CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CT mur20010ct-3481743.pdf
MUR20010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CT mur20005ct.pdf
MUR20010CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CTR mur20005ct.pdf
MUR20010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20010CTR mur20010ctr-3481513.pdf
MUR20010CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT mur20005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+178.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT mur20005ct.pdf
MUR20020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 200A 3-Pin Twin Tower
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CT mur20020ct-3482192.pdf
MUR20020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+176.69 EUR
10+164.4 EUR
25+160.16 EUR
40+160.14 EUR
120+160.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CTR mur20020ctr-3482794.pdf
MUR20020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20020CTR mur20005ct.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR20040CT mur20040ct-3482093.pdf
MUR20040CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 7 14 21 28 35 42 49 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 70 71  [ Nächste Seite >> ]