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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
1N6098R GeneSiC Semiconductor 1n6097.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 30 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6098R 1N6098R GeneSiC Semiconductor 1n6097.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8024-GA 1N8024-GA GeneSiC Semiconductor 1N8024-GA.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.74 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8025 GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8026-GA 1N8026-GA GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8027 GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
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1N8028-GA 1N8028-GA GeneSiC Semiconductor 1N8028-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
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1N8029 GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
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1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 9733158768511141n8030-ga.pdf Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
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1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
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1N8031-GA 1N8031-GA GeneSiC Semiconductor 1N8031-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
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1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 9732867828337061n8032-ga.pdf Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
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1N8033-GA 1N8033-GA GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1N8034-GA 1N8034-GA GeneSiC Semiconductor 1N8034-GA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8035-GA 1N8035-GA GeneSiC Semiconductor 1N8035-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N827ARL GeneSiC Semiconductor 1N827ARL^GENESIC
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2N7635-GA 2N7635-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7637-GA 2N7637-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7638-GA 2N7638-GA GeneSiC Semiconductor 2N7638-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor 2N7639-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor 2N7640-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
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2W005M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2W01M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W01M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W02M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W02M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W04M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W04M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W06M GeneSiC Semiconductor 2w06m_thru_2w10m-1133748.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W08M GeneSiC Semiconductor 2w06m_thru_2w10m-1133748.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W10M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR1005 BR1005 GeneSiC Semiconductor br1005.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.39 EUR
25+2.13 EUR
100+1.85 EUR
200+1.56 EUR
600+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR101 BR101 GeneSiC Semiconductor br101.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR101 GeneSiC Semiconductor br1005.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 10A BR-10
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR1010 BR1010 GeneSiC Semiconductor br1010.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V10A 1KP/700
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR102 BR102 GeneSiC Semiconductor br102.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR102 GeneSiC Semiconductor br1005.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR104 GeneSiC Semiconductor br1005.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.2 EUR
10+2.41 EUR
25+2.15 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR104 BR104 GeneSiC Semiconductor br104.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.39 EUR
25+2.13 EUR
100+1.8 EUR
200+1.48 EUR
600+1.43 EUR
1000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR106 GeneSiC Semiconductor br1010.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR106 BR106 GeneSiC Semiconductor br106.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420
auf Bestellung 4840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.2 EUR
10+2.41 EUR
25+2.15 EUR
100+1.88 EUR
200+1.78 EUR
600+1.48 EUR
1000+1.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR108 BR108 GeneSiC Semiconductor br108.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR108 GeneSiC Semiconductor br1010.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR108 BR108 GeneSiC Semiconductor br108.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR305 BR305 GeneSiC Semiconductor br305.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R
auf Bestellung 6810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.68 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
600+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2600+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR305 GeneSiC Semiconductor br305.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A BR-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-3
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-3
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR31 GeneSiC Semiconductor br305_thru_br34.pdf Description: DIODE BRIDGE 100V 3A BR-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR310 BR310 GeneSiC Semiconductor br310.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 1KP/700
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR32 GeneSiC Semiconductor br305_thru_br34.pdf Description: DIODE BRIDGE 200V 3A BR-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR32 BR32 GeneSiC Semiconductor br32.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR34 BR34 GeneSiC Semiconductor br34-2450580.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 400P/280R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR34 GeneSiC Semiconductor br305.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A BR-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-3
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-3
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR36 BR36 GeneSiC Semiconductor br36-3477635.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 600P/420R
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.74 EUR
25+1.53 EUR
100+1.23 EUR
200+1.07 EUR
600+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR36 GeneSiC Semiconductor br36_thru_br310.pdf Description: DIODE BRIDGE 600V 3A BR-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR38 BR38 GeneSiC Semiconductor br38-3477872.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 800P/560R
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BR38 GeneSiC Semiconductor br36_thru_br310.pdf Description: DIODE BRIDGE 800V 3A BR-3
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BR605 BR605 GeneSiC Semiconductor br605-3477283.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 50P/35R
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1N6098R 1n6097.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 30 V
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1N6098R 1n6097.pdf
1N6098R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
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1N8024-GA 1N8024-GA.pdf
1N8024-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.74 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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1N8025
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.
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1N8026-GA 1N8026-GA.pdf
1N8026-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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1N8027
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
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1N8028-GA 1N8028-GA.pdf
1N8028-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
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1N8029
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
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1N8030-GA 9733158768511141n8030-ga.pdf
1N8030-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
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1N8030-GA 1N8030-GA.pdf
1N8030-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
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1N8031-GA 1N8031-GA.pdf
1N8031-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
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1N8032-GA 9732867828337061n8032-ga.pdf
1N8032-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
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1N8032-GA 1N8032-GA.pdf
1N8032-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
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1N8033-GA 1N8033-GA.pdf
1N8033-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
auf Bestellung 4 Stücke:
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1N8034-GA 1N8034-GA.pdf
1N8034-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
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1N8035-GA 1N8035-GA.pdf
1N8035-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1N827ARL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1N827ARL^GENESIC
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2N7635-GA
2N7635-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
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2N7636-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
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2N7637-GA
2N7637-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7638-GA 2N7638-GA.pdf
2N7638-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7639-GA 2N7639-GA.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7640-GA 2N7640-GA.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
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2W005M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
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2W01M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W02M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W02M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W04M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W04M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2W06M 2w06m_thru_2w10m-1133748.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 600P/420R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W08M 2w06m_thru_2w10m-1133748.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 800P/560R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W08M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W10M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 1KP/700R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR1005 br1005.pdf
BR1005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+2.39 EUR
25+2.13 EUR
100+1.85 EUR
200+1.56 EUR
600+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR101 br101.pdf
BR101
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR101 br1005.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 10A BR-10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR1010 br1010.pdf
BR1010
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V10A 1KP/700
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR102 br102.pdf
BR102
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR102 br1005.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR104 br1005.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.2 EUR
10+2.41 EUR
25+2.15 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR104 br104.pdf
BR104
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+2.39 EUR
25+2.13 EUR
100+1.8 EUR
200+1.48 EUR
600+1.43 EUR
1000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR106 br1010.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR106 br106.pdf
BR106
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420
auf Bestellung 4840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.2 EUR
10+2.41 EUR
25+2.15 EUR
100+1.88 EUR
200+1.78 EUR
600+1.48 EUR
1000+1.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR108 br108.pdf
BR108
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR108 br1010.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR108 br108.pdf
BR108
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR305 br305.pdf
BR305
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R
auf Bestellung 6810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.39 EUR
10+1.68 EUR
25+1.46 EUR
100+1.18 EUR
600+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2600+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR305 br305.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A BR-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-3
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-3
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR31 br305_thru_br34.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 100V 3A BR-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR310 br310.pdf
BR310
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 1KP/700
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR32 br305_thru_br34.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 200V 3A BR-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR32 br32.pdf
BR32
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR34 br34-2450580.pdf
BR34
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 400P/280R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR34 br305.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A BR-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-3
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-3
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR36 br36-3477635.pdf
BR36
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 600P/420R
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.48 EUR
10+1.74 EUR
25+1.53 EUR
100+1.23 EUR
200+1.07 EUR
600+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR36 br36_thru_br310.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 600V 3A BR-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR38 br38-3477872.pdf
BR38
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 800P/560R
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.48 EUR
10+1.74 EUR
25+1.53 EUR
100+1.23 EUR
200+1.07 EUR
600+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR38 br36_thru_br310.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 800V 3A BR-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR605 br605-3477283.pdf
BR605
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 50P/35R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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