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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KBU6J KBU6J GeneSiC Semiconductor kbu6m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 6A 4-Pin Case KBU
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KBU6K KBU6K GeneSiC Semiconductor kbu6k.pdf Bridge Rectifiers 800V 6A Bridge Rectifier
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KBU6M KBU6M GeneSiC Semiconductor kbu6m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 8089 Stücke:
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10+1.99 EUR
25+1.71 EUR
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KBU6M GeneSiC Semiconductor kbu6j.pdf KBU6B.pdf 6A, 1000V, KBU Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
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KBU8005 KBU8005 GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 50V 8A KBU Silicon Bridge Rectifer
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KBU8A KBU8A GeneSiC Semiconductor KBU8A-KBU8M_Rev2010_DS.pdf kbu8b.pdf Bridge Rectifiers 50V 8A Bridge Rectifier
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KBU8A KBU8A GeneSiC Semiconductor kbu8b.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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KBU8B KBU8B GeneSiC Semiconductor kbu8b.pdf Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
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KBU8B KBU8B GeneSiC Semiconductor kbu8b.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
auf Bestellung 4501 Stücke:
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7+2.73 EUR
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1000+1.14 EUR
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KBU8D KBU8D GeneSiC Semiconductor kbu8d.pdf Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
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KBU8D KBU8D GeneSiC Semiconductor kbu8b.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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KBU8G KBU8G GeneSiC Semiconductor kbu8g.pdf Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
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KBU8J KBU8J GeneSiC Semiconductor kbu8j.pdf Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 730 Stücke:
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2+2.76 EUR
10+2.06 EUR
25+1.69 EUR
100+1.5 EUR
250+1.37 EUR
400+1.15 EUR
1200+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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KBU8K KBU8K GeneSiC Semiconductor kbu8k.pdf Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 14987 Stücke:
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1+3.04 EUR
10+2.11 EUR
25+1.78 EUR
250+1.37 EUR
400+1.12 EUR
1200+1.01 EUR
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KBU8M KBU8M GeneSiC Semiconductor kbu8m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
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KBU8M GeneSiC Semiconductor kbu8j.pdf 8A, 1000V, KBU Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
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M3P100A-100 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 1000V 100A 3PH
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M3P100A-120 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 1200V 100A 3PH
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M3P100A-140 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 1400V 100A 3PH
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M3P100A-160 GeneSiC Semiconductor m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf Description: DIODE STD REC 1600V 100A 3PH
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M3P100A-160 M3P100A-160 GeneSiC Semiconductor m3p100a80_thru_m3p100a160-472634.pdf Rectifiers 1600V 100A Std. Recovery
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M3P100A-60 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
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M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
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M3P100A-80 M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor m3p100a80_thru_m3p100a160-472634.pdf Rectifiers 800V 100A Std. Recovery
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M3P75A-100 M3P75A-100 GeneSiC Semiconductor threephase-1133535.pdf Rectifiers 1000V 75A Std. Recovery
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M3P75A-100 M3P75A-100 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
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M3P75A-120 M3P75A-120 GeneSiC Semiconductor threephase-1133535.pdf Rectifiers 1200V 75A Std. Recovery
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M3P75A-120 M3P75A-120 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
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M3P75A-140 M3P75A-140 GeneSiC Semiconductor threephase-1133535.pdf Rectifiers 1400V 75A Std. Recovery
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M3P75A-140 M3P75A-140 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
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M3P75A-160 M3P75A-160 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
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M3P75A-160 M3P75A-160 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160-472702.pdf Rectifiers 1600V 75A Std. Recovery
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M3P75A-40 M3P75A-40 GeneSiC Semiconductor m3p75a-40_thru_m3p75a-60.pdf Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH
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M3P75A-40 M3P75A-40 GeneSiC Semiconductor m3p75a-40_thru_m3p75a-60-766237.pdf Rectifiers 400V 75A Si Standard Recovery Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M3P75A-60 M3P75A-60 GeneSiC Semiconductor threephase-1133535.pdf Rectifiers 600V 75A Std. Recovery
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M3P75A-60 M3P75A-60 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
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M3P75A-80 M3P75A-80 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
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M3P75A-80 M3P75A-80 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160-472702.pdf Rectifiers 800V 75A Std. Recovery
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MBR120100CT MBR120100CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct-3480271.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
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MBR120100CT MBR120100CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120100CTR MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120100CTR MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ctr-3477496.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
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MBR120150CT MBR120150CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120150CT MBR120150CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR120150CTR MBR120150CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ctr-1856746.pdf Diode Modules 150V 120A Reverse
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120150CTR MBR120150CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120200CT MBR120200CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120200CT MBR120200CT GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120200CTR MBR120200CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120200CTR MBR120200CTR GeneSiC Semiconductor mbr120150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12020CT MBR12020CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12020CT MBR12020CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct-3479252.pdf Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12020CTR MBR12020CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ctr.pdf Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CT MBR12030CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CT MBR12030CT GeneSiC Semiconductor mbr12030ct-3477499.pdf Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
