Die Produkte genesic semiconductor

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MBRH12020R MBRH12020R mbrh12020r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 120A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12030 MBRH12030 mbrh12020r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12030R MBRH12030R mbrh12020r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 120A D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: MBRH12030
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 20V
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MBRH12035 MBRH12035 mbrh12020r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12035R MBRH12035R mbrh12020r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12045 MBRH12045 mbrh12045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12045R MBRH12045R mbrh12045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 45V 120A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67 HALF-PAK
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
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MBRH12060 MBRH12060 mbrh12045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 120 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
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MBRH12060R MBRH12060R mbrh12045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12080 MBRH12080 mbrh12045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
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MBRH12080R MBRH12080R mbrh12045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH120100 MBRH120100 mbrh120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH120100R MBRH120100R mbrh120100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH20020 MBRH20020 mbrh20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRH20020R MBRH20020R mbrh20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A D-67
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
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MBRH20030 MBRH20030 mbrh20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
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MBRH20030R MBRH20030R mbrh20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
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MBRH20035 MBRH20035 mbrh20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A D-67
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
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MBRH20035R MBRH20035R mbrh20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRH20040 MBRH20040 mbrh20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRH20040R MBRH20040R mbrh20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A D-67
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRH20060 MBRH20060 mbrh120100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 200A D-67
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20060R MBRH20060R mbrh120100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 200A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Part Status: Active
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Supplier Device Package: D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
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MBRH20080 MBRH20080 mbrh120100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 200A D-67
Part Status: Active
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRH20080R MBRH20080R mbrh120100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 80V 200A D-67
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
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MSRT150100(A) MSRT150100(A) msrt15060a_thru_msrt150100a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT150120(A) MSRT150120(A) msrt150120a_thru_msrt150160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT150140(A) MSRT150140(A) msrt150120a_thru_msrt150160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT150160(A) MSRT150160(A) msrt150120a_thru_msrt150160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT15060(A) MSRT15060(A) GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MSRT15080(A) MSRT15080(A) msrt15060a_thru_msrt150100a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBRH200100 MBRH200100 mbrh12045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 200A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: D-67
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MBRH200100R MBRH200100R mbrh12045.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 100V 200A D-67
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRT120100 MBRT120100 mbrt120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER
Packaging: Bulk
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRT120100R MBRT120100R mbrt120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
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MBRT12020 MBRT12020 mbrt12020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 20V 120A 3TOWER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
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MBRT12020R MBRT12020R mbrt12020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 20V 120A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRT12030 MBRT12030 mbrt12020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
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MBRT12030R MBRT12030R mbrt12020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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MBRT12035 MBRT12035 mbrt12020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 120A 3TOWER
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Supplier Device Package: Three Tower
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRT12035R MBRT12035R mbrt12020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 120A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRT12040 MBRT12040 mbrt12020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 120A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
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MBRT12040R MBRT12040R mbrt12020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 120A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRT12045 MBRT12045 mbrt120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 120A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MBRT12045R MBRT12045R mbrt120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 120A 3TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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MBRT12060 MBRT12060 mbrt120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 60V 120A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
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MBRT12060R MBRT12060R mbrt120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 60V 120A 3TOWER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
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MBRT12080 MBRT12080 mbrt120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 80V 120A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MBRT12080R MBRT12080R mbrt120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 80V 120A 3TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
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MSRT200100(A) MSRT200100(A) msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT200120(A) MSRT200120(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT200140(A) MSRT200140(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
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MSRT200160(A) MSRT200160(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT20060(A) MSRT20060(A) MSRT20060~200100(A).pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
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MSRT20080(A) MSRT20080(A) msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT250100(A) MSRT250100(A) msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
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MSRT250120(A) MSRT250120(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MSRT250140(A) MSRT250140(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MSRT250160(A) MSRT250160(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MSRT25060(A) MSRT25060(A) GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MSRT25080(A) MSRT25080(A) msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Package / Case: Three Tower
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MBRT200100R MBRT200100R mbrt20045_thru_mbrt200100r.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
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MBRT20020 MBRT20020 mbrt20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 20V 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRT20020R MBRT20020R mbrt20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 20V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT20030 MBRT20030 mbrt20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 100A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRT20030R MBRT20030R mbrt20020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MSRTA300100(A)D MSRTA300100(A)D threetower.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRTA300120(A)D MSRTA300120(A)D msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
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MSRTA300140(A)D MSRTA300140(A)D threetower.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20µA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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MSRTA300160(A)D MSRTA300160(A)D msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
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MSRTA30060(A) MSRTA30060(A) msrta30020a_thru_msrta30060a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRTA30080(A) MSRTA30080(A) www.genesicsemi.com GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MSRTA400100(A) MSRTA400100(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
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MSRTA400120(A) MSRTA400120(A) MSRTA400120(A)~MSRTA400160(A).pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: MSRTA400120
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
