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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
1N5830 1N5830 GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf 5867-1n5829-31-datasheet 1N5829-1N5831-ssi.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 25V - 25A Schottky Rectifier
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 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5830 GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5830R 1N5830R GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 25V - 25A Schottky Rectifier
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 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5830R GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 25V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5831 1N5831 GeneSiC Semiconductor 361460789146003761n5829_thru_1n5831r.pdf Rectifier Diode Schottky 35V 25A 2-Pin DO-4
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+80.72 EUR
25+74.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5831 1N5831 GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf 1N5829-1N5831-ssi.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.37 EUR
10+26.66 EUR
25+24.82 EUR
100+22.47 EUR
250+21.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5831 GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5831R GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 35V 25A DO4
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5831R 1N5831R GeneSiC Semiconductor 1n5829.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.86 EUR
10+30.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5832 GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5832R 1N5832R GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V - 40A Schottky Rectifier
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5832R GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 20V 40A DO5
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5833 GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5833 1N5833 GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf 5868-1n5832-34-datasheet 1N5832-1N5834-ssi.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5833R 1N5833R GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5833R GeneSiC Semiconductor 1n5832.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 40A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5834 1N5834 GeneSiC Semiconductor 1n5832-34.pdf 1N5834.pdf 1n5832.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.19 EUR
10+33.62 EUR
25+31.31 EUR
100+29.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5834R 1N5834R GeneSiC Semiconductor 1N5834R.pdf 1n5832.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.2 EUR
10+40.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6095 1N6095 GeneSiC Semiconductor 1n6095.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.74 EUR
10+28.63 EUR
25+26.83 EUR
100+24.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6095 GeneSiC Semiconductor 1n6095.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6095R 1N6095R GeneSiC Semiconductor 1n6095.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.66 EUR
10+30.95 EUR
25+30.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6095R 1N6095R GeneSiC Semiconductor 1n6095.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096 1N6096 GeneSiC Semiconductor 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096 GeneSiC Semiconductor 1n6096.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096 1N6096 GeneSiC Semiconductor 1n6096.pdf 5870-1n6095-96-datasheet Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096R GeneSiC Semiconductor 1n6096.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096R 1N6096R GeneSiC Semiconductor 1n6096.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.24 EUR
25+33.21 EUR
250+30.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6097 GeneSiC Semiconductor 1n6097.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6097 1N6097 GeneSiC Semiconductor 1N6097-98-ssi.pdf 1n6097.pdf 1N6097.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 50A Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6097R GeneSiC Semiconductor 1n6097.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6097R 1N6097R GeneSiC Semiconductor 1n6097.pdf 1N6097R.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 50A Schottky Rectifier
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.39 EUR
10+43.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6098 1N6098 GeneSiC Semiconductor 1n6097.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.63 EUR
10+41.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6098R GeneSiC Semiconductor 1n6097.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6098R 1N6098R GeneSiC Semiconductor 1n6097.pdf 1N6098R.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8024-GA 1N8024-GA GeneSiC Semiconductor 1N8024-GA.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.74 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8025 GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8026-GA 1N8026-GA GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8027 GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8028-GA 1N8028-GA GeneSiC Semiconductor 1N8028-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8029 GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 9733158768511141n8030-ga.pdf Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 750 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8031-GA 1N8031-GA GeneSiC Semiconductor 1N8031-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 9732867828337061n8032-ga.pdf Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8033-GA 1N8033-GA GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8034-GA 1N8034-GA GeneSiC Semiconductor 1N8034-GA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8035-GA 1N8035-GA GeneSiC Semiconductor 1N8035-GA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N827ARL GeneSiC Semiconductor 1N827ARL^GENESIC
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7635-GA 2N7635-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-257
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-276
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7637-GA 2N7637-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-257
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7638-GA 2N7638-GA GeneSiC Semiconductor 2N7638-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Supplier Device Package: TO-276
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor 2N7639-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor 2N7640-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2W005M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
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2W01M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
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2W01M GeneSiC Semiconductor 2W005M-2W10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2W02M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
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2W04M GeneSiC Semiconductor 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5830 1n5829.pdf 5867-1n5829-31-datasheet 1N5829-1N5831-ssi.pdf
1N5830
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 25V - 25A Schottky Rectifier
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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1N5830 1n5829.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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1N5830R 1n5829.pdf
1N5830R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 25V - 25A Schottky Rectifier
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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1N5830R 1n5829.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 25V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5831 361460789146003761n5829_thru_1n5831r.pdf
1N5831
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 35V 25A 2-Pin DO-4
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3+80.72 EUR