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MBR12030CTR MBR12030CTR GeneSiC Semiconductor mbr12030ctr-3480013.pdf Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CTR MBR12030CTR GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12035CT MBR12035CT GeneSiC Semiconductor mbr12035ct-3477925.pdf Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12035CT MBR12035CT GeneSiC Semiconductor mbr12020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor mbr12035ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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KBU6J kbu6m.pdf
KBU6J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 6A 4-Pin Case KBU
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KBU6K kbu6k.pdf
KBU6K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 6A Bridge Rectifier
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.66 EUR
10+1.99 EUR
25+1.76 EUR
100+1.47 EUR
250+1.35 EUR
400+1.15 EUR
1200+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU6M kbu6m.pdf
KBU6M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 6A Bridge Rectifier
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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KBU8005
KBU8005
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 8A KBU Silicon Bridge Rectifer
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KBU8A KBU8A-KBU8M_Rev2010_DS.pdf kbu8b.pdf
KBU8A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 8A Bridge Rectifier
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KBU8A kbu8b.pdf
KBU8A
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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KBU8B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
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KBU8B kbu8b.pdf
KBU8B
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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KBU8D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
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KBU8D kbu8b.pdf
KBU8D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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KBU8G kbu8g.pdf
KBU8G
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
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KBU8J kbu8j.pdf
KBU8J
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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KBU8K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
auf Bestellung 14987 Stücke:
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KBU8M kbu8m.pdf
KBU8M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
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KBU8M kbu8j.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
8A, 1000V, KBU Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
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M3P100A-100 threephase.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1000V 100A 3PH
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M3P100A-120 threephase.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1200V 100A 3PH
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M3P100A-140 threephase.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1400V 100A 3PH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M3P100A-160 m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1600V 100A 3PH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M3P100A-160 m3p100a80_thru_m3p100a160-472634.pdf
M3P100A-160
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1600V 100A Std. Recovery
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M3P100A-60 threephase.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M3P100A-80 m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
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M3P100A-80 m3p100a80_thru_m3p100a160-472634.pdf
M3P100A-80
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 100A Std. Recovery
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M3P75A-100 threephase-1133535.pdf
M3P75A-100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 75A Std. Recovery
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M3P75A-100 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-100
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
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M3P75A-120 threephase-1133535.pdf
M3P75A-120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 75A Std. Recovery
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M3P75A-120 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
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M3P75A-140 threephase-1133535.pdf
M3P75A-140
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1400V 75A Std. Recovery
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M3P75A-140 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-140
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
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M3P75A-160 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-160
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M3P75A-160 m3p75a80_thru_m3p75a160-472702.pdf
M3P75A-160
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1600V 75A Std. Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M3P75A-40 m3p75a-40_thru_m3p75a-60.pdf
M3P75A-40
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE STD 75A 400V 3PH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M3P75A-40 m3p75a-40_thru_m3p75a-60-766237.pdf
M3P75A-40
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 75A Si Standard Recovery Rectifier
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M3P75A-60 threephase-1133535.pdf
M3P75A-60
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 75A Std. Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M3P75A-60 threephase.pdf
M3P75A-60
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M3P75A-80 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-80
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M3P75A-80 m3p75a80_thru_m3p75a160-472702.pdf
M3P75A-80
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 75A Std. Recovery
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MBR120100CT mbr120100ct-3480271.pdf
MBR120100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120100CT mbr120100ct.pdf
MBR120100CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120100CTR mbr120100ct.pdf
MBR120100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120100CTR mbr120100ctr-3477496.pdf
MBR120100CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120150CT mbr120150ct.pdf
MBR120150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120150CT mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf
MBR120150CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR120150CTR mbr120150ctr-1856746.pdf
MBR120150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 120A Reverse
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120150CTR mbr120150ct.pdf
MBR120150CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120200CT mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf
MBR120200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MBR120200CT mbr120150ct.pdf
MBR120200CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120200CTR mbr120150ct_thru_mbr120200ctr-541911.pdf
MBR120200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Reverse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR120200CTR mbr120150ct.pdf
MBR120200CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12020CT mbr12020ct.pdf
MBR12020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12020CT mbr12020ct-3479252.pdf
MBR12020CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12020CTR mbr12020ctr.pdf
MBR12020CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 20V 120A Schottky Recovery
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CT mbr12020ct.pdf
MBR12030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CT mbr12030ct-3477499.pdf
MBR12030CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CTR mbr12030ctr-3480013.pdf
MBR12030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 30V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12030CTR mbr12020ct.pdf
MBR12030CTR
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 60 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12035CT mbr12035ct-3477925.pdf
MBR12035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 120A Schottky Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12035CT mbr12020ct.pdf
MBR12035CT
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 120
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR12035CTR mbr12035ctr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
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