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MSRTA400140(A) MSRTA400140(A) msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRTA400160(A) MSRTA400160(A) msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRTA40060(A) MSRTA40060(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
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MSRTA40080(A) MSRTA40080(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 800V 400A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
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FST100100 FST100100 fst100100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 100A TO249AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
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FST10020 FST10020 fst10020_thru_fst10040.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 20V 100A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST10030 FST10030 fst10020_thru_fst10040.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 100A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST10035 FST10035 fst10020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 100A TO249AB
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
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FST10040 FST10040 fst10020_thru_fst10040.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 100A TO249AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
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FST10045 FST10045 fst10045_thru_fst100100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 100A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST10060 FST10060 fst10045_thru_fst100100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 60V 100A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST10080 FST10080 fst10045_thru_fst100100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 80V 100A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST120100 FST120100 fst12045_thru_fst120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 120A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST12020 FST12020 fst12020_thru_fst12040.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 20V 120A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST12030 FST12030 fst12020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 120A TO249AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
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FST12035 FST12035 fst12020.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 35V 120A TO249AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
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FST12040 FST12040 fst12020_thru_fst12040.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 40V 120A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST12045 FST12045 fst12045_thru_fst120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 45V 120A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST12060 FST12060 fst12045_thru_fst120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 60V 120A TO249AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
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FST12080 FST12080 fst12045_thru_fst120100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 80V 120A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBR40020CT MBR40020CT mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 20V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBR40020CTR MBR40020CTR mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 20V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
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MBR40030CT MBR40030CT mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBR40030CTR MBR40030CTR mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 30V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
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MBRT300100 MBRT300100 mbrt300100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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MBRT300100R MBRT300100R mbrt300100.pdf GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MBRH12020R mbrh12020r.pdf
MBRH12020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 120A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12030 mbrh12020r.pdf
MBRH12030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12030R mbrh12020r.pdf
MBRH12030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 120A D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: MBRH12030
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 20V
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MBRH12035 mbrh12020r.pdf
MBRH12035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12035R mbrh12020r.pdf
MBRH12035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12045 mbrh12045.pdf
MBRH12045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12045R mbrh12045.pdf
MBRH12045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 120A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67 HALF-PAK
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
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MBRH12060 mbrh12045.pdf
MBRH12060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 120 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
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MBRH12060R mbrh12045.pdf
MBRH12060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH12080 mbrh12045.pdf
MBRH12080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
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MBRH12080R mbrh12045.pdf
MBRH12080R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 120A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH120100 mbrh120100.pdf
MBRH120100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH120100R mbrh120100r.pdf
MBRH120100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 20 V
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MBRH20020 mbrh20020.pdf
MBRH20020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRH20020R mbrh20020.pdf
MBRH20020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A D-67
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
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MBRH20030 mbrh20020.pdf
MBRH20030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
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MBRH20030R mbrh20020.pdf
MBRH20030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
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MBRH20035 mbrh20020.pdf
MBRH20035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A D-67
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
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MBRH20035R mbrh20020.pdf
MBRH20035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRH20040 mbrh20020.pdf
MBRH20040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A D-67
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRH20040R mbrh20020.pdf
MBRH20040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200A D-67
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRH20060 mbrh120100r.pdf
MBRH20060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 200A D-67
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Supplier Device Package: D-67
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MBRH20060R mbrh120100r.pdf
MBRH20060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 200A D-67
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Part Status: Active
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Supplier Device Package: D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
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MBRH20080 mbrh120100r.pdf
MBRH20080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 200A D-67
Part Status: Active
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRH20080R mbrh120100r.pdf
MBRH20080R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 200A D-67
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
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MSRT150100(A) msrt15060a_thru_msrt150100a.pdf
MSRT150100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT150120(A) msrt150120a_thru_msrt150160a.pdf
MSRT150120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT150140(A) msrt150120a_thru_msrt150160a.pdf
MSRT150140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT150160(A) msrt150120a_thru_msrt150160a.pdf
MSRT150160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT15060(A)
MSRT15060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MSRT15080(A) msrt15060a_thru_msrt150100a.pdf
MSRT15080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBRH200100 mbrh12045.pdf
MBRH200100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 200A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package: D-67
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRH200100R mbrh12045.pdf
MBRH200100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 200A D-67
Current - Average Rectified (Io): 200A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: D-67
Package / Case: D-67
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A
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MBRT120100 mbrt120100.pdf
MBRT120100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER
Packaging: Bulk
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
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MBRT120100R mbrt120100.pdf
MBRT120100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
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MBRT12020 mbrt12020.pdf
MBRT12020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 120A 3TOWER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
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MBRT12020R mbrt12020.pdf
MBRT12020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 120A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
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MBRT12030 mbrt12020.pdf
MBRT12030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
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MBRT12030R mbrt12020.pdf
MBRT12030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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MBRT12035 mbrt12020.pdf
MBRT12035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 120A 3TOWER
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Supplier Device Package: Three Tower
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRT12035R mbrt12020.pdf
