Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers GENESIC SEMICONDUCTOR (4205) > Seite 36 nach 71
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| M3P100A-60 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH |
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M3P100A-80 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 800V 100A Std. Recovery |
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| M3P100A-80 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH |
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M3P75A-100 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 75A Std. Recovery |
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M3P75A-100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH |
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M3P75A-120 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1200V 75A Std. Recovery |
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M3P75A-120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH |
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M3P75A-140 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1400V 75A Std. Recovery |
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M3P75A-140 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH |
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M3P75A-160 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1600V 75A Std. Recovery |
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M3P75A-160 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH |
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M3P75A-40 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH |
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M3P75A-40 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 75A Si Standard Recovery Rectifier |
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M3P75A-60 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 75A Std. Recovery |
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M3P75A-60 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH |
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M3P75A-80 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 800V 75A Std. Recovery |
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M3P75A-80 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH |
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MBR120100CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 |
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MBR120100CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70 |
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MBR120100CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70 |
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MBR120100CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
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MBR120150CT | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBR120150CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V |
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MBR120150CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V |
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MBR120150CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 150V 120A Reverse |
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MBR120200CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
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MBR120200CT | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBR120200CTR | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse |
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MBR120200CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
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MBR12020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery |
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MBR12020CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
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MBR12020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery |
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MBR12030CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery |
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MBR12030CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
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MBR12030CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 |
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MBR12030CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery |
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MBR12035CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery |
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MBR12035CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 |
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MBR12035CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery |
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| MBR12035CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
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MBR12035 CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 |
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MBR12040CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
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MBR12040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery |
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MBR12040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
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MBR12040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery |
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MBR12045CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery |
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MBR12045CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery |
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MBR12060CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery |
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MBR12060CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
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MBR12060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBR12060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBR12080CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MBR12080CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MBR12080CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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MBR12080CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBR200100CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBR200100CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 100V 200A |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBR200150CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 150V 200A Forward |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| M3P100A-60 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P100A-80 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 100A Std. Recovery
Rectifiers 800V 100A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P100A-80 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-100 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 75A Std. Recovery
Rectifiers 1000V 75A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-100 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-120 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 75A Std. Recovery
Rectifiers 1200V 75A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-120 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-140 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1400V 75A Std. Recovery
Rectifiers 1400V 75A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-140 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-160 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1600V 75A Std. Recovery
Rectifiers 1600V 75A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-160 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-40 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH
Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-40 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 75A Si Standard Recovery Rectifier
Rectifiers 400V 75A Si Standard Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-60 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 75A Std. Recovery
Rectifiers 600V 75A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-60 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-80 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 75A Std. Recovery
Rectifiers 800V 75A Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M3P75A-80 |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR120100CT |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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| MBR120100CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
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Stück im Wert von UAH
| MBR120100CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
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Stück im Wert von UAH
| MBR120100CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Stück im Wert von UAH
| MBR120150CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBR120150CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| MBR120150CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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Stück im Wert von UAH
| MBR120150CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 120A Reverse
Diode Modules 150V 120A Reverse
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Stück im Wert von UAH
| MBR120200CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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| MBR120200CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBR120200CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse
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Stück im Wert von UAH
| MBR120200CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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| MBR12020CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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Stück im Wert von UAH
| MBR12020CT |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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| MBR12020CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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Stück im Wert von UAH
| MBR12030CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12030CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12030CTR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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Stück im Wert von UAH
| MBR12030CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12035CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12035CT |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12035CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12035CTR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12035 CTR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12040CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12040CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12040CTR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12040CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 40V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12045CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12045CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 45V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12060CT |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12060CT |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12060CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
Diode Modules 60V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR12060CTR |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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| MBR12080CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
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| MBR12080CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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| MBR12080CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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| MBR12080CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56R
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| MBR200100CT |
![]() |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
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| MBR200100CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70
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| MBR200100CTS |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
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| MBR200100CTS |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBR200150CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 200A Forward
Diode Modules 150V 200A Forward
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