25+74.33 EUR
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1N5831 1n5829.pdf 1N5829-1N5831-ssi.pdf
1N5831
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
auf Bestellung 437 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+31.37 EUR
10+26.66 EUR
25+24.82 EUR
100+22.47 EUR
250+21.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5831 1n5829.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5831R 1n5829.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 35V 25A DO4
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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1N5831R 1n5829.pdf
1N5831R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V - 25A Schottky Rectifier
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AnzahlPrivatkunde
1+32.86 EUR
10+30.15 EUR
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1N5832 1n5832.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5
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1N5832R 1n5832.pdf
1N5832R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V - 40A Schottky Rectifier
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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1N5832R 1n5832.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 20V 40A DO5
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1N5833 1n5832.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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1N5833 1n5832.pdf 5868-1n5832-34-datasheet 1N5832-1N5834-ssi.pdf
1N5833
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5833R 1n5832.pdf
1N5833R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 40A Schottky Rectifier
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5833R 1n5832.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 40A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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1N5834 1n5832-34.pdf 1N5834.pdf 1n5832.pdf
1N5834
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+40.19 EUR
10+33.62 EUR
25+31.31 EUR
100+29.21 EUR
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1N5834R 1N5834R.pdf 1n5832.pdf
1N5834R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 40A Schottky Rectifier
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+42.2 EUR
10+40.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6095 1n6095.pdf
1N6095
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+33.74 EUR
10+28.63 EUR
25+26.83 EUR
100+24.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6095 1n6095.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6095R 1n6095.pdf
1N6095R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 25A Schottky Rectifier
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+42.66 EUR
10+30.95 EUR
25+30.15 EUR
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1N6095R 1n6095.pdf
1N6095R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096 386910112501433441n6095_thru_1n6096r.pdf
1N6096
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096 1n6096.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096 1n6096.pdf 5870-1n6095-96-datasheet
1N6096
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096R 1n6096.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6096R 1n6096.pdf
1N6096R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 25A Schottky Rectifier
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+33.24 EUR
25+33.21 EUR
250+30.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6097 1n6097.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6097 1N6097-98-ssi.pdf 1n6097.pdf 1N6097.pdf
1N6097
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 50A Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6097R 1n6097.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 30V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6097R 1n6097.pdf 1N6097R.pdf
1N6097R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 50A Schottky Rectifier
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+45.39 EUR
10+43.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6098 1n6097.pdf
1N6098
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+43.63 EUR
10+41.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6098R 1n6097.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6098R 1n6097.pdf 1N6098R.pdf
1N6098R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V - 50A Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8024-GA 1N8024-GA.pdf
1N8024-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 750MA TO257
Packaging: Tube
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Supplier Device Package: TO-257
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.74 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8025
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8026-GA 1N8026-GA.pdf
1N8026-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8027
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8028-GA 1N8028-GA.pdf
1N8028-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8029
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8030-GA 9733158768511141n8030-ga.pdf
1N8030-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N8030-GA 1N8030-GA.pdf
1N8030-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 750 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
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1N8031-GA 1N8031-GA.pdf
1N8031-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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1N8032-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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1N8032-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
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1N8033-GA 1N8033-GA.pdf
1N8033-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1N8034-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 250°C
Supplier Device Package: TO-257
Current - Average Rectified (Io): 9.4A
Capacitance @ Vr, F: 1107pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Tube
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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1N8035-GA 1N8035-GA.pdf
1N8035-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1N827ARL
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1N827ARL^GENESIC
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2N7635-GA
2N7635-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-257
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Bulk
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2N7636-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-276
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Packaging: Bulk
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2N7637-GA
2N7637-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: TO-257
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-257-3
Packaging: Bulk
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2N7638-GA 2N7638-GA.pdf
2N7638-GA
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Supplier Device Package: TO-276
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7639-GA 2N7639-GA.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7640-GA 2N7640-GA.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2W005M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 50P/35R
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2W01M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1000V 2A 100P/70R
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2W01M 2W005M-2W10M.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A WOM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: WOM
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Circular, WOM
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2W02M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 200P/140R
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2W04M 2w005m_thru_2w04m-1133595.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT WOM 50-1KV 2A 400P/280R
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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