MBRT12035R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 120A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRT12040 mbrt12020.pdf
MBRT12040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 120A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
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MBRT12040R mbrt12020.pdf
MBRT12040R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 120A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MBRT12045 mbrt120100.pdf
MBRT12045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 120A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MBRT12045R mbrt120100.pdf
MBRT12045R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 120A 3TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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MBRT12060 mbrt120100.pdf
MBRT12060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 120A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
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MBRT12060R mbrt120100.pdf
MBRT12060R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 120A 3TOWER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
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MBRT12080 mbrt120100.pdf
MBRT12080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 120A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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MBRT12080R mbrt120100.pdf
MBRT12080R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 120A 3TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A
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MSRT200100(A) msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf
MSRT200100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT200120(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf
MSRT200120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT200140(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf
MSRT200140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
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MSRT200160(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf
MSRT200160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT20060(A) MSRT20060~200100(A).pdf
MSRT20060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
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MSRT20080(A) msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf
MSRT20080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT250100(A) msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf
MSRT250100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
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MSRT250120(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf
MSRT250120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT250140(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf
MSRT250140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRT250160(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf
MSRT250160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
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MSRT25060(A)
MSRT25060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Supplier Device Package: Three Tower
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MSRT25080(A) msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf
MSRT25080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Package / Case: Three Tower
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MBRT200100R mbrt20045_thru_mbrt200100r.pdf
MBRT200100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky, Reverse Polarity
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MBRT20020 mbrt20020.pdf
MBRT20020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT20020R mbrt20020.pdf
MBRT20020R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Part Status: Active
Supplier Device Package: Three Tower
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT20030 mbrt20020.pdf
MBRT20030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 100A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT20030R mbrt20020.pdf
MBRT20030R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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MSRTA300100(A)D threetower.pdf
MSRTA300100(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRTA300120(A)D msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf
MSRTA300120(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V (1.2kV)
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MSRTA300140(A)D threetower.pdf
MSRTA300140(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20µA @ 1400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MSRTA300160(A)D msrta30080a_thru_msrta300160a.pdf
MSRTA300160(A)D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
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MSRTA30060(A) msrta30020a_thru_msrta30060a.pdf
MSRTA30060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
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MSRTA30080(A) www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
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MSRTA400100(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf
MSRTA400100(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
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MSRTA400120(A) MSRTA400120(A)~MSRTA400160(A).pdf
MSRTA400120(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Base Part Number: MSRTA400120
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
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MSRTA400140(A) msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf
MSRTA400140(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V (1.4kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRTA400160(A) msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf
MSRTA400160(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V (1.6kV)
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MSRTA40060(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf
MSRTA40060(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
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MSRTA40080(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf
MSRTA40080(A)
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 400A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
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FST100100 fst100100.pdf
FST100100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 100A TO249AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
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FST10020 fst10020_thru_fst10040.pdf
FST10020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 100A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST10030 fst10020_thru_fst10040.pdf
FST10030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 100A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST10035 fst10020.pdf
FST10035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 100A TO249AB
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
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FST10040 fst10020_thru_fst10040.pdf
FST10040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 100A TO249AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
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FST10045 fst10045_thru_fst100100.pdf
FST10045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 100A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST10060 fst10045_thru_fst100100.pdf
FST10060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 100A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST10080 fst10045_thru_fst100100.pdf
FST10080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 100A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST120100 fst12045_thru_fst120100.pdf
FST120100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 120A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST12020 fst12020_thru_fst12040.pdf
FST12020
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 120A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST12030 fst12020.pdf
FST12030
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 120A TO249AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
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FST12035 fst12020.pdf
FST12035
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 120A TO249AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
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FST12040 fst12020_thru_fst12040.pdf
FST12040
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 120A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST12045 fst12045_thru_fst120100.pdf
FST12045
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 120A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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FST12060 fst12045_thru_fst120100.pdf
FST12060
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 120A TO249AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
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FST12080 fst12045_thru_fst120100.pdf
FST12080
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 120A TO249AB
Supplier Device Package: TO-249AB
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBR40020CT mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf
MBR40020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
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MBR40020CTR mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf
MBR40020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20V
Diode Type: Schottky
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MBR40030CT mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf
MBR40030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR40030CTR mbr40020ct_thru_mbr40040ctr.pdf
MBR40030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 400A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5mA @ 20V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT300100 mbrt300100.pdf
MBRT300100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Supplier Device Package: Three Tower
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 20V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBRT300100R mbrt300100.pdf
MBRT300100R
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
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